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upper-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11094件
A first conductive part 15a and a second conductive part 15b constituted as rectangular frames are respectively provided on the upper surfaces of the second insulating layer and a third insulating layer 22 spaced in parallel with the extending direction of the pseudo-post part so as to surround the pseudo-post part.例文帳に追加
この擬似ポスト部を取り囲むように、当該擬似ポスト部の延在方向に互いに平行に離間されている、第2の絶縁層及び第3の絶縁層22のそれぞれの上面上に、四角い枠状部として構成されている第1の導電部15a及び第2の導電部15bがそれぞれ設けられている。 - 特許庁
In the optical waveguide element 101 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 20 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser element is directly coupled to the end surface of the optical waveguide, an upper clad layers 24, 26, a first lower clad layer 21 and a second lower clad layer 22 are respectively formed on and under a core 23 of the optical waveguide.例文帳に追加
Siまたは石英からなる基板20上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザ素子が直接結合される光導波路素子101において、光導波路のコア23の上下にそれぞれ上部クラッド層24、26、下部第1クラッド層21および下部第2クラッド層22を形成する。 - 特許庁
Further, the device has a storage capacitor 70a formed in the upper layer side of the semiconductor layer 1a and having a first portion 301 which covers the data line side LDD region 1b and a second portion 302 which covers the pixel electrode side LDD region 1c and has a larger width in the X direction than the first portion 301.例文帳に追加
更に、半導体層1aよりも上層側に形成されており、データ線側LDD領域1bを覆う第1部分301と、画素電極側LDD領域1cを覆うと共に第1部分301よりX方向の幅が広い第2部分302とを有する蓄積容量70aとを備える。 - 特許庁
The wing part 20 is assembled from a lower layer to an upper layer while being supported by the needles 30A-30C and the rods 40A-40D, and in the assembly step, a wind resistant beam 21 at the uppermost part of the wing part 20 in the middle of assembly is temporarily supported by the connection plate 15B of the building by a temporarily provided rod 60.例文帳に追加
ウイング部20をニードル30A〜30Cおよびロッド40A〜40Dで支持しながら下層から上層に向かって組み立てるとともに、この組み立て工程では、組み立て途中のウイング部20の最上部の耐風梁21を仮設ロッド60で建物の接続プレート15Bに仮支持させておく。 - 特許庁
The foundation form mounting structure is made up of foundation form receiving portions 3 arranged on an upper surface of a base concrete layer 1, the foundation forms 2 each having the lower end thereof fitted in the foundation support portion 3 along the straight line, and retaining plates 4 each for fixing the foundation form support portion 3 and the lower end of the foundation form 2 to the base concrete layer 1.例文帳に追加
本発明は、ベースコンクリート層1上面に配置される基礎型枠受け部3と、この基礎型枠受け部3内に直線上にその下端が嵌め入られる基礎型枠2と、基礎型枠受け部3と基礎型枠2の下端をベースコンクリート層1に固定する押さえ板4とから構成されるものである。 - 特許庁
In an execution method repairing the existing road surface A1 such as a concrete pavement surface or a tile pavement surface A, permeable panels 1 previously integrally provided with pedestals 3 having the permeable block 2 of the upper layer and the drain means of the lower layer or/and a storing space 4 are laid.例文帳に追加
コンクリート舗装面あるいはタイル舗装面A等の既存の路面A1を改修する施工方法において、路面A1上に、上層の透水性ブロック2と下層の排水手段および/または貯留空間4を有する基台3とを予め一体的に設けた透水性パネル1を敷き並べること。 - 特許庁
Catalyst layer transfer sheets 1, 1' for transferring catalyst layers 3, 3' on an electrolyte membrane 5 of a polymer electrolyte fuel cell 30 include a sheet-like substrate 2 and a catalyst layer 3 formed wholly on one surface of the substrate 2, and a projecting part 4 is formed at right upper corner part.例文帳に追加
固体高分子形燃料電池30の電解質膜5上に触媒層3,3’を転写形成するための触媒層転写シート1,1’であって、シート状の基材2と、基材2の一方面全体に形成された触媒層3と、を備えており、右上角部に突起部4が形成されている。 - 特許庁
A first conductivity silicon region 1, a porous silicon layer 2 formed as an embedded layer inside the silicon region 1, and second conductivity source region 3a and drain region 4a which are different from the first conductivity and formed selectively in the upper surface of the silicon region 1, are provided.例文帳に追加
半導体装置は、第1導電型のシリコン領域1と、シリコン領域1の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層2と、シリコン領域1の上面内に選択的に形成された、上記第1導電型とは異なる第2導電型のソース領域3a及びドレイン領域4aとを備えている。 - 特許庁
