「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

The exhaust gas purifying catalyst 1 is equipped with a base material 2, a lower layer 3 which covers the base material 2 and contains the oxygen storage material and palladium but contains no rhodium and an upper layer 4 which covers the lower layer 3 and contains rhodium and a carrier for supporting it and has an oxygen storage capacity lower than the lower layer 3.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用触媒１は、基材２と、前記基材２を被覆すると共に酸素貯蔵材料とパラジウムとを含み、ロジウムを含んでいない下層３と、前記下層３を被覆すると共にロジウムとこれを担持した担体と含み、前記下層３と比較して酸素貯蔵能がより低い上層４とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a grout layer reinforcing device which facilitates construction of the grout layer by serving as a mold upon placing the grout and effectively prevents or minimizes breakage of the grout layer caused by a load transmitted from an upper structure like a column member or a bridge seat device of a bridge by tightening the grout layer after curing of the grout to improve the strength.例文帳に追加

グラウト打設の際鋳型の役目を果たしグラウト層の施工を容易にし、グラウト養生後にはグラウト層を締めて強度を増大させることにより、柱部材や橋梁の橋座装置などのような上部構造物から伝達される荷重によるグラウト層の破損を効果的に防止または最少化させるグラウト層補強具を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

The upper and lower sides of the stress relaxation layer 71 are sandwiched by an alloying prevention layer 72 which is completely unalloyable with indium (In), e.g., aluminum (Al), thereby preventing the indium (In) contained in the stress relaxation layer 71 from reacting with a gold (Au) layer 77 or platinum (Pt) layers 74, 76 on the p-side electrode 70 to from an alloy.例文帳に追加

応力緩和層７１の上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層７２で挟むことにより、応力緩和層７１に含まれるインジウム（Ｉｎ）がｐ側電極層７０の金（Ａｕ）層７７や白金（Ｐｔ）層７４，７６と反応して合金化するのを抑制する。 - 特許庁

The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer.例文帳に追加

下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

At least a channel region 10C arranged between the source region 10S/the drain region 10D and at least a partial region extended from the channel region within a region facing the openings H1, H2 within the lower semiconductor layer 11 are each a polycrystalline semiconductor layer, and the upper semiconductor layer is an amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a conductive substrate 1, an insulating layer 3, a first conductive section 63 provided on the insulating layer 3, a resin protrusion member 4 protruding on the insulating layer 3, a second conductive section 61 provided on the upper surface 43 of the protrusion member 4, and a conductive layer 6 connected with the first and second conductive sections 63 and 61.例文帳に追加

導電性基板１と、絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた第１導電部６３と、絶縁層３上に隆起した樹脂製の突起状部材４と、突起状部材４の上面４３に設けられた第２導電部６１と、第１および第２導電部６３、６１に接続された導電層６とを備えた半導体装置１０。 - 特許庁

This magneto-optical recording medium is featured in that the protection coat layer for the recording layer consists mainly of a radial reaction ultraviolet-ray curable resin with a lubrication layer disposed on the upper most layer and the used lubricant is a silicone system lubricant or a fluorine system lubricant having an acrylate group or methacrylate group in its molecular structure.例文帳に追加

光磁気記録媒体において、記録層を保護する保護コート層がラジカル反応型紫外線硬化樹脂を主体に構成され、その最表層には潤滑剤層があり，使用する潤滑剤が、分子構造にアクリレート基かメタアクリレート基を有するシリコーン系潤滑剤又はフッ素系潤滑剤であることを特徴とする光磁気記録媒体 - 特許庁

In irradiation of a flash lamp for flash lamp annealing after implantation of ions into a second conductivity-type separation layer and a second conductivity-type collector layer to form the second conductivity-type collector layer and the second conductivity-type separation layer, the strongest portion of radiation energy is focused on a depth position from the upper portion to the central portion of a tapered side edge surface.例文帳に追加

第２導電型コレクタ層と第２導電型分離層を形成するために、前記第２導電型分離層と第２導電型コレクタ層へイオン注入後、フラッシュランプアニールのためのフラッシュランプの照射の際に、前記テーパー状の側辺面の上部から中央部にかけての深さ位置に照射エネルギーの最強部を合わせる。 - 特許庁

