| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
A secondary interlayer dielectric film 60 overlies the upper layer sides of the source-drain electrodes 20 and 40, on which an ITO layer 41 is electrically connected with the source-drain electrode 40 through a contact hole 61 on the secondary interlayer dielectric film 60.例文帳に追加
ソース・ドレイン電極20、40の上層側には第2層間絶縁膜60が形成され、ITO層41は、第2層間絶縁膜60のコンタクトホール61を介してソース・ドレイン電極40に電気的に接続している。 - 特許庁
To provide a water shielding structure capable of retaining sewage water at a boundary to a lower water shielding layer even in the case that an upper water shielding layer is damaged to leak the sewage water through a damaged part in a downward direction.例文帳に追加
上部遮水層に漏水が生じるような損傷が生じても、その損傷箇所を介して下方に漏出した汚水を、下部遮水層との境界に留まらせておくことができる遮水構造を提供する。 - 特許庁
The lower and upper resist layers 103Z, 104Z are selectively exposed to form a double layer resist pattern 105, and by dry etching using the pattern 105 as a mask, the 1st thin-film 111Z and the soluble layer 102Z are selectively etched.例文帳に追加
下部および上部レジスト層103Z,104Zを選択的に露光して2層レジストパターン105を形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより第1薄膜111Zおよび可溶層102Zを選択的にエッチングする。 - 特許庁
In such a region as the wiring layer 18 connected with a drain electrode 16 intersects the upper surface of the isolation region 4, a conduction plate 24 of ground potential and a conduction plate 25 under floating state are formed under the wiring layer 18.例文帳に追加
ドレイン電極16と接続する配線層18が分離領域4上面を交差する領域では、配線層18の下方に接地電位の導電プレート24とフローティング状態の導電プレート25とが形成されている。 - 特許庁
Degassing treatment is performed to remove water from a low-permittivity film 103 while a mask pattern layer such as an inorganic mask layer 104 and a resist pattern 105 is formed at the upper section of the low-permittivity film (the film to be etched) 103.例文帳に追加
低誘電率膜(被エッチング膜)103の上部に無機マスク層104やレジストパターン105などのマスクパターン層が形成された状態で、低誘電率膜103から水分を除去するための脱ガス処理を行う。 - 特許庁
The semiconductor device is equipped with a wiring layer with a conductive film embedded in a wiring groove formed in an insulating film, a barrier film formed on a wiring front surface, and an upper wiring layer formed on the barrier film.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、絶縁膜内に形成された配線溝内に埋め込まれた導電膜を有する配線層と、配線表面に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された上層配線層とを備える。 - 特許庁
A high resistance area 110 is formed on the side end face of the semiconductor layer 101 by ion implantation, and a high resistance area 111 is also formed adjacent to the side end face of the upper surface of the semiconductor layer 101 by ion implantation.例文帳に追加
半導体層101の側端面には、イオン注入による高抵抗領域110が形成され、半導体層101上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域111が形成されている。 - 特許庁
The second electrode is formed from a bottom surface of the insulating layer to the first semiconductor layer, and has a lower first conductive film 151 and an upper second conductive film 152 having higher conductivity than the first conductive film.例文帳に追加
第2の電極は、絶縁層の底面から第1の半導体層にかけて形成され、下側の第1の導電膜151と、第1の導電膜よりも導電率が高い上側の第2の導電膜152と、を有する。 - 特許庁
In the bundle region C, in the adjacency of at least one of an upper layer and a lower layer of a first wiring fin, a second wiring fin having a greater width of electrical wiring than the first wiring fin is arranged.例文帳に追加
束線領域Cにおいて、第1の配線フィンの上層及び下層の少なくとも一方に隣接して、第1の配線フィンの電気配線よりも大きな幅の電気配線を有する第2の配線フィンが配置されている。 - 特許庁
To provide a charging device for a sintering raw material capable of improving a yield of sintering ore produced at the upper layer part of a sintering raw material layer when a sintering raw material is charged through a magnet drum and improving productivity.例文帳に追加
磁石ドラムを介して焼結原料を装入する際に、焼結原料層の上層部で生成した焼結鉱の歩留りを向上し、かつ生産性を向上できる焼結原料の装入装置を提供する。 - 特許庁
