「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

In manufacturing the piezoelectric actuator, first, a plurality of individual electrodes 43 are formed on the upper surface of a diaphragm 41 followed by forming a piezoelectric layer 42 on the upper surface of the diaphragm 41 so as to cover the individual electrodes 43 (individual electrode forming step).例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造するには、まず、振動板４１の上面に複数の個別電極４３を形成し、続いて、振動板４１の上面に、複数の個別電極４３を覆うように圧電層４２を形成する（個別電極形成工程）。 - 特許庁

A TiN film is formed on the whole face, the TiN film is patterned, and an upper electrode 41a of the capacitance element 44 and an extraction electrode 44b which externally connects the upper electrode 41a to the wire 39b of the layer 39 are formed.例文帳に追加

その後、全面にＴｉＮ膜を形成し、このＴｉＮ膜をパターニングして、容量素子４４の上部電極４１ａと、この上部電極４１を第３配線層３９の配線３９ｂに電気的に接続する引出配線４１ｂを形成する。 - 特許庁

A layer of air and/or an air flow is formed between a fuel spray sprayed from the injection value and a piston upper surface and/or a combustion chamber inner wall surface, and a devised surface shape for guiding this air flow is also formed on the piston upper surface.例文帳に追加

噴射弁から噴霧された燃料噴霧とピストン上面および／または燃焼室内壁面との間に、空気および／または空気流の層を形成し、更にピストン上面にはこの空気流をガイドする工夫された面形状が形成される。 - 特許庁

To solve such a problem that an operating voltage is raised by forming insulation protective films in a nitride semiconductor light emitting device in which there are formed the consecutive insulation protective films from an upper part of a nitride semiconductor layer to an upper part of a positive electrode.例文帳に追加

窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決すること。 - 特許庁

In the first and second porous insulation films 11a, 11b, a C/Si ratio of at least each upper layer thereof is ≥1.5, and the maximum diameter of holes included in at least the upper layers of the first and second porous insulation films 11a, 11b is ≤1.3 nm.例文帳に追加

第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 - 特許庁

SImultaneously with the formation of the 2nd layer of the conductor coil 2b, a dummy pattern (wall) 9 having almost as wide as the upper magnetic film 1 is formed between the contact part 3 and the rear end of the position where the upper magnetic film 1 is formed in the inner circumferential part of the spirals.例文帳に追加

二層目の導体コイル２ｂを形成すると同時に、渦巻の内周部で上部磁性膜１が形成される位置の後端とコンタクト部３の間に、上部磁性膜１とほぼ同じ幅を有するダミーパターン（壁）９を形成する。 - 特許庁

A second insulation film 2 due to anodic oxidation is formed on the upper surface around a forming region of the electron source of the upper-layer electrode film, and a third insulation film due to anodic oxidation is formed similarly in the forming region of the electron source as a tunnel film.例文帳に追加

上層電極膜の電子源の形成領域の周囲上面には陽極酸化による第２絶縁膜２が形成され、電子源の形成領域には同じく陽極酸化による第３絶縁膜がトンネル膜として形成されている。 - 特許庁

A multiple layered thin film layer formed by successively laminating thin films of a plurality of kinds of materials is provided between an organic substance film 2 formed on an upper surface of a transparent substrate 1 and the transparent conductive film 6 formed on the upper side of the organic substance film 2.例文帳に追加

透明基板１の上面に形成された有機物膜２と前記有機物膜２の上方に形成される透明導電性膜６との間に、複数種の物質の薄膜を順次積層させて成膜した多層薄膜層を配設する。 - 特許庁

To provide a technique contributing to an improvement of power supply efficiency to an upper layer semiconductor chip, reduction of power supply noise interference between upper and lower semiconductor chips, attainment of the low power supply noise, and high speed operation of a laminated semiconductor device (CoC).例文帳に追加

上層の半導体チップへの給電効率の向上と上下の半導体チップ間の電源ノイズ干渉の低減を可能とし、低電源ノイズを実現し、積層半導体装置（ＣｏＣ）の高速化に寄与する技術を提供する。 - 特許庁

