「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

When glow discharge occurs between the pair of discharge electrodes 14 and 15, the phosphor layer 22 installed at the upper substrate 20 emits light, and the light is emitted through the upper substrate 20.例文帳に追加

一対の放電電極１４および１５間にてグロー放電が生じると、上基板２０に設けられた蛍光体層２２が発光して、上基板２０を通って光が出射される。 - 特許庁

Ground electrodes G1, G2, G3, and G are formed on the upper surface of the upper, intermediate and lower dielectric layers and the lower surface of the lower dielectric layer and each line system is formed of a coplanar line.例文帳に追加

上部、中間及び下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇが形成され、各線路系はコプレーナ線路で形成される。 - 特許庁

The insulating film is removed and a dent DNT wherein a part of the upper surface of the wiring inspection terminal GL-P is exposed is formed at a part of the upper layer of the wiring inspection terminal GL-P.例文帳に追加

配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上層の一部ではこの絶縁膜が除去され、配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上面の部分が露呈された凹部ＤＮＴが形成される。 - 特許庁

The GaN layer 32 is laterally epitaxially grown with upper and side surfaces 31a and 31b of upper parts of the step differences as nuclei to bury the step differences, and thereafter it can also be grown upwards.例文帳に追加

段差の上段の上面３１ａ及び側面３１ｂを核として、GaN３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。 - 特許庁

In the upper side area and lower side area of a plane including the upper surface or lower surface of a recording gap layer 22, a first non- magnetic body 31 and a second non-magnetic body 30a are disposed.例文帳に追加

記録ギャップ層２２の上面または下面を含む平面の上側領域および下側領域に、第１の非磁性体３１および第２の非磁性体３０ａを配設する。 - 特許庁

The coating system 10 includes a bonding coating 30 contacting with the upper side of the high temperature side face 22 of the substrate 20, and a metal layer 32 contacting with an upper side of the low temperature side face 24 of the substrate 20.例文帳に追加

コーティングシステム１０は、基板２０の高温側面２２の上に接触するボンディングコート３０と、基板２０の低温側面２４の上に接触する金属層３２を含む。 - 特許庁

Parts of the upper electrode 33 and wiring layer 35 which are opposed to the upper surface of the ridge 30 have the right-left symmetry with respect to the central axis of the ridge 30.例文帳に追加

上部電極３３および配線層３５のうちリッジ部３０の上面と対向する部分は、リッジ部３０の中心軸を中心として左右対称の形状となっている。 - 特許庁

The sealing resin 4 is formed from the recess to an upper surface 1a of the package body, and a darkish-color layer 5 is formed on the upper surface 1a of the package body with the sealing resin 4 interposed.例文帳に追加

封止樹脂４は、凹部からパッケージ本体の上面１ａにかけて形成されており、パッケージ本体の上面１ａに、封止樹脂４を介して、暗色系の層５が形成された。 - 特許庁

The separator is so structured that reaction gas is supplied to a porous layer separated into an upper and a lower steps, with a flow channel equipped with an occluded part and an open part so that the upper and the lower steps change with each other on the way.例文帳に追加

反応ガスを上下２段に分離された多孔質層に供給し、途中で上下が入れ替わるように流路に閉塞部と開口部を設けた構成とする。 - 特許庁

An insulating film is formed on an upper side of the auxiliary capacitance electrode 11 and an intrinsic semiconductor layer 13 is formed on the lower side and on the peripheral side of the contact hole 6 on an upper side of the insulating film.例文帳に追加

補助容量電極１１の上側には絶縁膜が形成され、絶縁膜の上側にはコンタクトホール６の下側及びその周辺に真正半導体層１３が形成される。 - 特許庁

Ground electrodes G1, G2 and G are formed on the upper surface of the upper and lower dielectric layers and the lower surface of the lower dielectric layer and each signal line system is formed of a coplanar line.例文帳に追加

上部及び下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇが形成され、各信号線路系はコプレーナ線路で形成される。 - 特許庁

Then, the electrodes 14q corresponding to upper electrodes of the potential compensating cells and the N well region 21d are connected with an upper interconnection layer 21e respectively via a contact 21g.例文帳に追加

そして、電位補償用セルの上部電極相当電極１４ｑとＮウェル領域２１ｄとに、それぞれコンタクト２１ｇを介して、上部の配線層２１ｅとのコンタクトをとる。 - 特許庁

Use of a ceramic interposer having such functions ensures an improvement of power supply capability to the upper layer semiconductor chip noise interference reduction between the upper and lower semiconductor chips.例文帳に追加

