| 意味 | 例文 |
upper-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11094件
After a sealing film 34 is formed, a surface-processing layer 35 for preventing oxidation is formed on the upper surface of the column type electrode 2, by conducting electrolytic plaing using the auxiliary wiring 32, connection line 33 and re-wiring 31 as the plating current path.例文帳に追加
そして、封止膜34を形成した後に、補助配線32、接続線33及び再配線31をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極29の上面に酸化防止用の表面処理層35を形成する。 - 特許庁
To provide a technology for surely connecting a plug and wiring in a process for forming a connecting hole reaching an interlayer dielectric film formed on the upper layer of the wiring having Al as a principal component, and forming a plug in the connecting hole.例文帳に追加
Alを主成分とする配線の上層に形成された層間絶縁膜に、その配線に達する接続孔を形成し、その接続孔内にプラグを形成する工程において、プラグと配線とを確実に接続できる技術を提供する。 - 特許庁
An organic resin coated layer is formed on the upper surface of a silicon rubber forming the base material of a push-button switch cover member by applying an organic resin paint in which an ultraviolet absorber and a hindered amine light stabilizer (HALS) are added.例文帳に追加
押釦スイッチ用カバー部材の基材を成形するシリコーンゴムの上表面に、紫外線吸収剤とヒンダードアミン系光安定剤(HALS)とが添加された有機系樹脂塗料を塗布することにより有機系樹脂コート層を形成する。 - 特許庁
Next, a piezoelectric layer 32 is formed on the upper surface of the vibrating film 31 by depositing the particle of a piezoelectric material on the vibrating film 31 so as to cover the areas overlapping the respective pressure chambers 14 formed in the cavity plate 41 in a plan view.例文帳に追加
次に、振動膜31の上面に、平面視でキャビティプレート41に形成された各圧力室14と重なる領域を覆うように、圧電材料の粒子を振動膜31上に堆積させることにより圧電層32を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a highly reliable wiring structure by suppressing permeation of moisture to the upper layer even if a moisture absorbing SiO_2 film is employed as an insulation film material thereby suppressing deterioration of an organic insulation film.例文帳に追加
絶縁膜材料に吸湿性を持つSiO_2 膜を用いても上層への水分の浸透を抑制して上層に形成される有機絶縁膜の変質を抑制することで、信頼性の高い配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
A sheet of film-carrier wiring tape 2 having a wiring layer formed in a predetermined pattern is applied on upper, bottom and one side surfaces of a semiconductor chip 1, external connection parts 36 are provided on these surfaces to form a semiconductor device 71.例文帳に追加
所定のパターンに形成された配線層を有する一枚のフィルムキャリア状配線テープ2を半導体チップ1の上面、底面及び一側面に貼付し、これらの面に外部接続部36を配設した半導体装置71を構成する。 - 特許庁
To provide a radio communication terminal, a radio communication system capable of reducing interference of communication by disturbance wave even without having a means for notifying change of a carrier to which a control channel is assigned by an upper layer of communication.例文帳に追加
制御チャネルを割り当てるキャリアの変更を通信の上位階層によって通知する手段を持たなくても妨害波による通信の妨害を軽減することが出来る無線通信端末、無線通信システムを提供することを目的とする。 - 特許庁
This method of manufacturing the semiconductor element includes preparing a substrate having a non-flat three-dimensional shape and having a main surface including a substantial topography variation and forming a first cap layer having an upper surface and an under surface on the main surface.例文帳に追加
半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第1キャップ層を主面の上に形成することとを含む。 - 特許庁
The illuminated display is mounted on a component carrier by a lot of spatially-variable, elastic and electrically conductive materials, wherein a material layer thereof provides a required variable distance and an electrical connection from the upper surface to the undersurface as a contact.例文帳に追加
点灯表示器は、空間的に可変の、弾性のおよび導電性の多数の材料によってコンポーネントキャリアに取り付けられ、この材料層は、必要とされる可変距離、および接点としての上面から下面までの電気接続部を提供する。 - 特許庁
In the heating toilet seat, an electric heating sheet wherein carbon is used as an energizing layer is installed on the upper inner side of the toilet seat, and an automatic opening/closing switch by a sensor is interposed in a circuit of the electric heating sheet.例文帳に追加
