「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

On the existing coat or ground, a permeable buffer material 2 is laid on the upper face to newly form a permeable layer 3 in the state that the existing coats is left as it is, and the artificial lawn 4 is laid on the upper face of the permeable layer 3.例文帳に追加

既設のコート１又はグランドにおいて、前記既設コート１類はそのまま存置した状態で、その上面に透水性緩衝材２を敷設して透水層３を新たに形成し、その透水層３の上面に人工芝４を敷設する。 - 特許庁

A first-layer convex microlens 8 having a refractive index larger than that of upper and lower interlayer dielectrics and a second-layer concave microlens 9 having a refractive index smaller than that of the upper and lower interlayer dielectrics are provided between a microlens 7 and a photodiode 1.例文帳に追加

マイクロレンズ７とフォトダイオード１との間に、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が大きい凸状の第１層内マイクロレンズ８と、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が小さい凹状の第２層内マイクロレンズ９を設ける。 - 特許庁

By performing dry etching using the photoresist film 31 as a mask, the upper electrode material film 12A and the memory layer material film 13A are etched in this order thus forming an upper electrode 12 and a memory layer 13 in the shape of a line (linearly).例文帳に追加

フォトレジスト膜３１をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、上部電極材料膜１２Ａおよび記憶層材料膜１３Ａをこの順にエッチングし、上部電極１２および記憶層１３をライン状（線状）に形成する。 - 特許庁

An oxygen-shielding base film comprising silicon nitride is formed on the surface of a glass substrate, a chromium nitride film for reflecting heat rays is formed as an upper layer of the oxygen-shielding base film, and further, an oxygen-shielding protective film comprising silicon nitride is formed as an upper layer of the chromium nitride film.例文帳に追加

ガラス基板の表面に、窒化シリコンからなる酸素遮断下地膜を設け、この酸素遮断下地膜の上層に熱線反射用の窒化クロム膜を設け、さらに、窒化クロム膜の上層に窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜を設ける。 - 特許庁

An upper surface of a heat radiation plate 109 is not bonded with a metal layer 107, for example, from a region immediately below a temperature sensor 104 to an end part on the temperature sensor 104 side, and a space 110 is formed between the upper surface of the heat radiation plate 109 and the metal layer 107.例文帳に追加

放熱板１０９の上面では、たとえば温度センサ１０４の直下領域から温度センサ１０４側の端部に向けて金属層１０７と接合されていなく、金属層１０７との間に空間１１０が形成されている。 - 特許庁

In manufacturing the concrete pavement slab comprising a plurality of concrete layers different in the modulus of elasticity, and steel, upper layer concrete 4, lower layer concrete 5, an upper end main reinforcement 6 and a lower end main reinforcement 7 are converted as a uniform material into an equivalent cross section.例文帳に追加

弾性係数の異なる複数層のコンクリート層と鋼材とからなるコンクリート舗装版の製造に際し、上層コンクリート４、下層コンクリート５および上端主筋６と下端主筋７を均一な材料として等価な断面に換算する。 - 特許庁

Resistance of a current path from the upper electrode layer 24a of the structure 30 to a lower DBR 14 is smaller than the resistance of a current path from the upper electrode layer 24b of the structures 40-1 through 40-8 to the lower DBR 14.例文帳に追加

構造体３０の上部電極層２４ａから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗は、構造体４０−１〜４０−８の上部電極層２４ｂから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗よりも小さい。 - 特許庁

An upper-layer portion of a driving circuit 120 (e.g., an upper-layer portion of a sampling circuit 150 and a wiring part 170) is covered with a first shield part 191 and respective signal lines 171 to 175 etc., can capacitively be coupled with the first shield part 191.例文帳に追加

駆動回路１２０の上層部（例えば、サンプリング回路１５０及び配線部１７０の上層部）を第１のシールド部１９１で覆い、各信号線１７１〜１７５等が第１のシールド部１９１と容量結合可能な構成とする。 - 特許庁

