「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(137ページ目) - Weblio英語例文検索

A CMOS circuit as this semiconductor device includes: (a) a substrate 100; (b) a p-type organic transistor PT including an organic semiconductor layer 106a; and (c) an n-type inorganic transistor NT including an inorganic semiconductor layer 126a formed in an upper layer of the p-type organic transistor PT.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。 - 特許庁

The upper electrode layer 9 has a geometric plane in such a shape that area of the plane enlarges from the incident plane side toward the outgoing plane side, to cover the polarization inversion region 5b of the core layer 5, and the lower electrode layer is connected electrically to an external electrode part 10 on the incident plane side.例文帳に追加

上部電極層９はコア層５の分極反転領域５ｂを被覆するようにして入射面側から出射面側に向かって面積が拡大する幾何学的面を有し、下部電極層は入射面側で外部電極部１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子８下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極４と下層の配線層３の層間にある絶縁膜５中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

The catalyst is a two-layer structural catalyst consisting of a lower catalyst coat layer 2 containing a catalyst powder, wherein Pd is supported on a carrier containing at least a Ce-Zr composite oxide, and a upper catalyst coat layer 3 containing a catalyst powder, wherein Rh is supported by a carrier consisting of at least one of zirconia and the Ce-Zr composite oxide.例文帳に追加

少なくともCe−Zr複合酸化物を含む担体にPdが担持された触媒粉末を含む下触媒コート層２と、ジルコニア及びCe−Zr複合酸化物の少なくとも一方からなる担体にRhが担持された触媒粉末を含む上触媒コート層３と、からなる二層構造の触媒とした。 - 特許庁

A catalyst layer (22) of the exhaust purifying catalyst (20) consists of a lower layer (23) in which noble metal such as platinum, rhodium and palladium and zeolite having excellent capacity to adsorb hydrocarbon are incorporated and an upper layer (24) in which noble metal and alkali metal or alkaline-earth metal having excellent capacity to adsorb nitrogen oxides are incorporated.例文帳に追加

排気浄化用触媒（２０）の触媒層（２２）は、白金、ロジウム、パラジウムなどの貴金属と炭化水素吸着能に優れたゼオライトとを含む下層（２３）と、窒素酸化物吸蔵能力に優れたアルカリ金属またはアルカリ土類金属と貴金属とを含む上層（２４）とからなる。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional coding apparatus that coding efficiency of an interlace scanning image is degraded since inter-layer prediction cannot be performed in an upper layer image with the same phase as that of an interleaved frame when a reduced non-interlace scanning image is temporally interleaved and coded as a lower layer image.例文帳に追加

従来装置では、縮小ノンインターレース走査画像を時間的に間引いて、下位層画像として符号化すると、間引かれたフレームと同位相の上位層画像では階層間予測をすることができないため、インターレース走査画像の符号化効率が低下してしまう。 - 特許庁

A capacitor 102 is formed of a lower electrode 111 provided over an SiO_2 layer 119 on an impurity layer 117 provided to a substrate 100, a ferrodielectric material 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferrodielectric material layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method and the inspection method of organic EL element comprise a step for applying a voltage between the upper surface side and the lower surface side of the protection layer 26, and a step for deciding presence or absence of a defect of the protection layer 26 on the basis whether a current flows through the protection layer 26.例文帳に追加

本製造方法および検査方法は、前記保護層２６を挟んで上面側と下面側から電圧を印加する工程と、前記保護層２６に電流が流れたか否かによって該保護層２６の欠陥の有無を判定する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a magnetic head for laminating lower and upper magnetic pole layers 5 and 9 via a gap layer 6 to constitute a magnetic gap, after the gap layer 6 is formed on the lower magnetic pole layer 5, a track width regulation mask patterned corresponding to a track width is disposed.例文帳に追加

下部磁極層５と上部磁極層５とをギャップ層６を介して積層形成し、磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドの製造方法において、下部磁極層５上にギャップ層６を形成した後、トラック幅に対応してパターニングされたトラック幅規制マスクを配する。 - 特許庁

A ceramic intermediate layer, an oxide superconducting film, and a silver stabilization layer are formed sequentially on an orientation metal substrate, and a wide superconducting wire material having a copper protective layer formed on the upper and lower surface layers is cut in the longitudinal direction by continuous laser irradiation thus manufacturing a superconducting wire material.例文帳に追加

