「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

Cream solder 20 is printed so as to contact the connecting pins 14 on the upper surface of the printing table 16 and the upper layer circuit board 12 is put on the printing table 16.例文帳に追加

この印刷台１６の上面に前記接続ピン１４と接触するようにクリームはんだ２０を印刷し、印刷台１６の上に上層回路基板１２を載置した後、加熱して、接続ピン１４と上層回路基板１２をはんだ付けする。 - 特許庁

A concentration detecting part performs concentration detection for a liquid developer layer formed between the bottom surface 27a and the upper surface 45a of the base part in a state where the bottom surface 27a comes close to the upper surface 45a of the base part.例文帳に追加

濃度検出部は、底面２７ａが台部の上面４５ａに近接した状態において、底面２７ａと台部の上面４５ａとの間に形成される液体現像剤の層に対して濃度の検出を行う。 - 特許庁

A liquid crystal panel 150 is an active matrix type TFT liquid crystal panel having a lower polarizing plate 135, a lower glass substrate 130, a liquid crystal layer 125, an upper glass substrate 115, a CF barrier 110, and an upper polarizing plate 105.例文帳に追加

液晶パネル１５０は、下部偏光板１３５、下部ガラス基板１３０、液晶層１２５，上部ガラス基板１１５，ＣＦバリア１１０、上部偏光板１０５を有するアクティブマトリクス方式のＴＦＴ液晶パネルである。 - 特許庁

In this case, a conic projection electrode 17 whose top is cut and which is collectively formed on a lower surface of the upper layer re-wiring 16 is made to encroach on the insulating film 15 and connected to the upper surface center of a pillar-shaped electrode 12.例文帳に追加

この場合、上層再配線１６の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極１７は、絶縁膜１５に食い込まされて柱状電極１２の上面中央部に接続されている。 - 特許庁

To provide a light emitting device that increases an efficiency of extracting light from the upper surface of a high refractive-index layer provided on the upper surface of a light emitting element and also increases an efficiency of extracting light from the light emitting element itself.例文帳に追加

発光素子の上面に設けられた高屈折率層の上面における光取り出し効率を高めると共に、発光素子自体からの光取り出し効率も向上させた発光装置を提供することにある。 - 特許庁

In the memory device 100, a resistance memory lower electrode 102, a resistance memory substance 104, a resistance memory upper electrode 106, an MSM lower electrode 108, a semiconductor layer 110, and an MSM upper electrode 112 are stacked in this order.例文帳に追加

メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the composite molding comprises the steps of adhering a book figure sheet 22 onto the upper surface of a synthetic resin base 21, and adhering the base 21 and a transparent synthetic resin layer 23 onto the upper surface side of the sheet 22 as the decorative plate by injection molding.例文帳に追加

合成樹脂基板２１の上面に本杢シート２２を接着し、合成樹脂基板２１及び化粧板としての本杢シート２２の上面側に透明合成樹脂層２３を射出成形により接合する。 - 特許庁

A polyurethane foamable raw liquid M is discharged to the surface of an undersurface material 2 while an upper surface material 3 is supplied to the upper surface of the raw liquid layer on the undersurface material 2 and the whole is fed to cure the polyurethane foamable raw liquid M and the cured polyurethane foamble raw liquid M is cut into a predetermined length.例文帳に追加

下面材２上にポリウレタン発泡原液Ｍを吐出すると共に、その上面に上面材３を供給しつつこれらを搬送してポリウレタン発泡原液Ｍを硬化させ、所定長さに切断する。 - 特許庁

The mask for charged particle beam exposure includes: an upper wafer having a patterned membrane region; and a lower wafer having a patterned membrane region; and has a two-layer structure with the upper wafer and the lower wafer jointed to each other.例文帳に追加

パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

Heat discharge from the upper side electrode of the phase change layer is suppressed by adopting electrode structure which adopts an extracting electrode 116 but does not arrange the electrode 116 just above the phase change area (vicinity of the upper surface 112 of the heater electrode 110).例文帳に追加