In the electrooptical device, a pixel electrode 9a is composed of a first electrode 91a formed on the lower layer side in an island shape, and an upper layer-side second electrode 92a formed in an island shape on the first electrode 91a.例文帳に追加
電気光学装置において、画素電極9aは、下層側に島状に形成された第1電極91aと、第1電極91a上に島状に形成された上層側の第2電極92aとによって構成されている。 - 特許庁
By the composite action of the predetermined surface treatment film as the lower layer film and the upper layer film obtained by blending a predetermined organometallic compound into a solvent-based organic resin, particularly excellent planar part and corrosion resistance after working or the like can be obtained.例文帳に追加
下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に特定の有機金属化合物を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性などが得られる。 - 特許庁
In the side periphery of the outer layers, a joint line 4 between the upper-part outer layer 2a and the lower-part outer layer 2b lies at the height corresponding to 1/2, preferably 1/3 thickness from the bottom surface of the egg processed food 1A.例文帳に追加
また、外層の側周において、上部外層2aと下部外層2bの継ぎ目4は、卵加工食品1Aの底面から卵加工食品の1/2厚までの高さに位置し、好ましくは1/3厚までの高さに位置する。 - 特許庁
In this thin film bulk acoustic resonator, an acoustic reflection film 11 made of a material having an acoustic reflection function in a single layer is formed on a substrate 10, and an elastic resonance film 15 is formed on an upper layer of the acoustic reflection film 11.例文帳に追加
基板10上に、単層で音響反射機能を有する材料からなる音響反射膜11が形成されており、その上層に弾性共振膜15が形成されている構成の薄膜バルク音響共振子とする。 - 特許庁
Next, a piezoelectric layer 32 is formed by accumulating the particles of the piezoelectric material on the oscillating board 31 by an AD (aerosol deposition) method so as to cover a plurality of pressure rooms 14 on the upper face of the oscillating board 31 (a piezoelectric layer forming process).例文帳に追加
次に、振動板31の上面に、複数の圧力室14を覆うように、AD法により圧電材料の粒子を振動板31上に堆積させることにより圧電層32を形成する(圧電層形成工程)。 - 特許庁
The nonlinear substance 28 buried in the aperture of a reverse ladder structure firmed in the silicon deposited layer 25 in an etching step is partially exposed through the bottom surface of the silicon deposited layer 23 as the upper structure.例文帳に追加
エッチング工程によってシリコン蒸着層23に形成された逆梯形構造のアパーチャ25に埋め込まれた非線形物質28は、上部構造としてのシリコン蒸着層23の底面を通して一部が露出される。 - 特許庁
Also, the second insulating layer 8 has a second opening 8a for exposing the upper surface of the wiring 6 on the wiring 6, and a third metal layer 7 is formed in a region exposed from the second opening 8a in the wiring 6.例文帳に追加
また、第2の絶縁層8は配線6上に配線6上面を露出させる第2開口部8aを有し、配線6のうち、第2開口部8aから露出した領域上には第3の金属層7が形成されている。 - 特許庁
Namely, a part of a pattern of metal wiring material located at a layer upper than a channel layer of a thin-film transistor constituting a pixel circuit is laid out so that spacing in the pattern comprising a lower electrode material of a light emitting element is blocked.例文帳に追加
すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、発光素子の下部電極材料で構成されるパターン間の隙間を塞ぐようにレイアウトする。 - 特許庁
This agricultural film is characterized by forming a lower layer coated membrane containing a synthetic resin on the surface of a substrate film becoming the inside of the green house on being extended, and further forming an upper layer coated membrane containing an inorganic particle as a main component.例文帳に追加
展張時にハウスの内側となる基体フィルムの面に、合成樹脂を含む下層塗膜を形成し、更に無機微粒子を主成分として含む上層塗膜を形成してなることを特徴とする農業用フィルム。 - 特許庁
A first conductive pattern 16 has a first conductive element 18 formed on an upper surface of a first dielectric layer 12 and functioning as a first plate of a capacitor 20, and a second dielectric layer 22 functioning as a potential lead for the integrated circuit element 24.例文帳に追加
第1導電パターン16は、第1誘電体層12の上面に形成されてコンデンサ20の第1プレートとして機能する第1導電要素18と、集積回路素子24用の電位リードとして機能する第2導電要素22を有する。 - 特許庁
