「surface layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

A coating film at least comprised of a light color bright-material layer containing a bright material and a transparent bright material layer containing a transparent bright material comprised of fiber with a coloring structure which layer is disposed closer to the surface side relative to the bright material layer is disclosed.例文帳に追加

光輝材を含有して成り、淡彩色である光輝材層と、この光輝材層より表面側に配設され、構造発色繊維から成る透明光輝材を含有して成る構造発色繊維層と、を少なくとも備える塗膜。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

A light condensing structure 10 includes a transparent light guide body 11, a first layer 12 provided on one surface of the light guide body 11, and a second layer 13 provided on the other surface of the light guide body 11 and which a convexoconcave structure 14 is formed on a surface opposite to the light guide body 11 side.例文帳に追加

集光構造体１０は、透明な導光体１１と、導光体１１の一方の面側に設けられた第１の層１２と、導光体１１の他方の面側に設けられ、かつ導光体１１側の面と反対側の面に凹凸構造１４が形成された第２の層１３とを備えている。 - 特許庁

Firstly, the surface of a structure 1 consisting of iridium or an iridium based alloy is provided with an intermediate diffusion layer 2 consisting of a ternary alloy of platinum, rhodium and iridium, strengthening the joinability of a surface layer 3 consisting of platinum or a platinum alloy, and further attaining its chemical and physical stability in a high temperature region, and the surface of the intermediate diffusion layer 2 is coated with the above surface layer 3.例文帳に追加

第１に、イリジウム又はイリジウム基合金からなる構造体１の表面に、表面層３の接合性を強化すると共に高温域での化学的、物理的な安定性を図る白金、ロジウムとイリジウムとの三元系合金からなる中間拡散層２を設け、この中間拡散層２の表面を白金又は白金合金からなる前記表面層３にて被覆する。 - 特許庁

The mold 1 for optical imprint includes a transparent base 2, a transparent conductive pattern layer 4 positioned on one surface 2a of the transparent base 2 and having a desired unevenness structure, a transparent conductive reverse-surface layer 7 positioned on the other surface 2b of the transparent base 2, and a top-reverse connection member 8 electrically connecting the transparent conductive pattern layer to the transparent conductive reverse-surface layer.例文帳に追加

光インプリント用のモールド１を、透明基材２と、この透明基材２の一方の面２ａに位置し所望の凹凸構造を有する透明導電パターン層４と、透明基材２の他方の面２ｂに位置する透明導電裏面層７と、透明導電パターン層と前記透明導電裏面層とを電気的に接続する表裏接続部材８と、を備えたものとする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the translucency display, a laminated structure 6 having a base layer 4 on one surface 1a (3a) of the translucency substrate 1 and the decorative layer 5 on the base layer 4 is irradiated with a laser beam 7 from a surface 1b opposite to the one surface 1a (3a) of the translucency substrate 1 in order to selectively remove the base layer 4 and decorative layer 5.例文帳に追加

透光性基材１の一の面１ａ（３ａ）側に下地層４を有し、下地層４上に加飾層５を有してなる積層構造体６に対して、透光性基材１の一の面１ａ（３ａ）と対向する側の面１ｂからレーザー光７を照射し、下地層４及び加飾層５を選択的に除去することにより、透光型表示体を製造する方法である。 - 特許庁

A V-ribbed belt 1A has a structure containing an extension layer 5 with its back surface 8 made from a rubber composition containing short fibers 4, a bonded layer 2 underlying the extension layer 5, and a compression layer 6 underlying the bonded layer 2 and made from a rubber composition containing short fibers 4.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１Ａは、背面８が短繊維４を含有するゴム組成物で形成された伸張層５と、該伸張層５の下層には接着層２が配設され、更にその下層に短繊維４を含有するゴム組成物で形成された圧縮層６を配置した構成を有する。 - 特許庁

