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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper-layerの意味・解説 > upper-layerに関連した英語例文

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upper-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11094



例文

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン14が形成された上側透明基板13と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン14が形成された下側基板19と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層15とを備える。 - 特許庁

A material 24 of the metallic stack is a main conductor consisting of copper, and also the metal (that is, the conductor whose composition is mainly tungsten or titanium-tungsten) 26 of the upper layer has a prescribed thickness and optical properties which are selected so that the coupling between the lower metal 24 and the upper metal 26 gives high absorptive property to incident energy.例文帳に追加

金属のスタックの下層の材料24は、銅より成る主導電体であり、また、上層の金属(すなわち組成物が主にタングステン、またはチタン−タングステンの導体)26は、下層金属24と上層金属26の結合体が、入射エネルギーに対し高い吸収特性を与えるように、選ばれる所定の厚さと、光学特性とを有する。 - 特許庁

This ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 100 in which memory cells are arranged in a matrix-like state and a lower electrode 12, an upper electrode 16 arranged in a direction intersecting the lower electrode 12, and the ferroelectric layer 14 which is positioned in at least the intersecting area of the upper and the lower electrodes 16 and 12 are contained.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置1000は、メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極12と、下部電極12と交差する方向に配列された上部電極16と、少なくとも上部電極16と下部電極12との交差領域に配置された強誘電体層14と、を含むメモリセルアレイ100を有する。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域1において、この容量素子を被覆する第1層間絶縁膜8上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン2,2aが形成される。 - 特許庁

例文

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板1上に形成された活性層5を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造8、9を形成する第1工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造8、9以外の積層構造の上面にショットキーバリアSBを形成する第2工程とを有する。 - 特許庁


例文

On the wring board 1 with the heat sink adhering the wiring board 2 having a through hole 5 surrounding a mounting part 7 through an adhesive layer 4 on the upper face of the heat sink 3 having the mounting part 7 of the electronic parts on the upper face, the heat sink 3 has an annular projection 6 surrounding the mounting part positioned inside of the through hole 5.例文帳に追加

上面に電子部品の搭載部7を有する放熱板3の上面に、搭載部7を取り囲む貫通孔5を有する配線基板2を、接着材層4を間に介して接着して成る放熱板付配線基板1であって、放熱板3は、貫通孔5の内側に位置する、搭載部を取り囲む環状の凸部6を有する。 - 特許庁

The method includes such steps as flowing of oxygen by a first amount, flowing of deuterium by a second amount to form a vapor oxide with the oxygen of the first amount, inserting of a silicon substrate comprising an upper surface into the vapor oxygen, and raising the temperature of the silicon substrate in the vapor oxide to form a dielectrics layer on the upper surface.例文帳に追加

この方法は、第1の量の酸素を流し;第2の量の重水素を流して、前記第1の量の酸素と酸化蒸気を形成し;上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し;前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a fuse wiring which is used for switching a defective circuit to a redundant circuit and composed of an upper wiring 2, a different layer wiring 3, and an interlayer insulating film 4 interposed between the wirings 2 and 3, and a fuse opening 1 for irradiating the fuse wiring with a cutting laser beam is provided in the upper wiring 2.例文帳に追加

不良回路を冗長回路に切り替えるためのヒューズ配線は上層配線2と、上層配線2との間に1枚の層間絶縁膜4を介して形成される異層の配線3とによって形成され、上層配線2上にはヒューズ配線に対して切断用のレーザ光を照射するためのヒューズ開口部1が設けられている。 - 特許庁

The skies (2) or the snowboard with a shape as a platelike sliding device (1) having a multi-layer sliding plate body has a force transmission member (13) which is supported on the upper side (7) of the sliding plate body and the upper side of the force transmission member is so arranged as to support a binding device (3) for connection with sport shoes detachably as required.例文帳に追加

多層の滑走板ボディを有する、板状の滑走器具(1)の形状のスキー(2)またはスノーボードであって、滑走板ボディの上側(7)上に力伝達部材(13)が支持されており、その力伝達部材の上側は、必要に応じて取外し可能にスポーツシューズと結合するためのビンディング装置(3)を支持するために設けられている。 - 特許庁