このような機能を有するセラミックインターポーザを利用することで、上層の半導体チップへの給電能力向上と上下の半導体チップ間のノイズ干渉低減を実現する。 - 特許庁

An n-type upper semiconductor multilayer film reflector region 16 (upper DBR mirror) is formed on the phase regulation layer 25 and the exposed p-type high refractive index region 52.例文帳に追加

また、この位相調整層２５上と、露出されたままの上記ｐ型高屈折率領域５２上とに、ｎ型上部半導体多層膜反射鏡１６（上部ＤＢＲミラー）を形成する。 - 特許庁

Photoresist layers are formed on the upper surface and lower surface of the substrate, and a periodic grating formed by interference of two laser beams is used for exposing the photoresist layer of the upper surface.例文帳に追加

フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、２つのレーザービームの干渉により形成される周期性格子を上表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。 - 特許庁

The width of the scanning electrode 17 is set up so as to cover the upper part of the plural of upper data electrodes 14 arranged on the lower layer data electrodes 12 of each groups GA, GB, and GC.例文帳に追加

走査電極１７の幅は各グループＧＡ，ＧＢ，ＧＣの下層データ電極１２上に配置された複数の上層データ電極１４の上方を覆うように設定される。 - 特許庁

Here, the insulating layer 7 is formed by having a recessed upper surface between the protrusions 4a, the rewiring pattern 4 in the wiring region 5b is formed along its upper surface.例文帳に追加

ここで、絶縁層７は突起部４ａ間において凹形状の上面を有して形成され、配線領域５ｂにおける再配線パターン４はその上面に沿って形成される。 - 特許庁

At at least a part of a piston upper part positioned on an upper side of a piston skirt portion, a sludge suppressing layer made from an alkaline substance and for suppressing the generation of the sludge is formed.例文帳に追加

ピストンスカート部の上側に位置するピストン上部の少なくとも一部に、アルカリ性物質からなりスラッジの発生を抑制するためのスラッジ抑制層が形成されている。 - 特許庁

Namely, the electrode width gradually narrows from the two bottom corner portions toward the upper side portion of a trapezoid shape, wherein the upper side portion extends on a semiconductor layer 16.例文帳に追加

すなわち、台形形状の２つの底角部から台形形状の上辺部分に向かって電極幅が漸次狭くなり、台形形状の上辺部分は半導体層１６上に延び出している。 - 特許庁

This is a tool carrying a pellet type grinding wheel or stone to grind a workpiece 22 with a lower surface of diamond pellet 123 adhered at its upper surface to a surface of an upper surface plate through an adhesive agent layer 122.例文帳に追加

上面が接着剤層１２２により上側定盤１２１に貼付されたダイヤモンドペレット１２３の下面によりワーク２２を研削するペレット状研削砥石担持工具。 - 特許庁

A low adhesive material 3 selected based on the above evaluation result is used to build the upper mold 1, or to form a mold releasing layer 12 on the mold plane 6 of the upper mold 10.例文帳に追加

その評価結果に基づいて選択された低密着性材料３を使用して、上型１を構成し、又は、上型１０の型面６において離型層１２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with an upper layer circuit wiring 21b, an electric resistance measurement pattern 22a for measuring a film thickness of the upper layer circuit wiring 21b by an electric resistance value, and measuring pads 24a/24b for electrically connecting an electric resistance measuring instrument.例文帳に追加

上層回路配線２１ｂと、上層回路配線２１ｂの膜厚を電気抵抗値によって測定するための電気抵抗測定パターン２２ａと、電気抵抗測定器を電気的に接続するための測定器用パッド２４ａ・２４ｂとを備えている。 - 特許庁

A first conductive layer 21 is formed on a cavity 5 side surface (upper surface) of a lower ceramic board 13 along one longer inner side of a frame 19, and the right end of this first conductive layer 21 extends to the upper right corner part of the ceramic package 1.例文帳に追加

下部セラミック板１３のキャビティ５側の表面（上面）には、枠部１９の一方の長辺の内側に沿って、第１導電層２１が形成されており、この第１導電層２１の右端はセラミックパッケージ１の右上角部に伸びている。 - 特許庁

The upper part of the shorter pipe body 17A from the upper surface 1a of the shorter pipe body 17A to the shorter drain 16A is constituted of a porous concrete layer 18 having the same thickness as that of a porous concrete layer of the pipe body of the longer drain block 2.例文帳に追加

短尺管本体１７Ａの上面１ａから短尺排水路１６Ａに至る当該短尺管本体１７Ａの上部を、長尺ドレンブロック２の管本体のポーラスコンクリート層と同じ厚さのポーラスコンクリート層１８から構成する。 - 特許庁

Accordingly, when the upper layer film 160 is formed, it is possible to expose the upper layer film material to lights or develop it without being affected by the marginal part 150A of the light shielding film 150, and to obtain a smooth developing face.例文帳に追加