この発明は、便座の上部内側に、カーボンを通電層とした電熱シートを設置すると共に、前記電熱シートの回路にセンサーによる自動開閉スイッチを介装したことを特徴とする加温便座により、目的を達成することができた。 - 特許庁
The water cleaning apparatus has a pumping means 1 pumping the surface water upward, a regulating means 2 for regulating diffusion of the pumped surface water, and a conduit tube 3 having the upper end facing to the water surface and the lower end arranged in the lower layer.例文帳に追加
水質浄化装置は、表層水を上方に掻き揚げる揚水手段1と、掻き揚げられた表層水の拡散を規制する規制手段2と、上端が水面に臨み下端が低層部に配設される導水管3とを備えている。 - 特許庁
This bed comprises a bed body 2 placed on the upper part of the foundation, leg parts 3 formed by using the bed body as the base ends thereof and having tip parts in contact with leveling concrete layer to support the bed body, and adjusting parts 7 adjusting the vertical height of the bed body.例文帳に追加
基礎の上部に配置される土台本体2と、土台本体を基端として形成され、その先端部が捨てコンクリート層に接して土台本体を支持する脚部3と、土台本体の垂直高さを調整する調整部7とを備える。 - 特許庁
Anodically oxidized film 20, 21 are formed on the surface and side faces of the laminated film, and the terminal for external connection is formed by etching and removing the Al electrode 11 as the upper layer by using the anodially oxidized film 20, 21 as a mask so as to expose only the Ta electrode 10.例文帳に追加
積層膜の表面/側面に陽極酸化膜20,21を形成し、外部接続端子部は、陽極酸化膜20,21をマスクとし上層のAl電極11をエッチング除去し、Ta電極10のみを露出させて形成する。 - 特許庁
After the through holes are formed, the carrier copper foil 36 is removed together with the releasable layer 35 and plated layers for forming wiring are formed on the upper surface of the copper foil 31 and the lower surface of the copper foil 34 including the insides of the continuity holes.例文帳に追加
次に、キャリア銅箔36を剥離層35と共に剥離し、次いで銅の無電解めっきなどを行うことにより、上下導通用孔内を含む銅箔31の上面および銅箔34の下面に配線形成用めっき層を形成する。 - 特許庁
The first wire 21 includes a horizontal part 21A provided on the upper layer of the second wire 22 and extending in a horizontal direction and a leaf part 21B dendritically extending in a vertical direction over the first transfer electrode 11 from the horizontal part 21A.例文帳に追加
第1の配線21は、第2の配線22の上層に設けられ水平方向に延びる水平部21Aと、水平部21Aから延長して枝状に垂直方向に延びて第1の転送電極11上に延びる枝葉部21Bとを有する。 - 特許庁
The upper connection layer 4 comprises parallel arrangement of vertically disposed block type couplers 41, 42, 43, and 44 each having a vertical passage 61 for connecting a line of mutually adjacent fluid control devices to each other, and a through passage 62 connected to the fluid control devices.例文帳に追加
上接続層4が、1つの列の隣り合う流体制御機器同士を接続する縦方向通路61および流体制御機器に通じる貫通路62を有し縦方向に並ぶブロック状継手41,42,43,44が並列に配置されることにより形成されている。 - 特許庁
To provide a top-emission type electroluminescent element in which a total optical transparency of films of the upper part of a light-emitting layer including a transparent conductive film is made to be improved, and in which effective light-emitting intensity can be obtained by improving electron injection efficiency.例文帳に追加
透明導電膜を含めた発光層上部の膜の合計した光透過性を向上させ、かつ電子注入効率を向上させて有効な発光強度が得られるようにした、トップエミッション型のエレクトロルミネセンス素子を提供する。 - 特許庁
A wing portion 12b of a stopper layer 12 is extended from the side surface of a cap portion 10a covering the top of wiring of a silicon oxide film (a first insulating film) 10 to an air gap 16 side and is provided on the upper periphery of an air gap 16.例文帳に追加
酸化シリコン膜(第1絶縁膜)10のうち配線頂部を覆うキャップ部位10aの側面からエアギャップ16側にストッパー層12の翼部位12bが延設されており、エアギャップ16の上方周縁部上に設けられている。 - 特許庁
A front layer of a side face and an upper surface of the resist pattern is etched by a plasma of a mixture gas containing at least one first gas selected from the group consisting of He, Ne, Ar, Xe, Kr, CO, CO_2 and N_2, and an SO_2 gas.例文帳に追加
He、Ne、Ar、Xe、Kr、CO、CO_2、及びN_2からなる群より選択された少なくとも1つの第1のガスとSO_2ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングする。 - 特許庁
Reflected light from the coating film layer 22 is transmitted through the thickness of the two pairs of transparent side faces 12 and 12, thereby guiding the light to the upper end surface 10a and lateral corners 10f and 10f at four corners of the measure-shaped container body 10 for reflection.例文帳に追加