例文

To provide an optical switching element and its manufacturing method, a device, an optical writing type recording medium, a display and a writing device wherein sensitivity is not deteriorated even when an upper electric charge generating layer is formed by applying a dispersion liquid.例文帳に追加

上部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも感度の劣化が生じない光スイッチング素子およびその製造方法、デバイス、光書き込み型記録媒体、表示装置および書き込み装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a capacitor manufacturing method optimal to prevent the residual film of a seed layer by solving difficulty in space securing of a following dielectric film and an upper electrode deposition by over hanging in the case of forming a lower electrode by an electroplating method.例文帳に追加

電気メッキ法により下部電極を形成する際、オーバハングによる後続誘電膜及び上部電極蒸着の空間確保の困難さを解決し、シード層の残膜防止に最適なキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, an insulating film 207 is formed on the whole surface of the substrate 201, an upper wiring layer 208 is formed on a memory cell region on the film 207 and at the same time, alignment marks 208-a are formed on the alignment mark formation region.例文帳に追加

さらに、全面に絶縁膜207を形成し、絶縁膜207上のメモリセル領域に上層配線層208を形成すると同時に、位置合わせマーク形成領域に位置合わせマーク208−aを形成する。 - 特許庁

A layer made of the foam fire-resistant paint 7 has a part 7a on the surface of the basic material 3, a part 7b formed on an end face 5a of the rock wool coating 5, and a part 7c formed on an upper face 5b of the rock wool coating 5.例文帳に追加

つまり、発泡耐火塗料7から成る層は、基材3の表面の部分7a、ロックウール被覆5の端面5a上の形成された部分7b、及び、ロックウール被覆5の上面5bに形成された部分7cとを有する。 - 特許庁

To form a thin film magnetic head by stably and satisfactorily forming a second thin film coil to be laminated on the upper face of an insulating layer for covering a first thin film coil in the thin film magnetic head by a thin film coil laminated structure.例文帳に追加

薄膜コイルの積層構造による薄膜磁気ヘッドにおいて、第1薄膜コイルを被覆する絶縁層の上面に積層形成される第2薄膜コイルを、安定的かつ良好に形成して薄膜磁気ヘッドを構成する。 - 特許庁

An upper layer of artificial lawn 1 is filled with a specified colored elastic granular material 54, the spectral reflectance in a wavelength band of 550 to 750nm of which is 40% or more in the spectral reflection measurement stipulated in JIS-A5759.例文帳に追加

JIS−A5759による分光反射測定において550〜750nmの波長域における分光反射率が40%以上を示す特定着色弾性粒状物53を人工芝1の上層に充填する。 - 特許庁

Since a barrier material 58B of the fuel tank component 32 and a barrier layer 24A of the fuel tank structure body overlap in a view from upper part and actual permeation area of fuel is kept small, fuel permeation resistance is improved.例文帳に追加

燃料タンク構成部品32のバリアー材58Bと燃料タンク構成体のバリアー層24Aが上方から見て重なっており、燃料の実質的な透過断面積が小さくなるので、耐燃料透過性が向上する。 - 特許庁

The rear side (on the side of the metallic layer 15) of this sub mount 10 is directly joined with an upper face of a heat sink 19 made of copper (Cu) with a solder material (2nd conductivity type material) made of In/Sn whose melting temperature T2 is about 117°C.例文帳に追加

このサブマウント10の裏側(金属層15側)は、銅(Cu)製のヒートシンク19の上面と融点温度T2が約117℃のIn/Snより成る半田材(第2導電性材料)12により直接接着されている。 - 特許庁

Two polarized piezoelectric plates 1a and 1b are bonded while directing the direction of polarization oppositely to form a head and after the upper surface thereof is coated with a plating resist layer 2, ink grooves 3 and air grooves 4a and 4b extending back and forth are made alternately.例文帳に追加

分極した二枚の圧電素子板1a,1bを、分極方向を反対に向けて接合しヘッドを形成し、上面にメッキ用レジスト層2を塗設した後、前後に伸びるインク溝3と空気溝4a,4bを交互に配置する。 - 特許庁