したがって、上層膜１６０の形成する場合に、遮光膜１５０の周縁部１５０Ａの影響を受けることなく、上層膜材に対する露光処理や現像処理を行うことができ、滑らかな現像面を得ることが可能となる。 - 特許庁

The upper surface side first electrode 21a is connected to a lower surface side first electrode 22a by way of a through hole conductive layer 23, and the upper surface side second electrode 21b is connected to a lower surface side second electrode 22b by way of a side surface conductive layer 24.例文帳に追加

上面側第１電極２１ａと下面側第１電極２２ａとはスルーホール導電層２３を介して接続され、上面側第２電極２１ｂと下面側第２電極２２ｂとは、側面導電層２４を介して接続されている。 - 特許庁

The upper side of the scan unit is held by an upper member of an intermediate frame in such a manner that the lower side of the scan unit faces the lower member of the intermediate frame with an air layer therebetween and then the scan unit is cooled by an air flow flowing in the air layer.例文帳に追加

スキャンユニットの下側と前記中間フレームの下側部材が空気層を介して相対するようスキャンユニットの上側を中間フレームの上側部材で保持し、空気層を流れる空気流でスキャンユニットの冷却が行われるようにした。 - 特許庁

A plasma display panel according to the invention is structured so that a bulkhead installed upright on a back face plate is composed of an upper bulkhead portion and lower bulkhead portion, wherein the upper portion is formed as a photo-transmissive layer and the lower portion is formed as a photo-reflecting layer.例文帳に追加

背面板上に立設された隔壁が、上側隔壁部と下側隔壁部とからなり、上側隔壁部が光透過層であり、かつ、下側隔壁部が光反射層であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルによって達成される。 - 特許庁

A pressure of an upper layer space inside the other side void 5 penetrated by waves is equalized with a pressure of an upper layer space inside the one side void 5, and vertical oscillations of a one side portion 3 and another side portion 4 of the body 2 are equalized.例文帳に追加

波が侵入する他方側空洞５の中の上層空間の気圧は、一方側空洞５の中の上層空間の気圧に均等化し、本体２の一方側部分３とその他方側部分４との鉛直方向の動揺が均等化される。 - 特許庁

In the upper layer cushioning material 3, a cushioning space that stores the filler body 4 is provided by attaching the upper layer cushioning material 3 to the lower cushioning material 9 firmly by a thermocompression scar concaved in a nearly geometry shape by a thermocompression system.例文帳に追加

上層緩衝材３には、熱圧着方式により凹設された略幾何学的形状の熱圧着痕により、上層緩衝材３と下層緩衝材９とを密着させ、充填体４を収納する緩衝スペースが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor chip on a multilayer wiring board, which can prevent the generation of swellings or crackings of an insulation layer in the most upper layer due to the air remaining in the inside space of a cylindrical conductor via hole, having a bottom and an opening on the upper end.例文帳に追加

上端が開口した有底筒状の導体ビアの内側空間に残存する空気により、最上層の絶縁層に脹らみやクラックが生ずるのを防ぐことのできる多層配線基板への半導体チップの実装方法を得る。 - 特許庁

In the first portion 13A of the upper magnetic pole layer 13, thickness in an area 13Ae from the air bearing surface 30 to a predetermined position is made smaller than thickness in another portion of the upper magnetic pole layer 13 adjacent to the area 13Ae.例文帳に追加

上部磁極層１３の第１の部分１３Ａでは、エアベアリング面３０から所定の位置までの領域１３Ａｅにおける厚さが、この領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分における厚さよりも小さくなっている。 - 特許庁

In this case, since a length of the exterior upper layer winding 14 is the same or almost the same as that of the interior upper layer winding 15 and a difference between them is small, it is possible to make the characteristics seen from the both end sides of the thin film inductor element 13 almost equal.例文帳に追加

この場合、外側上層配線１４の長さと内側上層配線１５の長さは同じかほぼ同一で、その差が小さいので、薄膜インダクタ素子１３の両端部側から見たときの特性をほぼ均等とすることができる。 - 特許庁

To provide a communication apparatus capable of synchronizing time information in an upper layer of transmission source communication equipment with time information in an upper layer of reception destination communication equipment without matching synchronization timings in a synchronization communication network.例文帳に追加

同期通信網における同期タイミングを整合させることなく、送信元通信機器の上位層における時刻情報と、受信先通信機器の上位層における時刻情報とを同期させることが可能な通信装置を提供すること。 - 特許庁

The memory element comprises a write line provided on a semiconductor substrate, an oxide film provided on the upper-side surface of the write line, a seed layer which contacts an oxide film, and an MTJ cell which is connected to the upper part of the seed layer and overlaps with the write line.例文帳に追加