配向金属基板上に、順に、セラミック中間層、酸化物超電導膜、銀安定化層が形成され、さらに上下面の表層に銅保護層が形成された幅広の超電導線材が、連続レーザーにより長手方向に切断されることにより作製されている超電導線材。 - 特許庁

The decorative sheet S comprising a polyolefinic resin and having an embossed pattern 4 formed by emboss processing is constituted by laminating an upper layer 2 comprising an olefinic thermoplastic elastomer and a surface protective layer 3 comprising cured matter of an ionizing radiation curable resin on a lower layer 1 comprising a crystalline polyolefinic resin.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂からなりエンボス加工による凹凸模様４を有する化粧シートＳを、結晶性ポリオレフィン系樹脂の下層１上に、オレフィン系熱可塑性エラストマーの上層２、及び、電離放射線硬化性樹脂の硬化物の表面保護層３が積層された構成とする。 - 特許庁

The drainable elastic pavement material 10 is laid on a road bed to form a drainable elestic pavement and constituted of the under layer 12 chiefly composed of granular aggregate to have a void content of 20-40% and the upper layer 11 chiefly composed of fibrous elastic aggregate superposed on the under layer 12.例文帳に追加

排水性弾性舗装材１０は、道路の路盤に敷設されて排水性弾性舗装を形成するもので、ファイバー状の弾性骨材を主成分とすると上層部１１と、粒状の骨材を主成分とし空隙率が２０〜４０％である下層部１２とが積層されている。 - 特許庁

(1) The leader tape is formed by successively layering a non-magnetic lower layer and a magnetic upper layer on one surface of a substrate, wherein the surface of the substrate has 30 to 50 nm Ra, Ra of the layered layer applied surface of the substrate is larger than Ra of the opposite surface and difference therebetween is ≤4 nm.例文帳に追加

１）支持体上の一方の面に非磁性の下層および磁性の上層を順次重層してなり、前記支持体表面のＲａが３０〜５０ｎｍであり、前記支持体の重層塗布面のＲａが、反対面のＲａより大きく、かつその差が４ｎｍ以下であるリーダーテープ。 - 特許庁

To provide a soil-crushing member capable of widening a soil-crushing area, regarding vehicle width direction while keeping smoothness of the upper surface of a soil-crushing area, capable of preventing worsening of transmission efficiency and capable of effectively preventing from forming a hard layer between a coarse plowing layer and a soil-crushed layer.例文帳に追加

砕土領域の上面の平滑性を維持しつつ車輌幅方向に関し砕土領域を広げることができるとともに、伝動効率の悪化を防止でき、さらに、荒起こし層と砕土層との間に硬い層が生じることを有効に防止することができる砕土部材を提供する。 - 特許庁

The anti-fuse film between a lower electrode 13, made of TiN and an upper electrode 17, is set to three-layer structure, a second layer anti-fuse film 15 is formed by amorphous Si, and a TiWn or an SiN film having high adhesion with the lower electrode 13 is used in a first layer anti-fuse film 14.例文帳に追加

ＴｉＮからなる下部電極１３と上部電極１７間のアンチヒューズ膜を３層構造とし、第２層アンチヒューズ膜１５をアモルファスＳｉで形成し、第１層アンチヒューズ膜１４に下部電極１３との密着性の高いＴｉＷＮ膜あるいはＳｉＮ膜を用いる。 - 特許庁

A printed wiring board consists of an insulator substrate 1, a lower wiring 2, an insulator layer 3 for build-up, a metal post 4 and an electrode pad 5, and the pad 5 is one formed into the same conductor layer as a conductor layer constituting an upper wiring and has a deep curved surface- shaped recess 5a in its center.例文帳に追加

プリント配線板は、絶縁体基板１、下層の配線２、ビルトアップ用の絶縁体層３、金属ポスト４、及び電極パッド５とからなり、電極パッド５は上層配線と同じ導体層に形成されたものであり、かつ中央が深い曲面状の窪み５ａを有する。 - 特許庁

On an SOI substrate consisting of an upper layer Si substrate 12, an SiO_2 film layer 14, and a lower layer Si substrate 16, an insulating film for device isolation composed of an SiO_2 film 22 and a Poly-Si 26 is formed and, at the same time, a hole for subcontact filled with padding SiO_2 24 is formed thereon.例文帳に追加

上層Ｓｉ基板１２、ＳｉＯ_２膜層１４、下層Ｓｉ基板１６からなるＳＯＩ基板にＳｉＯ_２膜２２およびＰｏｌｙ−Ｓｉ２６からなる素子分離用絶縁膜を形成すると同時に埋め込みＳｉＯ_２２４を埋め込んだサブコンタクト用のホールを形成する。 - 特許庁

