「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(196ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

To prevent frame resist from peeling off and to prevent an unnecessary plating film from being formed on the under surface of the resist in the manufacture of a thin-film magnetic head which has an upper magnetic pole layer formed of soft magnetic alloy with high saturation magnetic flux density by plating.例文帳に追加

高飽和磁束密度の軟磁性合金により上部磁極層がメッキ形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、フレームレジストの剥離を防止し、レジスト下面に不要なメッキ膜が形成されることを防ぐ。 - 特許庁

The entirety of the laminate is then crimped, followed by notching the upper laminated body along the plane shapes of the projections 2a-2c and removing the laminated body on the release layer to form the projections 2a-2c.例文帳に追加

そして、これらの積層体全体を圧着して、上部の積層体に対して、突出部２ａ〜２ｃの平面形状に沿った切れ込みを入れ、離型層上にある積層体を除去することで突出部２ａ〜２ｃを形成する。 - 特許庁

A comb-shaped periodic irregular structure 8 is provided on a surface of a semiconductor layer 3, a first electrode 1 is disposed on an upper face of a projection of the periodic irregular structure 8, and a second electrode 2 is disposed on a bottom face of the dented part.例文帳に追加

半導体層３の表面に櫛形の周期的凹凸構造８を設け、周期的凹凸構造８の凸部の上面上に第１の電極１を配置し、凹部の底面上に第２の電極２を配置する。 - 特許庁

The positive electrode 2, the organic light-emitting layer 3, and the negative electrode 4 are laminated in order on the upper face of the main body part 1a, and the end fringe portions of the positive electrode 2 and the negative electrode 4 are respectively arranged at the projected wall part 1b.例文帳に追加

この本体部１ａの上面には、陽極電極２、有機発光層３及び陰極電極４が順次積層され、陽極電極２及び陰極電極４の端縁部分は、それぞれ突壁部１ｂに配置されている。 - 特許庁

The while bubble delivery port 4 is provided in the upper part of the circumferential wall face of the case 9, and the white bubble delivered from the white bubble discharge port 4 is delivered toward a water surface of the hot water tub to form the white bubble layer on the hot water tub surface.例文帳に追加

白濁泡吐出口４をケース９の周壁面の上部に設け、白濁泡吐出口４から吐出する白濁泡を湯水槽の水面表面に向けて吐出して湯水槽表面に白濁泡層を形成する。 - 特許庁

A lower end part of the plug 112 is connected to a side face exposed to the contact hole 111 in the metal film 106, a side face exposed to the contact hole 111 in the barrier metal layer 105, and an upper face of the polysilicon film 104.例文帳に追加

プラグ１１２の下端部は、金属膜１０６におけるコンタクトホール１１１に露出する側面、バリアメタル層１０５におけるコンタクトホール１１１に露出する側面及びポリシリコン膜１０４の上面とそれぞれ接続している。 - 特許庁

An edge 31 of the semiconductor chip is more protruded than a side wall 12s being an edge of an upper insulating layer 12 with respect to the direction to which a circuit forming surface on which electrode pads 10 are formed extends, in the semiconductor chip 2.例文帳に追加

また、半導体チップ２における、電極パッド１０が形成された回路形成面が伸びている方向に関し、半導体チップの縁３１が、上層絶縁層１２の縁である側壁部１２ｓよりも突出している。 - 特許庁

Aqueous solution containing metal ion of a metal for metal-complexing tropolones and/or phenols is brought into contact with a plant essential oil by stirring, and then only a plant essential oil separated in an upper layer of the aqueous solution is collected.例文帳に追加

トロポロン類及び／又はフェノール類を金属錯体化する金属の金属イオンが含まれた水溶液と植物精油とを攪拌より接触させた後、前記水溶液の上層に分離した植物精油をのみを採取する。 - 特許庁

The optical waveguide formed by laminating a lower clad (3D), a core (4), and an upper clad (3U) on a substrate (2) in this order has at least one thin-film type grating layer (5) formed on the core (4) along its length direction.例文帳に追加

基板（２）上に、下部クラッド（３Ｄ）、コア（４）及び上部クラッド（３Ｕ）を順次積層して形成された光導波路において、前記コア（４）にその長手方向に沿って少なくとも一の薄膜状グレーティング層（５）を形成した。 - 特許庁

The tip of the side of the track width defining part of the upper magnetic pole layer 13 opposite to an air bearing surface 30 is arranged on the air bearing surface 30 side more than the tip of the side of the second part 8b opposite to the air bearing surface 30.例文帳に追加