そして、塗膜層22からの反射光を2対の透明な側面12,12…の厚み内を透過させることによって、升形の容器体10の上端面10aと四方の横角部10f,10f…とに導光し、反映させる。 - 特許庁
To provide a bleaching method of a woody fiberboard by which the time required for bleaching an upper-layer portion is reduced, a pre-process is simplified, the molding time is shortened and besides, continuous molding of the woody fiberboard can be performed on a continuous line.例文帳に追加
上層部分の漂白にかかる時間を少なくし、前工程が簡単となり、成形時間が短く、しかも連続ラインで木質系繊維板を連続的に成形することのできる木質系繊維板の漂白方法を提供する。 - 特許庁
Moreover, after forming a via 8 on the copper wiring 6 so that an insulating layer 7 may be formed for covering portions other than the upper surface of the via 8, copper wiring 9 connected electrically to the copper wiring 6 and the via 8 is formed on the insulating film 7.例文帳に追加
更に、銅配線6上にビア8を形成し、ビア8の上面以外の部分を覆うように絶縁層7を形成した後、絶縁膜7上に銅配線6とビア8を介して電気的に接続された銅配線9を形成する。 - 特許庁
In the two-part cap 10 composed of a cap main body 100 and an inner stopper 200, which is fitted below a top plate 110 of the cap main body, the thin film layer 300 of ceramic is formed on at least the underside of the top plate of the cap main body or the upper side of the inner stopper.例文帳に追加
キャップ本体100 とこのキャップ本体の天板110 下に挿着する中栓200 とからなる2パーツキャップ10において、キャップ本体の天板の下面又は中栓の上面の少なくともどちらか一方にセラミック薄膜層300 を形成する。 - 特許庁
A piezoelectric element 7 is directly formed by anodically bonding the vibrating plate 6 formed of glass to the passage substrate 1 with pressure generation chambers 2 and nozzle openings 3, and by sequentially stacking a lower electrode 9a, a piezoelectric layer 8 and an upper electrode 9b thereon.例文帳に追加
圧力発生室2およびノズル開口3を有する流路基板1にガラス製の振動板6を陽極接合し、その上に下電極9a、圧電層8、上電極9bを順次積層することで、圧電素子7を直接形成する。 - 特許庁
In this case, a plurality of low dielectric constant film layers and the same number of wiring layers are alternately laminated on a semiconductor wafer, and the column electrode 14 is formed on a connection pad of an upper layer wiring formed via an insulating film.例文帳に追加
この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極14を形成する。 - 特許庁
A dry cutter 11 coated with a Ti series film is immersed into an aqueous solution 10 containing an alkali hydroxide and hydrogen peroxide to peel the upper layer of the Ti series film, and next, the dry cutter 11 is coated with a Ti series film.例文帳に追加
Ti系被膜がコーティングされたドライカッタ11を水酸化アルカリおよび過酸化水素を含有する水溶液10に浸漬して前記Ti系被膜の上部層を剥離し、次に、同ドライカッタ11にTi系被膜をコーティングすることを特徴とする。 - 特許庁
Consequently, the columnar mesa portion 18 is formed which has the diameter equal to the diameter L3 of the mask layer M2, and portions (including oxidation portions 11A and 16A) of the upper portion of the semiconductor stack structure 20D other than the mesa portion 18 are selectively removed.例文帳に追加
これにより、マスク層M2の直径L3と等しい直径の柱状のメサ部18が形成されると共に、半導体積層構造20Dの上部のうちメサ部18以外の部分(酸化部分11A,16Aを含む)が選択的に除去される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a base plate with a semiconductor framework referred to as a CSP arranged on it and a second upper layer wiring for test provided for a function test, and capable of downsizing overall planar size.例文帳に追加
CSPと呼ばれる半導体構成体をベース板上に配置し、その上に、ファンクションテストのために設けられたテスト用の第2の上層配線を有する半導体装置において、全体としての平面サイズを小さくする半導体装置を提供する。 - 特許庁
A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.例文帳に追加
アモルファスシリコンからなる半導体薄膜41を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ3は、ポリシリコンからなる半導体薄膜25、26を有する駆動回路用のCMOS薄膜トランジスタ21、22よりも上層側に設けられている。 - 特許庁
In the display of the POI icons, facilities are divided into facilities unusable at present and the facilities usable at present, and after displaying the icon of the facilities unusable at present, the icon of the facilities usable at present is displayed on the upper layer.例文帳に追加
その表示に際しては、現在利用できない施設と現在利用できる施設とに分け、現在利用できない施設のアイコンを表示した後、その上層に現在利用できる施設のアイコンを表示することにより実施可能である。 - 特許庁
Thus, the p-type upper epitaxial layer 5 becomes a gate area between the source area 7 and the drain area 9.例文帳に追加