The lead wire is constituted of an electroconductive base body 1, a plated layer 2 of a Sn-alloy of Sn and Bi, Cu, Ag or Zn, which covers the surface of the base body 1, and an upper plated layer 3 of Zn, Ag, a SnZn alloy, a SnAg alloy or a SnBi alloy, which is formed on the plated layer 2.例文帳に追加

導電基体１と、その表面を被覆するＳｎとＢｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎとのＳｎ合金メッキ層２と、その上層に形成されたＺｎメッキ、Ａｇメッキ、ＳｎＺｎ合金メッキ、ＳｎＡｇ合金メッキ又はＳｎＢｉ合金メッキの上層メッキ３とで構成した。 - 特許庁

A mixed layer 12 of a gradient compsn, in which a carbide forming element and its carbide are mixed and a carbide content is reduced as it is away from a substrate 11, is formed on the resinous substrate 11 and the most upper layer 13 is formed on a surface of the mixed layer 12.例文帳に追加

樹脂製の基体１１の表面上に、炭化物形成元素とその炭化物とが混合され基体から離れるに従ってその炭化物の含有量が少なくなる傾斜組成の混合層１２を形成し、その混合層１２の表面上に最上層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a space formed in a dielectric layer and a high-potential semiconductor region are stably adjusted to designated position relation by forming the semiconductor device by using a laminated structure constituted by laminating a substrate, the dielectric layer, and an upper semiconductor layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基板と誘電体層と上部半導体層が積層構造体を利用して半導体装置を形成し、誘電体層に形成する空間と高電位半導体領域が安定して所定の位置関係に調整される半導体装置及びその製造法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: the lower layer wire 2; a wiring part 32; the upper layer wire 1 having a first wide part 22 with a wiring width wider than the wiring part 32; and a contact forming part 26 where the contact part 3 for connecting the lower layer wire 2 to the first wide part 22 is arranged.例文帳に追加

半導体装置は、下層配線２と、配線部分３２、及び配線部分３２より配線幅の広い第１の幅広部２２を有する上層配線１と、下層配線２と第１の幅広部２２とを接続するコンタクト部３が配置されたコンタクト形成部２６とを備えている。 - 特許庁

When a mask made of a resist layer is formed, a laminated resist pattern 110 having a T-shaped section is formed on the patterning film, where the laminated resist pattern 110 includes a lower-layer resist pattern 111 and an upper-layer resist pattern 112 having plane area larger than that of the lower resist pattern 111.例文帳に追加

レジスト層でなるマスクを形成するにあたり、被パターニング膜の上に、下層レジストパターン１１１と、下層レジストパターン１１１の平面積よりも大きい平面積を有する上層レジストパターン１１２とを含む断面Ｔ形状の積層レジストパターン１１０を形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing the solid electrolyte battery has a laminate forming process to form a laminate wherein a lower collector layer 12, an intermediate layer 13, and an upper collector layer 14 are laminated in this order on a substrate 11, and a process to apply a voltage to the laminate.例文帳に追加

この固体電解質電池の製造方法は、基板上１１に、下部集電体層１２と中間層１３と上部集電体層１４とがこの順で積層された積層体を形成する、積層体形成工程と、積層体に対して電圧を加える工程とを有する。 - 特許庁

The GaN substrate 28 includes a GaN single crystal substrate 14, an AlGaN (0<x≤1) intermediate layer 24 epitaxially grown on the substrate 14, and a GaN upper layer 26 epitaxially grown on the intermediate layer 24.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A part having the largest impurity concentration is located so as to be separated from the end of the opposite side of the active layer 104 which is opposed to the substrate 101 to the 1st upper clad layer side and the impurity concentration contained in the active layer 104 is 2×10^17 cm^-3 to 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

不純物の濃度の最も大きい部位が、量子井戸活性層の半導体基板と対向する側の端から第１上クラッド層側に離れて位置し、かつ量子井戸活性層に含まれる不純物濃度が２×１０^17cm^-3以上１×１０^18cm^-3以下である。 - 特許庁

In the electric element of a rectangular shape which is composed of a multilayered body obtained by overlapping a dielectric layer and a conductive layer, an inverted heading current is flown into the upper and lower conductive layer, whereby a self-inductance is reduced by utilizing an offset of a magnetic field and an ESL is reduced thereby to reduce the high frequency noise.例文帳に追加

