「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(142ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.例文帳に追加

上層配線２および下層配線３を有するベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体４が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層１６が設けられ、それらの上には第１、第２の上層再配線２０、２４が設けられ、第２の上層再配線２４の接続パッド部上には半田ボール２７が設けられている。 - 特許庁

The flat fluorescent lamp has an upper glass substrate 411, a lower glass substrate 421 bonded facing to the upper glass substrate 411, electrodes 414, 424 formed on the outer plane of the upper glass substrate 411 and the lower glass substrate 421, and a dielectric layer 413 formed between the upper glass substrate 411 and the electrode 414.例文帳に追加

本発明による平板蛍光ランプは、上部ガラス基板４１１と、上部ガラス基板４１１と対向接合されている下部ガラス基板４２１と、上部ガラス基板４１１と下部ガラス基板４２１の外部面に形成されている電極４１４、４２４と、上部ガラス基板４１１と電極４１４との間に形成されている誘電層４１３とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor package includes an upper electrode 18 and a lower electrode 20 formed in flat plate shapes; a dielectric layer 14 interposed between the upper electrode 18 and the lower electrode 20; and a coating component 24 composed of an insulating resin covering the outside of at least either the upper electrode 18 or the lower electrode 20.例文帳に追加

平板状に形成された上部電極１８および下部電極２０と、前記上部電極１８と下部電極２０とによって挟まれて配置された誘電体層１４と、前記上部電極１８および下部電極２０の少なくとも一方の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部２４とを備える。 - 特許庁

A second electrode 14 is connected to an upper layer wire at the upper surface via the contact holes 15a with a part thereof connected to a first electrode 12 via an insulating film 13 formed on the surface of the first electrode 12 and the other part thereof provided in parallel to be superimposed on the upper part of the first electrode 12.例文帳に追加

第２の電極１４を、第１の電極１２の表面に形成された絶縁膜１３を介してその一部が第１の電極１２間に、他の部分が第１の電極１２の上方に重畳されるように並設されてその上面がコンタクトホール１５ａを介して上層配線に接続される態様で形成する。 - 特許庁

To provide a GaN-based LED which suppresses increase in contact resistance of an upper electrode, improves the light extraction efficiency during flip-chip mounting, and improves the problem that fluctuations in contact resistance between a contact layer and the upper electrode due to the variation in the lamination state of the upper electrode and a reflection film occur.例文帳に追加

上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤの提供。 - 特許庁

An upper electrode P12 composing of metal material is partially formed on a surface of a contact layer 15 of a GaN-based light-emitting diode, and a reflection film P13 composing of metal material is formed, so that it cannot contact with the upper electrode P12, on an area where the upper electrode P12 is not formed.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 - 特許庁

A metal plate 12 brought into contact with an upper surface side conductor 11 connected to an upper surface electrode layer of a semiconductor device 8 fixed on a DBC substrate 5 is connected to copper circuit foil 7 of a metal plate fixing DBC substrate 13 so as to press the upper surface side conductor 11 to the semiconductor device 8 direction.例文帳に追加

ＤＢＣ基板５上に固定された半導体素子８の上面電極層と接続される上面側導体１１に接触する金属板１２が、上面側導体１１を半導体素子８方向へ押圧するように金属板固定用ＤＢＣ基板１３の銅回路箔７に接続される。 - 特許庁

A joint surface 512a facing one surface 80a of an upper electrode film (electrode) 80 in a terminal part 512 of a flexible board 500 includes a flat part 513 expanding nearly in parallel to the one surface 80a of the upper electrode film 80 and stuck to the upper electrode film 80 through a joint material layer 85.例文帳に追加

フレキシブル基板５００の端子部５１２における上電極膜（電極）８０の一面８０ａと対向する接合面５１２ａは、上電極膜８０の一面８０ａに対して略平行に広がり、接合材層８５を介して上電極膜８０に接着される平坦部５１３を備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has at least a stage for providing an upper groove at one side of a metallic plate of a heat spreader, a stage for adhering a board having a wiring layer to the metallic plate and filling the upper groove with resin, and a stage for forming a lower groove at the other surface of the metallic plate to connect the upper and lower grooves.例文帳に追加