上部磁極層１３のトラック幅規定部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部は、第２の部分８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部よりもエアベアリング面３０側に配置されている。 - 特許庁

In this way, when the molten metal is poured from the sprue 12, the decomposed material floated up on the upper layer of the molten metal is discharged to molten metal pool part 20 through the flowing outlet 18 to prevent the generation of the carbon defect caused by the decomposed material in the finish product.例文帳に追加

これにより、湯口１２から注湯すると、湯の上層に浮遊する分解物が流出口１８を介して湯溜まり２０に流出し、分解物による炭素欠陥等を最終製品に発生させない。 - 特許庁

A first insulation layer 51 which is thick enough to make an upper surface flat and wherein a first via leading to the electrode terminal 2T is formed is formed on one surface of the substrate 1 and a formation surface of the electrode terminal 2T of the LSI chip 2.例文帳に追加

基板１の一面とＬＳＩチップ２の電極端子２Ｔ形成面との上に、上面が平坦となるような層厚で、電極端子２Ｔに至る第１のヴィアが形成された第１の絶縁層５１が形成される。 - 特許庁

An exposed portion of the seed layer 12 is removed from a second resist film 19 after the second resist film 19 is formed so that a side surface 17B and upper surface 17A of the plating film 17 for forming the base metal of the wiring 10 are covered.例文帳に追加

配線１０の母材となるめっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように第２のレジスト膜１９を形成した後、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去する。 - 特許庁

The method includes steps of: preparing a substrate 31 for growing GaN; forming a GaN epitaxial layer on the substrate 31; forming a mask 33 on the GaN epitaxial layer 32 so as to expose a part of the upper face of the GaN epitaxial layer 32; and overgrowing GaN to predetermined thickness on the GaN epitaxial layer including the mask 33 by doping with a predetermined amount of In.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮを成長させるための基板３１を用意する段階と、上記基板３１上にＧａＮエピ層３２を形成する段階と、上記ＧａＮエピ層３２上に上記ＧａＮエピ層３２の上面の一部が露出するようマスク３３を形成する段階と、上記マスク３３を含むＧａＮエピ層３２上に所定量のＩｎをドーピングしてＧａＮを所定の厚さに再成長させる段階とを含むことを特徴とするＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法を提供する。 - 特許庁

The original plate has an underlayer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an upper heat sensitive layer containing a water- insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbing dye and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by heating in order on a hydrophilic support, both the underlayer and upper heat sensitive layer separately contain different IR absorbing dyes and the original plate is imagewise exposed and then developed with an alkali developing solution.例文帳に追加

親水性支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収染料を含有し、加熱によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上部感熱層とを、順次積層して有し、前記下層及び上部感熱層の両方にそれぞれ異なる赤外線吸収染料を含有することを特徴とし、画像様に露光した後、アルカリ現像液で現像することを特徴とする。 - 特許庁

The multiaxial fabric used for a paper machine also includes: the upper layer having multiple interwoven MD yarns in a machine direction and CD yarns, which has an inside and outside; and the lower layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns, which has an inside and outside, wherein the insides of the upper and lower layers are flattened by a prescribed technique.例文帳に追加

また本発明は、複数の織り交ぜられた機械方向ＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する上部層であって、内側及び外側を有する上部層と、複数の織り交ぜられたＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する下部層であって、内側及び外側を有する下部層とを有する抄紙機に使用する多軸布であって、前記上部層の前記内側及び前記下部層の前記内側は、所定の技術により、平坦化されることを特徴とする多軸布を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.例文帳に追加

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is characterized by having a diffusion plate 20 equipped on the liquid crystal layer 16 side or on the side opposite to the liquid crystal layer 16 of the lower substrate 11 and further having an upper diffusion plate 26 on the observer's side of the upper substrate 1.例文帳に追加

上基板１上および下基板１１上のそれぞれに電極を有し、上基板１と下基板１１とを所定の間隔をもって対向し、上基板１と下基板１１との間に封入する液晶１６とを備え、上基板１を観察者側に配置した液晶表示装置であって、下基板１１における液晶層１６側あるいは、液晶層１６と反対側には拡散板２０を備え、さらに上基板１の観察者側にも、上拡散板２６を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

When a prescribed AC voltage is impressed between the both electrode layers 2, 7 by a power supply part 8, ultraviolet emission is generated in the ultraviolet luminous layer 5, and this ultraviolet emission is converted into visible light emission in the fluorescent thin layers 4, 6, and the generated visible light emission is directly or, by being reflected by the upper electrode layer 7, outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