A plurality of inductors 20a to 20h, in which impedance values are different stage by stage, connected with the inner conductor and performing impedance matching between the communication section and antenna are arranged on an upper surface of a first insulating layer 38 forming the base section 16.例文帳に追加

台座部16を構成する第1の絶縁層38上面には、内部導体に接続され、通信部とアンテナとのインピーダンスマッチングを行うためのインダクタンス値が段階的に異なる複数のインダクタ20a〜20hが設けられる。 - 特許庁

A first wire 16 forming the upper layer mesh member is arranged in a direction inclined by a predetermined angle θ with respect to a y-axis, and a second wire 17 is arranged in a direction inclined by a predetermined angle θ with respect to an x-axis.例文帳に追加

上層メッシュ部材を形成する、第1のワイヤ16は、y軸に対して所定の角度θ傾いた方向に向けて配置され、第2のワイヤ17は、x軸に対して所定の角度θ傾いた方向に向けて配置される。 - 特許庁

A phase transition recording layer 13 which is held between an upper spacer film 14a and a lower spacer film 14b made of ZnS-SiO_2 and which is made of GeSbTe, is formed by sputtering thereon and a protective film 15 made of DLC is formed thereon.例文帳に追加

その上に、ZnS−SiO_2からなる上下のスペーサ膜14a,14bに挟まれた、GeSbTeからなる相変化記録層13をスパッタ法により形成し、その上にDLCからなる保護膜15を形成した。 - 特許庁

The computer 104 controls a control circuit 106 based on the calculated plate thickness to move the placement table 100 in upper and lower directions and to control the interval between the peripheral surface of a rubbing roller 101 and an alignment layer of the substrate 112 to a specified value.例文帳に追加

コンピュータ104は算出した板厚に基づいて制御回路106を制御して、載置台100を上下方向に移動させ、ラビングローラ101周面と基板112の配向膜との間隔を規定値に維持する。 - 特許庁

The electronic part housing package is provided with a recess 104 in which an electronic part is housed, an insulating substrate 101 having a notch 102 on its side face, and a metallization layer 105 which is formed on the upper side of the insulating substrate 101 as to surround the recess 104.例文帳に追加

電子部品が収容される凹部104を有し、側面に切欠き部102を有する絶縁基体101と、絶縁基体101の上面に凹部104を取り囲むように形成されたメタライズ層105とを備えている。 - 特許庁

To prevent the deformation of an electro-luminescence sheet 1 and a decoration layer 2 laid on the upper surface of the electro-luminescence sheet due to the pressing force of a mold pin for through-holes 71, 72 at the time of insert molding, and the pressing force of contact pins 81, 82 in use.例文帳に追加

ELシート1及びその上面に敷設した装飾層2が、インサート成形時のスルーホール71、72用の金型ピン部、及び使用中におけるコンタクトピン81、82の押圧によって変形することを防止する。 - 特許庁

During the polishing of the upper surface 10b of each conductor part 10a, the hard inorganic insulating layer 11 suppresses the slackening of each conductor part 10a caused by the polishing, and short-circuiting between the conductor parts 10a is properly prevented.例文帳に追加

各導体部10aの上面10bを研磨している最中、硬質な前記無機絶縁層11が各導体部10aが研磨によってだれるのを抑制し、よって各導体部10a間が短絡するのを適切に防止できる。 - 特許庁

According to the snow melting system, floating elements 3 each having a snow receiving portion 3a set on an upper portion thereof, are floated on a water surface of a water-storage and snow-melting tank 1 which can receive sunlight, and each snow receiving portion 3a has arranged thereon a solar heat absorbing layer made of a carbon graphite sheet 4 or the like.例文帳に追加

太陽光を受けることが可能な貯水融雪槽1の水面に、上部を雪受け部3aとする浮子3が浮かばされ、該雪受け部3aにカーボングラファイトシート4等の太陽熱吸収層が設けられている。 - 特許庁

Thereafter, the upper and lower-layer photoresist films 52 and 50 on the polysilicon film 8 are removed, except those in the trench region so that the film 50 is left in the trenches by exposing and developing the films 50 and 52.例文帳に追加