相変化層の上側の電極からの放熱は、引き出し電極１１６を用いた、相変化領域（ヒータ電極１１０の上面１１２の近傍）の直上に電極を設けない電極構造の採用によって抑制する。 - 特許庁

The electrostatic chuck is composed of ceramic whose main component is alumina, and comprises a base 2 having a planer upper side 2a; and a corrosive-resistant layer 11 formed covering the surface containing at least of the upper side 2a of the base 2.例文帳に追加

静電チャック１は、アルミナを主成分とするセラミックスからなり、平面的な上面２ａを有する基体２と、この基体２の少なくとも上面２ａを含む表面を覆って形成された耐食層１１とを備えている。 - 特許庁

The terahertz electromagnetic wave radiation element comprises: a semiconductor substrate 1 having a depletion layer 4; an upper electrode 2 on the semiconductor substrate 1; and a lower electrode 3 contacting with the semiconductor substrate 1 and formed separated from the upper electrode 2.例文帳に追加

テラヘルツ電磁波放射素子は、空乏層４を有する半導体基板１と、半導体基板１と上部電極２と、半導体基板１と接触し、かつ上部電極２と分離して形成される下部電極３とを備えている。 - 特許庁

In order to manufacture the piezoelectric actuator, a conductive bump 46 is formed first on the front surface of a connecting terminal 45a of an upper electrode 45, formed on the upper surface of a laminated layer body of a vibrating plate 40, piezoelectric layers 41, 42, and electrodes 43 to 45.例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造するには、まず、振動板４０、圧電層４１、４２、電極４３〜４５の積層体の上面に形成された上部電極４５の接続端子４５ａの表面に導電性バンプ４６を形成する。 - 特許庁

Since the surface of the node interconnection N1 is planar, the capacitor insulation film 131 and the upper capacitor electrode 132 can be made thin, reliability of the capacitor is enhanced and scaling-down can be attained by planarizing the upper layer interconnection.例文帳に追加

ノード配線Ｎ１の表面が平坦であるため、容量絶縁膜１３１と上部容量電極１３２の薄膜化が実現でき、キャパシタの信頼性を向上し、かつ上層配線の平坦化を図って微細化が可能になる。 - 特許庁

The upper electrodes of the capacitance elements C3, C4 are formed of a conductor pattern Me2b in the same layer as the conductor pattern Me2a and made to be at a floating potential, but are not connected with the upper electrodes of the capacitance elements C1, C2.例文帳に追加

容量素子Ｃ３，Ｃ４の上部電極は、導体パターンＭｅ２ａと同層の導体パターンＭｅ２ｂにより形成されて浮遊電位とされているが、容量素子Ｃ１，Ｃ２の上部電極とは導体では接続されていない。 - 特許庁

Only a hollow layer 34b on the upper surface part in the wall is made a normal pressure state, at least two or more detachable insulating plates 51 are layered and mounted, and the heat radiating amount from the upper surface part of the insulation container 44 can be controlled.例文帳に追加

壁のうち上面部の中空層３４ｂのみを常圧状態とし、かつ、少なくとも２以上の脱着可能な断熱板５１を積層充填し、断熱容器４４上面部からの放熱量を制御可能とする。 - 特許庁

Three layers of signal lines 42, 43, and 44 are disposed in an upper part of a silicon substrate 40 provided with a photodiode PD, an MOS gate or the like via an insulation layer 41, and a color filter 46 and an on-chip lens 47, are provided in an upper part thereof.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤやＭＯＳゲート等を設けたシリコン基板４０の上部に、絶縁層４１を介して３層の信号線４２、４３、４４が配置され、その上部にカラーフィルタ４６、オンチップレンズ４７が設けられている。 - 特許庁

The electro-optical device includes data lines, scan lines, transistors, the storage capacity of which is disposed on the upper layer side of the transistors and has the lower electrode, a dielectric film and the upper electrode laminated, in this order, and display electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、データ線及び走査線と、トランジスタと、該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、表示用電極とを備える。 - 特許庁