To restrain filling failures when a lower blind through-hole is filled up with an upper resin layer in a so-called build-up technique where an insulating resin layer of permanent resin and a circuit pattern are successively formed on the surface of a circuit board.例文帳に追加
回路基板の表面上に永久レジストからなる絶縁樹脂層及び回路パターンを逐次的形成するいわゆるビルドアップ工法において、下層の非貫通式スルーホールを上層の樹脂層にて充填する際の充填不良の発生を抑制することができる配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁
A design condition of at least one of the upper layer insulation film 7 and the overlaying metal film 8 is adjusted based on the measured thickness of the lower layer insulation film 4 such that a total value of electrostatic capacitance of the first MIM capacitor and electrostatic capacitance of the second MIM capacitor approximates intended electrostatic capacitance.例文帳に追加
第1のMIMキャパシタの静電容量と第2のMIMキャパシタの静電容量の合計値が所望の静電容量に近づくように、測定した下層絶縁膜4の厚みに基づいて、上層絶縁膜7及び上地金属膜8の少なくとも一方の設計条件を調整する。 - 特許庁
A thick film circuit component comprises: an insulated substrate 11; and thick film electrode wiring 12 disposed on the substrate, and the thick film electrode wiring 12 includes a bonding connection of an aluminum wire overlapping an Ag-Pt thick film 12a disposed in a lower layer, and an Ag-Pd thick film 12b disposed in an upper layer.例文帳に追加
絶縁性基板11と、該基板上に配置された厚膜電極配線12とを備えた厚膜回路部品であって、前記厚膜電極配線12は、下層に配置されたAg−Pt系厚膜12aと上層に配置されたAg−Pd系厚膜12bとを重ねた、アルミワイヤのボンディング接続部を含むものである。 - 特許庁
The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加
通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁
The electronic component package includes a core substrate 30 of the structure that a recess 31 is provided by forming a prepreg insulating layer 10 having an opening on a resin layer 20a, and an electronic component 40 mounted so that the connecting pad 40a of the electronic part 40 becomes the upper side at the bottom of the recess 31 of the core substrate 30.例文帳に追加
樹脂層20a上に、開口部を備えたプリプレグ絶縁層10が形成されることによって凹部31が設けられた構造のコア基板30と、コア基板30の凹部31の底部に、電子部品40の接続パッド40aが上側になって実装された電子部品40とを含む。 - 特許庁
When plural photosensitive material layers 11, 12 each having a desired pattern are periodically laminated to obtain a laminated structure, the under surface of the upper layer side one of photosensitive material layers adjacent to each other in the laminating direction is formed apart from the substrate in the gaps in the pattern of the lower layer side one.例文帳に追加
所望のパターンを有する複数の感光材料層11、12が周期的に積層された積層構造体であって、積層方向で互いに隣接する感光材料層の下層側の感光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下面が下地から離間して形成されている。 - 特許庁
The average particle diameter of the dispersed phosphorescent particles is preferably 100-300 μm, and the dispersed phosphorescent particles can be produced by scattering a mixed glaze powder containing 0.5-5% phosphorescent material from a sieve on the upper surface of the lower glaze layer by dry process and forming a baked glaze layer.例文帳に追加
本発明において、点在する蓄光粒子の平均粒子径は、100〜300μmで有るのがよく、このような点在する蓄光粒子は、乾式法により前記下釉層の上面に質量%で蓄光材料を0.5〜5%含有する釉薬混合粉をふるい掛けして琺瑯焼成層を形成させることによって作製することができる。 - 特許庁
Next, one part of the conductive foil layer 43 is thermally transferred through the thermosetting adhesive agent layer 44 onto the sheet 12 by locally pressing and heating the film material 21 with an abnormality sensing circuit pattern forming part 34a of a first metal die 34 while pressing the upper surface of the film material 21 with the first metal die 34.例文帳に追加
次に第1の金型34によりフィルム素材21の上面を押圧し、第1の金型34の異常感知回路様パターン成形部34aによりフィルム素材21を局部的に押圧加熱し、導電箔層43の一部を熱硬化性の接着剤層44を介してシート12に熱転写する。 - 特許庁
In an insulation film layer 110 covering an upper surface of a substrate 100 in which a charge generation portion 102 is provided on a surface layer, a waveguide 140 is provided at a position corresponding to the charge generation portion 102, a hollow portion 150 is provided outside the waveguide 140 and the hollow portion 150 is made airtight in a structure with its opening sealed.例文帳に追加