In the lid for instant food seals the opening in the upper end of a container body, being a laminated body with no metal layer such as an aluminum foil, and having the form of a sheet punched in a predetermined shape that has an opening tab formed at its periphery, the laminated body includes a paper layer, a cellophane film layer, and a sealant layer.例文帳に追加

容器本体の上端開口部を密封する蓋材であって、アルミニウム箔などの金属層を備えない積層体であり、且つ、外周縁に開封用タブを有する所定の形状に打ち抜かれた枚葉形状の即席食品用容器の蓋材において、前記積層体が少なくとも、紙層と、セロハンフィルム層と、シーラント層と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

The planographic printing plate precursor comprises a recording layer on a support, the recording layer including a lower layer containing a polymer compound, having a constituent expressed by Formula (I) and an upper layer that contains a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorber and increases in solubility with respect to alkaline aqueous solution due to exposure.例文帳に追加

支持体上に、下記式（Ｉ）で示される構成成分を有する高分子化合物を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、を含む記録層を設けてなることを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a super-junction semiconductor device capable of suppressing change in shape of a transfer alignment mark to such degree as can be detected at the time when an alignment mark of a lower layer is transferred to the surface of an epitaxial layer of an upper layer, even if a growth rate of the epitaxial layer is raised, with the number of additional steps being as lower as possible.例文帳に追加

できるだけ追加工程が少なくかつエピタキシャル層の成長レートを速くしても、下層のアライメントマークが上層のエピタキシャル層の表面に転写される際の、転写アライメントマークの形状変化を検出が可能な程度に抑制することのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The paper cup is characteristically made of a barrel blank such that a notch is provided at an upper corner of the barrel blank, the notch having a paper layer notched, while a thermoplastic resin layer is extended from the end edge part of the barrel paper layer including the notch, the barrel blank having its thermoplastic resin layer's extended section folded back so as to cover the end edge of the paper layer for bonding.例文帳に追加

胴部材ブランクの上方の隅部に紙層を切り欠いた切り欠き部を設け、熱可塑性樹脂層が切り欠き部を含め胴部紙層の端縁部より延設されており、熱可塑性樹脂層延設部を紙層の端縁部を覆うように折り返して接着させた胴部材ブランクを用いて作成したことを特徴とする紙カップ。 - 特許庁

A conductive material such as ITO is film-formed from an oblique direction to a normal on the surface of this concavo-convex structure layer 20 and thereby, a conductive layer 30 is formed on the upper face and a side face of the projected part 21, and a gap 31 having no conductive layer 30 formed is installed in a region other than the projected part 21 of the concavo-convex structure layer 20.例文帳に追加

この凹凸構造層２０の表面の法線に対して斜め方向からＩＴＯなどの導電材料を成膜することにより、凸部２１の上面および側面に導電層３０を形成すると共に、凹凸構造層２０の凸部２１以外の領域に導電層３０が形成されない隙間３１を設ける。 - 特許庁

A material having resistance against alkali is adopted for the active layer, a material having properties dissolved to alkali is adopted for the source/drain electrodes, and etching is made by alkali etchant when patterning the source/drain electrodes, thus patterning the source/drain electrodes on an upper layer by etching without damaging the lower-layer active layer.例文帳に追加

活性層にアルカリ耐性を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極にアルカリに溶解する性質を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極のパターニングの際に、アルカリ性のエッチャントを用いてエッチングをすることで、下層の活性層にダメージを与えること無く上層のソース／ドレイン電極をエッチングによりパターニングすることが可能になる。 - 特許庁

Chemical treatment coating layers of two layers consisting of a lower layer chemical treatment coating layer containing no pigment or a pigment with a content of 5 mass%, and an upper layer chemical treatment coating layer containing a heat dissipation pigment containing at least carbon black of 10-25 mass% is formed on at least one face of a substrate consisting of a zinc-plated steel sheet.例文帳に追加

亜鉛系めっき鋼板からなる基材の少なくとも片面に、顔料を含有しないか、その含有量が５質量％以下の下層の化成処理皮膜層と、少なくともカーボンブラックを含む放熱顔料を１０〜２５質量％含有する上層の化成処理皮膜層の２層の化成処理皮膜層を形成する。 - 特許庁