In the FOP liquid crystal display device, an upper layer insulating film 5 is provided on a transparent interdigital electrode 4 and the dielectric constant ε(2) of the upper layer insulating film 5 and the dielectric constant ε(1) of an interlayer insulating film 3 are specified to satisfy the relational formula ε(2)>ε(1).例文帳に追加

ＦＯＰ液晶表示装置において、透明櫛歯電極４上に上層絶縁膜５を設け、該上層絶縁膜５の誘電率ε（２）と層間絶縁膜３の誘電率ε（１）の関係が（式１）を満足する構成とする。 - 特許庁

To provide an execution work method of an upper layer roadbed, an upper layer roadbed material and a storage method of sludge for disposing of the sludge and incinerated ash of industrial waste, preventing elution of the toxic component and effectively using asphalt scrap.例文帳に追加

汚泥と、産業廃棄物の焼却灰の処理を図ると共にその有害成分の溶出を防止し、かつアスファルト廃材等の有効活用を図る上層路盤の施工方法と上層路盤材料と汚泥等の保管方法を提供する。 - 特許庁

The barrier layers 22 and second clad layer 24 are different in composition from each other, and an energy potential at an upper end of a valance band by the composition of the barrier layers 22 is lower than an energy potential at an upper end of a valence band by the composition of the second clad layer 24.例文帳に追加

バリア層２２の組成と第２クラッド層２４の組成とは互いに異なり、バリア層２２の組成による価電子帯上端のエネルギー準位は、第２クラッド層２４の組成による価電子帯上端のエネルギー準位より低い。 - 特許庁

In the first part 13A of the upper magnetic pole layer 13, a thickness in an area 13Ae from an air bearing surface 30 to a specified position is set smaller than that in the other part of the upper magnetic pole layer 13 adjacent to the area 13Ae.例文帳に追加

上部磁極層１３の第１の部分１３Ａでは、エアベアリング面３０から所定の位置までの領域１３Ａｅにおける厚さが、この領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分における厚さよりも小さくなっている。 - 特許庁

The surface emitting laser has a laminate structure including a lower DBR mirror 103, an n-type lower semiconductor layer, an active layer 105, a p-type upper semiconductor laminate, and an upper DBR mirror 109 laminated in order on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。 - 特許庁

In the water-barrier structure for the maritime disposal station, upper and lower multilayer sheets each having the water-barrier sheet and a protection material are disposed at least on a slope surface portion of a base of the maritime disposal station via an intermediate protection layer, and an upper coating layer is provided on the upper multilayer sheet.例文帳に追加

海面処分場の法面を有する底面の少なくとも法面部分上に、遮水シート及び保護材を有する多層シートが中間保護層を介して上下二重に敷設されるとともに上側の多層シート上に上部被覆層が設けられる海面廃棄物処分場の遮水構造である。 - 特許庁

In the elastic load bearing body 1 comprising an upper steel plate 2, a lower steel plate 3 and a rubber layer 4 interposed between them, at least one of a lower surface of the upper steel plate 2 and an upper surface of the lower steel plate 3 has a curved surface 5 so that the thickness of the rubber layer 4 may gradually increase from the center to the outer peripheral part.例文帳に追加

上部鋼板２と下部鋼板３との間にゴム層４が形成されてなる弾性荷重支持体１であって、ゴム層４の厚みが中央部から外周部にかけて漸増するように、上部鋼板２の下面及び下部鋼板の上面の少なくとも一方が曲面５をなしている。 - 特許庁

Furthermore, the electro-optical device is provided with a spacer insulating film which is formed on the upper-layer side of a foundation face of the lower electrode and on the lower-layer side of the upper electrode, in a peripheral area surrounding an insular area where the upper electrode and the lower electrode face each other via the dielectric film, when viewed in a plane of the substrate.例文帳に追加

更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。 - 特許庁

A first piezoelectric resonance stack 14A including a piezoelectric layer 2A, a lower electrode 10A and an upper electrode 12A is formed on the upper surface of the substrate 8 and a second piezoelectric resonance stack 14B including a piezoelectric layer 2B, a lower electrode 10B and an upper electrode 12B is formed on the lower surface of the substrate 8.例文帳に追加

