「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a surface treatment composition for forming a surface treatment film superior in corrosion resistance, thermal discoloration resistance, blackening resistance, scratch resistance, adhesiveness with an organic resin layer which is formed on the treatment film as the upper layer, after forming, and adhesiveness in a high-temperature and humid environment.例文帳に追加

耐食性、耐熱変色性、耐黒変性、耐キズ付き性、上層に形成される有機樹脂層との加工後密着性、及び高温湿潤環境下での密着性に優れた表面処理組成物を提供する。 - 特許庁

The molten metal passage nozzle includes: a refractory layer 1 with a cylindrical shape formed by a refractory extended along an axial length direction and having a molten metal passage hole 10 along the axial length direction; and an iron shell 4 covering the upper edge part of the refractory layer 1.例文帳に追加

溶湯通過ノズルは、軸長方向に沿って延設された耐火物で形成され軸長方向に沿った溶湯通過孔１０を有する筒状をなす耐火物層１と、耐火物層１の上端部を覆う鉄皮４とを有する。 - 特許庁

The dielectric 5c covering the electrode end parts at this time smoothly covers an electrode surface part with a contact angle θ of 5-60° in such a way as to form no level differences so as to cause no ruptures in the crystallization preventive layer 5d in an upper layer.例文帳に追加

このとき電極端部を覆う誘電体５ｃは、５〜６０度の接触角θをもって段差を生じないよう電極表面部を滑らかに覆い、上層の結晶化防止層５ｄに断裂が生じない様にする。 - 特許庁

A TiN film exists in the uppermost layer and no transparent conductive film contacts with the upper layer in the TiN film, so that surface corrosion in a scanning line terminal part 22 is suppressed while increase in the connection resistance is suppressed, thereby improving reliability.例文帳に追加

また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 - 特許庁

By the combined action between the surface treatment film as a lower layer film and an upper layer film obtained by blending a rustpreventive additive to the solvent based organic resin, particularly excellent corrosion resistance both in a plate portion and after working and adhesion joinability are obtained.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に防錆添加剤を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性と接着接合性が得られる。 - 特許庁

A temperature sensor is installed in an installation area capable of detecting the change of the temperature of the air layer caused by an emitter of an ultraviolet lamp 2 when an air layer is generated in the upper part of an ultraviolet irradiation vessel 10 due to the reduction of treated water.例文帳に追加

温度センサは、被処理水の減少に伴い紫外線照射槽１０の上部に空気層ができた場合、紫外線ランプ２の発光体による空気層の温度変化を、検出可能な設置エリアに、設置される。 - 特許庁

Thereafter, in the formation of a layer formed later, the part left in the uncured state or a state cured at a weaker level is cured in a level ensuring the adhesion of a just under layer along with the upper part thereof.例文帳に追加

その後、より後に形成される層の形成に際し、上記の未硬化の状態またはより弱いレベルで硬化された状態に残された部分を、その上方部分と共に、直下の層への接着を保証するレベルで硬化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.例文帳に追加

メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In such a case, a reaction-proofing layer mainly composed of a monocrystal is formed so that the chemical reaction of the wafer and the group III nitride compound semiconductor on the upper layer caused by stress and heat can not occur in a production process.例文帳に追加

ここに主として単結晶から成る反応防止層を形成し、製造工程中に応力と熱による基板と上層のIII族窒化物系化合物半導体との化学反応を起こさないようにすることができる。 - 特許庁

This solar battery includes a substrate 11, and a lower electrode film 12, a compound semiconductor thin film 13, a compound semiconductor thin film 14, a compound thin film (buffer layer) 15, a window layer 16 and an upper electrode film 17 which are laminated sequentially on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された、下部電極膜１２、化合物半導体薄膜１３、化合物半導体薄膜１４、化合物薄膜（バッファ層）１５、窓層１６および上部電極膜１７とを含む。 - 特許庁

A micro lens having a relatively high refractive index and consisting of an inorganic substance is formed as it has a convex-shaped lower side surface, and is focused on a lower side photo diode by refracting a light passing from an upper side spacer layer to a lower side spacer layer.例文帳に追加

比較的高い屈折率を有する無機物質からなるマイクロレンズを凸状の下側表面を有するように形成し、上から下側のスペーサー層を通過する光を屈折させて下側のフォトダイオード上に集束させる。 - 特許庁

