「super- structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device 15 is provided with a vertical MOSFET (semiconductor element) including a semiconductor substrate 2 having a principal plane with a plane orientation of {110}, an n-type drift region 3 formed on the principal plane of the semiconductor substrate 2, and a p-type column region 16 formed in the n-type drift region 3 to form a super junction structure.例文帳に追加

半導体装置１５は、面方位が｛１１０｝である主面を有する半導体基板２と、半導体基板２の上記主面上に設けられたｎ型ドリフト領域３と、ｎ型ドリフト領域３中に設けられ、スーパージャンクション構造を構成するｐ型コラム領域１６と、を含む縦型ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）を備えている。 - 特許庁

In the magnetic field generating device for continuous casting, a coil case fixed with an annular hollow super conducting coil is supported by horizontal cables becoming a double cylinder structure from its back face, and by supporting with at least three pulling cables from its up and down sides, the coil case is engaged at the prescribed position inside the vacuum vessel.例文帳に追加

連続鋳造用鋳型用の磁場発生装置において、円環状の空心超伝導コイルを固定したコイルケースを、その背面から二重筒構造になる水平索条によって支持すると共に、その上下から少なくとも３本の引っ張り索条によって支えることにより、該コイルケースを真空容器内の所定位置に係止する。 - 特許庁

To provide a suspended damping method and a suspended damping structure capable of greatly contributing to the improvement of habitability and structural safety which is able to greatly improve the damping effect especially for an upper portion of a super-high-rise building where flexural deformation accompanied with the axial expansion a column becomes dominant against a wing load and a seismic load.例文帳に追加

風荷重及び地震荷重に対して柱の軸方向への伸縮に伴う曲げ変形が支配的となる超高層建物の特に上層部分の制震効果を飛躍的に向上させることができ、居住性と構造上の安全性の向上に大きく寄与する吊り制震方法及び吊り制震構造を提供する。 - 特許庁

In the alkaline secondary battery equipped with a positive electrode and a negative electrode, one of the electrode of the positive electrode and the negative electrode contains a super branching polymer that can give correct binding nature, hydrophilic nature or ion conductivity or the like by controlling its molecular weight, branching structure or branching terminal group.例文帳に追加

正極および負極を具備しているアルカリ二次電池において、該正極および負極の少なくとも一方の電極が、分子量、分枝構造や分枝末端基を制御することによって、適正な結着性、親水性やイオン導電性等を発現することができる超分岐高分子を含有してなることを特徴とするアルカリ二次電池。 - 特許庁

When traveling operation by traveling operation parts 27, 28 or excavating operation accompanied by arm pulling by an arm operating part 25 is performed in the revolving stop state, a controller 22 is constituted to output a torque command by 0-speed control only with a proportional term as a torque command for holding the super structure in the position, to a revolving motor 20.例文帳に追加

旋回停止状態で走行操作部２７,２８による走行操作、またはアーム操作部２５によるアーム引きを伴う掘削操作が行われたときに、コントローラ２２から旋回電動機２０に対して上部旋回体をその位置に保持するためのトルク指令として、比例項のみの０速度制御によるトルク指令を出力するように構成した。 - 特許庁

A plurality of wires formed of a first metal 3 are spirally twisted to form a hollow structure of a super-fine metal hollow body 10 for the electric discharge machining, a second metal 2 is welded in a spiral recess 5 formed between at least the wires adjacent to each other, and the melting point of the second metal 2 is lower than the melting point of the first metal 3.例文帳に追加

放電加工用金属中空体１０の構造としては、第１の金属３から成る複数本のワイヤーを螺旋状に撚ることで中空にされ、少なくとも隣接するワイヤー間で形成される螺旋状窪み５に第２の金属２が溶着され、第２の金属２の融点が第１の金属３の融点より低い金属を用いる。 - 特許庁

To provide a carbon cluster derivative which has various characteristics such as magnetic, electric, optical and electrochemical characteristics, whose molecules can be oriented or accumulated to form a super molecular structure such as a molecular column or a molecular wire, and which can thereby be applied to various display elements, optical elements, charge coupled device, and the like, and to provide a composition containing the derivative.例文帳に追加

磁気的、電気的、光学的、電気化学的特性などの各種特性を有し、分子の配向、集積により分子柱（カラム）や分子ワイヤーなどの超分子構造体が構築可能となり、各種表示素子、光学素子や光電変換素子等に応用できる、炭素クラスター誘導体、および該誘導体を含む組成物を提供する。 - 特許庁

In a super high-speed time-space conversion method for a light signal using four light wave mixing, by using a material having an organic- inorganic composite self-organized quantum well structure as a non-linear material, the method provide such a performance as a response time is 10 ps or faster and a third order non-linear sensing rate is 10-6esu or more.例文帳に追加

４光波混合を利用する光信号の超高速時間空間変換方法において、非線形物質４として有機無機複合型自己組織化量子井戸構造を有する材料を用いることにより、室温において応答時間１０ｐｓ以下かつ３次の非線形感受率１０^-6ｅｓｕ以上の性能を有する。 - 特許庁

The super-water-repellent material is characterized in that it is obtained by forming a water-repellent layer having a structure with isotropic surface irregularities at intervals of 10 nm to 200 nm on a base material having a surface shape in which unidirectional continuous grooves are formed at intervals of surface irregularities of 20 μm to 2 mm and with a roughness factor of 1.4 or greater.例文帳に追加