次いで、上層及び下層フォトレジスト膜に露光処理及び現象処理を施して、トレンチ内に下層フォトレジスト膜を残し、トレンチ領域以外のポリシリコン膜8上の上層フォトレジスト膜及び下層フォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁

To provide a multiple shaft screw press capable of improving the efficiency of dehydration of the whole dehydration machine by stabilizing the quantity of filtration water while suppressing the deposition of a sludge layer onto the inner surface of a screen at least on the upper part of a filtration chamber.例文帳に追加

スクリーン内面に汚泥層が堆積することを少なくともろ室上部において抑制してろ過水量を安定させることで、脱水機全体の脱水効率を向上させることができる多軸スクリュープレスを提供する。 - 特許庁

When the resin molding is molded, by injection molding, on the electric cable by use of an upper mold and a lower mold, the molding is performed so that the foam layer 15 of the electric cable is vertically compressed but not laterally compressed.例文帳に追加

また、前記の電気ケーブルに、上金型と下金型により樹脂成形体を射出成形に成形するに際して、電気ケーブルの発泡層15が上下方向で圧縮をうけ、横方向に圧縮を受けないようにして成形する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたn型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたn型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

A radiator sheet 1 which conducts heat of an electronic heating body into atmosphere comprises thin-film reinforcing layers 2 and 3 where both upper and lower surface layers are solidified in rubber, and an unvulcanized compound layer 4 between them.例文帳に追加

電子部品発熱体から大気中に熱移動させる放熱シート1であって、放熱シート1は、上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層2,3と、その間の未加硫のコンパウンド層4によって形成されている。 - 特許庁

To provide an upper-emission-type organic EL element in which the emission brightness hardly deteriorates with time and to provide an Al-alloy sputtering target used for forming a reflection film constituting an anode layer of the same.例文帳に追加

発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Information on a plurality of site participating subjects is stored in a database in a hierarchy structure in which the information on an introducing person from whom the site is introduced is provided in an upper rank layer when the subject participating in the site uses the site.例文帳に追加

複数のサイト参加主体に関する情報は、当該サイト参加主体が当該サイトを利用する上で該サイトの紹介を受けた紹介者情報を上位階層に備えた階層構造をなした形でデータベースに記憶される。 - 特許庁

The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

シリコン窒化膜41は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、N+ポリNMOS27のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体35の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

A high thermal conductivity ceramic substrate 1 having a glass glaze layer 4 formed on the upper surface thereof is bonded to a metal plate 2 embedded with a metal having a thermal conductivity higher than that of the high thermal conductivity ceramic substrate 1 or a heat pipe 10.例文帳に追加

上面にガラスグレーズ層4が形成された高熱伝導性セラミック基板1と、高熱伝導性セラミック基板1よりも熱伝導率の高い金属またはヒートパイプ10を埋め込んだ金属プレート2とを接着する。 - 特許庁

A local interconnect 235 extends through the upper isolation layer 204 and connects the field shield to a selected doped semiconductor region of the device (e.g., a source/drain region 211, 212 of a FET or a cathode or anode of a diode).例文帳に追加

ローカル相互接続が、上側絶縁分離層を通って延在しており、デバイスの選択されたドープした半導体領域(例えば、FETのソース/ドレイン領域またはダイオードのカソードもしくはアノード)にフィールド・シールドを接続する。 - 特許庁

To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.例文帳に追加

基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁

Consequently, fine projecting sections 2 composed of circular carbon nanotubes having a diameter of 2-5 nm, a height of 500 nm, and closed upper ends are formed on the surface of the layer 1.例文帳に追加

熱および空気中の酸素により、SiCの結合が切断され、Si原子が除去されてSiC層の表面に、径が2〜5nm、高さが500nmの円形の上端が閉じた構造のカーボンナノチューブからなる微細な凸部2が形成される。 - 特許庁

The respective plaster boards 12 are arranged side by side in the state of abutting end faces each other on the lower surface of the wood board 11, and are bonded on the entire surface to the wood board 11 through an adhesive layer 15 formed on an upper surface.例文帳に追加

各石膏ボード12は、木材ボード11の下面において互いの端面同士を当接させた状態で横並びとされ、その上面に形成された接着層15を介して木材ボード11に全面接着されている。 - 特許庁

