「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

A Schottky junction region 104 is formed on a region where an anode P layer 103 is not formed at an upper portion of the N- layer 102 by injecting impurities such as platinum of a barrier height lower than that of silicon.例文帳に追加

Ｎ−層１０２上部でアノードＰ層１０３が形成されていない領域に、シリコンに比べてバリアハイト（障壁の高さ）の低い、白金等の不純物を注入することにより、ショットキー接合領域１０４が形成されている。 - 特許庁

Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加

初回の書込み動作の前に、上部電極１８および下部電極１４に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層１７の下部電極１４との界面に高抵抗層１９が設けられている。 - 特許庁

The pixel electrode 10 is arranged in an upper layer while isolated from the thin film transistor positioned in a lower layer by an organic colored film 8 and a flattening film 9 and connected to the corresponding drain D directly or through a pad wiring 7.例文帳に追加

画素電極１０は下層に位置する薄膜トランジスタから有機着色膜８及び平坦化膜９により隔てられて上層に配されており直接又はパッド配線７を介して対応するドレインＤに接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device to prevent lowering of output efficiency by total reflection at a boundary between the topmost layer of a semiconductor multilayer film and the upper layer (transparent resin, etc.), and improve the output efficiency.例文帳に追加

半導体多層膜の最上層とその上層（透明樹脂等）との境界での全反射による光取り出し効率の低下を防止し、光取り出し効率の向上を図れる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A solventless epoxy resin-based electrification preventive painting floor material 10 is used as a lower layer side electrification preventive painting floor material, and an aqueous epoxy resin-based electrification preventive painting floor material 12 is used as an upper layer side electrification preventive painting floor material.例文帳に追加

下層側帯電防止塗り床材として無溶剤形エポキシ樹脂系帯電防止塗り床材１０を用い、 上層側帯電防止塗り床材として水性形エポキシ樹脂系帯電防止塗り床材１２を用いた。 - 特許庁

The polysilane layer 12 is provided on a substrate 14 and an extra fine particulate solution 16 containing metal extra fine particulates is brought into contact with the upper surface of the polysilane layer 12, then dried and fired to laminate a metal reflection film 18.例文帳に追加

基板１４上にポリシラン層１２を設け、このポリシラン層１２の上面に金属超微粒子を含む超微粒子溶液１６を接触後乾燥し焼成することによって構成した金属反射膜１８を積層した。 - 特許庁

The semiconductor device is made of silicon carbide and includes a semiconductor board 1 having an epitaxial crystal growth layer 2 formed on its surface and a well region 3 selectively formed in an upper part of the epitaxial crystal growth layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、炭化珪素からなり、表面にエピタキシャル結晶成長層２が形成された半導体基板１と、エピタキシャル結晶成長層２上部に選択的に形成されたウェル領域３とを備える。 - 特許庁

Thereafter, the metal burr is prevented from remaining at the upper end of the single layer metal film or the multilayer metal film by selectively removing the single layer metal film or the multilayer metal film by ion milling while taking the resist film as a mask.例文帳に追加

この後に、前記レジスト膜をマスクとしたイオンミリングで単層金属膜あるいは多層金属膜を選択除去することにより、金属バリが単層金属膜あるいは多層金属膜上端に残存しないようにした。 - 特許庁

The lower part electrode film 34a, the piezoelectric film 31, the upper electrode film 34b, and the reflection film 33 are all formed by films whose thickness are uniform, but the center part of a film thickness adjusting layer 32 is thin and the peripheral part of the layer 32 is thick.例文帳に追加

下部電極膜３４ａ、圧電膜３１、上部電極膜３４ｂ、反射膜３３はすべて膜厚が均一な膜で形成されるが、膜厚調整層３２は中央部で薄く、周辺部で厚い膜厚になっている。 - 特許庁

By making the insertion direction Q guided by the suction box 15 as an inclined upper direction in the forwarding direction to the traveling direction of the first wet paper layer P_1, and the IC tag inlet 9 is supplied to the first wet paper layer P_1 from the lower end part of the supplying roll 14.例文帳に追加