半導体基板上に備えられるライトラインと、ライトライン上側表面に備えられる酸化膜と、酸化膜に接触されるシード層と、シード層上部に接続され、ライトラインと重なるＭＴＪセルを含むことを特徴とするメモリ素子である。 - 特許庁

At this time, the upper and lower outer layer molding materials 30 and 50 are detachably integrated as a fitting structure wherein flanges 37 and 57 are respectively formed on the peripheries of the upper and lower outer layer molding materials and first projecting portions 38 and second projecting portions 58 are respectively formed on the flanges.例文帳に追加

その際に、上下の表皮成形材の周囲にフランジ部３７、５７を形成し、そこに設けた第１の凸部３８と第２の凸部５８とによる嵌合構造により、上下の表皮成形材３０、５０を分離可能に一体化する。 - 特許庁

To provide an intermediate layer composition for a multilayer resist process which is soluble in an organic solvent and is excellent in preservation stability and also in a trailing shape during upper layer patterning, line edge roughness and pattern peeling of an upper resist and to provide a a method for forming a pattern.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時の裾引き形状、ラインエッジラフネス、上層レジストのパターン剥れに優れた多層レジストプロセス用中間層組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A circuit board 10 includes an insulation substrate 1, a brazing material layer 2 provided on an upper surface of the insulation substrate 1, and a mounting member 3 joined to the upper surface of the insulation substrate 1 through the brazing material layer 2 and in which an electronic component 20 is mounted.例文帳に追加

回路基板10は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられたろう材層２と、ろう材層２によって絶縁基板１の上面に接合されており電子部品20が搭載される搭載部材３とを備えている。 - 特許庁

In this case, since the length of the exterior upper layer wire 14 is equal or is substantially equal to that of the interior upper layer wire 15 and since the difference between them is small, the characteristics of the thin-film inductor element 13, when it is viewed from both the end sides can be made substantially uniform.例文帳に追加

この場合、外側上層配線１４の長さと内側上層配線１５の長さは同じかほぼ同一で、その差が小さいので、薄膜インダクタ素子１３の両端部側から見たときの特性をほぼ均等とすることができる。 - 特許庁

Alternatively, an upper limit value of concentration of impurity gas in a film-forming atmosphere is determined, depending on the raman ratio of the i layer 42, and the i layer 42 is formed, by controlling the concentration of the impurity gas to be no higher than the upper-limit value determined.例文帳に追加

または、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、製膜雰囲気中の不純物ガスの濃度の上限値を決定し、該決定された上限値以下となるように、前記不純物ガスの濃度を制御して前記ｉ層４２を製膜する。 - 特許庁

The organic polymer layer 203 and low dielectric-constant layer 204 have high etching selectivity, so an upper recessed groove 213 and a via hole 212 are formed in excellent shapes to improve electric characteristics of the upper wire 223 and connection wire 222.例文帳に追加

有機ポリマ層２０３と低誘電率層２０４とはエッチング選択性が高いので、上部凹溝２１３とヴィアホール２１２とを良好な形状に形成し、上部配線２２３と接続配線２２２との電気的な特性を良好とすることができる。 - 特許庁

An organic light-emitting diode device has a lower electrode on an upper surface of a color filter and a barrier layer is not placed inside the color filter and a lower electrode is placed direct on the upper surface of an overcoat layer of the color filter.例文帳に追加

本発明は、有機発光ダイオード装置に関するもので、それは主に、カラーフィルタの上部表面に下部電極を設け、その中のカラーフィルタ内部にバリア層を設置せずに、下部電極を直接、カラーフィルタのオーバーコート層の上部表面に設置する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device comprises: first, second and third power supply wirings (WP1, WP2, WP3) and a plurality of first signal wirings (WS1), which are formed on an upper layer of a semiconductor substrate; and at least one second signal wiring (WS2) formed on an upper layer on the first signal wirings (WS1).例文帳に追加

第１，第２，第３の電源配線(WP1,WP2,WP3)および複数の第１の信号配線(WS1)は、半導体基板の上層に形成され、少なくとも１つの第２の信号配線(WS2)は、複数の第１の信号配線(WS1)の上層に形成される。 - 特許庁

When the contents recorded on the recording medium 820, reproducing signals in which bits of magnetic information of the upper and lower layer parts 102 and 104 are identified 908 to obtain the reproducing signals of both upper and lower layer parts 102 and 104.例文帳に追加

記録媒体８２０に記録されたコンテンツを利用する際には、上層部１０２と下層部１０４の磁気情報が重畳した再生信号を弁別９０８して、上層部１０２と下層部１０４の各々の再生信号を得る。 - 特許庁