To improve display quality in a liquid crystal display device which comprises an upper electrode and a lower electrode formed via an insulation layer and has an opening part for transmitting an electric field for driving liquid crystal molecules, formed on the upper electrode.例文帳に追加

絶縁層を介して形成された上部電極と下部電極を有し、前記上部電極に液晶分子を駆動するための電界を通す開口部を形成する液晶表示装置において、表示品質を向上することである。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 12, 12 are arranged, having a gap along two end edges facing each other of the lower surface of a chip-type thermistor element assembly 11 formed of a hexahedron, and an upper surface insulating layer 14 is arranged on the whole upper surface of the thermistor element assembly 11.例文帳に追加

６面体からなるチップ状サーミスタ素体１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて一対の端子電極１２，１２が設けられ、サーミスタ素体１１の上面全体に上面絶縁層１４とが設けられる。 - 特許庁

An auxiliary heat-insulating plate 21 composed of calcium silicate of a heat-insulating material having high stiffness is installed in the upper part of the heat-insulating material 12 and the frame-constituting member 15 and a surface layer plate 13 made of aluminum provided on the outside of hood is installed in the upper part.例文帳に追加

断熱材１２と枠構成部材１５の上部には、剛性の高い断熱材の珪酸カルシウム板で成る補助断熱板２１を配設し、その上部にはフード外側に設けられるアルミ製の表層板１３を配設している。 - 特許庁

Subsequently, upper and lower surfaces of the sintered compact 1 provided with the side surface insulating layer 2 are polished, a guard mask is placed on the sintered compact 1, an electrode 3 is formed on each of the upper and lower polished surfaces by high-speed spraying of metal powder, thus completing a nonlinear resistor.例文帳に追加

続いて、側面絶縁層２を設けた焼結体１の上下面を研磨した後、焼結体１にガードマスクを被せ、上下の研磨面に、金属粉末の高速吹き付け法により電極３を形成し、非直線抵抗体を完成する。 - 特許庁

The adhesive 15 is applied to a pair of diagonal parts so as to connect the upper/lower substrates, the diagonal parts located at parts different from both ends of longest layers out of the layer structure formed by ferroelectric liquid crystal molecules outside a seal member 3 for sticking the upper/lower substrates.例文帳に追加

接着剤１５は、上下基板を接着するシール部材３の外側の強誘電性液晶分子の形成する層構造のうち最も長い層の両端とは異なる一対の対角部分に上下基板１，２を繋いで塗布されている。 - 特許庁

An upper part 17A of a lip stick bulk 17 filled in a molding container 2 is solely and rapidly cooled by an upper cooling part 15 and the lower part 17B of the lip stick bulk 17 is slowly cooled with an air layer 16.例文帳に追加

成形容器２内に充填された口紅バルク１７の上側部分１７Ａのみを上側冷却部１５により冷却して速く温度を下げると共に、口紅バルク１７の下側部分１７Ｂの温度を空気層部１６により徐々に低下させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

An upper floor part has a double structure to combine a multi- layer structure with a space part according to a conventional construction method to provide the floor impulsive sound absorbing structure.例文帳に追加

階上床部を２重構造にし、従来工法による空間部との多層化を組み合わせる床衝撃音吸収構造により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which reduces both size of an upper core layer, and value of resistance and heat release by enlarging a cross section of a toroidal coil.例文帳に追加

上部コア層の大きさを小さくすることと、トロイダルコイルの断面積を大きくして抵抗値、発熱量の低減を図ることを両立できる磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A contact 312 is formed extending from an upper second wiring pattern 311, so as to be connected to a lower first wiring pattern 314 penetrating through a second insulating layer 313.例文帳に追加

上層の第２配線パターン３１１より第２絶縁層３１３を貫通して下層の第１配線パターン３１４に接続されるコンタクト３１２を形成する。 - 特許庁

A treated face of a plate board in the upper electrode forming process is retained downward, and the treated face of the plate board is retained upward in a passivation layer forming process.例文帳に追加

上部電極形成工程における基板の被処理面は下向きに保持され、パッシベーション層形成工程における前記基板の被処理面は上向きに保持される。 - 特許庁

The upper-side light shielding layer has an extension part (401) stipulating corner cutting at the opening region of each pixel at an intersection region where a data line and a scanning line intersect each other.例文帳に追加