サクションボックス15に案内されるインサート方向Ｑを第１湿紙層Ｐ_1の走行方向に対して順方向で斜め上方とし、前記供給ロール14の下端部からICタグインレット９を第１湿紙層Ｐ_1に供給する。 - 特許庁

For the upper layer sheet 2 and lower layer sheet 3 of an absorptive pad 1, front and rear ends 21 and 31 thereof and the front and rear ends 44 of an absorbent 4 are adhered by heat seal 8 and an adhesion area 81 by the heat seal 8 is formed.例文帳に追加

吸収パッド１の上層シート２と下層シート３は、前後端２１、３１と吸収体４の前後端４４との間はヒートシール８で接着されており、ヒートシール８による接着領域８１が形成されている。 - 特許庁

The soft magnetic film whose composition is represented by the formula: (Fe_xNi_y)_aMo_b, is prepared, and a lower core layer 16 and/or an upper core layer is formed of the above soft magnetic film.例文帳に追加

組成式が（Ｆｅ_ｘＮｉ_ｙ）_ａＭｏ_ｂ（ただし、ｘ、ｙは質量％比で、０．６５≦ｘ≦０．７５、ｘ＋ｙ＝１、ａ，ｂは質量％で、０質量％＜ｂ≦５質量％、ａ＋ｂ＝１００質量％）の関係を満足するものである。 - 特許庁

To provide a design device and a design method for a semiconductor capable of arranging a through hole between an upper layer electric power source wire and an under layer electric power source wire of the same voltage, and allowing automatic arrangement design with no deficiency at reduced manhours.例文帳に追加

同電位の上層電源配線と下層電源配線間にスルーホールを配置不備なく、かつ少工数で自動配置設計することが可能な半導体装置の設計装置及び設計方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the upper peripheral edge 8a of the case 8 is adhered and fixed to the adhesive layer 2c of the light shielding tape 2, but no adhesive layer is disposed in a layered portion with the optical sheet 10 avoiding adhesive fixing.例文帳に追加

よって、前記ケース８の上部周縁部８ａと遮光テープ２の接着層２ｃは接着固定される構成であるが、光学シート１０との積層部位は接着層が設けられておらず、接着固定されない構成となっている。 - 特許庁

An SiNx film 12a is formed on an electrode forming surface 11 except a part side surface of a first contact layer 4 and an n-side electrode 132, side surfaces of layers 5-8, an upper surface of a second clad layer 8 and the side surface of a ridge part 10.例文帳に追加

第１コンタクト層４の一部側面およびｎ側電極１３２を除く電極形成面１１、各層５〜８の側面、第２クラッド層８の上面ならびにリッジ部１０の側面にＳｉＮ_x 膜１２ａが形成される。 - 特許庁

An electrical wiring part is provided between the upper layer 35 and the lower layer 36 of the bottom plate part 32, such that a delay line, reactance component or a resistive component is added to at least one of the balance signal terminals 11 and 12.例文帳に追加

上記底板部３２の上部層３５と下部層３６との間に電気配線部を各平衡信号用端子１１、１２の少なくとも一方に遅延線、リアクタンス成分、または抵抗成分を付加するように設ける。 - 特許庁

The sticky layer 16 in the state is stuck to the adhesive layer 17 through the first adhesive 19, and the sticky body 13 in the state is used by being stuck to the upper surface of the tool body through the second adhesive 20.例文帳に追加

粘着層１６は接着層１７に対して第１の接着剤１９を介して接着されており、この状態の粘着体１３を治具本体の上面に第２の接着剤２０を介して接着して使用する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a magnetic head assembly and a magnetic disk drive device preventing leakage of magnetic fluxes from end edges of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read-out head element, and to provided a method of manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び／又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A resin projection part 6 is formed on a connection pad part 3 arranged on the upper face of the antenna coil mounting IC chip 1, the resin projection part 6 is covered with a seed layer and a conductive layer 7, and then, a bump 8 is formed to cover them.例文帳に追加