電荷生成部102が表面層に設けられている基板100の上面を覆う絶縁膜層110において、電荷生成部102と対応する位置に導波路140を設けるともに、導波路140よりも外側に中空部150を設け、中空部150は空密とし間口を塞ぐ構造にする。 - 特許庁
This magnetic head having such a structure that a recording gap 16 is held between a low layer core 11 and an upper layer core 18 constituted of a tip recording core 18 corresponded to the specified recording width and a back yoke 19, is furnished with an auxiliary magnetic pole 20 between the tip recording core 18 and the back yoke 19.例文帳に追加
本発明は、記録ギャップ16を下層コア11と所定の記録幅に対応した先端記録コア18およびバックヨーク19で構成される上層コアとで挟持した構造を備える磁気ヘッドにおいて、上層コアの先端記録コア18とバックヨーク19との間に補助磁極20を備えるものである。 - 特許庁
An adhesive is coated to the surface of the flat board panel at the lower layer, the flat board panels in the upper layer are densely adhered and laminated by shifting back and forth and right and left directions of the flat board panel, and forming a predetermined size of a face body by repeating pluralities of sheets of lamination as the feature of the overlapped flat board panels.例文帳に追加
下層の平板パネル表面に接着剤を塗布し、該平板パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネルを密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とする平板パネルの重ね構造。 - 特許庁
The technical idea lies in a configuration in which respective film thicknesses of silicon nitride films SN1 to SN3 to be formed by lamination are not a fixed value but become smaller in order from the silicon nitride film SN3 in the upper layer to the silicon nitride film SN1 in the lower layer while the total film thickness thereof is kept constant.例文帳に追加
本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜SN1〜SN3のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜SN3から下層の窒化シリコン膜SN1にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。 - 特許庁
To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加
本実施形態の基板処理方法によれば、SOD膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したCu露出表面の還元処理及び当該SOD膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Cu配線と上層Cu配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加
DSB構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、2枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.例文帳に追加
磁性体の周面に形成された第1コイル21及び第2コイル22が磁性体の厚さtと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層20と、該コイル形成層20の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層12とを備えている。 - 特許庁
Consequently, the focusing position of the first laser light in the reproduction can be at the position shifting by the certain quantity toward an upper layer side from the focusing position of the laser light when the mark at the layer position to be reproduced is recorded, and consequently defocusing (ΔF) in the reproduction is suppressed to effectively suppress the decrease in SNR.例文帳に追加
これにより再生時における第1のレーザ光の合焦位置は、再生対象とする層位置のマークを記録したときのレーザ光の合焦位置から上層側に一定量ずれた位置となるようにすることができ、再生時のデフォーカス(ΔF)の抑制が図られ、SNRの低下を効果的に抑制できる。 - 特許庁
A conductive part 25A for inspection of the common electrodes is formed on the lower layer side of the insulating film and electrically connected to all the common electrodes 9 of odd numbers, while a conductive part 25B for inspection of the common electrodes is formed on the upper layer side of the insulating film 10 and electrically connected to all the common electrodes 9 of even numbers.例文帳に追加
また、絶縁膜の下層側に全ての奇数本目のコモン電極9と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部25Aが形成され、絶縁膜10の上層側に全ての偶数本目のコモン電極9と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部25Bが形成されている。 - 特許庁
To provide a liquid-liquid separation method which can perform the separation of an upper layer and an under layer with a high accuracy, can improve the qualities, such as those about color tone and impurities, of an obtained product, and can quickly perform the separation, improving productivity; and a (meth)acrylate production method using the separation method.例文帳に追加
上層と下層との分離を精度良く行うことができ、得られる製品の色調や不純物などについての品質を向上させることができると共に、分離を速やかに行うことができて生産性を向上させることができる液・液分離方法及び(メタ)アクリレートの製造方法を提供する。 - 特許庁
