「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(200ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, a pigment coated with an organic compound is dispersed in the base material organic compound with the hydrophilicity-imparting material, placed on the upper layer of the base material composed of aluminum or aluminum alloy, and baked to form the hydrophilic color coating.例文帳に追加

好適には、有機化合物でコーティングした顔料を親水性付与材とともに母材有機化合物に分散させ、これをアルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材の上層に置いて焼き付けを行って親水性着色皮膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises level shift diodes D1 and D2 etc., formed on a substrate S_1 and the resistance loss compensating capacitor C_s formed in an upper layer facing at least parts of the level shift diodes D1 and D2, etc.例文帳に追加

基板Ｓ_１ 上に形成されたレベル・シフト・ダイオードＤ１及びＤ２など、並びに、レベル・シフト・ダイオードＤ１及びＤ２などの少なくとも一部と対向する上層に形成された抵抗損失補償用キャパシタＣ_ｓ を含む構成になっている。 - 特許庁

A manganese silicate film 22 formed by a reaction with a silicon oxide-based insulation film 21 formed on a conductor 14 formed in a concave portion 12 formed on an insulation film 11 is formed on the upper layer of the conductor 14.例文帳に追加

絶縁膜１１に設けられた凹部１２の内部に形成された導電体１４上面に、該導電体１４上に形成された酸化シリコン系絶縁膜２１との反応により生成されたマンガンシリケート膜２２が形成されているものである。 - 特許庁

An upper main electrode region of a 3D pillar SGT includes a selective epitaxial growth semiconductor layer, and at least two adjacent 3D pillar SGTs are connected in parallel by bringing the respective selective epitaxial growth semiconductor layers into contact with each other.例文帳に追加

３Ｄピラー型ＳＧＴの上部主電極領域が選択エピタキシャル成長半導体層を含み、少なくとも２つの隣接する３Ｄピラー型ＳＧＴを、各々の選択エピタキシャル成長半導体層を接触させて並列接続する。 - 特許庁

Plural semiconductor mesa structural bodies 401 and 402 with an Al oxide layer 407 interposed are arranged in parallel in a base part, and the upper parts of the mesa structural bodies 401 and 402 are mechanically and electrically connected.例文帳に追加

この発明では、基部にＡｌ酸化層４０７が挟まれた複数の半導体メサ構造体４０１、４０２を並列し、かつ該メサ構造体の上部同士を半導体接合層４０５により機械的かつ電気的に接合させることにより解決する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

In addition, in order to allow the optical waveguide structure to be independent of temperature, the upper clad layer 3 is covered with polymer material (PMMA, polyimide etc.) of which the refractive index is approximately equal to that of SiO_2 glass and the temperature coefficient of the refractive index has an opposite sign to that of SiO_2 glass.例文帳に追加

さらに、温度無依存にするため、上部クラッド層３がＳｉＯ_２ガラスと屈折率がほぼ等しいが、屈折率の温度係数がＳｉＯ_２ガラスとは反対の符号を有するポリマー材料（ＰＭＭＡ、ポリイミド等）で覆われている。 - 特許庁

In addition, an LP-silicon nitride forming an etching stopper film 5A to be used for the formation of the optical waveguide is provided in an area other than the light reception area, e.g. on the upper layer of a transistor, so that the permeation of hydrogen can be prevented and the degrading of characteristic be also prevented.例文帳に追加

また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜５Ａを構成するＬＰ−窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。 - 特許庁

On the front and back surfaces of the bonding base board fitted on the synthetic resin bag body, illustrations, letter patterns and adhesive layer are respectively formed, and a releasing channel and an opening portion are formed at prescribed positions thereof, the opening portion sandwiching and holding the upper fastening portion of the synthetic resin bag body.例文帳に追加

また、合成樹脂袋体に取り着ける接着台紙には、表裏面に図柄、文字模様と粘着層とを各形成し、且つ所定位置に開放溝と合成樹脂袋体の上部を束ね部を挟持する開口部を形成してある。 - 特許庁

After forming a first inter layer insulating film 140 having a metal plug that surrounds a fuse where the fuse wiring of the semiconductor device is formed on the upper part of the fuse, a lower guard ring pattern 204a that surrounds the fuse is formed on the metal plug.例文帳に追加