表面形状が、凹凸の周期が２０μｍ以上２ｍｍ以下、ラフネスファクターが１．４以上である一方向のみに溝が連続して形成された基材に、周期が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の等方的な凹凸構造が形成された撥水層を形成することを特徴とする超撥水材を提供する。 - 特許庁

By placing a plurality of evaporation sources in different places, the apparatus can form a thin film in which a plurality of materials are mixed, a thin film in which layers of a plurality of materials are arrayed in a lattice shape, or a thin film in which monomolecular layers of a plurality of materials are stacked in the film thickness direction and substantially form a super-multilayer structure of monomolecular.例文帳に追加

複数の蒸発源を異なる位置に配置することにより、複数の材料が混合した薄膜、複数の材料の層が格子状に配列した薄膜、若しくは複数の材料の単分子層が膜厚方向に積層した薄膜であって実質的に単分子超多層構造した薄膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide an improved electrostatic chuck member capable of coping with the super-microfabrication of a semiconductor device, improving effects deriving from embossing, a soaking property during wafer work and a dechuck operation after work for instance without complicating the structure and manufacture process of an electrostatic chuck, and also avoiding the generation of particles.例文帳に追加

半導体装置の超微細化に対処することができ、静電チャックの構造や製造工程を複雑にすることなく、エンボスに由来する効果、例えばウエハ加工中の均熱性や加工後のデチャック操作を改善することができ、しかもパーティクルの発生を回避することができるような、改良された静電チャック部材を提供すること。 - 特許庁

The super structure 7 comprises a mirror device 16 provided in a position visually confirmable by the operator within the cab 12 on the side opposite to the cab 12 with a working device 10 between, and a mirror body 21 constituting the mirror device 16 is arranged in a position within the rotating radius R2 of the cab 12 and without the rotating radius R11 of a counter weight 11.例文帳に追加

上部旋回体７のうち作業装置１０を挟んでキャブ１２とは反対側でキャブ１２内のオペレータが目視可能な位置にミラー装置１６を設け、このミラー装置１６を構成するミラー本体２１を、キャブ１２の旋回半径Ｒ２よりも内側となり、カウンタウエイト１１の旋回半径Ｒ１よりも外側となる位置に配置する。 - 特許庁

In an optoelectronic integrated circuit device 102 including a vertical structure of integrated circuit layers, an optical signal is projected between a first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106 via a super lens element 110 arranged between the first integrated circuit layer 104 and second integrated circuit layer 106.例文帳に追加

集積回路層における垂直方向の構成を含む光電子集積回路装置１０２内において、光信号が、第１の集積回路層１０４と、第２の集積回路層１０６との間において、前記第１の集積回路層１０４と前記第２の集積回路層１０６との間に配置されたスーパーレンズ素子１１０を介して投射される。 - 特許庁

This column-beam joining structure 1 is formed by projecting a reinforcing thick part 3 on an inner surface of a hollow part 16 of a hollow precast concrete column 2 composed of super high strength concrete or superhigh strength mortar embedded with a column main reinforcement 14 and a hoop tie 15, and joining a precast concrete beam 4 to a projected place of the reinforcing thick part 3.例文帳に追加

柱梁接合構造１は、柱主筋１４および帯筋１５が埋設された超高強度コンクリートまたは超高強度モルタルからなる中空のプレキャストコンクリート柱２の中空部１６内面に補強用厚肉部３が突設され、該補強用厚肉部３が突設された箇所にプレキャストコンクリート梁４が接合されたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-tensile steel plate for ensuring excellent toughness of the steel plate and a joint, suppressing softening of a welded heat affected zone, and also ensuring the tensile strength of the joint of ≥1,100 MPa, in the super-high-tensile steel plate which is welded by the laser beam arc hybrid welding and whose main structure is martensite and which has tensile strength of ≥1,100 MPa.例文帳に追加

レーザ・アークハイブリッド溶接により溶接される、主たる組織がマルテンサイトである引張強さが１１００ＭＰａ以上の超高張力鋼板において、鋼板、継手の良好な靭性を確保し、かつ、溶接熱影響部の軟化を抑制して、継手の引張強さも合わせて１１００ＭＰａ以上を確保できる高張力鋼板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This piping consists of the composite structure having a cylindrical corrosion resistant water pipe 11 consisting of a corrosion resistant material, such as super-austenitic stainless steel or titanium material, a metallic pressure resistant shell 12 disposed so as to cover the inner pipe body and a sealing material 14 consisting of a plastic cement material, etc., packed between the shell pipe body and the inner pipe body.例文帳に追加

スーパー・オーステナイト・ステンレス鋼またはチタン材等の耐食性材料からなる筒状の耐食性水管１１と、この内部管体を覆って設けられた耐圧構造を有する金属性の耐圧性外殻１２と、この外殻管体と前記内部管体との間に充填されるプラスチック・セメント材等からなるシーリング材１４とを備えたコンポジット構造の配管とする。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

The super water-repellent material has a support and an organic-inorganic composite layer containing a crosslink structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the support surface, and has a water repellency-treated uneven surface.例文帳に追加

支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、且つ、撥水処理が施された凹凸表面を有することを特徴とする超撥水材料。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。 - 特許庁