An aluminum electrode 104 for an outside connection formed on the surface of a silicon substrate 101 and the protruded electrode 114 are connected by using a conductive resin layer 108 whose upper and lower parts are covered by insulating resin layers 107, 109.例文帳に追加

シリコン基板101表面上に形成された外部接続用のアルミニウム電極104と突起電極114とを導電性樹脂層108により接続し、その上下を絶縁性樹脂層107、109により覆う。 - 特許庁

A seal means 140 having a metal-comprising layer 202 is brazed through a braze material 204 between an upper platen 106 and an extension member 142 of a supporting platform housing 108 that have different thermal extension coefficients.例文帳に追加

異なる熱膨張係数を有する上部平盤106と支持プラットフォームハウジング108の延長部材142との間にろう付け材料204を介して金属包含層202をもったシール手段140をろう付けする。 - 特許庁

Urethane 70 is injected from openings 40C formed in an upper location of the partition wall 40, however, deformation of the partition wall 40 is small, since foaming pressure is received by the reinforcing plates 60, to thereby positively form the prescribed heat insulation layer and the space.例文帳に追加

ウレタン70は隔壁40の上部に設けた開口部40Cから注入するが、発泡圧は補強板60が受圧するので隔壁40の変形は小さく、所定の断熱層と空間が確実に形成できる。 - 特許庁

A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).例文帳に追加

集積回路(IC)構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物/窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはICの導電性コンタクトパッド(例えば、Alパッド)の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁

The outer peripheral side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.例文帳に追加

絶縁性保護膜40で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、nコンタクト電極130を形成された上側から、支持基板側200側である下側に向って広がるような、傾き(順テーパ)を形成している。 - 特許庁

The main body 2 includes a main part 2M including a plurality of layer portions 10 and a plurality of terminals 4 that are disposed on at least either one of the upper or lower surface of the main part 2M and are connected with the plurality of wires W.例文帳に追加

本体2は、複数の階層部分10を含む主要部分2Mと、主要部分2Mの上面と下面の少なくとも一方に配置されて複数のワイヤWに接続された複数の端子4とを有している。 - 特許庁

Out of upper and lower shield layers 21 and 11, a shield layer arranged on a side near at least a perpendicular magnetic recording head has a multilayer structure constituted of a low thermal expansion nonmagnetic material 212 and a magnetic material 211.例文帳に追加

上部シールド層21及び下部シールド層11のうち、少なくとも垂直磁気記録ヘッドに近い側に配置されたシールド層を、低熱膨張非磁性材料212と磁性材料211との多層構造で構成する。 - 特許庁

A high-side transistor HQ formed of a lateral MOSFET is formed in an upper layer of a region HR of a semiconductor substrate 29, and a low-side transistor LQ formed of a vertical MOSFET is formed in a region LR.例文帳に追加

半導体基板29の領域HRの上層部分に横型のMOSFETからなるハイサイド・トランジスタHQを形成すると共に、領域LRに縦型のMOSFETからなるローサイド・トランジスタLQを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the plasma display device includes a step for forming the barrier plate on a back glass substrate, and a step for forming an antistatic layer having a dielectric constant smaller than that of the barrier plate in the upper part of the barrier plate.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持つ帯電防止層を形成する段階を含む。 - 特許庁

The semiconductor thin film 41, made of the amorphous silicon of a photoelectric conversion type thin film transistor 3, is provided on the upper layer side from the semiconductor thin film 25 and 26 of CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit.例文帳に追加

光電気変換型の薄膜トランジスタ3のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜41は、駆動回路用のCMOS薄膜トランジスタ21、22のポリシリコンからなる半導体薄膜25、26よりも上層側に設けられている。 - 特許庁

例文

The capacitor for the noncontact IC card is constituted by respectively arranging electrically conductive metal layers 54, 54' formed by vacuum evaporation on the upper and lower faces of a tabular dielectric layer 53.例文帳に追加

非接触ICカード用コンデンサにおいて、平板状の誘電体層53の上下に各々導電性金属層54、54´を蒸着により、配置して構成されることを特徴とする非接触ICカード用コンデンサ2である。 - 特許庁




  
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