電源部８により両電極層２、７間に所定の交流電圧が印加されると、紫外発光層５において紫外発光が発生し、この紫外発光は蛍光薄層４、６において可視発光に変換され、生成された可視発光は直接および上部電極層７に反射されて、ガラス基板１を介し出力される。 - 特許庁

Moreover, the capacitor is provided with the SiO2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and a wiring 105, a contact hole 103a for a W-plug 113 to electrically connect the impurity layer 117 and lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and the wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

Of two base surfaces adjacent on the upper surface 5c, the lower surface 5d and side surfaces 5e, 5f of the ceramic base 5, the base surface having a smaller distance to the inner electrode layer disposed nearest in the plurality of first and second inner electrode layers 7, 8 has a surface roughness larger than the surface roughness of the base surface having a larger distance to the inner electrode layer.例文帳に追加

セラミック素体５の上面５ｃ、下面５ｄ、及び側面５ｅ，５ｆにおいて隣り合う２つの素体面のうち、複数の第１及び第２の内部電極層７，８の中で最も近くに配置された内部電極層との間の距離が小さい方の素体面の表面粗さは、その距離が大きい方の素体面の表面粗さより大きい。 - 特許庁

The hologram recording medium 10 constituted by laminating at least a lower transparent base material 11, a recording layer 12 made of a photosetting organic material, and an upper transparent base material 13 is characterized in that spacers (fine particle 14) maintaining the thickness of the recording layer 12 are dispersedly arranged in the recording medium in the main surface direction of the hologram recording medium 10.例文帳に追加

少なくとも下部透明基材１１、光硬化性有機材料からなる記録層１２、上部透明基材１３とが積層されてなるホログラム記録媒体１０において、記録層１２内部に、該記録層１２の厚みを維持するスペーサ（微小粒子１４）が当該ホログラム記録媒体１０主面方向に分散配置されている。 - 特許庁

When the coin C falls by its own weight from the second coin drop hole 16a, the drop direction of the coin C receives interference from an interfering body 29 varied, according to the denominations identified in the denomination identifying part, and the coin C selectively reaches either the first coin storage part 8y on the lower layer side or the second coin storage part 8x on the upper layer side.例文帳に追加

硬貨Ｃが第２の硬貨落下穴１６ａから自重で落下した場合、その硬貨Ｃの落下方向は金種識別部で識別された金種に応じて変動する干渉体２９によって干渉を受け、下層側の第１の硬貨収納部８ｙと上層側の第２の硬貨収納部８ｘとのいずれかに選択的に到達する。 - 特許庁

To provide an adhesive spacer for a liquid crystal display plate little in sagging down of the adhesive layer and a high in adhesive property to both the upper and the lower substrates in the case where it is fixed, and high display quality liquid crystal display plate uniform in liquid crystal layer thickness with no irregular color even if vibration or shock is added to it at a high temperature.例文帳に追加

固定化した際の接着層の垂れ下がりは少なく、上下両方の基板への接着力が高い液晶表示板用接着性スペーサーと、高温下に振動や衝撃が加わっても、スペーサーの移動が少ないため、液晶層の厚みが均一で色ムラ等が発生せず、表示品位の高い液晶表示板とを提供する。 - 特許庁

An oxide film 7 is formed on the surface of the salient electrode 6 by heat-treating the salient electrode 6 in an oxidative atmosphere, and a cap layer 8 and a solder layer 9 are formed in succession on the salient electrode 6 after removing the oxide film 7 on the upper surface of the salient electrode 6, and further the salient electrode 6 is joined with a terminal electrode.例文帳に追加

酸化性雰囲気中で突出電極６を熱処理することにより、突出電極６の表面に酸化膜７を形成し、突出電極６の上面の酸化膜７を除去した後、キャップ層８および半田層９を突出電極６上に順次形成し、突出電極６を端子電極に接合させる。 - 特許庁

The present board forms a cavity 20 for packaging a device 8 within a five-layer structured substrate block, using two metal plates 4 and 5 as a ground electrode, handles input/output of high-frequency signals via coaxial connectors 9 and 10 connected to striplines 21 and 22, and applies bias voltage, etc., from an upper layer bias circuit 14 connected through a via hole 26.例文帳に追加

二つの金属プレート４，５を接地電極として用いる５層構造の基板ブロック内に、デバイス８を実装するためのキャビティ２０を形成し、高周波信号の入出力はストリップライン２１，２２に接続された同軸コネクタ９，１０を介して行い、バイアス電圧等はバイアホール２６を介して接続された上位層のバイアス回路１４から入力する。 - 特許庁