そして、ゲート電極11が、p型下エピタキシャル層3およびp^+型領域6を介して、p型上エピタキシャル層5と電気的に接続されることにより、ソース領域7とドレイン領域9との間のp型上エピタキシャル層5は、ゲート領域となっている。 - 特許庁
This plasma display panel includes: a front panel in which a magnesium oxide protective layer containing an element of the halogen group is formed on an upper part of a dielectric material; and a rear panel which is separated from the front panel at a given distance and coalesced with the front panel.例文帳に追加
本発明によるプラズマディスプレイパネルは誘電体上部にハロゲン族元素を含んだ酸化マグネシウム保護層が形成された前面パネル及び前記前面パネルと一定間隔離隔されて前記前面パネルと合着された背面パネルを含む。 - 特許庁
A piezoelectric vibration piece 15 is joined on mount electrodes 4a, 4b provided on one part of the shelf portion on the second layer 1b via a conductive adhesive 100, and is almost horizontally supported in cantilever while being positioned on the upper part of the circuit module 60.例文帳に追加
第二層1bの棚部の一部に設けられたマウント電極4a,4bには、導電性接着剤100によって圧電振動片15が接合され、回路モジュール60の上方に位置しながら略水平に片持ち支持されている。 - 特許庁
To provide a paper for wallpaper not only readily peelable during repapering, but also leaving a uniform paper layer on the wall surface after peeling and easily newly pasted from the upper part thereof even without especially carrying out surface treatment and affording an excellent volume feeling.例文帳に追加
張り替え時に剥がし易いだけでなく、剥がした後に壁面に残る紙層が均一であって、特に下地処理をしなくても容易にその上から新たに貼ることができ、しかもボリューム感に優れたものとなる、紙壁紙を提供する。 - 特許庁
The mattress is obtained by superimposing urethane foam layers, where one surfaces are profile surfaces and the other surfaces are flat surfaces, with the profile surfaces facing up, arranging the fibrous cotton layers on the upper and lower sides of a middle layer which is obtained by the superimposition of the urethane foam layers, so as to form a lamination body, and covering the lamination body with cover texture.例文帳に追加
一方の面をプロファイル面とし、他方の面を平面としたプロファイルウレタンフォームを、プロファイル面側を上向きにして重ねてなる中芯の、上下に繊維わたを配して積層体とし、該積層体をカバー地でくるんでなる。 - 特許庁
The land pattern 12a in the part covered by the BGA package IC is connected to the heat input part 14, which is provided in the upper face of the circuit board not covered by the BGA package IC, through via holes 14a, 14b and a middle layer 11a.例文帳に追加
BGAパッケージICに覆われる部分のランドパターン12aは、バイアホール14a,14bと中間層11aを介して、BGAパッケージICに覆われない回路基板の上面の部分に配した熱入力部14に接続させる。 - 特許庁
By determining whether the divided voltage potential is within the scope between an upper limit standard and a lower limit standard set by the determination circuit 13, it is inspected whether the resistance value between the shield layer 9 and the GND terminal is within the scope of a proper connection state.例文帳に追加
さらに、分圧電位が、判定回路13で設定された上限規格と下限規格の範囲内か否かを判定することで、シールド層9とGND端子の間の抵抗値が適正な接続状態の範囲にあるか否かを検査する。 - 特許庁
The illumination structure 1 includes: the light source 2 loaded on a box body 6; holes formed to the upper part of the light source 2 in the box body 6; a light transmitting member 4 covering the holes; and a printed layer 5 formed on the rear of the light transmitting member 4.例文帳に追加
照光構造1は、筐体6に搭載される光源2と、筐体6における光源2の上方に形成された穴部と、穴部を覆う光透過部材4と、光透過部材4の裏面に形成された印刷層5と、を備える。 - 特許庁
It is then coated with conductive adhesive 60 from the upper surface of the cavity unit 10 across the side face of the piezoelectric actuator 20 in the layer direction and the cavity unit 10 is grounded 61 along with the common electrode 25 thus bringing the cavity unit 10 into zero potential.例文帳に追加
キャビティユニット10の上面から圧電アクチュエータ20の積層方向側面にわたって導電性接着剤60を塗布し、キャビティユニット10をコモン電極25とともにグランド61に接続し、キャビティユニット10を零電位とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily form a contact connected to a pattern of a processing film on an upper layer of the pattern of the processing film serving as a line-and-space pattern less than an exposure resolution limit of the photolithography method.例文帳に追加
フォトリソグラフィ法の露光解像限界未満のラインアンドスペースパターンとなる被加工膜のパターンの上層に、その被加工膜のパターンと接続するコンタクトを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.例文帳に追加