基板８の上面に圧電層２Ａと下部電極１０Ａと上部電極１２Ａとを含んでなる第１の圧電共振スタック１４Ａが形成されており、基板８の下面に圧電層２Ｂと下部電極１０Ｂと上部電極１２Ｂとを含んでなる第２の圧電共振スタック１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

The light emitting module 10 is provided with: a metal substrate 12; an insulation layer 24 covering the upper surface of the metal substrate 12; a conductive pattern 14 formed on the upper surface of the insulation layer 24; and a light emitting device 20 which is fitted on the upper surface of the metal substrate 12 and electrically connected with the conductive pattern 14.例文帳に追加

発光モジュール１０は、金属基板１２と、金属基板１２の上面を被覆する絶縁層２４と、絶縁層２４の上面に形成された導電パターン１４と、金属基板１２の上面に固着されて導電パターン１４と電気的に接続された発光素子２０とを主要に備える。 - 特許庁

A light which enters from the upper part to be reflected at the upper surface of a transparent substrate 23 or the light shielding film 24 is prevented from reaching the TFT 11 while suppressing the light shielding area of the signal wiring 22 functioning as the light shielding film of the upper layer part and the light shielding film 24 of the lower layer part to the minimum size in this manner.例文帳に追加

こうして、上層部の遮光膜として機能する信号配線２２および下層部の遮光膜２４の遮光領域を最小限の大きさに抑えつつ、上部から入射して透明基板２３あるいは遮光膜２４の上面で反射した光がＴＦＴ１１へ到達するのを防止する。 - 特許庁

An upper-layer wiring pattern 19, having a via hole 18 interposed with the in-cell power line 11a, is formed covering an in-cell ground line 12a, and consequently a capacity part 20 is formed which has the in-cell ground line 12a as a lower electrode and the upper-layer wiring pattern 19 as an upper electrode.例文帳に追加

セル内電源線１１ａとの間にヴィア１８を介在させた上層配線パターン１９が、セル内グランド線１２ａの上方にこれを覆うように形成され、その結果、セル内グランド線１２ａを下部電極とし、上層配線パターン１９を上部電極とする容量部２０が形成される。 - 特許庁

The plant cultivation unit 1 comprises a vessel 2 having a bottom and an opening at upper part, a watertight sheet material 3 extended on lower half part of the vessel, a space keeper 4 keeping height surmounting the upper end of of the sheet, a charcoal layer 6 covered with a sheet material 5 having large air-permeability and a soil layer 7 mounted on the upper surface.例文帳に追加

植物栽培装置１は、上面を開放する有底の容器２と、容器下半部に展開する水密性シート材３と、この上端を越える高さまで敷設する間隔保持材４と、通気性能の大きいシート材５に被包される木炭層６と、この上面に載置する土壌層７からなる。 - 特許庁

In the compressing step, a portion of the precursor 4' corresponding to at least a part of the peripheral region of the upper layer 62 of the precursor 4' in plan view is compressed with stronger force than a portion corresponding to a central region of a width direction of the upper layer 62 of the precursor 4' in plan view, thereby integrating the upper and lower layers.例文帳に追加

圧縮工程において、前駆体４’のうち、該前駆体４’の平面視における上層６２の周縁域の少なくとも一部に対応する部位を、該前駆体４’の平面視における上層６２の幅方向の中央域に対応する部位よりも強く圧縮して、上層と下層とを一体化する。 - 特許庁

First, a single layer printed circuit board having a core substrate 6a, an upper conductor 4 and a lower conductor 5 and a single layer printed circuit board having a core substrate 6b, an upper conductor 8 and a lower conductor 9 are stuck together putting a prepreg 7 between them, and an elimination area 4c of width CW is formed on the upper conductor 4 of the substrate 6a.例文帳に追加