When the extrusion-molded article 4 is extruded from the extrusion outlet 3, a crack is generated between the upper part and the lower part in the extrusion-molded article 4 by air pressure of this air layer 9 and the extrusion-molded article 4 is divided into the upper and the lower two bodies to obtain moldings 5.例文帳に追加

押出口３から押出成形物４が押出されると、この空気層９の空気圧によって押出成形物４には上部と下部との間に割れ目が生じ、上下２体に分れ、成形体５が得られる。 - 特許庁

Upper absorptive body 23U is configured in such a manner that a pair of upper layer slits 40 penetrating through surface and rear surface are extended from the crotch parts C2 to rear side parts B2 respectively on both right and left sides of the width direction-center part.例文帳に追加

上層吸収体２３Ｕは幅方向中央部の左右両側にそれぞれ表裏面に貫通する一対の上層スリット４０が、股間部Ｃ２から後側部分Ｂ２にかけてそれぞれ延在された構造とされる。 - 特許庁

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。 - 特許庁

The nonvolatile storage device according to an embodiment comprises a lower electrode film BE, an upper electrode film TE, and a resistance change layer RW sandwiched between the lower electrode film BE and the upper electrode film TE.例文帳に追加

実施形態によれば、不揮発性記憶装置は、下部電極膜ＢＥと、上部電極膜ＴＥと、前記下部電極膜ＢＥと前記上部電極膜ＴＥとの間に挟持される抵抗変化層ＲＷと、を備える。 - 特許庁

A forming method of a ferroelectric capacitor used in an integrated circuit comprises steps of forming a lower electrode, a ferroelectric layer, and an upper electrode, and forming/defining an upper electrode by using a first mask and thereafter performing second annealing.例文帳に追加

集積回路に使用される強誘電性コンデンサを形成する方法は、下部電極、強誘電体層、上部電極を形成し、第一のマスクを用いて上部電極を画成した後第二のアニールを行う工程より成る。 - 特許庁

Further, the adhesion strength between a nickel alloy layer formed on the upper surface 1a or the lower surface 1b and the glass substrate can be improved because chemically strengthened layers are formed on neither of the upper surface 1a nor of the lower surface 1b.例文帳に追加

また、上面１ａ及び下面１ｂには化学強化層が形成されていないため、上面１ａ又は下面１ｂの上に形成されるニッケル合金層とガラス基板との密着強度を高めることが可能となる。 - 特許庁

On the upper portion of a p-type silicon substrate 10 there are formed wiring 11 for connecting semiconductor devices, and a silicon oxide film 12 deposited by a plasma CVD method, and further an uppermost layer conductive film 13 on the upper portion of the silicon oxide film 12.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の上部には、半導体素子を結ぶ配線１１と、プラズマＣＶＤ法によって堆積したシリコン酸化膜１２が形成され、さらにその上部には最上層導電膜１３が形成されている。 - 特許庁

After a layer of an adhesive 33 having fluidity is formed between the upper surface of the lower precast concrete member and the sheathing board 32 and the seal member 31, the upper precast concrete member is lowered on the lower precast concrete member.例文帳に追加

前記下側プレキャストコンクリート部材上面の堰板３２とシール部材３１との間に、流動性を有する接着剤３３の層を形成した後、上側プレキャストコンクリート部材を下側プレキャストコンクリート部材上に降下させる。 - 特許庁

Image information is displayed by line sequential driving method using a lower electrode as a signal line and the upper bus electrode as a scanning line with the upper bus electrode constituted with multilayer interconnection connected through through holes in an interlayer insulation layer.例文帳に追加

層間絶縁層のスルーホールを介して接続された多層配線により構成された上部バス電極を用い下部電極を信号線、上部バス電極を走査線として、線順次駆動方式により画像情報を表示する。 - 特許庁

The memory device comprises a lower electrode; an upper electrode; and the memory layer disposed between the upper electrode and the lower electrode, containing a mesoporous material and having the nanochannels including the metal nanoparticles or the metal ions.例文帳に追加