ヒートスプレッダとなる金属板の片面に上溝を設ける工程、該金属板に配線層を有する基板を接着するとともに上記の上溝に樹脂を充填する工程、金属板の別の面に下溝を設けて上下の溝を連結する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In this semiconductor device functioning as a three-dimensional device for which two semiconductor chips are joined, the back surface of the semiconductor chip on the upper side is ground, the entire side face of the semiconductor chip on the upper side is covered with a resin layer, or the center of the semiconductor chip on the upper side is made thicker than a peripheral part.例文帳に追加

２枚の半導体チップを接合した三次元デバイスとして機能する半導体装置において、上側の半導体チップの裏面を研磨したり、上側の半導体チップの側面全体を樹脂層により覆ったり、あるいは、上側の半導体チップの中央部を周辺部よりも厚くする。 - 特許庁

This LED module (illumination device) 100 is equipped with a wiring circuit board 10 having a wiring layer 13 formed on the upper face, a plurality of light-emitting parts 20 installed on the upper face of the wiring circuit board 10, and constant current circuits 30 installed on the upper face of the wiring circuit board 10 and electrically connected to the light-emitting parts 20.例文帳に追加

このＬＥＤモジュール（照明装置）１００は、上面上に配線層１３が形成された配線基板１０と、配線基板１０の上面上に設けられた複数の発光部２０と、配線基板１０の上面上に設けられ、発光部２０と電気的に接続された定電流回路３０とを備えている。 - 特許庁

A MIM capacitor 11 (constituted of a lower electrode film 8a, a capacitor insulating film 9a, and an upper electrode film 10a) formed on a lower interlayer insulating film 3, can dispense with connection holes for the upper electrode, by being formed with a height same as that of a plug 14a connecting between a lower layer wiring 6 and an upper wiring 14c.例文帳に追加

下層層間絶縁膜３上に形成されたＭＩＭ型キャパシタ１１（下部電極膜８ａ、キャパシタ絶縁膜９ａ、上部電極膜１０ａからなる）は、下層配線６と上層配線１４ｃを接続するプラグ１４ａと同じ高さに形成することにより、上部電極用接続孔を必要としない。 - 特許庁

In the semiconductor device functioning as a three-dimensional device by bonding two semiconductor chips, rear surface of the upper semiconductor chip 20 is ground, side face of the upper semiconductor chip 20 is covered entirely with a resin layer 30, or the central part of the upper semiconductor chip 20 is made thicker than the circumferential part.例文帳に追加

２枚の半導体チップを接合した三次元デバイスとして機能する半導体装置において、上側の半導体チップ２０の裏面を研磨したり、上側の半導体チップ２０の側面全体を樹脂層３０により覆ったり、あるいは、上側の半導体チップ２０の中央部を周辺部よりも厚くする。 - 特許庁

This manufacturing method is executed by forming a photoresist 35 acting as a mask so that the tip part of the upper pole is exposed after the upper pole 34 is formed so as to cover the pole chip 28 and applying anisotropic etching, in which an insulation layer 29 filling up the surrounding of the pole chip constitutes an etching stopper, thereby retreating the tip face of the upper pole from the air bearing surface.例文帳に追加

ポールチップ２８を覆うように上部ポール３４を形成した後、マスクとして作用するフォトレジスト３５を、上部ポールの先端部分が露出するように形成し、ポールチップの周囲を埋める絶縁層２９をエッチングストッパとする異方性エッチングを施して、上部ポールの先端面をエアベアリング面から後退させる。 - 特許庁

The electroforming mold 1 comprises: a substrate 2 that transmits ultraviolet rays; a conductive film 3 that has electric conductivity on a surface of the substrate and has UV-ray transmissibility; and a first photoresist layer that is formed on the upper surface of the conductive film and has a first through-hole inclined toward the upper surface of the first photoresist layer 4 from the upper surface of the conductive film.例文帳に追加

電鋳型１は、紫外線に対して透過性を有する基板２と、前記基板の表面に導電性を有し、かつ紫外線に対して透過性を有する導電膜３と、前記導電膜の上面に形成され、前記導電膜の上面から前記第１のフォトレジスト層４の上面に向かって傾斜する第１の貫通孔を有する第１のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element where the upper electrode side of an organic layer has sufficient transmittance to emitted light in a configuration for taking out the emitted light from an upper electrode side used as a negative electrode, proper electron injection efficiency from the upper electrode side to the organic layer and hole blocking properties are ensured, and hence light-emitting intensity and a luminous life can be increased.例文帳に追加