Specific means relates to the tactile sensor having the membrane structure including: a polymer layer having a depressed portion at the base thereof and having a membrane formed by the depressed portion; a resistor layer formed on a surface of the polymer layer; and a conductive layer formed around the resistor layer.例文帳に追加

本発明の具体的な手段として、底部に凹部が形成され、且つ該凹部によりメンブレンが形成された高分子層と、高分子層の一面に形成された抵抗層と、抵抗層の周囲に形成された伝導層とを含むことを特徴とするメンブレン構造を有する触覚センサーに関する。 - 特許庁

The multilayered film A has a laminated structure consisting of a transparent or translucent surface polyolefin resin layer 1, a white polyolefin resin layer 2, a black or gray light shielding polyolefin resin layer 3, an oilproof polylactic resin layer 4, and a transparent or translucent back polyolefin resin layer.例文帳に追加

透明ないし半透明の表面ポリオレフィン系樹脂層１、白色のポリオレフィン系樹脂層２、黒色ないし灰色の遮光性ポリオレフィン系樹脂層３、耐油性ポリ乳酸樹脂層４、および、透明ないし半透明の裏面ポリオレフィン系樹脂層の積層構成からなる多層積層フィルムＡ。 - 特許庁

In the recording medium comprising a substrate, an ink receptor layer provided on the substrate and a surface layer or a glossy layer provided on the ink receptor layer, the glossy layer is made rigid by a zirconium compound and a resin capable of forming a crosslinked structure by reacting with the zirconium compound.例文帳に追加

基材と、該基材上に設けられたインク受理層と、該インク受理層上に設けられた表面層としての光沢層とからなる記録媒体において、前記光沢層を、ジルコニウム化合物及び該ジルコニウム化合物と反応して架橋構造を形成し得る樹脂により硬質化した。 - 特許庁

In the antireflection laminated body, in which at least a low refractive index layer is laminated at least on one surface of a transparent substrate, the low refractive index layer has a two layer structure composed of a low refractive index lower layer and a low refractive index upper layer.例文帳に追加

本発明は、透明基材の少なくとも片面に、少なくとも低屈折率層を積層した反射防止積層体において、該低屈折率層が低屈折率下層と低屈折率上層との２層構造からなることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

One preferred embodiment electronic component 1 has an inner layer portion 10 and an outer layer portion 20, in a structure having a filler constituent dispersed in a glass constituent, where the inner layer portion 10 is covered by the outer layer portion 20 over the whole surface, and has a thermal expansion coefficient larger than that of the outer layer portion 20.例文帳に追加

好適な実施形態の電子部品1は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部１０及び外層部２０を有し、内層部１０は、その全表面を外層部２０に覆われており、且つ、外層部２０よりも熱膨張係数が大きい。 - 特許庁

This surface-emitting laser has a resonator structure, constituted by stacking on a substrate 101, a 1st n-type semiconductor multilayered film mirror layer 103, a 1st active layer 105, a p-type spacer layer 109, a 2nd active layer 113, and a 2nd n-type semiconductor multilayered film mirror layer 115 respectively.例文帳に追加

面発光レーザ装置は、基板１０１上に、第１のｎ型半導体多層膜ミラー層１０３、第１の活性層１０５、ｐ型のスペーサ層１０９、第２の活性層１１３、第２のｎ型半導体多層膜ミラー層１１５、の各層を積層して成る共振器構造を有する。 - 特許庁

In laminate structure consisting of an oxide layer and an insulator layer, carrier density of the oxide layer is 10^18/cm^3 or less, an average crystalline particle diameter is 1 μm or more, and crystal of the oxide layer is arranged on a surface of the insulator layer in the shape of a pillar.例文帳に追加

酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３以下、平均結晶粒径が１μｍ以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。 - 特許庁