A substrate treatment apparatus 1 comprises a liquid nozzle 16 for horizontally transporting a substrate 2 and simultaneously forming a liquid layer X of a developer solution on the upper face of the substrate and removal means for removing the liquid layer X formed on the substrate 2.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a substrate for thin film photoelectric conversion device capable of suppressing the occurrence of defects in a photoelectric conversion layer formed on an upper layer while enhancing the photoelectric conversion efficiency of a thin film photoelectric conversion device.例文帳に追加

上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁

On the top face of the P type GaN layer 3 exposed above the mesa 4 and the upper end face of the insulating film 5A, a P side electrode 6 larger than the top face of the P type GaN layer 3 (top face of the mesa 4) is formed.例文帳に追加

また、メサ部４の上部に露出するＰ型ＧａＮ層３の上面と絶縁膜５Ａの上端面には、Ｐ型ＧａＮ層３の上面（メサ部４の上面）よりも大きなＰ側の電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet by two-step treatment of forming an underlayer as a bonding layer by a coating agent containing tannic acid, and then forming an upper functional coating layer.例文帳に追加

タンニン酸を含むコーティング剤による下層接着層の形成と、その後の上層機能性被覆層の形成の２段階処理により非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

The thin film type electron source ELS constitutes an MIM diode from a laminated structure of an image signal wiring (d) which is a lower electrode, a tunnel insulating layer TAO which is an electron acceleration layer and a connecting electrode ELC which is an upper electrode.例文帳に追加

薄膜型電子源ＥＬＳは下部電極である画像信号配線ｄと電子加速層であるトンネル絶縁層ＴＡＯと上部電極である接続電極ＥＬＣとの積層構造からなるＭＩＭダイオードを構成する。 - 特許庁

To provide a garbage collecting vehicle for saving labor required for a garbage charging work to a storing compartment of an upper layer, in particular, and providing a smooth garbage collecting work, in a compression type horizontal two-layer garbage collecting vehicle.例文帳に追加

圧縮式水平２層型の塵芥収集車において、特に上層の収容室への塵芥の投入作業に要する労力の軽減及び円滑な塵芥収集作業が得られる塵芥収集車を提供する。 - 特許庁

The beam spot of the laser beam B is scanned from the raised FDT side, or the upper-layer liquid film 26L2 side, to the recessed FDB side, or the lower-layer liquid film 26L1 side, through rotation driving of a polygon mirror 48.例文帳に追加

そして、ポリゴンミラー４８の回転駆動によって、前記レーザビームＢのビームスポットを、隆起部ＦＤＴ側（上層液状膜２６Ｌ２側）から、対応する凹部ＦＤＢ側（下層液状膜２６Ｌ１側）に走査するようにした。 - 特許庁

As a consequence, an n-type impurity is not implanted into the part of the p-type silicon layer 3 positioned between the bottom face of an element-isolation insulation film 5 and the upper face of a box layer 2, and therefore it is possible to avoid the reduction of the isolation withstand voltage.例文帳に追加

従って、素子分離絶縁膜５の底面とＢＯＸ層２の上面との間に位置している部分のｐ型のシリコン層３内に、ｎ型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。 - 特許庁

The extent of a cluster (congestion) of optical fibers in each wiring layer is reduced, with the crossings of optical fibers in each wiring layer becoming less frequent, with the adjacent upper and lower sheets fully bonding together, and the optical fibers are surely fixed.例文帳に追加

個々の配線層における光ファイバの密集（混雑）の程度は少なくなり、各配線層における光ファイバの交差が少なくなり、隣接する上下のシートどうしが十分に密着して、光ファイバが確実に固定される。 - 特許庁

The first base 6 and the second base 7 are respectively fixed to the upper surface of the base part 2 through a first adhesive layer 8 and a second adhesive layer 9 while respectively leaving non-fixed parts 6a and 7a on the dividing region 5 side.例文帳に追加

第１ベース６及び第２ベース７は、分割域５側にそれぞれ非固定部６ａ及び７ａを残して、それぞれ第１接着剤層８及び第２接着剤層９を介して基部２の上面に固定される。 - 特許庁

A dummy chip 8 having a conductor film 9 formed on the upper surface is arranged on a semiconductor chip 6 through an adhesive layer 7, and a semiconductor chip 11 is face-up mounted on the conductor film 9 through an adhesive layer 10.例文帳に追加

半導体チップ６上には、導電体膜９が上面に形成されたダミーチップ８を接着層７を介して配置し、導電体膜９上には、接着層１０を介して半導体チップ１１をフェースアップ実装する。 - 特許庁