陰極として用いられた上部電極側から発光光を取り出す構成において、有機層の上部電極側が発光光に対して充分な透過率を有すると共に、当該上部電極側から有機層への適正な電子注入効率と正孔ブロック性が確保され、これにより発光強度および発光寿命の向上を図ることが可能な、有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A light-emitting device comprises: a semiconductor stack including a light-emitting layer; a first upper electrode directly connected to the semiconductor stack on the semiconductor stack; at least one second upper electrode that is connected to the semiconductor stack via a first contact layer above the semiconductor stack and extend from the first upper electrode; and a lower electrode provided under the semiconductor stack.例文帳に追加

実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。 - 特許庁

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower.例文帳に追加

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を６５０℃以下の条件下でＣａＲｕＯ_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を５０ｎｍ以下とする製造方法。 - 特許庁

Also, particularly, by further impairing this base body, a flexibility of a certain section of a layer beneath the base body is improved, and the base body is made to be deformed in the flexible section region, without damaging the conductivity of the upper layer on which a diode is disposed.例文帳に追加

また特に、この基体をより脆弱にすることによって、その下層のある区域の可撓性を高め、ダイオードが配置された上層の導電性を損なわずに、基体を前記可撓性区域領域内で変形できるようにする。 - 特許庁

A deposition film comprising a plurality of layers 302, 304 formed on a substrate 301 is subjected to scribing while determining the scribe position of the upper layer with reference to the scribe position 303 of the lower layer 302.例文帳に追加

基板３０１上に複数の層３０２，３０４が積層してなる堆積膜に対して、下部層３０２のスクライブ位置３０３を基準として上部層のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A pad oxidizing film is removed from the upper surface of the layer 10, together with the formed regions 12 and 14, and then a high-quality silicon oxidation film 22 is subjected to thermal growth, until the thickness reaches about 60 Å on the surface of the layer 10.例文帳に追加

形成された領域１２および領域１４とともに、層１０の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層１０の表面に高品質シリコン酸化膜２２が厚さ約６０Åまで熱成長を行う。 - 特許庁

The laminated substrate is pattern-molded, by using a standard photograph flat-plate technology and etching is applied, and a rectangular or a columnar column is formed on the upper part of the substrate, composed of conductive layer(s) and non-conducive layer(s).例文帳に追加

積層された基板を標準的な写真平板技術を使用してパターン成形し、そしてエッチングして、導電性層及び非導電性層からなる基板の上部に矩形状または円柱状の柱を形成する。 - 特許庁

In the display device, a thin-film transistor for driving a pixel electrode 31 is formed on a substrate 11, and conductive light shielding layers 27, 28 are formed in the position corresponding to the upper layer of the thin- film transistor and to the lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加

表示装置は、基板１１上に画素電極３１の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。 - 特許庁

An upper layer metal film 5 containing tungsten (W) is dry- etched using a resist mask, whereby with the film 5 processed into a wiring shape, one part of the surface of a lower layer metal film 4 containing Ti is made to expose.例文帳に追加

レジストマスク７を用いて、Ｗを含む上層金属膜５をドライエッチングし、それによって、上層金属膜５を配線形状に加工するとともに、Ｔｉを含む下層金属膜４の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

Carrier confinement layers 16 and 20 formed by (AlGa)InP that is subjected to pull distortion are formed at upper and lower parts 20 and 16 of the channel layer 18, a carrier is confined to the channel layer 18, and a high breakdown voltage is given.例文帳に追加

引張ひずみをかけられた（ＡｌＧａ）ＩｎＰによって形成されるキャリア閉込め層１６，２０が、チャネル層１８の上部２０と下部１６の両方に形成されて、チャネル層１８にキャリアを閉じ込め、高い降伏電圧を与える。 - 特許庁

To provide a method of producing sintered ore using heat generation source-containing particles by which a heat source in the upper layer part of a sintering raw material layer is secured, and consequently the yield and the productivity of the whole of the sintered ore is improved.例文帳に追加

焼結原料層の上層部の熱源を確保し、焼結鉱の全体の歩留り向上、及び生産性の向上を図ることが可能な発熱源を含有した粒子を用いた焼結鉱の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heating means 3 comprises a sheet heater 21 laid between a base member 2 and a lower stage layer 5, cut-out switches 15, 17 provided on an upper stage layer 4, and a heat conductivity improving spacer 22 interposed between a mass flow controller 16 and the heater 21.例文帳に追加