The key top 20 positioned on a light emitting surface side of the EL sheet 10, on which an EL layer 12 is formed on a transparent substrate 11 such as PET film is adhered and fixed by an adhering layer 30 provided with a 2 layer structure consisting of a first layer 31 on the EL sheet side and a second layer 32 on the key top side.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム等の透明基材１１にＥＬ層１２が形成されいるＥＬシート１０の発光面側に位置するキートップ２０は、ＥＬシート側の第１層３１とキートップ側の第２層３２とからなる２層構造を有する接着層３０によって貼着固定されている。 - 特許庁

A pit transfer intermediate layer on which a pit surface is formed is provided separately from a first recording layer on a pit transfer substrate to form a multilayered disk structure and only a reflection layer of the other recording layer except the first recording layer is irradiated with the laser light to form the marks.例文帳に追加

ピット転写基板上の第１の記録層以外に、ピット面が形成されたピット転写中間層を備えて多層ディスク構造とした上で、上記第１の記録層以外の他の記録層における反射膜に対してのみレーザ光の照射に伴うマークを形成する。 - 特許庁

The antireflection resin sheet has a base material layer, a gas barrier layer and a hard coat having an uneven structure on an outside surface laminated in this order, and forms a low refractive index layer comprising a material having lower refractive index than that of a hard coat layer forming resin on the hard coat layer.例文帳に追加

基材層、ガスバリア層、外側表面に凹凸構造を有するハードコート層がこの順で積層され、かつ、前記ハードコート層上に当該ハードコート層形成樹脂よりも屈折率の低い材料よりなる低屈折率層が形成されている反射防止樹脂シート。 - 特許庁

In the group III nitride semiconductor laminate structure 2, m-axis is a main surface for crystal growth, and an n-type semiconductor layer 11, a light emitting layer 10, and a p-type semiconductor layer 12 are stacked in the m-axis direction.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

To increase luminous efficiency in a semiconductor light-emitting element, where at least an n-type nitride semiconductor layer, a luminous layer, and a p-type nitride semiconductor layer are laminated on a substrate, and an irregular structure is provided on an upper surface.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a substrate 21, a junction structure comprising an n-type semiconductor layer 22 and a p-type semiconductor layer 23 which are formed on a front surface of the substrate 21, and an n electrode 24 formed on the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

基板２１と、基板２１の上表面に形成されるｎ型半導体層２２とＰ型半導体層２３の接合体構造と、ｎ型半導体層２２に形成されるｎ電極２４とを備える。 - 特許庁

A heat dissipation structure of this invention comprises a substrate, a ZnO layer formed on at least one surface of the substrate, and a ZnO whisker layer formed on the ZnO layer to solve the problem.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造は、上記課題を解決すべく、基板と該基板の少なくとも一表面に形成されたＺnＯ層と該ＺnＯ層の表面に形成されたＺnＯウィスカー層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The Raman waveguide 11 has a hetero-structure made up of at least a GaP core layer; and an Al_xGa_1-xP clad layer arranged on each of a bottom portion, a top portion, and a side surface of the GaP core layer.例文帳に追加

ラマン導波路１１は、ＧａＰコア層と、このＧａＰコア層の下部、上部、及び側面にそれぞれ配置されたＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＰクラッド層から少なくとも構成されたヘテロ構造を有する。 - 特許庁

The glass cap has a through hole penetrating in the thickness direction and have a coaxial structure by concentrically forming a metal layer 22, a dielectric layer 23 and a signal layer 24 from an internal circumference surface to the center of the through hole.例文帳に追加

ガラスキャップは、厚さ方向に貫通する貫通孔２１を有し、その貫通孔の内周面から中心に向かって同心状に、金属層２２，絶縁層２３，信号層２４を形成し、同軸構造をとる。 - 特許庁

To increase luminous efficiency in a semiconductor light-emitting element where at least an n-type nitride semiconductor layer, a luminous layer, and a p-type nitride semiconductor layer are laminated on a substrate, and an irregular structure is provided on an upper surface.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。 - 特許庁