The capacity of an integrated circuit contains a first dielectric substance layer 42 which is arranged adjacent to a substrate 24 and is provided with a groove therein and a metallic plug 32, which includes an upper part extending upward in the groove and a lower part arranged in the first dielectric substance layer 42.例文帳に追加

集積回路容量は基板に隣接しその中に溝をもつ第１の誘電体層及び溝中に上方に延びる上部部分と第１の誘電体層中に配置された下部部分を含む金属プラグを含む。 - 特許庁

In the plastic optical component forming a moisture-proof coat on at least an outside air contact face, the moisture-proof coat is composed of a multilayer film comprising a lower layer inorganic coat and an upper layer organic coat.例文帳に追加

少なくとも外気接触面に防湿被膜が形成されたプラスチック製光学部品であって、前記防湿被膜は、下層の有機系被膜と、上層の無機系被膜と、からなる多層膜で構成されるプラスチック製光学部品。 - 特許庁

The multilayer tape 10 for thermal adhesion comprises a base layer 1 composed of a styrene elastomer containing a substance for atmosphere improvement, and surface layers 2a and 2b containing a polyolefin resin, which are provided for coating an upper and a lower faces 1a and 1b of the base layer.例文帳に追加

雰囲気改良物質を含むスチレン系エラストマーからなる基材層１と、基材層の上下表面１ａ、１ｂを被覆する、ポリオレフィン系樹脂を含む表面層２ａ、２ｂからなる熱接着用多層テープ１０。 - 特許庁

In the in-vehicle network device, a plurality of lower layer networks 21 to 24, to which each ECU having a program rewritable memory is connected are connected to an upper layer network 10 via respective managers 11 to 14.例文帳に追加

車載ネットワーク装置には、車両の上層ネットワーク１０に、各マネージャー１１〜１４を介して、プログラムの書き換え可能なメモリーを有する各ＥＣＵが接続される複数の下層ネットワーク２１〜２４がそれぞれ接続されている。 - 特許庁

A large number of granular materials are laminated in a state of forming clearances among them to form a granular material layer 19, and the granular material layer 19 is held between upper and lower porous panel materials 20, 21 to form a sound absorbing panel 18.例文帳に追加

多数の粒状体を互いの間に隙間が形成される状態で積層して粒状体層１９を形成し、この粒状体層１９を上下の多孔パネル材２０，２１間に挟み込んで吸音パネル１８を構成する。 - 特許庁

The foams 4 are formed so that a foam formation direction in the upper layer Ph is uniformly inclined in a predetermined direction with respect to the thickness direction and that the foam formation direction in the lower layer Pr extends along the thickness direction.例文帳に追加

発泡４は、上部層Ｐｈでの発泡形成方向が厚み方向に対して一定方向に一様に傾斜するように形成されており、下部層Ｐｒでの発泡形成方向が厚み方向に沿うように形成されている。 - 特許庁

To allow random access in a multilayer optical disk and a recording method, and to record data by optimal recording power when it is expected that recorded and unrecorded places randomly occur in an upper layer of a recording layer.例文帳に追加

多層光ディスク及び記録方法であってランダムアクセス可能で、記録層に対し上位層に記録済みの箇所と未記録の箇所がランダムに発生することが予想される場合に最適な記録パワーで記録できるようにする。 - 特許庁

The upper clad layer 15b of the mesa structure part 19b includes a fourth region 151b arranged on the core layer 14b, and a fifth region 152b and a sixth region 153b arranged on the fourth region 151b in parallel.例文帳に追加

メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。 - 特許庁

This acoustic sensor has a beam part 36a of a diaphragm 33 made from polysilicon formed on an extended part 48a of a first sacrifice layer 48 made from polysilicon through a second sacrifice layer 47 made from a silicon oxide film on an upper face of a silicon substrate 32.例文帳に追加

シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。 - 特許庁

A recessed part 330 is formed around the upper end opening of the refrigerant inlet hole 3a, and a filter layer 335 as a resistant layer lowering the flow velocity of refrigerant by the permeation of the refrigerant is filled in the recessed part 330.例文帳に追加

冷媒流入孔３ａの上端開口周辺に凹段部３３０が形成されて、その凹陥部３３０内に冷媒の透過によって冷媒の流速を低下させる抵抗層としてのフィルター層３３５が充填される。 - 特許庁