加熱手段3は、ベース部材2と下段層5との間に介在された面状ヒータ21と、上段層4の遮断開放器15,17およびマスフローコントローラ16とヒータ21との間に介在された熱伝導向上用スペーサ22とからなる。 - 特許庁

The upper layer optical fiber 2a and the lower layer optical fiber 2b are almost parallel fixed onto planar substrates 3a and 3b closely to the crossing 51 of optical fibers 2 and have flexibility integrally with the substrates 3a and 3b.例文帳に追加

前記光ファイバ２の交差点５１近傍において上層光ファイバ２ａと下層光ファイバ２ｂがほぼ平行に平面状の基材３ａ、３ｂに固定されており、前記基材３ａ、３ｂと一体となって可撓性を有する。 - 特許庁

The optical waveguide is provided with a recessed part 110 formed from an upper clad layer 104 up to a part of a lower clad layer 102 and a bent end face 103a to be the outside end face of a bend position of a core 103 is exposed.例文帳に追加

上部クラッド層１０４から下部クラッド層１０２の一部に達する凹部１１０を備え、そのコア１０３の屈曲箇所においてはその外側端面である屈曲端面１０３ａが露出された状態とする。 - 特許庁

The plurality of lower electrodes 13 and the undersurface of a thermoelectric element 15 are fixed together with the bonding layer 16, and the plurality of upper electrodes 14 and the top surface of the thermoelectric element 15 are fixed together with the bonding layer 17, thereby the thermoelectric conversion module 10 is formed.例文帳に追加

そして、複数の下部電極１３と熱電素子１５の下面とを接合層１６で固定し、複数の上部電極１４と熱電素子１５の上面を接合層１７で固定して熱電変換モジュール１０を形成した。 - 特許庁

All of adhesive rollers herein used are so arranged as to keep one upper layer roller in contact with two lower layer rollers sequentially in multiple stages with the adhesive rollers 37 the lowest to build a group 43 of layered adhesive rollers.例文帳に追加

この粘着ローラ３７が最下層の粘着ローラとなるように、一つの上層の粘着ローラに対して二つの下層の粘着ローラを順次多段状に接触させて階層構造となった粘着ローラ群４３を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a flat first shading film 12 formed in a first insulating layer 11, and a second insulating layer 13 which is provided on an upper portion of the first shading film 12 and formed of a plurality of recesses 131.例文帳に追加

半導体装置１は、第一絶縁膜１１中に形成された平膜状の第一遮光膜１２と、この第一遮光膜１２の上部に設けられ、複数の凹部１３１が形成された第二絶縁膜１３とを有する。 - 特許庁

The condition 1 has the winding section of a first row comprising the lateral winding portion having progressively riding lateral winding sections YM, YM that ride progressively on the obliquely crossing winding section of the last row of the lower layer of the two layers and each an upper layer.例文帳に追加

１．二層の下側の層の最終列の斜め渡り巻線部分に徐々に乗上げて上側の層に達する漸進的乗上げ横方向巻線部分ＹＭ，ＹＭを備えた横方向巻線部分からなる第一列の巻線部。 - 特許庁

The recording magnetic section 132A formed on the upper recording layer 132 is disposed away from the recording magnetic section 131A formed on the lower recording layer 131 in the disk radial direction without overlapping in the disk in-plane direction.例文帳に追加

上層記録層１３２に形成された記録磁性部１３２Ａは、下層記録層１３１に形成された記録磁性部１３１Ａに対してディスク面内方向において重ならないようにディスク径方向にずれた位置に設けられている。 - 特許庁

A plurality of projected structures 2 formed of the multi-layer film structure having the interposed insulating layer 3 are provided, and only in the projected structure 2 as an observation object, the upper and lower conductive parts 4, 5 are sequentially electrically short-circuited to perform observation.例文帳に追加

絶縁層３が介在する多層膜構造からなる凸状構造物２を複数個設け、観察対象となる凸状構造物２のみの上下の導電性部分４，５を順次電気的に短絡させて観察を行う。 - 特許庁

The water can be allowed to flow through the sand-like substance layer 5 from the lower side to the upper side at a certain water pressure and there does not happen to give the fish and shellfish hiding in the sand-like substance layer 5 the stress caused by intermittent strong water flow.例文帳に追加