下部電極、上部電極、および前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備える、メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The catalyst becoming small by the wear can be retained and also replacing only upper side catalyst having lost the decomposing capacity is possible since the wear of the ozone decomposing catalyst such as activated carbon 8 is generated at the upper part of the layer.例文帳に追加

活性炭８などのオゾン分解触媒の消耗が層上部で発生するので、消耗によって小さくなった触媒も保持できるとともに、オゾン分解能力を失った上部の触媒のみの交換が可能となる。 - 特許庁

A source electrode 17 made of a Cr film 11S and an Al based metal film 12S is formed on an upper surface of a gate insulating layer 5 in an almost whole upper surface and its vicinity of a lower side portion (as shown Fig 1) of a pixel electrode 9.例文帳に追加

Ｃｒ膜１１ＳおよびＡｌ系金属膜１２Ｓからなるソース電極１７は、画素電極９の図１の下辺部のほぼ全体の上面およびその近傍におけるゲート絶縁膜５の上面に形成されている。 - 特許庁

To provide an upper part light emission type organic EL element small in temporal deterioration of luminous intensity, and to provide an Al alloy sputtering target used for formation of a reflecting film for structuring a positive electrode layer of the upper part light emission type organic EL element.例文帳に追加

発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Thus, when a person tries to peel off the upper sheet (1) with the personal information written thereon, the delamination layer (2) delaminates and the upper sheet (1) with the personal information written thereon can be easily peeled off from an information transmission medium (100).例文帳に追加

これにより、個人情報が表記された上側紙（1）を剥離しようとした場合に、層間剥離層（2）が層間剥離し、個人情報が表記された上側紙（1）を情報伝達媒体（100）から容易に剥離することができる。 - 特許庁

The upper part of each cell space 4 is surely provided with the deodorant filling the lower slope part of the cell space in the right upper part, and the air to be deodorized surely passes through the layer of the deodorant 7 in the whole surface of the deodorizing filter.例文帳に追加

各セル空間４の上部には直上部のセル空間の下部傾斜部に充填された脱臭剤が必ず存在し、脱臭されるべき空気は、脱臭フィルタの全面において必ず脱臭剤７の層を通過する。 - 特許庁

In the water-barrier structure for the maritime disposal station, on an at least normal surface portion of the base having a normal surface of the maritime disposal station, multilayer sheets each having the water-barrier sheet and protectors are vertically double laid via an intermediate protecting layer and an upper coating layer is provided on the upper multilayer sheet.例文帳に追加

海面処分場の法面を有する底面の少なくとも法面部分上に、遮水シート及び保護材を有する多層シートが中間保護層を介して上下二重に敷設されるとともに上側の多層シート上に上部被覆層が設けられる海面廃棄物処分場の遮水構造である。 - 特許庁

A photosensor 113 and a vertical transfer register 112 are provided on a silicon substrate 116, a silicon film 122 becoming a light transmission layer is provided in the upper layer region of the photosensor 113 not through an insulation film, and a silicon oxide film 123 becoming a light receiving insulation film is provided on the upper surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板１１６にフォトセンサ１１３及び垂直転送レジスタ１１２が設けられ、フォトセンサ１１３の上層領域には、絶縁膜を介在することなく、光伝達層となるシリコン膜１２２が設けられ、その上面に受光用絶縁膜となるシリコン酸化膜１２３が設けられている。 - 特許庁

A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加

階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁

The solar cell comprises a texture layer 3 having a texture structure on the upper surface thereof, a lower electrode 4, a photoelectric conversion layer 5 and an upper electrode 6 formed sequentially on a substrate 2 of flexible film wherein the texture structure has protrusions and recesses arranged regularly.例文帳に追加

フレキシブル性をもつフィルムからなる基板２上に、上面にテクスチャ構造をもつテクスチャ層３、下部電極４、光電変換層５および上部電極６をこの順で有する太陽電池であって、前記テクスチャ構造は、それぞれ規則的に配列した凹部および凸部を有する凹凸からなる太陽電池。 - 特許庁