Through the heating pressurization process using a pair of heating pressurization plates 35 and 36, an insulating layer 14 is formed on a base plate 1 area around the semiconductor structure 2 attached on the base plate 1, and an upper insulating layer 15 is formed on the semiconductor structure 2 and the insulating layer 14, then a lower insulating layer 22 is formed under the base plate 1.例文帳に追加

そして、一対の加熱加圧板３５、３６を用いた加熱加圧処理により、ベース板１上に配置された半導体構成体２の周囲におけるベース板１上に絶縁層１４を形成し、半導体構成体２および絶縁層１４上に上層絶縁膜１５を形成し、ベース板１下に下層絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

When a lower magnetic layer 12 is constituted of an iron-cobalt alloy (e.g. Fe_65Co_35) containing 60 to 80 at% iron (Fe) and having ≥2.4 T high saturation magnetic flux density, a head separation layer 11 constituted of ruthenium (Ru) is provided between the lower magnetic layer 12 and an upper lead shield layer part 9.例文帳に追加

６０原子％以上８０原子％以下の範囲内の鉄（Ｆｅ）を含むと共に２．４Ｔ以上の極めて高い飽和磁束密度を有する鉄コバルト合金（例えばＦｅ_65Ｃｏ_35）により下部磁性層１２が構成されている場合に、その下部磁性層１２と上部リードシールド層部分９との間に、ルテニウム（Ｒｕ）により構成されたヘッド分離層１１を設ける。 - 特許庁

When the transmission of a segment fails in a lower layer where the number of times of lower layer retransmission requests from an error detector 26 in the lower layer exceeds a prescribed threshold, or the like; other non-transmitted segments belonging to a packet are discarded where the segment of which transmission fails belongs, and the retransmission request is issued to a retransmission control unit 20 of the upper layer.例文帳に追加

下位レイヤの誤り検出部２６からの下位レイヤ再送リクエストの回数が所定閾値を超えた等の下位レイヤにおいてセグメントの送信に失敗したとき、送信に失敗したセグメントの属するパケットに属する他の未送信のセグメントを廃棄するとともに、上位レイヤの再送制御部２０に対して再送要求を出す。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a first interlayer insulating film 3; the lower-layer wiring 7 formed on the first interlayer insulating film 3; a second interlayer insulating film 8 formed on the lower-layer wiring 7; and the upper-layer wiring 13 that is formed on the second interlayer insulating film 8 and crosses a prescribed portion 71 in the lower-layer wiring 7 in a plan view.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３上に形成された下層配線７、下層配線７上に形成された第２層間絶縁膜８と、第２層間絶縁膜８上に形成され、平面視で下層配線７の所定部分７１と交差する上層配線１３とを含む。 - 特許庁

The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the image-receiving material for color electrophotography having a toner image receiving layer on resin covering paper, the toner image receiving layer is composed of at least a lower layer mainly containing inorganic particulates whose average secondary particle diameter is ≤500 nm and an upper layer mainly containing polymer latex comprising a thermoplastic resin.例文帳に追加

樹脂被覆紙上にトナー受像層を有するカラー電子写真用受像材料において、該トナー受像層が、平均二次粒子径が５００ｎｍ以下の無機微粒子を主体に含有する下層と、熱可塑性樹脂からなるポリマーラテックスを主体に含有する上層とから少なくとも構成されることを特徴とするカラー電子写真用受像材料。 - 特許庁

In the optical waveguide made of three-layered high polymer materials, a part where the refractive index is changed by the converged irradiation of laser beams is continuously formed in an intermediate layer, and a clad is formed of an upper layer, a lower layer and the part where the refractive index is changed in the intermediate layer.例文帳に追加

３層の高分子材料からなる光導波路であって、レーザ光の集光照射により屈折率が変化した部分が中間の層に連続して形成されている光導波路によって、例えば、上層、下層ならびに中間層の屈折率が変化した部分がクラッドを形成してなる光導波路によって上記課題を解決しうる。 - 特許庁

The method comprises a process for performing heating treatment for a semiconductor device with a layer insulation film containing impurities, a process for executing a treatment for making impurity concentration distribution of an upper layer part of the layer insulation film 2 uniform after the heating treatment process and a process for polishing a layer insulation film by CMP after the uniformization treatment of impurity concentration distribution.例文帳に追加