アンテナコイル搭載型ＩＣチップ１の上面に配設された接続パッド部３上に樹脂製突部６を形成し、これをシード層と導電層７で被覆したのち、更にこれらを覆うようにバンプ８を形成する。 - 特許庁

A thin film layer composed of a specific number of layers is deposited on the upper side of the substrate 10, and a thin film layer of the same thickness is deposited on the lower side of the substrate 10, to balance film stresses of both sides of the substrate 10.例文帳に追加

所定の層数から構成される薄膜層を基板１０の上側に堆積させ、かつ、同様の厚さを有する薄膜層を基板１０の下側に堆積させ、基板１０の両側の膜応力のバランスをとる。 - 特許庁

Ozone is supplied into a reaction tower 1, in which a catalyst- packed layer 2 is provided at the upper stage and a catalyst-free layer 3 is provided at the lower stage, from an ozone supplying device 4 while the organic discharged water containing endocrine disrupters is trade to flow down into the reaction tower 1.例文帳に追加

上段を触媒充填層２とし下段を触媒無充填層３とした反応塔１に、環境ホルモンを含む有機性排水を下降流で流しながらオゾン供給器４からオゾンを供給する。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

The upper polysilicone layer of a capacity Ch(h-1) to Ch1 corresponding to a high-order bit (H-DAC) is all connected to a common node on the side of the high-order bit and each lower polysilicone layer is connected to analog switches SWh(h-1) to SWh1.例文帳に追加

上位ビット（Ｈ−ＤＡＣ）に対応する容量Ｃ_h(h-1)〜Ｃ_h1の上層ポリシリコンを全て上位ビット側の共通ノードに接続すると共に下層ポリシリコンの各々を対応するアナログスイッチＳＷ_h(h-1)〜ＳＷ_h1に接続する。 - 特許庁

Each core part 21, 22 are fixed in a state with the second core part 22 in the lower layer shifted at a phase angle of 20 degrees with respect to the first core part 21 in the upper layer so that teeth parts 21b, 22b are respectively arranged opposite to each magnet 13 exist during rectification.例文帳に追加

各コア部２１，２２は、整流時に各マグネット１３とそれぞれ対向するティース２１ｂ，２２ｂが存在するように、上層の第１コア部２１に対して下層の第２コア部２２が２０°の位相角でずらして固定される。 - 特許庁

In the bubble layer 111 reaching the upper part of the plating tank 101, the bubbles are broken, and it returns to the plating liquid 103, passes through circulation piping 215 and is fed to the plating tank 101 by a pump 214, and the bubble layer 111 is formed once more.例文帳に追加

メッキ槽１０１の上部に達した気泡層１１１は、気泡が壊れてメッキ液１０３に戻り、ポンプ２１４により循環配管２１５を通ってメッキ槽１０１に供給され、再び気泡層１１１が形成される。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device that prevents the whisker- like protrusions of an upper layer film due to side etching of a lower layer film when the surface electrode wiring of a semiconductor device is to be formed, and to provide a method for manufacturing the reliable semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の表面電極配線を形成する際、下層膜がサイドエッチされることによる上層膜のヒゲ状張り出しのない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this case, an upper-layer connection pad 34 for the auxiliary capacitance electrode provided on a top surface of an overcoat layer 20 and made of the transparent conductive material such as ITO is not connected directly to the portion 6d of the auxiliary capacitance electrode 6.例文帳に追加

この場合、オーバーコート膜２０の上面に設けられたＩＴＯ等の透明導電材料からなる補助容量電極用上層接続パッド３４は補助容量電極６の一部６ｄに直接接続されていない。 - 特許庁

The reproduction element 12 of the magnetic head 1 has a magnetoresistance effect film (TMR film) 2 formed between a lower magnetic shield layer 14 and an upper magnetic shield layer 16; and a refill film 18 and a magnetic domain control film 19 on both sides of the TMR film 2.例文帳に追加

磁気ヘッド１の再生素子１２は、下部磁気シールド層１４と上部磁気シールド層１６の間に磁気抵抗効果膜（TMR膜）２が設けられ、TMR膜２の両脇にはリフィル膜１８と磁区制御膜１９が設けられている。 - 特許庁