This aerobic filter bed vessel 41 to be placed in a sewage septic tank, is divided into two filter bed layers, i.e., an upper filter bed layer R and a lower filter bed layer F, each of which is packed with a granular carrier 14 consisting of a synthetic resin based material.例文帳に追加
汚水浄化槽内に備える好気濾床槽であって、前記好気濾床槽41は、上下2つの濾床層(R、F)に分けられ、この上下2つの濾床層(R、F)には合成樹脂系の粒状担体(14)が充填されている。 - 特許庁
To prevent detrimental effect on the characteristics of a semiconductor device by preventing contamination and film wear of an insulation film, in formation of a contact between a first conductive film of the lower layer and a second conductive film of the upper layer, which are set apart from each other by an insulation film.例文帳に追加
絶縁膜で隔てられた下層の第1の導電膜と上層の第2の導電膜とのコンタクトの形成において、絶縁膜の汚染や膜減りを防止し、半導体装置の特性に悪影響を及ぼさない。 - 特許庁
To manufacture a magnetic recording medium wherein dry of a magnetic paint is relaxed and superior alignment efficiency is realized and which has a high squareness ratio, when an upper magnetic layer is formed as a thin layer of 50 nm or smaller by wet-on-dry system.例文帳に追加
ウェット・オン・ドライ方式により、上層の磁性層を50nm以下の薄層に形成する場合において、磁性塗料の乾燥を緩和し、優れた配向効率を実現し、高い角形比を有する磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁
A gap between an edge of the waterproof sheet and the sealant is blocked with a step correcting material; and subsequently, the edge of the upper layer-side waterproof sheet is overlapped on that of the lower layer-side waterproof sheet, so that both the edges can be welded together.例文帳に追加
防水シートの縁部とシール材との間の隙間が段差修正材により塞がれたうえで、下層側の防水シートの縁部に上層側の防水シートの縁部が重ねられて双方の縁部どうしが溶着されている。 - 特許庁
In the pillow body 1, the split pouches (splits) 8 of a (front split layer 5) house hard cylindrical granular materials 21 and spherical granular materials 23, while an upper rear split layer 6a houses soft cylindrical granular materials 22 and spherical granular materials 23.例文帳に追加
枕本体1の分割嚢(分割体)8(表分離層5)には硬質筒粒状物21及び球粒状物23が内蔵され、上裏分離層6aには軟質筒粒状物22及び球粒状物23が内蔵される。 - 特許庁
The upper polysilicone layer of a capacity Cl(l-1) to Cl1 corresponding to a low-order bit (L-DAC) is all connected to a common node on the side of the low-order bit and each lower polysilicone layer is connected to analog switches SWl(l-1) to SWl1.例文帳に追加
また、下位ビット(L−DAC)に対応する容量C_l(l-1)〜C_l1の上層ポリシリコンを全て下位ビット側の共通ノードに接続すると共に下層ポリシリコンの各々を対応するアナログスイッチSW_l(l-1)〜SW_l1に接続する。 - 特許庁
Thus, the waveguide type rat race circuit has excellent characteristics in which deterioration in electric characteristics due to resonance of an electromagnetic wave leaking in an area surrounded with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and inner peripheral waveguide wall through-conductor group 52a is prevented.例文帳に追加
上側主導体層51a,下側主導体層51b,内周管壁用貫通導体群52aで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する。 - 特許庁
Although the growth temperature of the 1st upper guide layer 106 is 650°C, the rise of the growth temperature is started simultaneously with the growth of the layer 106, gradually increased up to the end of growth and reached 750°C at the end of growth.例文帳に追加
この第一上ガイド層106の成長温度は、成長開始時は650℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に750℃にする。 - 特許庁
A plurality of contact holes (for example, a pair of contact holes 12A and 12B) are provided at each wiring connection part that connects the end of the layer (11B or 11C), including the high-melting point metal wiring and the end of the upper wiring layer 14B.例文帳に追加
高融点金属配線を含む層(11Bまたは11C)の端部と上層配線層14Bの端部を接続する配線接続部ごとにコンタクトホールが複数(例えば、12Aと12B等のペア)で設けられている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a simple radiation detector by separately forming a scintillator crystal layer to inspect an upper face and a lower face of the scintillator crystal layer so as to surely remove an inferior crystal.例文帳に追加
シンチレータ結晶層を別個に形成することによって、シンチレータ結晶層の上面、および下面を検査可能として不良結晶を確実に除去するとともに、簡便な放射線検出器の製造方法を提供する。 - 特許庁