不純物を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を加熱処理する工程と、その加熱処理工程の後、層間絶縁膜２の上層部の不純物濃度分布を均一にするための処理を行う工程と、不純物濃度分布の均一化処理の後に、層間絶縁膜をＣＭＰにより研磨する工程とを備える。 - 特許庁

In the organic EL device in which at least a first electrode, the functional layer including a light-emitting layer and a second electrode are laminated in order on a substrate, the sealing substrate 109 is joined with the adhesive layer 108 formed on the upper part of the second electrode 103, and the adhesive layer 108 includes an ion trapping material which traps an ion.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、第２電極１０３の上部に形成した接着層１０８で封止基板１０９を接合し、接着層１０８は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有している。 - 特許庁

An oxide film 4 is formed on the surface of a silicon substrate 3, over which an electrode 1 and a wiring 2 are provided which are laminated bodies provided with a lower layer comprising a polycrystal silicon layer 5 and an upper layer comprising a layer 6 of a compound or mixture of metal and germanium, or, a compound or mixture of metal and germanium-silicon compound.例文帳に追加

シリコン基板３の表面に酸化膜４が形成され、その上面に、下層が多結晶シリコン層５からなり、上層が金属とゲルマニウムとの化合物あるいは混合物の層６もしくは金属とゲルマニウム−シリコン化合物との化合物あるいは混合物の層６からなる積層物である電極１および配線２が設けられている。 - 特許庁

A device according to an embodiment comprises: an insulating layer 13 with a first groove 10; a first wiring layer 15 which is formed in the first groove 10, has a recess 16 at an upper portion thereof, and contains copper; a graphene layer 17 formed on an inner surface of the recess 16 of the first wiring layer 15 and composed of at least one graphene sheet.例文帳に追加

実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 54, GalnAsP group MQW56 of light- emission wavelength, 1,550 nm, p-InP upper-part clad layer 58, p-GalnAs intermediate layer 60, and p-AllnAs oxidized layer 62 are epitaxial-grown sequentially on an n-InP substrate 52 by through MOCVD method, etc., forming a laminated structure.例文帳に追加

本作製方法は、ｎ−ＩｎＰ基板５２上に、ＭＯＣＶＤ法等によって、ｎ−ＩｎＰバッファー層５４、発光波長１５５０ｎｍのＧａｌｎＡｓＰ系ＭＱＷ５６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層５８、ｐ−ＧａｌｎＡｓ中間層６０、及びｐ−ＡｌｌｎＡｓ被酸化層６２を、順次、エピタキシャル成長させて、積層構造を形成する。 - 特許庁

The flat magnetic element is composed of a flat coil formed on a lower ferrite magnetic layer, an upper ferrite magnetic layer formed on the flat coil and between the coil conductors, and further a non-magnetic layer placed thereon, which is connected to the terminals of the flat coil through vias and includes a wiring layer where a desired wiring pattern is formed.例文帳に追加

下部フェライト磁性層の面上に、平面コイルを形成し、さらに該平面コイルのコイル線間も含めてその上に上部フェライト磁性層を形成し、更にその上に、ビアを介して前記平面コイルの端子と接続してなり、かつ、所望の配線パターンを形成した配線層を含んでなる非磁性層を載上して平面磁気素子を形成する。 - 特許庁

After a coil insulating substrate 47 is formed on lower core layer 40 in a cavity formed with the lower core layer 40, a magnetic pole part 42 and a connection layer 51, plural lines of coil layers 48 are formed on the coil insulating substrate 47 and a 1st material layer 55 is formed at upper faces 48a1 and side faces 48a2 of the coil layers 48.例文帳に追加

下部コア層４０と磁極部４２と接続層５１とで形成された空間６０内の前記下部コア層４０上にコイル絶縁下地層４７を形成した後、前記コイル絶縁下地層４７上に複数本のコイル層４８を形成し、前記コイル層４８の上面４８ａ１および側面４８ａ２に第１材料層５５を形成する。 - 特許庁

In the optical waveguide film 100, a lower cladding layer 13a is formed along one surface of a film substrate 11, an alignment mark 14a and a core pattern 12 extended in the direction for guiding light are formed in the lower cladding layer 13a and an upper cladding layer 13b which sandwiches the alignment mark 14a and the core pattern 12 with the lower cladding layer 13a is formed.例文帳に追加