The blank for the reflective photomask includes a structure including a plurality of films differing in reflection factor to an exposure wavelength and a protective film covering the entire peripheral surface of the structure so that the outgas component does not stick to the surface of the structure, wherein the structure is constituted by having a substrate, a multilayer reflective film, a capping film, a lower-layer absorption film and an upper-layer absorption film.例文帳に追加

露光波長に対する反射率の異なる複数の膜から構成された構造体と、構造体の周囲全面にアウトガス成分が付着しないように被覆された保護膜と、構造体は、基板と、多層反射膜と、キャッピング膜と、下層吸収膜と、上層吸収膜と、を有し構成されたことを特徴とする反射型フォトマスク用ブランク。 - 特許庁

In a solid-state imaging element comprising the wiring layer on the light receiving part, a means which diffuses the incident light is installed in such a way that an insulating film comprising a concavely worked part is formed in the upper part of the wiring layer, and that another insulating film whose refractive index is smaller than the refractive index of the insulating film comprising the concavely worked part is formed on it.例文帳に追加

受光部上に配線層を有する固体撮像素子において、前記配線層の上方に凹状の加工部を有する絶縁膜を形成し、さらにその上に、前記凹状の加工部を有する絶縁膜の屈折率よりも小さい屈折率を有するもう一つの絶縁膜を形成することにより、入射光を拡散させる手段を設ける。 - 特許庁

The semiconductor nanowire-based photosensor includes a substrate at least the upper part of which is formed of an insulator, two electrodes separated with a prescribed interval kept therebetween and formed on the substrate, a metal catalyst layer disposed on each of the electrodes, and visible-range semiconductor nanowires grown from the metal catalyst layer on each electrode.例文帳に追加

本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。 - 特許庁

This unit cell for solid oxide fuel cell has a layered structure wherein the solid electrolyte layer is sandwiched between upper and lower electrode layers, the electrolyte layer has a dense structure part, and a buffer part is disposed on the structure part, the buffer part comprising substantially independent columnar grains of a solid electrolyte material and/or an electrode material.例文帳に追加

固体電解質層を上部電極層と下部電極層で狭持した積層構造をなし、固体電解質層が緻密構造部を有し、この緻密構造部に、固体電解質材料及び／又は電極材料の略独立な柱状粒より構成されたバッファ部を配設して成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

The printed circuit board which has the connection hole formed by the laser to connect the upper and lower layers and also has the conductor formed in the connection hole, is provided with a trench-shaped copper deficit portion at a solid wiring part of an inner copper layer provided in the lower layer at a periphery near a bottom of the connection hole.例文帳に追加

レーザーにより上下の層間を接続する接続用穴を形成し、この接続用穴内に導通体を形成するプリント配線板にあって、前記下の層に設けた内層銅の、べた状配線部分において、前記接続用穴底部分の近傍周辺部分に、濠状銅欠損部を設けるプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device in which formation of an organic layer onto an auxiliary wiring can be prevented without reducing an aperture ratio of a pixel at pattern-forming the organic layer on the lower part electrode by a contact transcription method, and in which improvement of display performance is enabled to be improved by preventing voltage drop of the upper part electrode by this.例文帳に追加

接触転写法によって下部電極上に有機層をパターン形成する際に、画素の開口率を低下させずに補助配線上への有機層の形成を防止でき、これにより上部電極の電圧降下を防止して表示性能の向上を図ることを可能とした表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

The supporting substrate 3 forming the metallized layer 3c and the upper substrate 4 forming the metallized layer 4a are fixed by joining to the solder since the solder 8 is wet along the respective metallized layers and the optical fibers 2 grasped therebetween are surely fixed by the grasping force from both top and under surfaces as there are no metallized layers and there is no joining force to the solder.例文帳に追加

メタライズ層３ｃを形成する支持基板３とメタライズ層４ａを形成する上基板４とは、半田８が各々のメタライズ層に沿って濡れているので半田との接合により固定されるとともに、その間に挟持される光ファイバ２は、メタライズ層が無く半田との接合力が無く上下の両面からの挟持力により確実に固定される。 - 特許庁

Then, by forming the concrete layer 3 by placing concrete so as to bury the mold 4 for concrete gap formation on the upper side of the bottom steel plat 2, the composite slab 1, for which the bottom steel plate 2 and the concrete layer 3 having a concrete gap by the mold 4 for concrete gap formation on the lower surface side are integrally joined, is manufactured.例文帳に追加

次いで、底鋼板２の上側に、コンクリート空隙形成用型枠４を埋没させるようにコンクリートを打設してコンクリート層３を形成することにより、底鋼板２と、下面側にコンクリート空隙形成用型枠４によるコンクリート空隙を備えたコンクリート層３とを一体に接合した構成の合成床版１を製造する。 - 特許庁