On an element substrate 10 of an electro-optic device 100, a flattening insulating film 17 provided on an upper layer side of a reflective pixel electrode 9a includes a doped silicon oxide film 170 as a layer laminated on the pixel electrode 9a.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor and a semiconductor substrate in which a resistance on the substrate side is lowered and the resistance of an epitaxial growth layer in the upper layer of the substrate side is increased, to provide its manufacturing method and a semiconductor element using the semiconductor.例文帳に追加

基板側の低抵抗化、及びその上層のエピタキシャル成長層の高抵抗化を実現した半導体及び半導体基板、その製造方法、並びにその半導体を用いる半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet by two-step treatment of forming an underlayer as a bonding layer by a coating agent containing a silane coupling agent, and then forming an upper functional coating layer.例文帳に追加

シランカップリング剤を含むコーティング剤による下層接着層の形成と、その後の上層機能性被覆層の形成の２段階処理により非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

The electrooptical device has colored layers Cfr, Cfg, Cfb having colors different from each other and pixel electrodes 9ar, 9ag, 9ab respectively disposed on the upper layer side surface of the colored layer, on a substrate 10.例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに異なる色を有する着色層（Ｃｆｒ、Ｃｆｇ、Ｃｆｂ）と、着色層の上層側表面上に夫々設けられた画素電極（９ａｒ、９ａｇ、９ａｂ）とを備える。 - 特許庁

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第１磁性層、トンネル絶縁膜、および第２磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

The inkjet recording medium is constituted of two layers containing amorphous silica and polyvinyl-alcohol as a binder on a substrate, the ratio P/B between the amorphous silica and the binder in the upper layer being smaller than the ratio P/B in the lower layer.例文帳に追加

基材上に非晶質シリカ及びバインダーとしてポリビニルアルコールを含む２層構成のインクジェット記録媒体であり、上層の非晶質シリカとバインダーとの比率Ｐ／Ｂが下層のＰ／Ｂよりも小さいことを特徴とする。 - 特許庁

For example, in a reflection type liquid crystal display panel, the lower layer electrode 11b and the upper layer electrode 16d of the auxiliary capacitance having ≥50% area of a reflection electrode 18a is disposed below the reflection electrode (pixel electrode) 18a.例文帳に追加

例えば反射型液晶表示パネルの場合、反射電極（画素電極）１８ａの下方に、反射電極１８ａの５０％以上の面積となる補助容量の下層電極１１ｂ及び上層電極１６ｄを配置する。 - 特許庁

Furthermore, an intermediary lining part 330 including at least one of the piezoelectric layer 70 and the upper electrode layer 80 is formed in each region on the other side face of the resilient film corresponding to the bulkhead 11 between adjacent pressure generating chambers.例文帳に追加

隣接する圧力発生室間の隔壁１１に対応する弾性膜の他側面の各領域に、圧電体層７０及び上部電極層８０の少なくとも一方を含む裏打ち仲介部３３０が形成される。 - 特許庁

A mesa portion 18 has a columnar portion 18A formed from on a lower DBR layer 11 at least to an upper surface of a current restriction layer 15, and a truncated-cone portion 18B formed thereabove.例文帳に追加

メサ部１８は、下部ＤＢＲ層１１の上部から少なくとも電流狭窄層１５の上面にかけて形成された円柱部分１８Ａと、それよりも上の部分に形成された円錐台部分１８Ｂとを有している。 - 特許庁

The upper region of the second compound semiconductor layer 32 epitaxially grown in horizontal directions can be a region where propagation of the through dislocations possessed by the first compound semiconductor layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

To provide a composition having low dielectricity, heat resistance, chemical resistance and high mechanical strength capable of withstanding CMP, and capable of forming an insulating coating film having high adhesion when an inorganic insulating film layer is provided as an upper layer thereof.例文帳に追加

低誘電性、耐熱性、耐薬品性およびＣＭＰに耐え得る高い機械強度を有し、さらに、上層として無機系絶縁膜層が設けられた場合に密着性が高い絶縁被膜を形成することができる組成物の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which when upper layer wiring having wiring in top layer in specific is formed by a wiring forming method using the dual damascene method, a crown fence generated around a connection hole is easily removed to obtain high reliability.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いる配線形成方法で、特に最上層の配線を含む上層配線を形成する場合、接続孔の周囲に生ずるクラウンフェンスを容易に除去して信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