The secondary battery 1 is provided with a cell structure body with a positive electrode layer 35, a solid electrolyte layer 40 and a negative electrode layer 65 laminated in this order or in a reverse order on at least one surface side of the substrate 10.例文帳に追加

二次電池１は、基板１０の少なくとも一方面側に、正極層３５、固体電解質層４０および負極層６５がこの順もしくは逆順に積層された電池構造体を有する。 - 特許庁

A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.例文帳に追加

積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁

The transparent conductive layer is formed on a first external surface of a stack of a plurality of group III nitride semiconductor layers, and then the transparent dielectric layer is formed on the opposite side to the multilayer structure of the transparent conductive layer.例文帳に追加

複数のIII族窒化物半導体層のスタックの第１外面上に該透明導電層が形成され、次に透明誘電体層が該透明導電層の該多層構造体と反対の側に形成される。 - 特許庁

The charging roller 1 has a laminated structure that includes an elastic layer 3 formed on the peripheral face of a conductive shaft 2, and a surface layer 4 formed covering the peripheral face of the elastic layer 3.例文帳に追加

帯電ローラ１は、弾性を有し導電性軸体２の外周面上に形成される弾性層３と、弾性層３の外周面を覆うように形成される表面層４との積層構造を備える。 - 特許庁

A ratio of a wurtzite structure on the surface of the GaN layer 14 is reduced to 5% when a thickness of the GaN layer 16 is 200 μm and reduced to 1.5% when the thickness of the GaN layer 16 is 500 μm.例文帳に追加

ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。 - 特許庁

The inner layer 7a closely bonded to a sheetlike parison 6 as a decorative sheet 7 comprises the same material as the sheetlike parison 6 and the outer layer 7b on an outer surface side has a multilayered structure as a printed or colored treatment layer.例文帳に追加

加飾シート７としてそのシート状パリソン６と密着する内層７ａをシート状パリソン６と同材質層とし、かつ外表面側の外層７ｂを印刷または彩色処理層とした多層構造とする。 - 特許庁

A solid state image sensor 21 comprises: a photodiode layer 25 where photoelectric conversion elements converting received light into charges are arranged planarly; and a conductor structure layer 24 arranged on the upper surface of the photodiode layer 25.例文帳に追加

固体撮像素子２１は、受光した光を電荷に変換する光電変換素子が平面的に配置されたフォトダイオード層２５と、フォトダイオード層２５の上面に配置される導体構造体層２４とを備える。 - 特許庁

The asbestos layer 2 is cut while separating a part between the asbestos layer 2 and a surface with the structure 1 by water pressure, by moving a nozzle 3 while injecting a water jet 4 toward the asbestos layer 2 from the nozzle 3.例文帳に追加

ノズル３からアスベスト層２へ向かってウォータジェット４を噴射させながらノズル３を移動させることで、アスベスト層２と構造物１との表面との間を水圧によって剥離させながらアスベスト層２を切断する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer, an active layer having a multiple quantum well structure of the nitride semiconductor, and a p-type nitride semiconductor layer are stacked in turn on a main surface of a first substrate on which irregularity is formed.例文帳に追加

凹凸が形成された第１基板の一主面上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量子井戸構造を有する活性層、およびｐ型窒化物半導体層を、順に積層する。 - 特許庁

The water repellent layer which is made of the polymer having the hydrophobic groups and has the fine uneven structure is formed on the surface of the substrate, and the oil repellent layer made of the fluorine-containing silane coupling agent is formed on the water repellent layer.例文帳に追加

基材の表面に、疎水基を有するポリマーからなり、かつ微細な凹凸構造を有する撥水性層を設け、その上にフッ素含有シランカップリング剤からなる撥油性層を設けることを含む。 - 特許庁

Thereafter, an oxide layer 28 and a second polysilicon layer 30 are deposited on the resulting structure to fill the trench 26 and the surface is planarized in flush with the second polysilicon layer 30 in the trench 26.例文帳に追加