先ず、コア基板６ａ，上部導体４及び下部導体５を有する単層のプリント配線基板と、コア基板６ｂ，上部導体８及び下部導体９を有する単層のプリント配線基板とをプリプレグ７を介して接着し、コア基板６ａの上部導体４に幅ＣＷの削除領域４ｃを形成する。 - 特許庁

The upper structure 12 of the building is supported on the lower structure 11 via the base-isolated layer 13; an elevator core 2 with a built-in elevator 22 is provided independently of the upper structure 12; a lower part of the elevator core 2 is coupled to the lower structure 11; and an upper part of the elevator core 2 is coupled to an upper part of the upper structure 12.例文帳に追加

建物の上層構造体１２が、下層構造体１１の上に免震層１３を介して支持され、エレベーター装置２２を内蔵したエレベーターコア２が上層構造体１２と独立して設けられ、このエレベーターコア２の下部が下層構造体１１に連結され、エレベーターコア２の上部が上層構造体１２の上部に連結されている。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a capacitor lower electrode 22a including: an upper conductive layer 22f comprising Pt; a lower conductive layer 22d made of a material including Ir, silicon, and nitrogen; and an intermediate conductive layer 22e arranged between the upper/lower conductive layers 22f, 22d for adhering the upper/lower conductive layers 22f, 22d to each other.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、Ｐｔからなる上部導電層２２ｆと、Ｉｒ、シリコンおよび窒素を含有する材料からなる下部導電層２２ｄと、上部導電層２２ｆと下部導電層２２ｄとの間に配置され、上部導電層２２ｆと下部導電層２２ｄとを密着させるための中間導電層２２ｅとを含むキャパシタ下部電極２２ａを備えている。 - 特許庁

The semiconductor optical element 10 includes a first conductive GaAs board 12, a group third-fifth compound semiconductor layer 14 formed on the GaAs board 12, an active layer 16 formed on the group third-fifth compound semiconductor layer 14, and a second conductive upper clad layer 18 formed on the active layer 16.例文帳に追加

半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。 - 特許庁

A skin material 1 is constituted by integrally laminating a surface resin layer 2 composed mainly of a polypropylene resin upon the upper surface of a first nonwoven fabric layer 3 and, at the same time, a second nonwoven fabric layer 5 upon the lower surface of the first nonwoven fabric layer 3 through an intermediate resin layer 4 composed mainly of a polyethylene resin.例文帳に追加

表皮材１は、第１不織布層３の上面側に、ポリプロピレン樹脂を主成分とする表面樹脂層２が積層一体化されると共に、前記第１不織布層３の下面に、第２不織布層５がポリエチレン樹脂を主成分とする中間樹脂層４を介して積層一体化された構成とする。 - 特許庁

The light scattering film 12 is provided with a flat layer 14, a plurality of projecting parts 15 formed on the upper surface of the flat layer 14, and a particulate layer 17 formed in one layer where particulates are densely arranged on the flat surface 14a where the projecting parts 15 are not formed on the flat layer 14.例文帳に追加

光散乱膜１２は、平坦な平坦層１４と、平坦層１４の上側表面に凸状に形成された複数の凸部１５と、微粒子１６が平坦層１４上であって凸部１５の形成されていない平坦面１４ａ上に隙間なく１層に配設されて形成された微粒子層１７とを備える。 - 特許庁

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はテルルを（Ｔｅ）を最も多く含む層を有する抵抗変化層２２と、アルミニウム（Ａｌ）を２７．７原子％以上４７．４原子％以下の範囲内で含有するイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

The laminated material comprising conductor layers on upper side and lower side of the insulating layer is characterized by that the insulating layer is constituted of two or more of insulating layer with different specific inductive capacities and the insulating layer contacting the conductor layers and the insulating layer not contacting the conductor layers are different in the specific inductive capacity.例文帳に追加

