「type cathode」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A diode 100 comprises an n-type drift layer 6 on the surface of a SiC substrate 2, a p-type guard ring area 8, an anode electrode 10 and a cathode electrode 12.例文帳に追加

ダイオード１００は、ＳｉＣ基板２の表面にｎ型のドリフト層６と、ｐ型のガードリング領域８と、アノード電極１０と、カソード電極１２を備えている。 - 特許庁

The unit cells 10 of a diode device 100 are each equipped with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2, an anode electrode 11, and a cathode electrode 21.例文帳に追加

ダイオード素子１００の単位セル１０は，Ｐ型半導体領域１と，Ｎ型半導体領域２と，アノード電極１１と，カソード電極２１とを備えている。 - 特許庁

A first anode side electrode plate 20 is fixed to a p-type semiconductor 11 of a chip 10, and a first cathode side electrode plate 30 is fixed to an n-type semiconductor 12.例文帳に追加

チップ１０のｐ型半導体１１に第１のアノード側電極板２０を取り付け、ｎ型半導体１２に第１のカソード側電極板３０を取り付ける。 - 特許庁

An anode electrode 18 (first electrode) is connected with the p-type area 17, and a cathode electrode 19 (second electrode) is connected with the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型領域１７にアノード電極１８（第１の電極）が接続され、ｎ型ＩｎＰ基板１１にカソード電極１９（第２の電極）が接続されている。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

The single battery comprises a lamination type generating element with at least a cathode plate and an anode plate laminated in turn, a cathode tab 10 connected to the generating element, and a terminal part 4 formed as a part of the cathode tab 10 and processed into the voltage detection terminal.例文帳に追加

少なくとも正極板と負極板を順に積層した積層型の発電要素と、発電要素に接続された正極タブ１０と、正極タブ１０の一部として形成され、電圧検出用の端子に加工される端子部４とを有する。 - 特許庁

A vertical type Schottky diode 1 has a cathode electrode 10 and an anode electrode 60 formed respectively on the front and rear surfaces of a semiconductor substrate 8, wherein both a structure of low resistance between anode and cathode and a structure of high resistance between the anode and cathode are formed.例文帳に追加

半導体基板８の表裏両面にカソード電極１０とアノード電極６０が分かれて形成されている縦型のショットキーダイオード１であり、アノード・カソード間抵抗が低い構造とアノード・カソード間抵抗が高い構造の両者が形成されている。 - 特許庁

This photodetector is constituted by forming an InGaAs layer (i-type) 12 and a p-type InP layer 14 on the surface of an n-type InP substrate 10, a cathode electrode on the backside of the substrate 10, and electrodes (a) and (b) at both ends of the surface of the p-type layer 14.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ＩｎＧａＡｓ層（ｉ層）１２、ｐ型ＩｎＰ層１４が形成され、ｎ型基板１０の裏面にカソード電極が、ｐ型層１４の表面の両端に電極ａ，ｂが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide a discharge tube capable of preventing drop in brightness caused by deposition of evaporated materials from a cathode to the inner wall of a glass tube and lengthening life in the discharge tube using an impregnation type cathode.例文帳に追加

含浸型陰極が用いられる放電管において、陰極からの蒸発物がガラス管の内壁に付着して輝度が低下しないようにし、長寿命とすることができる放電管を提供する。 - 特許庁

To provide a flat type image display apparatus in which the degradation of the image quality due to unnecessary electron emitted from the cathode electrode is reduced and the dielectric breakdown between the fluorescence face and cathode electrode is prevented.例文帳に追加

陰極から放出された不要電子に起因する画質の劣化を抑制し、蛍光面と陰極との間の絶縁破壊を生じにくくすることができる平板型画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A trimming electrode 5 with an opening 5a for passing field-emitted electrons therethrough is arranged oppositely to the cold cathode on the side of a fluorescent screen in relation to a field-emission type cold cathode 3.例文帳に追加

電界放出型冷陰極３に対して蛍光面側に冷陰極に対向して、電界放出された電子が通過する開口５ａが形成されたトリミング電極５が配置されている。 - 特許庁

This lighting device 1 includes a heater 14 provided at the outside center of the cold cathode type lamp 11 having an anode and a cathode and shorter than the lamp 11 for heating the lamp 11.例文帳に追加

点灯装置１は、陽極と陰極とを有する冷陰極型のランプ１１の外部の中央に設けられておりランプ１１の長さよりも短い、ランプ１１を加熱するヒータ１４を有する。 - 特許庁

A cathode-ray tube 6 with panel is constituted by fixing the internal surface of a box-type panel 1 provided with a mask section having such a size that the section can cover the outer periphery of a cathode-ray tuber 5 to the surface 12a of the tube 5 with an adhesive 2.例文帳に追加

ブラウン管５の外周を覆い被せるサイズのマスク部を備えた箱型パネル１の内面と、ブラウン管５のフェース面１２ａとを接着剤２で固定してパネル付ブラウン管６を構成する。 - 特許庁