次に、得られた構造体に酸化物層２８および第２のポリシリコン層３０を堆積してトレンチ２６を埋めてトレンチ２６内に位置する第２のポリシリコン層３０の部分の高さの上側まで平坦化する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

It is further effective that the coating layer 4 has a two layer structure composed of a first coating layer (flexible layer) formed on the rubber surface of the seal member 3 by thermally treating a solution containing polyorganosilazane, and a second coating layer (compact layer) formed thereon by thermally treating a solution containing perhydropolysilazane and polyorganosilazane.例文帳に追加

さらにコーティング層４は、シール部材３のゴム表面に、ポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第１のコーティング層（柔軟層）を形成し、さらにその上に、パーハイドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第２のコーティング層（緻密層）を形成した２層構造とするのが効果的である。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

To provide an optical filter superior in planarity of the surface of a hard coat layer and improving adhesion of the hard coat layer and a meshed conductive layer in the optical filter for the display including a structure having the meshed conductive layer and the hard coat layer put on the conductive layer, and to provide the manufacturing method therefor.例文帳に追加

メッシュ状の導電層と、導電層上に設けられたハードコート層を備えた構造を含むディスプレイ用光学フィルタであって、ハードコート層表面の平面性が優れ、かつハードコート層とメッシュ状の導電層との密着性が向上したディスプレイ用光学フィルタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the colored photocatalyst support structure wherein an adhesive layer and a photocatalyst layer are successively laminated on the surface of the base material, a triphenylmethane dye is added to the adhesive layer and/or the photocatalyst layer or the triphenylmethane dye is added to a coating solution for forming the adhesive layer and/or a coating solution for forming the photocatalyst layer.例文帳に追加

基材表面に接着層、光触媒層を順次積層してなる光触媒坦持構造体において、接着層及び／又は光触媒層にトリフェニルメタン系染料を含ませる、または、接着層形成用塗布液及び／又は光触媒層形成塗布液にトリフェニルメタン系染料を含有させる。 - 特許庁

In the photoelectric converting element, a concavo-convex structure is formed on an interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer and the interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer has a specific surface area which is 1.5 to 10 times larger than that of an interface between the transparent conductive layer and the organic semiconductor layer A.例文帳に追加

また、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Ａとの界面に対して、有機半導体層Ａと光電変換層との界面が１.５〜１０倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 - 特許庁

This absorbent structure includes a liquid absorbing layer made of polyethylene terephthalate, a peeling layer composed of a peeling coating at least partially defining a food contact surface arranged in a relation facing the liquid absorbing layer, and a binding layer arranged between the peeling layer and the liquid absorbing layer.例文帳に追加

吸収構造体を、ポリエチレンテレフタレートからなる液体吸収層、該液体吸収層と向かい合う関係で設けられた、食品接触面を少なくとも部分的に画定する剥離コーティングからなる剥離層、及び該剥離層と該液体吸収層との間に設けられた結合層とから構成する。 - 特許庁

It is further effective that the coating layer 4 has a two-layer structure composed of a first coating layer (flexible layer) formed on the rubber surface of the lip 3 by thermally treating a solution containing polyorganosilazane, and a second coating layer (compact layer) formed thereon by thermally treating a solution containing perhydropolysilazane and polyorganosilazane.例文帳に追加

さらにコーティング層４は、リップ３のゴム表面に、ポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第１のコーティング層（柔軟層）を形成し、さらにその上に、パーハイドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第２のコーティング層（緻密層）を形成した２層構造とするのが効果的である。 - 特許庁

A stacked structure of a nitride semiconductor comprises a substrate having projections on its primary surface, a single-crystal layer that is directly provided on the primary surface of the substrate and covers the projections, and a nitride semiconductor layer provided on the single-crystal layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。 - 特許庁