Moreover, on the lower layer side of the insulating film, electrodes 27 for inspecting common electrodes electrically connected with all the common electrodes 9 are formed, and on the upper layer side of the insulating film, electrodes 25 for inspecting segment electrodes electrically connected with all the segment electrodes 7 on the upper substrate base material 22 side are formed.例文帳に追加

また、絶縁膜の下層側に全てのコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用電極２７が形成され、絶縁膜の上層側に上基板母材２２側の全てのセグメント電極７と電気的に接続されたセグメント電極検査用電極２５が形成されている。 - 特許庁

A hexagonal cone-like GaN-based semiconductor light-emitting element 11, whose crystal is selectively grown, is embedded and fixed on the upper surface of a substrate 20 by using an insulation layer 21 made of epoxy resin, and the insulation layer 21 is selectively dry-etched in an oxygen atmosphere, to expose the upper end part of the element 11.例文帳に追加

選択的に結晶成長させた六角錐形状のＧａＮ系半導体発光素子１１を基体２０の上面にエポキシ樹脂からなる絶縁層２１で埋め込んで固定した後、酸素プラズマ雰囲気下に絶縁層２１を選択的にドライエッチングしてＧａＮ系半導体発光素子１１の上端部を露出させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a piezoelectric element comprises: a step of forming a first piezoelectric layer on an upper side of a first electrode by a liquid phase method; and a step of forming a second piezoelectric layer on the upper side of the first electrode by spraying an aerosol containing particles of piezoelectric material and by depositing the particles.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、第１電極の上方に、液相法を用いて第１の圧電体層を形成する工程と、前記第１の圧電体層の上方に、圧電材料の粒子を含むエアロゾルを吹き付けて前記粒子を付着させることにより第２の圧電体層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The main pole layer has the magnetic pole end with a shortened structure which is not connected to the write shield layer, and an upper yoke pole section and/or lower yoke pole section with a larger size than the magnetic pole end, and has a joined structure wherein the upper yoke pole section and/or lower yoke section is joined to the magnetic pole end.例文帳に追加

主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きい上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部に上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部が接合された接合構造を有している。 - 特許庁

In the order of lamination on an upper surface of a ferrite 20, in both terminal portions of a center electrode 22 in the first layer, electrode thickness is enlarged by charging electrodes 24a, 25a formed within openings 50a, 51a of insulating films 50, 51 formed on the side of an upper surface of both the terminal portions of the center electrode 22 in the first layer.例文帳に追加

フェライト２０の上面への積層順で、第１層目の中心電極２２の両端部は、第１層目の中心電極２２の両端部の上面側に形成された絶縁膜５０，５１の開口部５０ａ，５１ａ内に形成されている充填電極２４ａ，２５ａにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

In this slitting method carried out with the use of the upper edge and the lower edge to the laser melting thermal transfer recording medium having at least the photothermal conversion layer and the ink layer on the support, a friction coefficient of a back face of the upper edge of a slitter is set to be not larger than 0.1.例文帳に追加

支持体上に少なくとも光熱変換層とインク層とを有するレーザー溶融熱転写記録媒体を上刃と下刃を用いて行うスリッティング方法において、スリッター上刃ミネ面の摩擦係数を０．１以下で行う事を特徴とするレーザー溶融熱転写記録媒体のスリッティング方法。 - 特許庁

To provide a rainwater storage and infiltration facility for storing and/or infiltrating rainwater or the like underground, constructed to bury the whole facility underground and comprising a storage tank formed of two upper and lower layers and prevented from horizontal deviation between the lower layer and upper layer.例文帳に追加

地下に雨水等を貯留及び／又は浸透する施設であって、下部層と上部層の上下２層からなる貯留槽を備え、施設全体が地中に埋設された雨水貯留浸透施設において、下部層と上部層との水平方向のずれが防止された雨水貯留浸透施設を提供する。 - 特許庁