In this lithium-ion secondary battery, the anode has an anode material in which a metal compound thin film is covered on the surface, while the cathode has a cathode material of spinel manganese oxide of partially substituted type.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池は、負極が表面に金属化合物薄膜を被覆してなる負極材料を有し、且つ正極が部分置換型スピネルマンガン酸化物の正極材料を有する。 - 特許庁

The solid oxide type fuel cell 1 comprises at least an anode 2, a cathode 3, and an electrolyte layer 4 which is arranged between the anode 2 and the cathode 3 and made of an ion conductive solid oxide.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池１は、アノード２と、カソード３と、アノード２とカソード３との間に配置されたイオン伝導性の固体酸化物からなる電解質層４と、を少なくとも有する。 - 特許庁

To make fit the property of a displacement type compressor for supplying an oxidant gas to a cathode pole and the property of a turbine driven by exhaust energy from the cathode pole and improve the system performance.例文帳に追加

カソード極に酸化剤ガスを供給する容積型のコンプレッサの特性と、カソード極からの排気エネルギーによって駆動されるタービンの特性とを適合させ、システム性能を向上させる。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane type fuel cell 1 is provided with a cathode 2, a solid electrolyte membrane 3 which is formed on one side of the cathode and an anode 4 which is formed on the solid electrolyte membrane 3.例文帳に追加

水素分離膜型燃料電池セル1は、カソード2と、このカソードの一方の面に成膜して形成される固体電解質膜3と、固体電解質膜3の上に成膜して形成されるアノード4とを備える。 - 特許庁

To provide a cathode can for an air-depolarizing type electrochemical battery having enhanced corrosion resistance in a highly humid environment.例文帳に追加

湿度の高い環境中で向上した耐腐食性を有する空気減極型電気化学ボタン電池のカソード缶を提供する。 - 特許庁

This fuel cell system is equipped with a dry type compressor 22 for compressed air to be supplied to the cathode side of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池システムは、燃料電池のカソード側に供給される圧縮空気のための乾燥式コンプレッサを備える。 - 特許庁

To provide a dual cathode type sputtering apparatus which can be downsized and can reduce production cost, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

装置を小型化でき且つ生産コストを低減できるデュアルカソード型のスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To shorten the total length of a cathode-ray tube for a projection type TV, without losing its focus characteristics by optimizing the electron gun.例文帳に追加

電子銃を最適化することにより、フォーカス特性を損なわずに投射型TV用陰極線管の全長を短縮する。 - 特許庁

To provide a cathode unit and an open type X-ray generator capable of effectively and continuously emitting electrons.例文帳に追加

電子を効率よく継続して放出することが可能なカソードユニット及び開放型Ｘ線発生装置を提供すること。 - 特許庁

The organic EL panel 31 of dot matrix type comprises a substrate 32, an organic EL element 39, and cathode terminals 40a-40d.例文帳に追加

ドットマトリクス型の有機ＥＬパネル３１は、基板３２と、有機ＥＬ素子３９と、陰極端子４０ａ〜４０ｄと、を有する。 - 特許庁

To provide an ion exchange membrane method type electrolytic cell in which the renewal cost of a cathode is low, and the electric energy as small a loss as possible.例文帳に追加

陰極の更新費用が安価で、かつ、電気エネルギーロスが可及的に小さいイオン交換膜法電解槽を提供する。 - 特許庁

Each arc type evaporating source 42 melts a cathode 46 by vacuum arc discharge to generate plasma containing a cathodic substance.例文帳に追加

各アーク式蒸発源４２は、真空アーク放電によって陰極４６を溶解させて陰極物質を含むプラズマを生成する。 - 特許庁

To provide a light-emission/display device by a high-output and long-life cold-cathode type electron source having a low electron emission threshold value.例文帳に追加

電子放出閾値の低い、高出力、長寿命の冷陰極型電子源による発光・表示デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive activated cathode which can be used even in a zero gap type cell as well as an electrolytic cell at a large current density.例文帳に追加

大電流密度での電解セルもゼロギャップタイプのセルでも使用可能であり、かつ安価な活性化陰極を提供する。 - 特許庁

Thereby, the dimensions of a set can be made compact in the projection type display device using the cathode-ray tube.例文帳に追加

これにより、陰極線管を用いた投射型表示装置において、そのセットの寸法をコンパクト化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a light transmission type organic electroluminescent(EL) element with a high transmittance for visible light and with a transparent cathode layer of low specific resistance.例文帳に追加

可視光透過性が高く、透明陰電極層の比抵抗率が低い光透過型有機ＥＬ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a split scan type cathode-ray tube device which reduces the circuit scale and the production cost and is easily adjusted.例文帳に追加

回路規模および製造コストを低減でき調整が容易な分割走査型の陰極線管装置を提供することにある。 - 特許庁

The field emission type electron emission element is provided with a cathode in which lanthanum oxide and molybdenum oxide are mixed.例文帳に追加