上側遮光膜は、データ線及び走査線が相交差する交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部（４０１）を有する。 - 特許庁

The rays made incident on the TFT 203 from above are shut off not only by a high-reflectivity upper metallic film 207 but by a low- translucency light shut-off layer 216 as well.例文帳に追加

薄膜トランジスタ２０３に上方から入射する光線を、高反射性の上部金属膜２０７だけでなく低透光性の光遮断膜２１６でも遮断する。 - 特許庁

Although the phosphor layer may have an uniform thickness, preferably a thickness of a part above the clearance between the LED chips is thinner than a thickness of a part on the upper surface of the LED chips.例文帳に追加

蛍光体層は、厚みが均一であってもよいが、好ましくは、ＬＥＤチップ間の間隙の上側の部分の厚みがＬＥＤチップ上面の厚みよりも薄い。 - 特許庁

The stage 24 disposed on the upper layer is attracted to an ongoing passage (rails 26 and 28) by a magnet mechanism 42, and driven by a stage drive mechanism 30 to be carried.例文帳に追加

上層に配置されたステージ２４は、マグネット機構４２によって往路（レール２６、２８）に引付けられ、さらにステージ駆動機構３０で駆動されて搬送される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multi-layered wiring board which can surely connect a lower and an upper wiring layer together by a connecting conductor in a through-hole.例文帳に追加

下部配線層と上部配線層とをスルーホール内の接続導体でもって確実に接続させておくことが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board in which connection with a high- density LSI is improved by improving the fineness of a pattern especially in the upper layer, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

特に上層におけるパターンの精細度を向上させ，高密度ＬＳＩとの接続性を良くしたプリント配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a circulation type grain drier capable of detecting a moisture value of every grain layer and drying the grain while equalizing the dispersion of moisture values by mixing upper and lower grain layers.例文帳に追加

循環式穀物乾燥機において、穀粒層毎の水分値を検出し、上下の穀粒層を混合し水分値のバラツキを均等化しながら乾燥する。 - 特許庁

To reduce changes in a resistance value of a resistance element due to influence of potential differences with upper layer wiring so that a chip area can be reduced without complicating a wiring layout.例文帳に追加

配線の引き回しを複雑化することなく、上層配線との電位差の影響による抵抗素子の抵抗値の変動を低減し、チップ面積を縮小する。 - 特許庁

On the other hand, a polysilicon layer 4a includes the width of an upper part thereof the same as that of a bottom part thereof in the cross section in a channel direction, similarly to the conventional structure.例文帳に追加

それに対し、ポリシリコン層４ａは、従来構造と同様に、チャネル長方向の断面において上部の幅が低部の幅とほぼ等しい形状を有している。 - 特許庁

Each of the light-emitting sections 5 has a signal charge accumulating region formed on the substrate, and a hole accumulating region 13 formed on an upper layer surface of the signal accumulating region.例文帳に追加

受光部５は、基板に形成された信号電荷蓄積領域と、前記信号電荷蓄積領域の表層部に形成された正孔蓄積領域１３とを有する。 - 特許庁

The upper limit value of a waste plastic grain size added to the coal is regulated to a prescribed ratio or below of the thickness of a softened molten layer to thereby produce the high-strength coke for the blast furnaces.例文帳に追加

石炭に添加する廃プラスチック粒度の上限値を軟化溶融層の厚みの所定割合以下にすることにより強度の高い高炉用コークスを製造する。 - 特許庁

The server 10 extracts a specific part from the claim research request form everyday in the night to generate a summary, which is e-mailed to a Web client PC 42 of an upper-layer part 40.例文帳に追加

サーバ１０は、毎日夜中にクレーム調査依頼票の中の所定部分を抜き出し、サマリーを作成し、これをメールで上層部４０のＷｅｂクライアントＰＣ４２に送信する。 - 特許庁

An exchange coupling intensity is greater in the peripheral area of a projection area than that of the projection area of the upper shield layer side end surface of the MR laminated body to the film surface's orthogonal direction.例文帳に追加