誘電体層、導体層を重ねた多層体からなる直方体形状の電気素子において、上下の導体層に逆向きの電流を流すようにして、磁界の相殺を利用して自己インダクタンスを低減し、それによってＥＳＬを減少させて高周波ノイズを減少させる。 - 特許庁

The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26.例文帳に追加

補助容量素子２７は絶縁層２４上に下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構成される。 - 特許庁

The transistor includes: a channel layer composed of upper and lower layers having different mobilities and composed of different oxides; source and drain electrodes which are disposed so as to be in contact with the channel layer at both opposite ends, respectively; and a gate configured to apply an electric field to the channel layer.例文帳に追加

トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。 - 特許庁

This light emitting element is provided with: a substrate 1; an organic electroluminescent element 9 composed by sandwiching an organic layer 3 involved in a light emitting function between electrodes 2 and 4 arranged adjacently to both its upper and lower surfaces; and a gas barrier layer 10 comprising a layer structure with a plurality of layers stacked therein.例文帳に追加

発光素子は、基板１と、発光機能に関与する有機層３をその上下両面に隣接して配した電極２，４で挟み込んでなる有機エレクトロルミネッセント素子９と、複数の層が積層された層構造体からなるガスバリア層１０と、を備えている。 - 特許庁

The via hole has a lower end opening above both the lower layer conductor wiring and an insulator mounting it, and the upper layer conductor wiring is connected with the lower layer conductor wiring 12 through the insulator 11 exposed into the opening at the lower end of the via hole.例文帳に追加

ヴィアホールの下端は、下層導体配線と該下層導体配線を搭載している絶縁体との双方上に開口し、上層導体配線は、ヴィアホール下端開口内に露出している前記絶縁体１１上を経由して下層導体配線１２に接続されている。 - 特許庁

The magnetic shield layer wherein a sticking matter is more easily stuck to its sliding surface between a lower magnetic shield layer 3 and an upper magnetic shield layer 12 when a tape recording medium slides is arranged on a side where the tape recording medium is inserted when mounted on a rotating drum.例文帳に追加

回転ドラムに搭載するときに、下部磁気シールド層３及び上部磁気シールド層１２のうち、テープ状記録媒体を摺動させたときに、摺動面に対して付着物が付着しやすい磁気シールド層の方が、テープ状記録媒体が挿入する側となるよう配設にする。 - 特許庁

This printed board has an insulating layer 5, in which at least one via hole 3 is formed, a spherical metal 1 which is inserted into the via hole 3 and has at least a size equal to the thickness of the insulating layer 5 and electrode layers 2 which are formed on the upper and lower sides of the insulating layer 5.例文帳に追加

プリント基板７は，少なくとも１つのビアホール３が形成された絶縁層５と，ビアホール３内に挿入され少なくとも絶縁層５の厚み以上の大きさを有する導電体からなる球状金属１と，絶縁層５の上下両面に形成された電極層２とを有する。 - 特許庁

To provide an electronic part capable of improving the degree of freedom of a design on the electronic part and the performance of the electronic part, by enhancing the resolubility of an electrode pattern on the upper layer of the surface of a magnetic layer on a substrate by flattening the surface of the magnetic layer, and to provide a manufacturing method for the electronic part.例文帳に追加

基板上の磁性層表面の平坦化を図ることにより、その上層の電極パターンの解像性を向上させ、もって、電子部品設計の自由度の向上と高性能化とを可能にした電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-color thermal recording material which can detect the coating defect of the upper layer thermal coloring layer in a thermal coloring layer made of two layers in the multi-color thermal recording material, and to provide the manufacturing process of the multi-color thermal recording material which excludes a coating defect position.例文帳に追加

多色感熱記録体において、２層からなる感熱発色層中の上層の感熱発色層の塗工欠陥検出を可能した多色感熱記録体および塗工欠陥箇所を排除する多色感熱記録体の製造方法に関するものである。 - 特許庁

The temperature history management sheet is formed by laminating an upper sheet layer 3 providing a printing part 2 constituting a discrimination symbol, a melting substance layer 4 formed of a melting substance melted at a prescribed temperature, and a lower sheet layer 5 colored at the same color or a near color tone as the printing part 2.例文帳に追加

識別記号を構成する印刷部２を設けた上部シート層３と、所定温度で溶融する溶融物質で形成された溶融物質層４と、上記印刷部２と同色又は近似の色調で着色された下部シート層５とを積層して形成される。 - 特許庁