半導体装置のヒューズ配線が形成されたヒューズ部の上部にヒューズ部を取り囲む金属プラグを有する第１層間絶縁膜１４０を形成した後、金属プラグ上に前記ヒューズ部を取り囲む下部ガードリングパターン２０４ａを形成する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion device is constituted by laminating a lower electrode, an organic layer, and an upper electrode in order.例文帳に追加

また、そのような特性を有する有機光電変換素子の層を別の有機光電変換素子層や他の光電変換素子層と積層することで、低ノイズ・高感度で色分離に優れ、偽色やシェーディングの少ない積層型カラー光電変換素子を提供すること。 - 特許庁

The optical device 1 has one or a plurality of self light-emitting elements 100, formed on a substrate 2 so as to interpose at least a light emitting layer between the lower electrode 3 and upper electrode 6, as one pixel 10.例文帳に追加

光デバイス１は、基板２上に形成された、下部電極３と上部電極６間に少なくとも発光層を含む成膜層５を狭持した自発光素子１００を一画素１０として、当該自発光素子１００を一つ又は複数個備える。 - 特許庁

To provide an array ultrasonic probe which includes three or more acoustic matching layers, the uppermost acoustic matching layer among them having a low attenuation rate, excellent dicing workability, heat resistance, and adhesiveness to upper and lower layers, and a proper acoustic impedance.例文帳に追加

３層以上の音響整合層のうち、低減衰率でダイシング加工性、耐熱性、上下層との接着性に優れ、かつ適切な音響インピーダンスを有する最上層の音響整合層を備えたアレイ式超音波プローブを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can improve design flexibility for formation of a wiring pattern in the upper conductive layer by reducing the plane size of a pad to be formed in a via position; and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

ビア位置に形成されるパッドの平面寸法を小さくすることにより、上層の導電層における配線パターン形成の設計自由度を向上させることができる半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁

The light-resistant heat fading material is constituted by providing oxygen gas barrier layers 3 [oxygen permeability is not more than 1200 ml (m^2×d×MPa), preferably, 0-600 ml/(m^2×d×MPa)] at least on both upper and rear surfaces of a heat fading layer 2.例文帳に追加

熱変色層２の少なくとも表裏両面に酸素ガスバリヤー層３（酸素透過度が１２００ｍｌ／（ｍ^2 ・ｄ・ＭＰａ）以下、好ましくは、０〜６００ｍｌ／（ｍ^2 ・ｄ・ＭＰａ）を設けたことを特徴とする耐光性熱変色体１。 - 特許庁

To provide a dip coating apparatus, of which the diameter of a coating vessel, the height of a vapor layer and the diameter of an opening part of coating vessel upper cap, through which a cylindrical substrate is passed freely adjustable, and which gives a uniform film thickness on the whole surface of a substrate.例文帳に追加

塗工槽径、蒸気層高さ、及び円筒状基体の通過する塗工槽上蓋開口部の径を自在に調整でき、基体全表面に均一な膜厚の塗膜層を与える浸漬塗布装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This fixing device comprises a fixing device body 2 comprising a ring 11 fixed to the upper surface of a fixing piece 10 having two or more mounting holes 12 and an elastic seal layer 13 provided on the lower surface of the fixing piece 10; and a fixture 3 such as nail.例文帳に追加

２個以上の取付孔１２が設けられた固定片１０の上面にリング１１が固定され、該固定片１０の下面に弾性シール層１３が設けられた固定装置本体２と、釘等の取付具３とからなる構成とする。 - 特許庁

Moreover, the second impurity diffused layer 103 and the upper electrode 113 are electrically connected via the second metal film 113 formed at the wall and the bottom of the second contact plug 107 and a second opening 110b.例文帳に追加

そして、第２の不純物拡散層１０３と上部電極１１３とは、第２のコンタクトプラグ１０７及び第２の開口部１１０ｂの壁部及び底部に形成されている第２の金属膜１１３を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

A seal mounting pattern 14 and the group of upper through-holes 7 are configured not to be connected to a ground pattern such as a surface ground pattern 15, thereby a dielectric multi-layer substrate 2 is not required to be a perforated deformed substrate, and its mass productivity is improved.例文帳に追加