絶縁層の上下に導体層を備える積層材料であって、前記絶縁層は２以上の比誘電率の異なる絶縁層から構成され、前記導体層と接する絶縁層と前記導体層と接しない絶縁層との比誘電率が異なることを特徴とする積層材料。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first wiring layer 19 and a second wiring layer 22 each formed in a ring shape so as to trace the outline of the light-receiving region of a photodiode PD, and thereby all of the first wiring layer 19, the second wiring layer 22 and a third wiring layer 25 are arranged to surround an upper part of the photodiode PD.例文帳に追加

第１配線層１９、第２配線層２２のそれぞれを、ホトダイオードＰＤの受光領域の輪郭をなぞるようなリング形状に形成することによって、第１配線層１９、第２配線層２２、第３配線層２５の全てがホトダイオードＰＤ上部を取り囲むように配置する。 - 特許庁

The array substrate 20 includes: an array substrate body 21; a color filter layer 22 which is provided on the array substrate body 21 and made of a plurality of coloring layers 24 corresponding to each pixel and a light shielding layer 23 provided between these coloring layers 24; and a switching element layer provided on an upper layer of the color filter layer 22.例文帳に追加

アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 - 特許庁

The storage device comprises a lower electrode 10, a ferroelectric layer 12 formed above the lower electrode 10, a charge compensation layer 14 which is formed above the ferroelectric layer 12 and comprises an oxide having different composition from the ferroelectric layer, and an upper electrode formed above the charge compensation layer 14.例文帳に追加

記憶装置は、下部電極１０と、下部電極１０の上方に形成された強誘電体層１２と、強誘電体層１２の上方に形成され、強誘電体層と異なる組成の酸化物からなる電荷補償層１４と、電荷補償層１４の上方に形成された上部電極と、を含む。 - 特許庁

A first pattern is formed by a plurality of the first elements arranged in a first direction on at least one side of a laminated body formed by laminating a lower layer, a middle layer, and an upper layer, and a second pattern is formed by a plurality of the second elements arranged in a second direction on a light shielding layer constituting the middle layer.例文帳に追加

下層、中間層、上層が積層されて成る積層体の少なくとも一方の面に、第１の方向に複数配置された第１の要素によって第１の模様を形成し、中間層を構成する光遮蔽層に、第２の方向に複数配置された第２の要素によって第２の模様を形成する。 - 特許庁

In a purple-blue semiconductor laser device 100, an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 are formed on one surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

An SOI substrate having a three-layer structure of the conductive silicon layer/silicon oxide layer/conductive silicon layer is prepared, and inductive coupling type plasma etching for removing selectively only silicon from the upper layer is performed, and L-shaped slits S1-S4 are carved, thereby to separate the substrate into a cross-shaped member 120 and fixed members 121-124.例文帳に追加

導電性シリコン層／酸化シリコン層／導電性シリコン層の３層構造をもったＳＯＩ基板を用意し、上層からシリコンのみ選択除去可能な誘導結合型プラズマエッチングを行い、Ｌ字形スリットＳ１〜Ｓ４を掘り、十字形部材１２０と固定部材１２１〜１２４とに分離する。 - 特許庁

Rubbles are charged to the underside and side faces of the pipe P and a rubble layer in fixed thickness is built, an asphalt mixture 25 is placed on the rubble layer and a bearing layer 22 is constructed, an upper covering layer 26 is executed onto the layer 22 and a top-face protective material 28 is installed, and bearing and protection to a pipeline can be conducted.例文帳に追加

前記パイプＰの下面と側面に割石を投下して所定の厚さの割石層を構築し、その層にアスファルト混合物２５を打設して支持層２２を構築し、その上に上部被覆層２６を施工してから上面保護材２８を設けて、管路に対する支持と保護とを行い得るようにする。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 40, an undoped GaInP second clad layer 42 is so arranged on a lamination structure 21 and a p-type first clad layer 20a that the upper part of an n-type AlGaAs clad layer 16, an active layer 18 and a p-type first clad layer 20 of the lamination structure 21 on a ridge 14 are embedded.例文帳に追加