Also, the liquid crystal device holds a liquid crystal layer between a color filter substrate with the colored layers in four colors and an element substrate with source lines formed of aluminum or the like and a scattering layer arranged on the upper side the source lines.例文帳に追加

また、この液晶装置は、４色の着色層を有するカラーフィルタ基板と、アルミニウム等にて形成されたソース線及びソース線の上側に設けられた散乱層とを有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

The thin film device 1 comprises a substrate 2, an insulating layer 3 laminated in order on this substrate 2, a plurality of lower conductor layers, a dielectric film 5, an insulating layer 6, a plurality of upper conductor layers and protection films 8, and 4 terminal electrodes.例文帳に追加

薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に順に積層された絶縁層３、複数の下部導体層、誘電体膜５、絶縁層６、複数の上部導体層および保護膜８と、４つの端子電極を備えている。 - 特許庁

Since the electric field on the interface between the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is disturbed and a region being applied with a strong electric field is distributed, the concentration of the electric field is prevented and the deterioration of insulation can be suppressed.例文帳に追加

これによって、強誘電体層３０と上部電極層４０との界面の電界が乱されて強い電界のかかる領域が分散するため、電界の集中を防止して絶縁性の劣化を抑制することができる。 - 特許庁

This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In this magnetic recording medium, a layer nonmagnetic layer containing at least carbon black and a radiation curing type binder resin are formed on a nonmagnetic base and an upper magnetic layer having a film thickness of ≤0.30 μm is formed on this lower layer nonmagnetic layer.例文帳に追加

非磁性支持体上に、少なくともカーボンブラックと放射線硬化型結合剤樹脂とを含む下層非磁性層が形成され、前記下層非磁性層上に膜厚０．３０μｍ以下の上層磁性層が形成され、前記上層磁性層は、少なくとも強磁性粉末と結合剤樹脂とモース硬度６以上でかつ前記上層磁性層膜厚よりも平均粒径が小さい研磨材とを含有する、磁気記録媒体。 - 特許庁

In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation.例文帳に追加

そして、柱状部を有する半導体堆積層１５０を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層１３０を形成し、埋込み絶縁層１２０を形成する工程において、分離用半導体層１３０の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層１３０を用いて前記分離が行われる。 - 特許庁

In the water storing structure including a hydrophobic layer with a water-repellent surface and a water storage part on an upper layer of the water-repellent layer, the hydrophobic layer is composed of an assembly of small objects having water repellency on a surface thereof, and the small objects contact from each other with multiple points to form a configuration that water does not pass the water-repellent layer.例文帳に追加

撥水性表面を備えた撥水層と、前記撥水層の上層に貯水部を備えたことを特徴とする貯水性構造体において、前記撥水層が、その表面に撥水性を有する小物体の集合体から成り、かつ、前記小物体が互いに多点で接触することにより前記撥水層を水が通過しない構成を形成することを特徴とする貯水性構造体。 - 特許庁

The surface emitting laser element comprises a GaAs layer 16 having a thickness exhibiting a high reflectivity to an oscillation wavelength and formed on an upper DBR mirror 14, and a recess 42 of a depth exhibiting a low reflectivity to the oscillation wavelength at the GaAs layer 16 directly under a position bridged over the extension line of the boundary between an Al oxide layer 32 and an AlAs layer 31 on the GaAs layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー１４上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのＧａＡｓ層１６を形成するとともに、そのＧａＡｓ層１６上であってＡｌ酸化層３２とＡｌＡｓ層３１の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のＧａＡｓ層１６が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み４２を形成する。 - 特許庁

The inorganic EL element comprises a substrate 1, a first electrode 2 formed on the substrate, a dielectric thick film including a first insulating layer 3 formed by depositting by spraying dielectric powder on the substrate having the first electrode layer formed thereon, a light emitting layer 4 showing electroluminescence, and a second electrode 6 formed as the upper layer of the light emitting layer.例文帳に追加