また、シールリング実装パターン１４及び上部スルーホール群７は、表面グランドパターン１５などのグランドパターンとは接続されない構成であるので、誘電体多層基板２は穴あき異形基板とする必要がなく、量産性が向上する。 - 特許庁

Thus, the average of step heights upper and inner interfaces becomes 30 nm or smaller, and a lamination structure of a planarized δ doped layer is formed, thereby obtaining a semiconductor element with large breakdown strength and high mobility.例文帳に追加

これにより、上面及び内部の界面のステップ高さの平均が３０ｎｍ以下と平坦化されたδドープ層の積層構造を形成することができるので、これを用いて耐圧が高く、移動度の大きい半導体素子を実現することができる。 - 特許庁

Next, a 10 nm or less thick n-side cap layer 8A composed of different material from that of the gate electrode metal film M is formed on only the entire portion belonging to the inside of an nFET region Rn out of an upper surface of the gate electrode metal film M.例文帳に追加

次に、ゲート電極用金属膜Ｍの上面のうちでｎＦＥＴ領域Ｒｎ内に属する部分にのみ、全面的に、ゲート電極用金属膜Ｍとは異種材料の、１０ｎｍ以下の厚みのｎ側キャップ層８Ａを形成する。 - 特許庁

An interpreter 45 which transmits, receives, encodes, decodes, interprets or executes mobile agents is arranged on an upper layer of control software of the image processing device, and mobile agents 41, 42, ... and so on transferred from client devices such as a computer and a word processor are executed.例文帳に追加

画像処理装置の制御ソフトウェアの上位層に、モバイルエージェントを送受信、符号／復号化、解釈、実行するインタープリタ４５を配し、コンピュータやワードプロセッサなどのクライアント装置から移動してきたモバイルエージェント４１、４２…を実行する。 - 特許庁

In the touch panel with the satin finished surface formed on at least one of the opposed surfaces of the upper insulating substrate and the lower insulating substrate, the support plate composed of a plastic plate is adhered all over a rear surface of the lower insulating substrate by a spread viscous agent layer.例文帳に追加

上部絶縁基板と下部絶縁基板の対向面のうち少なくとも一方に梨地面が形成されたタッチパネルが、その下部絶縁基板の裏面にプラスチック板からなる支持板が拡散粘着剤層により全面的に接着されている。 - 特許庁

Further, the insulating layer 6 consisting of polyimide or the like is formed around the rewiring circuit 3 and the thermal stress relaxing post 4 excluding the upper surface of the thermal stress relaxing post 4, then, a solder bump 7 is formed further on the thermal stress relaxing post 4.例文帳に追加

また、これら再配線回路３と熱応力緩和ポスト４の周囲に、該熱応力緩和ポスト４の上面を除いてポリイミド等からなる絶縁層６を形成し、更に前記熱応力緩和ポスト４上にはんだバンプ７を形成する。 - 特許庁

The route from the package terminals 160 up to the 1st inter-substrate conduction terminals 170 is via the upper-layer wiring 152, one of the side faces 122A of the bed electrode 122, the bed electrode 122, the other side face 122A, and the 1st inter-substrate conduction terminals 170.例文帳に追加

実装端子１６０から第１基板間導通端子１７０までの経路は、上層配線１５２→下地電極１２２の一方の側面１２２Ａ→下地電極１２２→他方の側面１２２Ａ→第１基板間導通端子１７０となる。 - 特許庁

The heat-resistant coating member is prepared by coating the surface of a carbonaceous material having a coefficient of thermal expansion of 2×10^-6 to 7.3×10^-6/°C with an undercoat film containing at least W and an upper layer film comprising a Y-based oxide.例文帳に追加

熱膨張係数が２×１０^−６〜７．３×１０^−６／℃の炭素質材の表面に、少なくともＷを含有する下地膜と、Ｙを主とする酸化物からなる上層皮膜を被覆してなることを特徴とする耐熱性被覆部材である。 - 特許庁

The method for cultivating a plant using a hydroponic container having a soil layer includes: setting up an upper part airspace structure shading the cultivated plant from light to carry out light shading treatment; and spraying low-molecular chitosan-containing compound fertilizer liquid to the leaves of the cultivated farm crop several times during a cultivation period.例文帳に追加

栽培植物を遮光する上部空域構造を設定して遮光処置を行うと共に、栽培期間中に低分子キトサン含有複合肥料液を栽培農作物の葉部に複数回散布する方法を提供した。 - 特許庁