半導体レーザ素子４０では、アンドープ・ＧａＩｎＰ第２クラッド層４２が、リッジ１４上の積層構造２１のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１６の上部、活性層１８、及びｐ型第１クラッド層２０を埋め込むように、積層構造２１上及びｐ型第１クラッド層２０ａ上に設けられている。 - 特許庁

In forming this magnet molded body 1 by arranging an insulation layer 3 on a surface of an anisotropic magnet 2, the magnetization direction of the anisotropic magnet is set generally parallel to that of the insulation layer, and the anisotropic magnet and the insulation layer are connected to each other through a connection layer 4 causing a liquid phase at a temperature below the upper temperature limit of the insulation layer.例文帳に追加

異方性磁石２の表面に絶縁層３を配置して磁石成形体１とする際に、異方性磁石の磁化方向と絶縁層の磁化方向とを略平行とし、異方性磁石と絶縁層とを絶縁層の耐熱温度以下の温度で液相を生じる連結層４により連結する。 - 特許庁

The ink jet recording paper has a constitution wherein the lower layer of a recording layer containing a polymeric compound (A) showing hydrophilicity in a temperature region not higher than a temperature sensing point and hydrophobicity in a temperature region higher than the temperature sensing point and particulates (B) is provided on a substrate and the upper layer of the recording layer containing particulates (C) is provided on the lower layer.例文帳に追加

支持体に、感温点以下の温度領域では親水性を示し、感温点を超える温度領域では疎水性を示す高分子化合物（Ａ）と微粒子（Ｂ）とを含有する記録層下層を設け、該記録層下層上に微粒子（Ｃ）を含有する記録層上層を設けたインクジェット記録用紙。 - 特許庁

The sintered body 2A is sintered at a temperature in which porosity of highly sintered body layer 2A_2 is preferable by making a two-layer structure consisting of a sintered body layer 2A_1 of highly sintered tatalum powder arranged at a lower layer side and making the sintered body layer 2A_2 of less sintered tatalum powder at the upper side.例文帳に追加

焼結体２Ａを、焼結性の高いタンタル粉末の焼結体層２Ａ_１ を下層側にし、焼結性の低いタンタル粉末の焼結体層２Ａ_２ を上層側にした二層構造にし、焼結性の大きい方の焼結体層２Ａ_２ の多孔質性が好ましい状態になるような温度で焼結する。 - 特許庁

This layer 6 has a laminated structure and a lower layer 6a of the layer 6 that is in contact with the base 1 contains at least one kind of acid type phosphoric ester, while an upper layer 6b formed on the lower layer 6a contains specific polyglycerin fatty acid ester or specific glycerin fatty acid ester.例文帳に追加

耐熱滑性層６は積層構造をなし、耐熱滑性層６のうち基材１に接している下層６ａが、酸型リン酸エステルを少なくとも１種含有し、下層６ａの上に形成される上層６ｂが、特定のポリグリセリン脂肪酸エステルまたは特定グリセリン脂肪酸エステルを含有している。 - 特許庁

In this organic EL element 100, an element substrate 120, in which a lower electrode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, a luminescent layer 105, an electrode transport layer 106, an electron injection layer 107, and an upper electrode 108 are formed on a support substrate 101, is sealed by a sealing film 110.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００では、支持基板１０１上に下部電極１０２、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７および上部電極１０８が形成されて構成された素子基板１２０が、封止膜１１０によって封止される。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure comprising a first and second layer insulation films 9, 10 using oxide films between a charge storing lower electrode (P-doped polysilicon) 14 and a diffused layer region 2 and a nitride film 11 to be a wet etching stop layer laminated on the second layer insulation film 10 being an upper layer.例文帳に追加

半導体装置は、電荷蓄積用下部電極（リンドープポリシリコン）１４と、拡散層領域２との間の層間膜である第１層間膜９、第２層間膜１０に酸化膜を用い、上層の第２層間膜１０上に、ウエットエッチングストップ層となる窒化膜１１が積層された構造を有するものである。 - 特許庁