本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーMOSFET部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁
Further, wirings 5 are formed which pass an upper layer of the intermediate electrodes 4 in the element isolation and is electrically connected to the vertical transfer electrodes 3 through contact holes 7, and to which is applied clock pulses for reading out and transferring signal charges.例文帳に追加
さらに素子分離上の中間電極4の上層を通ると共にコンタクト孔7を通じて垂直転送電極3に電気的接続され、信号電荷の読み出しおよび転送を行うためにクロックパルスが印加される配線5が形成される。 - 特許庁
An identification code 506 formed of a two-dimensional code including predetermined information is laser-marked to a resin surface layer of the cell sheet 501 in the adjacency of a right upper corner part of the decoration plate 503 corresponding to the outside of the game area.例文帳に追加
遊技領域の領域外に相当する装飾板503の右上コーナー部の近傍において、セルシート501の樹脂表面層に対し、所定の情報を含んだ二次元コードよりなる識別コード506がレーザー刻印されている。 - 特許庁
A covering film 24 made of novolak resin containing no photosensitizer is formed on the upper surface of a base metal layer 7 including the wiring 8, and a plating resist 25 for forming polar electrode made of a negative type dry film resist containing acrylic resin is formed.例文帳に追加
次に、配線8を含む下地金属層7の上面に、感光剤を含まないノボラック樹脂からなる被覆膜24を形成し、次いでアクリル樹脂を含むネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜25を形成する。 - 特許庁
Additionally, a rubber sheet 13 is adhered on a do-nut shaped part on a flat surface of a peripheral part of the base plate 11 , and a plurality of polishing chips 14 are adhered along a circumference under a deposition method coating diamond abrasive grains D on its upper layer.例文帳に追加
また、基板11の周辺部の平面上のドーナツ状部分にはゴムシート13が接着され、更にその上層にダイヤモンド砥粒Dを塗布した溶着法による複数個の研磨チップ14が円周に沿って接着されている。 - 特許庁
The upper layer metal wirings (MLo, MLe) for pile driving are extended from the word line drive circuits to be arranged face to face to a connection area (10) at the center part of the memory cell array, and mutually and electrically connected to the gate wirings in the connection area.例文帳に追加
杭打用の上層の金属配線(MLo,MLe)は、対向配置されるワード線ドライブ回路からメモリセルアレイの中央部の接続領域(10)まで延在させ、接続領域においてゲート配線に交互に電気的に接続する。 - 特許庁
Next, a position of a point of time at which the light source emits light by contacting a protruded portion from the unit substrate of the lower surface of the light source and the upper surface of the electrode layer being a wall surface of difference in level is made a desired position in the vertical direction to an accumulation surface.例文帳に追加
次いで、光源の下面のユニット基板からはみ出した部分と段差の壁面である電極層の上面とが接面することによって光源が発光した時点の位置を、集積面に垂直な方向での所望の位置とする。 - 特許庁
Around the periphery of the ground, the rainwater permeating the asphalt layer 2 is drained into a gutter 6 through the upper surface 7A of a permeable lid 7 for covering the opening of the gutter 6 and the curved recessed surface 7C of a permeated water receiving part 7B.例文帳に追加
一方、グラウンドの周辺部においては、アスファルト層2を透過した雨水等は、側溝6の開口を覆う透水性の覆蓋7の上面7Aおよび透水受部7Bの湾曲凹面7Cを透過して側溝6内に排水される。 - 特許庁
To solve a problem in an optical detector using an SOG film as an interlayer insulating film that the bottom surface of an aperture does not become flat due to difference in film thickness generated at an upper structure layer of a light receiver, and thereby uniformity in the quantity of incident light is broken within the light receiver surface.例文帳に追加
層間絶縁膜としてSOG膜を用いる光検出器において、受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。 - 特許庁
Further, the concentration of the phosphor 27 mixed in the layers 24, 25 is distributed in a way that a value multiplying the concentration of the phosphor 27 with an optical path length of the light emitted from the blue LED 17 to reach the upper face of the high concentration resin layer 25 is almost constant.例文帳に追加
更に、各層24,25に混入された蛍光体27の濃度を、青色LED17で発光された光が高濃度樹脂層25の上面に至る光路長に、蛍光体27の濃度を掛けた値がほぼ一定となるように分布させる。 - 特許庁
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