基板１と、基板上に形成されている第１の電極２と、誘電性を有する厚膜であって、第１の電極層が形成された基板に、誘電性を有する材料の粉体を噴射して堆積させることにより形成された第１の絶縁層３と、第１の絶縁層の上に、エレクトロルミネセンスを呈する発光層４と、発光層の上層に形成されている第２の電極６とを含む。 - 特許庁

Between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3, such a current block layer 5 as to let an electroresistance value become ≥2.5×10^5Ω, the electroresistance value being converted per electrode area 1 cm^2 between electrodes when an electric field of ≤20 kV/cm is applied at normal temperature between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3.例文帳に追加

圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極層２、圧電体薄膜層４および上部電極層３を有し、圧電体薄膜層４が、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とするペロブスカイト構造の結晶からなるものであり、下部電極層２と上部電極層３との間に常温で２０ｋＶ／ｃｍ以下の電界を印加したときの、電極間の電極面積１ｃｍ^２当たりに換算した電気抵抗値を２．５×１０^５Ω以上とするような電流ブロック層５を、下部電極層２と上部電極層３との間に備えている。 - 特許庁

A sub-mount substrate 12 includes an upper surface and a lower surface opposite to a substrate 11, and it includes a first light reflection surface 12r being open in the upper surface and a first translucent material layer 12t surrounded by the first light reflection surface 12r.例文帳に追加

サブマウント基板１２は、上面と基体１１に対向する下面とを有しており、上面に開口された第１の光反射面１２ｒと第１の光反射面１２ｒによって囲まれた第１の透光性材料層１２ｔとを含んでいる。 - 特許庁

Further, the contact wiring 22c that connects wiring layers 23b, 23c above and below the oxide film 21c electrically and the wiring laver 23c that should be located in the upper part of the oxide film 21c are formed as one upper part conducting layer 25 simultaneously.例文帳に追加

さらに、酸化膜２１ｃの上下の配線層２３ｂ，２３ｃ同士を電気的に接続するための引上配線２２ｃと酸化膜２１ｃの上側に位置すべき配線層２３ｃとを同時に一体の上部導電層２５として形成している。 - 特許庁

The aperture antenna 4 is formed by removing a rectangular or circular conductor from an upper face conductor plate 1 and a tri-plate feeder 2 is provided to a dielectric layer 5 filled between the upper face conductor plate 1 and a lower face ground conductor plate 3.例文帳に追加

開口アンテナ４は、上面導体板１から矩形または円形の導体部を取り除くことにより形成され、上面導体板１と下面グランド導体板３の間に充填された誘電体層５にはトリプレート給電線路２が設けられる。 - 特許庁

The inkjet paper 11 can be stably cut by the upper blade 30 when the upper blade 30 cuts the inkjet paper 11 while the ink absorbing layer 28 is supported on (wound around) the outer periphery of the lower blade 36.例文帳に追加

このように、インク受容層２８が下刃３６の外周面に支持されている状態（巻き掛けられた状態）のインクジェット用紙１１を上刃３０が裁断することで、安定した状態でインクジェット用紙１１を上刃３０で裁断することができる。 - 特許庁

A surface of a pressure-sensitive adhesive layer 17 provided on a surface of a front face sheet 11 in a position shifted downwardly from an upper edge heat seal part 16 by predetermined height is covered with a flap part 13 formed by folding back an upper part of a rear face sheet 12 forwardly.例文帳に追加

前面シート１１の表面に、上縁ヒートシール部１６よりも所定高さだけ下方にずれた位置に備えられた感圧粘着剤層１７の表面は、後面シート１２の上部を前方へ折り返したフラップ部１３で覆われている。 - 特許庁

The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.例文帳に追加

第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁

A contact hole 11N is formed selectively penetrating through an interlayer insulating film 10 and the element isolation insulating film 9 between the upper surface of the interlayer insulating film 10 and the upper surface of the SOI layer 4.例文帳に追加

また、コンタクトホール１１Ｎは、ＳＯＩ基板１の素子分離領域において、層間絶縁膜１０の上面とＳＯＩ層４の上面との間で層間絶縁膜１０及び素子分離絶縁膜９を選択的に貫通して形成されている。 - 特許庁