To provide a method for purifying contaminated soil/underground water and a stirring well for purification which can efficiently execute purifying treatment of the contaminated soil/underground water without drilling to the soil contaminated with volatile organic compounds accumulated in an upper part of a hardly permeable layer.例文帳に追加

難透水層上部に堆積されている揮発性有機化合物の汚染土壌に対しても、掘削をせずに汚染された土壌・地下水を効率良く浄化処理できる汚染土壌・地下水の浄化方法と浄化用の攪拌ウエルを提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a steelmaking slag with which the high quality slag can be obtained by promoting bubble-removal of the molten steelmaking slag containing the bubbles for effectively using the steelmaking slag as an upper layer road bed material, aggregate for concrete, stone raw material, etc.例文帳に追加

製鋼スラグを，上層路盤材，コンクリート用骨材，石材原料等の用途に有効利用すべく，気泡を含んだ溶融製鋼スラグの消泡を促進して高品質なスラグを得ることが可能な製鋼スラグの処理方法を提供する。 - 特許庁

The slope way sections 1 are formed by installing slope structures 1a formed among the floor heights of the building in a continuous layer manner in the vertical direction, and a straight passage structure in which a fire-escape passage for the walkers is ensured from the upper floors of the building to fire-escape floors is formed.例文帳に追加

スロープ昇降部１は、建物の階高間に形成されたスロープ構造体1aを上下方向に連層的に設置して形成され、建物の上階から避難階まで歩行者の避難経路が確保される直通構造をなす。 - 特許庁

The upper surface of the AlInGaN layer 101 includes at least one first inclined plane 101a inclined in a [0001] direction from the (m) plane and at least one second inclined plane 101b inclined in a [000-1] direction from the (m) plane.例文帳に追加

ＡｌＩｎＧａＮ層１０１の上面は、ｍ面から［０００１］方向に傾斜した少なくとも１つの第１傾斜面１０１ａと、ｍ面から［０００−１］方向に傾斜した少なくとも１つの第２傾斜面１０１ｂとを有している。 - 特許庁

The layer of high-speed air stream is generated above an opening part 10 of an upper cover 5 where an atomizing nozzle 9 for jetting the release agent to the split surface of the metal mold enters and leaves, and the release agent mist 12 coming from a lower side is sucked together with the air stream.例文帳に追加

金型の分割面に離型剤を噴射する噴霧ノズル９が出入りする上部カバー５の開口部１０の上方に、高速の気流の層を作り、下方から上がってくる離型剤ミスト１２をこの気流に乗せて吸引する。 - 特許庁

At the contact hole part 18, organic EL layers 15, 16, 17 of three colors are formed so as to be superimposed on one another and, as the result, short-circuiting between the upper electrode 19 and the pixel electrode 13 due to the disconnection caused by the step of the organic EL layer 15 can be avoided.例文帳に追加

コンタクトホール部１８においては、３色の有機ＥＬ層１５、１６、１７が重畳して形成されており、有機ＥＬ層１５の段切れによる上部電極１９と画素電極１３のショートを回避することが出来る。 - 特許庁

The solid-state image sensing device 1 includes a light-receiving 2 having an opening 7 formed as a pixel, a low-reflectivity film 9 provided over the opening 7 of the light-receiving part, and a film 16 for feeding hydrogen positioned on the upper layer than on the low-reflectivity film 9.例文帳に追加

開口部７を有する受光部２が画素として形成され、受光部２の開口部７上に低反射の膜９が設けられ、水素を供給する膜１６を低反射の膜９より上層に有する固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

This upper layer has on its top surface a plurality of well areas 103 of a 2nd conduction type a plurality of heavily doped source areas 104 of a 1st conductivity type, and a wavy part 202 which is formed by selective etching and parallel to the source areas.例文帳に追加

この上側層表面２０１に、第２導電型の複数のウエル領域１０３、第１導電型で高濃度ドープの複数のソース領域１０４、および選択エッチングで形成したソース領域に平行な波形部分２０２とを有する。 - 特許庁

An electromagnetic wave-reflection reducing layer 16 composed of a material having low density and a low dielectric constant such as porous concrete, a porous asphalt mixture or the like is installed to the upper section of a concrete slab 18, and the pavement slab 15 for preventing an electromagnetic interference is constituted.例文帳に追加