光導波フィルム１００は、フィルム基板１１の一面に沿って下部クラッド層１３ａが形成され、この下部クラッド層１３ａにアライメントマーク１４ａと光を導波する方向に延在するコアパターン１２が形成され、このアライメントマーク１４ａとコアパターン１２を下部クラッド層１３ａと挟持する上部クラッド層１３ｂが形成される。 - 特許庁

After a 4th inter-layer insulating film 20 is formed covering a TMR element 18, the 4th inter-layer insulating film 20 is polished by using slurry which is slow in polishing speed for the metal, such as Pt, Au, and W, constituting an upper magnetic layer 17 of the TMR element 18 and fast in polishing speed for the 4th inter-layer insulating film 20.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１８を覆うように第４の層間絶縁膜２０を形成した後、ＴＭＲ素子１８の上磁性層１７を構成するＰｔ、Ａｕ、Ｗ等の金属に対する研削速度が遅く、第４の層間絶縁膜２０に対する研削速度が速いスラリーを用いて、第４の層間絶縁膜２０を研磨する。 - 特許庁

In a package 1 for a surface acoustic wave branching filter where a surface acoustic wave filter F is mounted on a dial touch layer 3, phase matching circuit electrodes 34 and 35 are formed at the lower part of the dial touch layer 3 and at the upper part of a bottom layer 10 so as not to be overlapped with a land electrode 10a of the bottom layer 10 in the lamination direction.例文帳に追加

ダイアタッチ層３上に、弾性表面波フィルタＦが実装されることとなる弾性表面波分波器用パッケージ１において、ダイアタッチ層３の下方、かつ底面層１０の上方に、底面層１０のランド電極１０ａと積層方向において重ならないように位相整合回路電極３４，３５を形成した。 - 特許庁

A surface side electrode member has laminated structure comprising a transparent conductive film layer installed on the one side surface of a transparent substrate and a layer (A) comprising metal oxide fine particle group installed on the upper surface of the transparent conductive film layer, and the scratch hardness of the layer (A) is a pencil hardness of 3H or more.例文帳に追加

透明基板の片側表面に設けられた透明導電膜層及び該透明導電膜層の上面に設けられた金属酸化物の微粒子群からなる層（Ａ）が形成された積層構造を有し、層（Ａ）の引っかき強度が鉛筆硬度３Ｈ以上を有する色素増感太陽電池用の表面側電極部材。 - 特許庁

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented on (110) surface.例文帳に追加

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が（１１０）面に配向している。 - 特許庁

The first common gate 10G is in a polymetal electrode structure in a first CMOS inverter 10, but in the second CMOS inverter 20, a gate insulating film 32 and a gate lower layer 33 are broken and a bimetal layer 34 and a gate upper layer 35 are electrically connected to a contact area 21dc of the p-type drain diffusion layer 21d.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇは、第１のＣＭＯＳインバータ１０においてはポリメタル電極構造であり、第２のＣＭＯＳインバータ２０においては、ゲート絶縁膜３２及びゲート下部層３３が途切れ、バリアメタル層３４及びゲート上部層３５がｐ型ドレイン拡散層２１ｄのコンタクト領域２１ｄｃと電気的に接続している。 - 特許庁

An SOI layer 3 includes a thick film SOI region 101 and a thin film SOI region 102, in which the upper layer of the thick film SOI region 101 is formed by an epitaxial SOI layer, so that the thickness t1 of the thick film SOI region 101 is thicker in the thickness of the epitaxial SOI layer than the thickness t2 of the thin film region 102.例文帳に追加

ＳＯＩ層３は厚膜ＳＯＩ領域１０１及び薄膜ＳＯＩ領域１０２を有し、厚膜ＳＯＩ領域１０１の上層部はエピタキシャルＳＯＩ層で形成され、このエピタキシャルＳＯＩ層の膜厚分、厚膜ＳＯＩ領域１０１のＳＯＩ膜厚ｔ１は、薄膜ＳＯＩ領域１０２のＳＯＩ膜厚ｔ２より厚い。 - 特許庁

The foamed polystyrene-dissolving and recovering apparatus comprises the following units, a dissolving tank main body 2 having a water layer 4 and a solvent layer 5 consisting of an organo halogen solvent, a conveying means 6 for conveying waste foamed polystyrene pieces 7 into the solvent layer 5; and a means 13 for recovering a polystyrene resin solution of high concentration from the upper part of the solvent layer 5.例文帳に追加