In the patterned aluminum sheet, an aluminum substrate of a lower layer and an aluminum perforated sheet of an upper layer having opening parts consist of a clad sheet integrated by the clad rolling, and a pattern is formed over the entire surface of the clad sheet by providing an anodically oxidized film of different tone on the surface of the perforated sheet and the surface of the substrate exposed in the opening parts.例文帳に追加

下層のアルミニウム基板と開口部を備えた上層のアルミニウム開口板とがクラッド圧延により一体化されたクラッド板から成り、開口板の表面および開口部内に露出した基板の表面に、異なる色調の陽極酸化皮膜を備えたことにより、クラッド板の表面全体に模様が形成されている模様付アルミニウム板。 - 特許庁

This tube container 1 includes: a body portion 2 with a laminated structure including a metal foil as a barrier layer; a head portion 4 continuously provided at the upper end of the body portion 2 and having a spout 3 for a content; and a sheet-like shoulder pad 5 containing the barrier layer consisting of metal for covering the inner face of the head portion 4 and closing the spout 3.例文帳に追加

このチューブ容器１は、金属箔をバリア層として含む積層構造の胴部２と、該胴部２の上端に連設され、内容物の注出口３を有するヘッド部４と、金属材料からなるバリア層を含み、前記ヘッド部４の内面を被覆するとともに、前記注出口３を閉鎖するシート状の肩パッド５と、を備える。 - 特許庁

In an Si capacitor 10, a capacitor 40, which is composed of a lower electrode 42, dielectric layer 44, and lower electrode 46, can expand the area of the lower electrode 42-dielectric layer 44-upper electrode 46 and can obtain a high capacitance because of being formed on a wall surface of a trench 30 formed on an Si substrate 20.例文帳に追加

Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。 - 特許庁

A gas fuel feeding device 12i is arranged in a hood 21 surrounding the upper part of the charged layer 9 arranged on the downstream side of the ignition furnace, and gas fuel is ejected from a plurality of gas fuel ejection nozzles Nj extended in the moving direction of the pallet, is mixed with air and is fed to the charged layer as diluted gas fuel.例文帳に追加

前記点火炉の下流側に配置した前記装入層９の上部を囲むフード２１内に気体燃料供給装置１２ｉを配設し、前記パレットの移動方向に延長する複数の気体燃料噴射ノズルＮｊから気体燃料を噴射し、空気と混合して希釈気体燃料として当該装入層に供給する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes: an insulating film 11; a barrier layer 16 formed on the insulating film 11; an aluminum wiring 12 arranged on the barrier layer 16; a cap metal 18 or preservative treatment part 21 that is provided on an upper part of the aluminum wiring 12; and sidewalls 17 provided on lateral parts of the aluminum wiring 12.例文帳に追加

本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet having a surface treatment film comprising an underlayer as a bonding layer formed by an organic coating agent containing a silane coupling agent and an upper coating layer thereon, and having a superior corrosion resistance and adhesiveness of the surface treatment film to a base plated steel sheet.例文帳に追加

シランカップリング剤を含む有機系コーティング剤で形成した下層接着層と、その上の上層被覆層とから構成される表面処理皮膜を有し、耐食性に優れ且つ表面処理皮膜の下地めっき鋼板への密着性にも優れた非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor chip 11, with electrodes 16 formed on the upper surface thereof, a substrate 21 having a die bonding region to which an adhesive material layer actually contacts out of an area for die-bonding the semiconductor chip thereto via the adhesive material layer 18, and a wire bonding region electrically connected to the electrodes via wires 17.例文帳に追加

上面に電極１６が設けられた半導体チップ１１と、半導体チップが接着材層１８を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、電極とワイヤ１７を介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板２１とを備えた半導体装置。 - 特許庁

A method and apparatus 20 for connecting a solar cells connects an electrically conductive adhesive layer 16 on a front surface electrode 13 and a wiring member 17, and an electrically conductive adhesive layer 16 on a rear surface electrode 15 and a wiring member 17, respectively, by thermocompression-bonding simultaneously at front and rear sides using a lower-side thermocompression-bonding head 25 and an upper-side thermocompression-bonding head 26.例文帳に追加

この太陽電池セルの接続方法及び接続装置２０では、表面電極１３上の導電性接着剤層１６と配線部材１７、及び裏面電極１５上の導電性接着剤層１６と配線部材１７を、下側熱圧着ヘッド２５及び上側熱圧着ヘッド２６によって表裏同時に熱圧着する。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