A filling member 25 consisting of a thermosetting material is poured in a state of 20 cP or smaller viscosity to be filled into void parts 22b, 23b and 24b generated continuously from the upper electrode layer 24 to the lower electrode layer 22.例文帳に追加
上部電極層24から下部電極層22まで連続的に生じている空乏部22b,23b,24bに、熱硬化性材料からなる充填部材25を粘度が20cP以下の状態で流し込むことで充填する。 - 特許庁
To appropriately suppress variations in a reflection factor due to the mutual interference of each reflection light on the upper surface of an SOI wafer, an interface between an SOI layer and an insulating film, and an interface between the insulating layer and a support substrate for the application of laser beams related to dicing.例文帳に追加
ダイシングに係るレーザ光照射に際しての、SOIウェハ上表面、SOI層=絶縁膜界面、絶縁層=支持基板界面における各反射光の相互干渉による反射率の変動を好適に抑制する。 - 特許庁
In this magnetic element, a planar coil is sandwiched between the upper magnetic layer and the lower magnetic layer and, at the middle of the planar coil, a primary coil region and a secondary coil region are partitioned and a tap is provided for connection to the outside.例文帳に追加
上部磁性層と下部磁性層との間に平面コイルを狭持した構造になる磁気素子において、該平面コイルの中間位置に、1次コイル領域と2次コイル領域とを区画し、かつ外部と接続するためのタップを設ける。 - 特許庁
A solid pattern 7p of the upper layer side conductive pattern 7s is in contact with the lower layer side conductive pattern 6s through the contact portion 115s and the end part of the auxiliary wiring 8a is in contact with the solid pattern portion 7p overlapping the solid pattern portion 7p.例文帳に追加
上層側導電パターン7sのベタパターン部7pは、コンタクト部115sを介して下層側導電パターン6sに接し、補助配線8aの端部は、ベタパターン部7pに重なってベタパターン部7pに接している。 - 特許庁
Further, since the double layer resist pattern 105 and the soluble layer pattern 102 are arranged so as to be successively removed by using specified solvents respectively for them, so that a burr does not occur on an upper surface of the 1st thin-film pattern 111, then a smooth lift-off is attained.例文帳に追加
さらに、所定の溶剤をそれぞれ用いて2層レジストパターン105と可溶層パターン102とを順次除去するようにしたので、第1薄膜パターン111の上面にバリが発生せず、円滑なリフトオフが可能となる。 - 特許庁
The upper part of the p-type clad layer 22 and the p-type cap layer 24 are formed as a ridge-shaped wide stripe having a stripe width w of 100 mm, and current non-injection regions 26 are formed on both the sides of the ridge-shaped wide stripe.例文帳に追加
p型クラッド層22の上部及びp型キャップ層24は、ストライプ幅Wが100μmのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域26となっている。 - 特許庁
In this manufacturing method of the optical master disk, when making grooves lie in zigzag lines, the height of a low part is made to be ≥70% with respect to the height of a high part in the height after the development of the upper layer used as the mask of the under layer.例文帳に追加
本発明の光ディスク用原盤の製造方法では、形成する溝を蛇行させる時、下層のマスクとなる上層の現像後の高さにおいて、低い部分の高さが高い部分に対して70%以上とする。 - 特許庁
In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加
n型下部クラッド層4中に薄層のAl_xGa_1−xN(0≦x≦1)緩衝層5が形成され、p型上部クラッド層7中に薄層のAl_xGa_1−xN(0≦x≦1)緩衝層8が形成されている。 - 特許庁
In the display apparatus, a thin film transistor for driving a transparent pixel electrode 31 is provided on a substrate 11, conductive light shielding layers 27, 28 are provided in a position of an upper layer of the thin film transistor and in a lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加
表示装置は、基板11上に透明画素電極31を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極31の下層の位置に導電性の遮光層27,28が設けられている。 - 特許庁
Furthermore, a double-layered coating material comprised of a primer layer made of a liquid curing type silicon modified acrylic resin and an upper layer made of a silicate ceramic coating material is applied onto the end faces on butting sides between the electrodes and the welded materials held by the holders.例文帳に追加
さらに、前記電極および前記ホルダーの被溶接材が突き合う側の端面には、液硬化型シリコン変性アクリル樹脂からなるプライマー層とシリケートセラミック塗料からなる上層の2層の塗料が塗布されている。 - 特許庁