この交換結合強度は、MR積層体の上部シールド層側端面の膜面直交方向への投影領域よりも投影領域の周辺領域で大きい。 - 特許庁

A restart determination section 101 determines the restart of an ATM device 706, and a dummy cell sending section 102 that operates by an upper layer protocol sends a dummy cell to a rooter device 701.例文帳に追加

ＡＴＭ装置７０６の再起動時を１０１が判定し、上位レイヤプロトコルで動作するダミーセル送出部１０２が、ルータ装置７０１に向けてダミーセルを送出する。 - 特許庁

The gap among a leaf spring member 50 of a layer thickness regulating blade 36, a reverse-side member 72 of a blade holder 70, and a blade opposed part 78 of an upper seal 74 is filled with the grease 79.例文帳に追加

層厚規制ブレード３６の板ばね部材５０とブレードホルダ７０の裏側部材７２とアッパシール７４のブレード対向部７８との間の隙間をグリース７９で埋める。 - 特許庁

Then heat treatment is applied, and a tensile stress is applied to the upper silicon layer involved in cubic expansion of a buried portion, and a convex curvature shape region is formed.例文帳に追加

ここで熱処理を行い埋め込み部の体積膨張に伴い上部のシリコン層に引張り応力が加わり上に凸の湾曲形状領域が形成される。 - 特許庁

A substrate 110 has an upper surface 111 covered with a solder mask layer 112, and a plurality of pads 113 and at least one mold flow guide bar 114 are installed.例文帳に追加

基板１１０は、はんだマスク層１１２に覆われる上表面１１１を有し、複数のパッド１１３と少なくとも１つのモールド流れガイドバー１１４を設置する。 - 特許庁

As to this multicolor film forming method, films different in colors are piles to coat by ≥2 layers by an ion plating method, and a part of the film as the upper layer is removed by an etching method or a laser marking method.例文帳に追加

イオンプレーティング法で色の異なる被膜を２層以上重ねてコーティングし、エッチング法またはレーザーマーキング法で上層の被膜の一部を除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a film with a coating film that can inhibit the occurrence of film cuts of an upper coating in simultaneous multi-layer coating using a slot die of underbite.例文帳に追加

アンダーバイトのスロットダイを用いた同時重層塗布において、上側の塗膜の膜切れの発生を抑制できる、塗膜付きフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the level 28 of the diffusion liquid 26 is moved from the upper part toward the lower part of the surface of a mask layer 14 by slanting a cell structural body 24 from the horizontal state thereof.例文帳に追加

続いて、セル構造体２４を水平から傾けることにより、マスク層１４の表面において分散液２６の液面２８を上方から下方へ移動させる。 - 特許庁

In this tile carpet obtained by laminating a backing material to the back of a surface material, the brightness (L value) of an upper layer part of the backing material face to the surface material is ≥60.例文帳に追加

表装材の裏面に裏打ち材を積層したタイルカーペットにおいて、表装材に面する裏打ち材の上層部の明度（Ｌ値）を６０以上としたタイルカーペット。 - 特許庁

And a time setting value is defined by adding the time of the programmable controller at the upper layer to the calculated time and transmitted according to the timing of the CPU interruption signal (d5).例文帳に追加

そして、この求めた時間に上位層のプログラマブルコントローラの時刻を加算して時刻設定値とし、ＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って送信する（ｄ５）。 - 特許庁

The void portions 13a, 13b enable the dislocations D1 to be uniformly blocked, thus, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part by the void portions 13a, 13b.例文帳に追加

転位Ｄ_1 は空間部１３ａ，１３ｂによって一様に遮断され、空間部１３ａ，１３ｂより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

After connection hole wirings 10 are buried in the contact holes, a modified SOG film 11 and an upper metal wiring layer 12 are formed using the damascene method.例文帳に追加

コンタクトホール９ａ，９ｂ内に接続孔配線１０を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質ＳＯＧ膜１１及び上層金属配線１２を形成する。 - 特許庁

A light shielding body 302 of the opposite side formed on a peripheral part of an upper side substrate 301 is disposed so as not to overlap a sealing layer 201 provided on a lower side substrate 101.例文帳に追加

上側基板３０１の周辺部に形成された対向側遮光体３０２が下側基板１０１に設けられたシール層２０１とオーバーラップしないように配置する。 - 特許庁