内部に水層４と有機ハロゲン系溶剤を用いた溶剤層５を有する溶解槽本体２と、廃発泡スチロール片７を溶剤層５内に移送する移送手段６と、前記溶剤層５の上部から高濃度のポリスチレン樹脂溶液を回収する手段１３を有することを特徴とする発泡スチロール溶解回収装置。 - 特許庁

A prescribed portion of a silicon nitride film formed on the conductive layer on a semiconductor substrate is exposed to fluorine radical generated from a gas containing NF3 introduced into a plasma to expose the prescribed portion of the conductive layer and then an upper conductive layer electrically connected to the exposed conductive layer is formed thereon.例文帳に追加

導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したＮＦ_3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。 - 特許庁

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。 - 特許庁

The electrophoretic display device has an electrophoretic layer 30 held between an element substrate 10 and a counter substrate 50 and uses the side of counter substrate 50 as a display screen, wherein the electrophoretic display device includes a transparent impact relaxing layer 70, a transparent support layer 80 and a transparent surface layer 90, in this order on the upper side of the counter substrate 50.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置は、素子基板１０と対向基板５０との間に挟持された電気泳動層３０を有し、対向基板５０側を表示面とする電気泳動表示装置であって、対向基板５０の上層側に、透明な衝撃緩和層７０と、透明な支持層８０と、透明な表層９０と、をこの順番に備えている。 - 特許庁

A semiconductor layer in a VCSEL including an n-type lower DBR 104, an active layer 106, a p-type upper DBR 108, and a p-type contact layer 110 is laminated on a GaAs substrate 100; and a post structure P emitting laser light is separated from a pad forming region Q by a trench 114 formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型の第下部ＤＢＲ１０４、活性層１０６、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８、およびｐ型のコンタクト層１１０を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Ｐとパッド形成領域Ｑとが半導体層に形成された溝１１４によって分離されている。 - 特許庁

The wiring board has such a structure that the pins 40 are fitted standing at the connection pads P of a wiring layer 16 formed on an insulating layer 22, and recesses C are formed at regions of the insulating layer 22 which correspond to the connection pads P which have upper surfaces formed in concave surfaces Ca conforming to the recesses C of the insulating layer 22.例文帳に追加

絶縁層２２の上に形成された配線層１６の接続パッド部Ｐにピン４０が立設して取り付けられた構造を有する配線基板であり、接続パッド部Ｐに対応する絶縁層２２の領域に一括した凹部Ｃが設けられており、接続パッド部Ｐの表面は絶縁層２２の凹部Ｃに対応する凹面Ｃａになっている。 - 特許庁

At least one pre-coat layer 3 comprises a multi-layered coating film having two-layer structure, which is formed by laminating an under coating layer 31 comprising a first base resin 310 containing titanium oxide 311 and carbon black 312 to an upper coating layer 32 comprising the second base resin 320 into which granular synthetic resin beads 321 are dispersed.例文帳に追加

少なくとも一方のプレコート層３は、第１のベース樹脂３１０中に酸化チタン３１１及びカーボンブラック３１２を含有してなる下塗り層３１と、第２のベース樹脂３２０中に粒子状合成樹脂よりなる樹脂ビーズ３２１を分散させてなる上塗り層３２とを積層した二層構造を呈する複層塗膜よりなる。 - 特許庁

The woody floor material has a woody base material (A), an undercoat layer (B), an intermediate coat layer (C) and an upper coat layer (D) wherein the intermediate coat layer (C) is formed of a cured film of ultraviolet-curable paint containing a polyfunctional acrylate-based monomer or an acrylate-based prepolymer, silica having a particle size of 1-50 nm and a photopolymerization initiator.例文帳に追加

木質基材（Ａ）、下塗り層（Ｂ）、中塗り層（Ｃ）及び上塗り層（Ｄ）を有する木質床材であって、中塗り層（Ｃ）が、多官能アクリレート系モノマー又はアクリレート系プレポリマー、粒径１〜５０ｎｍのシリカ及び光重合開始剤を含有する紫外線硬化型塗料の硬化皮膜で形成されたことを特徴とする木質床材。 - 特許庁