一定の水圧や流量で水を砂状物質層５に下側から上側へと流通させることができ、間欠的な強い水流で砂状物質層５に潜った魚介類にストレスを与えるようなことがなくなる。 - 特許庁

Insulating layers 13, 17 are formed on a substrate 10, a wiring layer 16a is formed while being buried in the insulating layers and a bump 19 is formed while connecting to the wiring layer on an upper surface of the insulating layers.例文帳に追加

基板１０上に絶縁層１３，１７が形成されており、絶縁層中に埋め込まれて配線層１６ａが形成されており、絶縁層の上面において配線層に接続してバンプ１９が形成されている構成である。 - 特許庁

A distribution power source wiring 4a, connected with the integrated power source wiring 3a, and a distribution ground wiring 4b connected with the integrated ground wiring 3b are arranged on an upper wiring layer, which is positioned at a location higher than the first wiring layer.例文帳に追加

集合電源配線３ａに接続される分配電源配線４ａと、集合グランド配線３ｂに接続される分配グランド配線４ｂとを、第１の配線層よりも上層にある上層配線層に設ける。 - 特許庁

Thus, the amount of magnetic flux which enters into the free layer of the magneto-resistive effect film from the longitudinal bias applying layer becomes greater than the amount of magnetic flux absorbed into the upper magnetic shield and the magnetic sensor, in which generation of Barkhausen noise is suppressed, is realized.例文帳に追加

これにより、縦バイアス印加層より磁気抵抗効果膜の自由層にはいる磁束量が上部磁気シールドに吸われる磁束量よりも大きくなり、バルクハウゼンノイズの発生が抑制された磁気センサを実現できる。 - 特許庁

The outer peripheral edge of the electrocondutive film EM is mounted and supported on the elastic sealing layer 18 and the upper parts 16 of the respective spring electrodes 14 are exposed from the elastic sealing layer 18 and are brought into pressurized contact with the outer peripheral edge of the electroconductive film EM.例文帳に追加

そして、弾性シール層１８上に導電皮膜ＥＭの外周縁部を搭載支持させ、弾性シール層１８から各バネ電極１４の上部１６を露出させて導電皮膜ＥＭの外周縁部に圧接させる。 - 特許庁

By this arrangement, the distance between the lower shield layer 12 and the upper shield layer 19 is satisfactorily secured, and the occurrence of the electric or magnetic short-circuit on the confronted surfaces of the magnetic recording medium is prevented.例文帳に追加

これにより、下層シールド層１２と上層シールド層１９との間の距離を十分に確保することができ、磁気記録媒体の対向面における電気的或いは磁気的な短絡が発生することを防止することができる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a flexible optical waveguide, using high polymer material in cores 18a, 18b, an upper clad layer 20 and a lower clad layer 22, a process for forming the core by manufacturing casting molds 12a, 12b, 12c for the core is included.例文帳に追加

コア１８ａ,１８b、上部クラッド層２０及び下部クラッド層２２に高分子材料を用いたフレキシブル光導波路の製造方法において、コアの鋳型１２ａ，１２ｂ，１２ｃを作製してコアを形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide stable coating without coating defects such as poor coating, liquid repellency and coating streak when a non-contact coater is used as a coating device for the upper layer to conduct sequential multi-layer coating.例文帳に追加

上層の塗布手段として非接触方式の塗布コータを使用して複層を逐次重層塗布する場合に、塗り付け不良や液はじき、あるいは塗布スジ等の塗布欠陥が発生しないように安定塗布することができる。 - 特許庁

In the display apparatus, a thin film transistor driving a transparent pixel electrode 31 is provided on a substrate 11 and conductive light shielding layers 27 and 28 are provided in a position of an upper layer of the thin film transistor and a lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加

表示装置は、基板１１上に透明画素電極３１を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。 - 特許庁

A fuse part 13 and a pad electrode 17 are formed with a metal writing layer of the top layer over an interlayer insulating film 12, over which an inorganic insulating protective film 14 is formed, and then an opening part 18 at the upper part of the pad electrode 17 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２上に、ヒューズ部１３及びパッド電極１７を最上層の金属配線層で形成し、その上に無機絶縁保護膜１４を形成後、パッド電極１７の上部の開口部１８を形成する。 - 特許庁