ポーラスコンクリート又はポーラスアスファルト混合物等の低密度で低誘電率の材料で構成した電磁波反射低減表層１６を、コンクリート版１８の上部に設けて、電磁波障害を防止するための舗装版１５を構成する。 - 特許庁

At this intersecting portion, at least either coil (e.g., the upper-layer coil 13B) is taken out of a slot 25 in an armature core 12 and is twisted so that the length of its own section is inclined to the direction of the radius of the armature core 12.例文帳に追加

この交差部では、少なくとも一方のコイル（例えば上層コイル１３Ｂ）が、電機子鉄心１２のスロット２５から取り出された後、自身の断面長手方向が電機子鉄心１２の径方向に対し傾斜する様に捩じられている。 - 特許庁

Due to this structure, a mounting structure can be realized wherein the analog IC chip is stacked in an upper layer, and hence the versatility of stacked mounting of a circuit device including an analog IC chip is expanded while the mounting area is reduced, and characteristics can be improved.例文帳に追加

これにより、アナログＩＣチップを上段に積層する実装構造が実現でき、アナログＩＣチップを含む回路装置のスタック実装の汎用性が高まると共に実装面積が低減し、かつ特性を向上させることができる。 - 特許庁

In addition, in the sheet-like material 1 for umbrella gore, the surface side (upper side of Fig. 1) of the base fabric 2 is coated with an adhesive, wherein the integrated layer is formed by laminating the transparent film 3 on the surface of the base fabric 2 before the adhesive is hardened.例文帳に追加

また、傘布用シート状物１は、ベース生地２の表面側（図１上側）には接着剤が塗布され、この接着剤が硬化する前にベース生地２の表面に透明フィルム３がラミネーションされて一体積層されたものである。 - 特許庁

The wiring board comprises a substrate 10; the banks 30 that is provided at the upper portion of the substrate 10 for partitioning a plurality of regions; and a conductive layer 52 and first and second wirings 54, 62 arranged in parallel between the banks 30 and the substrate 10.例文帳に追加

配線基板は、基板１０と、基板１０の上方に設けられ複数の領域を区画するためのバンク３０と、バンク３０と基板１０との間に並列して形成された導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２と、を有する。 - 特許庁

Further, the planar member, having no fixing end, is provided with a light reflection area on the upper face and a conductive body layer composed of an electrically conductive member at least in a part, and is arranged movably in a space between the substrate, the fulcrum member, and the stopper.例文帳に追加

更に、板状部材は固定端を持たず、上面に光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、基板と支点部材とストッパの間の空間内で可動的に配置される。 - 特許庁

A chip-mounting Cu plate 25 (or a Mo plate) is joined to the metallized layer 23 on the upper surface of the ceramic substrate 22 with an Ag solder material 26, and a semiconductor chip 27 is mounted onto the Cu plate 25 (or the Mo plate) with a high-temperature solder 28.例文帳に追加

セラミック基板２２の上面のメタライズ層２３には、チップ搭載用のＣｕ板２５（又はＭｏ板）をＡｇろう材２６により接合し、このＣｕ板２５（又はＭｏ板）上に半導体チップ２７を高温半田２８により搭載する。 - 特許庁

A bridge 1 is constituted by supporting the section between the floor slab supports at the space of the cross beams by a girder framing 10 composed of main girders 11 and the cross beam 12 in a synthetic floor slab 20, in which a concrete layer 21 is formed integrally on the upper side of a steel skeleton 30.例文帳に追加

橋梁１は、鋼骨格３０の上側にコンクリート層２１が一体に形成された合成床版２０を、主桁１１と横桁１２とから成る桁組１０によって床版支間を横桁間隔で支持して構成されている。 - 特許庁

The first filling section 18 is a layer of particulates 18a made of a conductive material that extends downward from the position separated from the aperture 16a of the upper electrode 16 and is provided in a column shape so that the lower end may contact the lower electrode 12.例文帳に追加

第１の充填部１８は、上部電極１６の孔部１６ａより離間した位置から下方に延出し、下面が下部電極１２に接するように、柱状に設けられた導電性材料からなる微粒子１８ａの層である。 - 特許庁