This apparatus 1 for producing the biological tissue anaplerotic member has an anaplerotic material layer 3 comprising a biological tissue anaplerotic material such as porous calcium phosphate and a dissolving layer 4 comprising gelatin or the like and covering the upper surface of the anaplerotic material layer 3 in a container 2 capable of storing a culture medium.例文帳に追加

培地を貯留可能な容器２内に、リン酸カルシウム多孔体等の生体組織補填材からなる補填材層３と、該補填材層３の上面を被覆するゼラチン等からなる溶解層４とを備える生体組織補填体の製造装置１を提供する。 - 特許庁

Then the solder bumps 25 and 26 of the intermediate substrates 24 are placed upon another with the solder bump 25 having the low-melting point solder layer 30 on the bottom side and melt-connected to each other under a temperature condition where the lower solder layer 30 melts and the upper solder layer 28 does not melt.例文帳に追加

融点が低い半田層３０を有する半田バンプ２５を下側として、２枚の中間基板２４，２４の半田バンプ２５と半田バンプ２６とを重ねて、下側の半田層３０が溶融する一方上側の半田層２８が溶融しない温度条件で溶融接続する。 - 特許庁

A weight section 7, a support 5 and a thin beam section 6 connecting these former ones are formed by a SOI substrate 1 which sandwiches an intermediate layer 3 fabricated with a second etching gas instead of a first etching gas between an upper layer 2 and a lower layer 4 both fabricated with the first etching gas.例文帳に追加

第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。 - 特許庁

The reversible heat sensitive recording medium A is provided on one side (an upper side surface in a diagram 1) of a film substrate 1 consisting of a synthetic resin such as polyethylene terephthalate or the like with an optical reflection surface or a metallic optical reflection layer 2 through aluminum metallizing or the like and a heat sensitive recording layer 3 provided on the layer 2.例文帳に追加

可逆性感熱記録媒体Ａは、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂からなるフィルム基材１の片面（図１中の上側面）にアルミニウム蒸着等によって光学的反射面となる金属製の光反射層２を設け、その上に感熱記録層３を設けている。 - 特許庁

A lower sprocket 49 for forming each of both lift mechanisms 43 of the loading/unloading lift 41 is drivingly connected to a power transmission shaft installed at the same height as that of the transverse rail 15 of an intermediate layer transverse passage 13b one layer lower than an upper layer transverse passage 13a.例文帳に追加

搬出入昇降リフト４１の両昇降機構４３を構成する各々の下側スプロケット４９を、上層横移送路１３ａから１層下方の中層横移送路１３ｂの横行レール１５と同じ高さレベルに設けられた動力伝達軸６９で駆動連結する。 - 特許庁

A thin film layer 16 is made up by depositing an inorganic material such as Ni or the like on the probes 13 on the substrate 11 in a sputtering process or a vacuum evaporation process, and a support layer 17 is made up on the upper surface of the evenly formed thin film layer 16 by depositing the same inorganic material in an electroforming process.例文帳に追加

プローブ１３の上から基板１１状にＮｉ等の無機物質をスパッタリングや真空蒸着によって堆積させて薄膜層１６を形成し、平坦に形成された薄膜層１６の上面に同じ無機物質を電鋳法により析出させて支持層１７を形成する。 - 特許庁

A flexible substrate 201 includes a copper foil layer all over the surface, and comprises, at its both terminal portions, a coverlay opening 207 for connecting the copper foil layer to a metal shield or the like of the upper substrate, and a coverlay opening 208 for connecting the copper foil layer to a metal shield or the like of the lower substrate.例文帳に追加

フレキシブル基板２０１は、全面に銅箔層を有する構成であり、その両端部には、上側基板の金属シールド等に銅箔層を接続させるカバーレイ開口部２０７と、下側基板の金属シールド等に銅箔層を接続させるカバーレイ開口部２０８とが設けられている。 - 特許庁

A first magnetic domain control part 122 interposes an upper layer part 20B including the magnetosensitive layer 34 in accordance with a first width W1, and a second magnetic domain control part 121 interposes a lower layer part 20A that forms a second width W2 larger than the first width W1.例文帳に追加

第１の磁区制御部分１２２が第１の幅Ｗ１に対応して感磁層３４を含む上層部分２０Ｂを挟むと共に、第２の磁区制御部分１２１が第１の幅Ｗ１よりも広い第２の幅Ｗ２をなす下層部分２０Ａを挟むように構成する。 - 特許庁