An air layer D is formed between the tent 3 and a canopy sheet 5 by covering the upper section of the tent 3 with a heat-insulating layer forming material 6 composed of a spacer member 4 and the sheet 5 for improving the heat-insulating properties of the air tent 1.例文帳に追加
エアテント1の断熱性を向上させるため、天幕3上に、スペーサ部材4と天蓋シート5からなる断熱層形成材6を被せることにより、天幕3と天蓋シート5の間に空気層Dを形成する。 - 特許庁
Specifically, the projection 60 is provided on the upper surface of the conductive pattern 11, and the interlayer connection 19 for electrically connecting the conductive pattern 11 with a first wiring layer 14 is provided in such a manner that the interlayer connection penetrates through a first insulating layer 12.例文帳に追加
具体的には、導電パターン11の上面に突出部60を設け、導電パターン11と第1配線層14とを電気的に接続させる層間接続部19を、第1絶縁層12を貫通して設けている。 - 特許庁
To provide a direct sowing apparatus designed to form a lower layer with coarse soil lumps (a) and an upper layer with fine soil lumps (b) along with sowing seeds (c) on the fine soil lumps (b), and enabling these seeds to be covered with soil and the quantity of the soil to be regulated as well.例文帳に追加
大きい土塊aで下層を細かい土塊bで上層を形成しつつ細かい土塊b上に種子cを播種するとともに、これら種子上に覆土でき、覆土量も調節できる直播装置を提供する。 - 特許庁
Then a 3rd electrode layer 6 made of Al or an alloy whose principal component is Al or made of Au or an alloy whose principal component is Au is formed to cover an upper face and side faces of the 2nd electrode layer 5.例文帳に追加
そして、第2の電極層5の上面および側面を被覆するように、Alもしくはこれを主成分とする合金またはAuもしくはこれを主成分とする合金からなる第3の電極層6を形成する。 - 特許庁
When centrifugal force acts in a curve etc., since a gap exists between the upper layer surface and the lower layer surface, one buttock tends to sink and the femoral region, especially the femoral region of another side tends to go up by the reaction.例文帳に追加
カーブ等において遠心力が作用した場合、上層面と下層面との間に間隙があるため、一方の臀部が沈み込もうとし、その反作用により大腿部、特に他方の大腿部が上方に上がろうとする。 - 特許庁
The upper semiconductor DBR 107 includes an oxidized narrow structural body in which an oxidized layer 108a containing an oxide generated by oxidizing a portion of a selected oxidized layer containing Al surrounds a current passing-through region 108b.例文帳に追加
上部半導体DBR107は、Alを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を含む酸化層108aが電流通過領域108bを取り囲む酸化狭窄構造体を含んでいる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a flash memory cell which can prevent electron flow-out from a floating gate of the cell, by dividing the floating gate into upper and lower layer parts by a charge barrier layer as its middle.例文帳に追加
フラッシュメモリセルの浮遊ゲートを電荷障壁層を中心として上層部及び下層部に分けて構成することにより、浮遊ゲートからの電子流出を防止することのできるフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁
A transmission/reflection layer 3 is provided on the inner surface of a substrate of the light emission side of a scatter/transmission type liquid crystal cell 2, and a linear prism 12 is arranged and formed on its upper surface, and a light absorbing layer 5 is provided on the lower side of the liquid crystal cell 2.例文帳に追加
散乱透過型の液晶セル2の光出射側の基板7の内面に透過反射層3を設け、その上面にリニアプリズム12を配列形成し、液晶セル2の下側に光吸収層5を設けた。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head preventing magnetic flux from being leaked from an end edge of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read head element, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic disk drive and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加
読出しヘッド素子の下部シールド層及び/又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the interlayer insulating films 10, the second interlayer insulating film 102 is provided in the interlayer of a region, where the lower layer wiring 11 is overlapped to the upper layer wiring 12, and other regions are occupied by the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加
これら層間の絶縁膜10のうち、下層配線11と上層配線12の重なり合う領域の層間では第2層間絶縁膜102が配され、その他の領域は第1層間絶縁膜101で占められている。 - 特許庁
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