ランタンの酸化物とモリブデンの酸化物とが混合されたカソードを備えることを特徴とする電界放出型電子放出素子。 - 特許庁

An anode electrode 18 is provided on the p type semiconductor region 16 and, finally, a cathode electrode 19 is provided beneath the low resistant substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６にアノード電極１８を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１９を設ける。 - 特許庁

CNT MEMBRANE AND METHOD FOR MAKING THE SAME AND FIELD EMISSION TYPE COLD CATHODE AND IMAGE DISPLAY DEVICE USING THE CNT MEMBRANE例文帳に追加

ＣＮＴ膜及びその製造方法並びにＣＮＴ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 - 特許庁

An anode electrode 18 is formed on the P-type semiconductor region 16, and a cathode electrode 19 is formed on the low resistance substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１９を設ける。 - 特許庁

An anode electrode 17 is provided on the p-type semiconductor region 15, and a cathode electrode 18 is provided on the low resistance substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１５の上にアノード電極１７を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１８を設ける。 - 特許庁

A transparent electrode 18 is formed on the p-type semiconductor area 16, and a cathode electrode 20 is formed on the low resistance base 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６の上に透明電極１８を設け、低抵抗性基体１１にカソード電極２０を設ける。 - 特許庁

To provide a cold cathode type electrode, in which consumption of argon is restrained and a discharge lamp, and to provide an illumination device, using the same.例文帳に追加

アルゴンの消耗を抑制した冷陰極形電極、これを用いた放電ランプおよび照明装置を提供する。 - 特許庁

In this np tandem type dye-sensitized solar cell 1, an anode substrate 21, a dye-sensitized n-type semiconductor layer 22, an electrolyte layer 3, a dye-sensitized p-type semiconductor layer 42 and a cathode substrate 41 are arranged, in this order.例文帳に追加

ｎｐタンデム型の色素増感太陽電池１では、アノード基板２１、色素増感ｎ型半導体層２２、電解質層３、色素増感ｐ型半導体層４２、カソード基板４１がこの順に配置されている。 - 特許庁

In a structure where an n^+-type cathode region 6 is arranged in the center portion and p^+-type anode regions 7 are arranged on both sides of the n^+-type cathode region; an electrode pattern 11 is formed on a semiconductor element portion 8; and the electrode pattern 11 is connected to an electric-potential control portion 9, located on a side surface of the semiconductor element portion 8.例文帳に追加

ｎ^+型カソード領域６を中央に配置してその両側にｐ^+型アノード領域７を配置した構造において、半導体素子部８の上に電極パターン１１を形成すると共に、電極パターン１１が半導体素子部８の側面に位置する電位制御部９に接続された構造とする。 - 特許庁

The light emitting element 10 has an anode and a cathode, the submount member 30 is a P type semiconductor substrate, N type semiconductor regions 32 and 32 are formed at a part on the bottom of the recess 30a, and anode connecting parts 20 and 20 connected with the anode and cathode are provided on the N type semiconductor regions 32 and 32.例文帳に追加

また、発光素子１０は陽極及び陰極を有し、サブマウント材３０はＰ型半導体基板であり、凹部３０ａの底の一部にＮ型半導体領域３２、３２を形成し、Ｎ型半導体領域３２、３２上に前記陽極、前記陰極と接続された陽極接続部２０、２０を設ける。 - 特許庁

The ion exchange membrane method type electrolytic cell is configured in such a way that a coil cushion material is installed on an old cathode in which an electrode catalyst is carried on an expand metal type substrate of a narrow gap type electrolytic cell, a new cathode with the electrode catalyst carried thereon is installed on the coil cushion material, and the new electrode is disposed so as to be in contact with the ion exchange membrane.例文帳に追加

ナローギャップ型電解槽のエキスパンドメタル型基板に電極触媒を担持した旧陰極上に、コイルクッション材を設置し、該コイルクッション材の上に電極触媒を担持した新陰極を設置し、かつ、新陰極がイオン交換膜と接触するように配置されたイオン交換膜法電解槽。 - 特許庁

Furthermore, when a metal film 19 is formed in the primary semiconductor element, a wiring on the a cathode side 110 is formed on an n-type cathode region 2 in the monocrystal silicon diode 201, and a wiring on the anode side 111 is formed on a p-type anode region 3.例文帳に追加

さらに、主たる半導体素子に金属膜１９を形成する際に、単結晶シリコンダイオード２０１におけるｎ型カソード領域２の上に、カソード側の配線１１０を形成し、ｐ型アノード領域３の上に、アノード側の配線１１１を形成する。 - 特許庁

The second electrode 2 serves as the anode or the cathode of non-transferred type plasma P1 formed in connection with the first electrode 1, and serves as the anode or the cathode of transferred type plasma P2 formed in connection with the external electrode 200.例文帳に追加

さらに、第二の電極２は、第一の電極１との関係で形成される非移行型プラズマＰ１の陽極または陰極として機能し、外部電極２００との関係で形成される移行型プラズマＰ２の陽極または陰極としても機能する。 - 特許庁