Bit lines 40, 41 of I/O lines of the data connected to a drain of the switching transistor are formed in a hierarchical structure formed of a metal wiring layer different from adjacent bit lines, and a shielding bit line 49 is provided in a vacant region of an upper layer side from the bit line formed in the hierarchical structure.例文帳に追加
前記スイッチングトランジスタのドレインと接続されたデータの入出力線であるビット線40、41が、隣り合うビット線と異なる金属配線層で構成された階層構造で形成されており、前記階層構造で形成されたビット線よりも上層側の空き領域に、シールドビット線49が設けられている。 - 特許庁
The light source device 1 is provided with a mounting board 2 having a plate-shaped first metal layer 23 mounted on its upper surface and composed of a metal material and at least one light emitting device 4 which is mounted so as to contact the first metal layer 23 of the mounting board 2 and has a light emitting element.例文帳に追加
光源装置1は、板状をなし、その上面側に形成され、金属材料で構成された第1の金属層23を有する搭載基板2と、搭載基板2の第1の金属層23と接触するように搭載され、発光素子を有する少なくとも1つの発光装置4とを備えている。 - 特許庁
In this case, since a second resistor layer 3b is formed in a wide range from the upper part of a first resistor layer 3a toward the base end side of the contact part 2, the resistor 3 gradually reduced in thickness from the tip side of the contact part 2 toward the base end side thereof can be easily formed.例文帳に追加
この場合、第1の抵抗体層3aの上から接触部2の基端側に向かって広い範囲に第2の抵抗体層3bを形成するようにしたので、接触部2の先端側から基端側に向かって徐々に厚さの小さくなる抵抗体3を容易に形成することができる。 - 特許庁
A soft magnetic metal glass layer 44, disposed on an upper surface of a substrate 110, maintains a structure similar to an amorphous structure without crystallization even when being heated and then gradually cooled in thermal imprinting, and as a result, a pattern is formed on the soft magnetic metal glass layer 44 with thermal imprinting without thermally influencing it.例文帳に追加
基板110上面に設けられた軟磁性金属ガラス層44は、熱式インプリントの際に加熱されかつ徐冷されても、結晶化することなくアモルファスと同様の構造を維持するので、熱的な影響を与えることなく軟磁性金属ガラス層44に熱インプリントでパターンを形成することができる。 - 特許庁
Transmission lines 3, 3 for drawing out the input and output signal of the semiconductor element 5 and an uncovered upper face ground metal pattern 4 isolated from the transmission lines 3, 3 and for covering the substantially whole face of the surface of the lower dielectric layer board 6 are provided on the surface of the lower dielectric layer board 6.例文帳に追加
下部誘電体層基板6の表面には、半導体素子5の入力及び出力信号を引き出すための伝送線路3・3と、伝送線路3・3とは絶縁されかつ下部誘電体層基板6の表面の略全面を覆う被覆されない上面グランドメタルパターン4とが設けられる。 - 特許庁
A porous rigid base 30 is placed on a supporting face 10 of a base side molding tool 11, and a molten resin laminated sheet 31 m formed of an intermediate molten resin layer 32 m in which a foaming agent is kneaded and a surface molten resin layer 33 m laminated together is so fed as to coat a base side molding tool and the upper face of the base.例文帳に追加
剛性のある多孔性の基材30を基材側成形型10の支持面11上に載置し、発泡剤が混練された中間溶融樹脂層32mと表面溶融樹脂層33mを重ねた溶融樹脂積層シート31mを基材側成形型と基材の上面を覆うように供給する。 - 特許庁
A support body 4 movable along a layeredly piled direction of the cards C and for supporting an under face of the card C1 in the lowermost layer under the condition where the plurality of cards C are stored, and an elastic body 41 for energizing the support body 4 toward a card C3 side in an upper layer are provided inside the card storage part 30.例文帳に追加
そしてカード収納部30内には、カードCの積層方向に移動可能であって、複数枚のカードCが収納された状態において最下層のカードC1の下面を支持する支持体4と、その支持体4を上層のカードC3側へ付勢する弾性体41とが設けられている。 - 特許庁
A part for forming a watermark pattern by microirregularity is formed on a nonwoven fabric and the upper paper layer is laminated to the nonwoven fabric to form a watermark pattern by the difference of fiber quantities between the protruded part and the recessed part and, as necessary, a lower paper layer is laminated relative to the nonwoven fabric to obtain the watermarked multi-ply paper.例文帳に追加
不織布に微細な凹凸による透かし模様形成部が形成され、不織布上に上層紙層を積層することで、凸部に対する繊維量と、凹部に対する繊維量の差により透かし模様が形成され、必要に応じて、不織布に対して下層紙層を積層した透かし模様入り多層抄き合わせ紙である。 - 特許庁
A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加
薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁
The plane type macromolecular optical waveguide 10 is an optical waveguide such that the wavelength of passing light is set to about 850 nm, and has a plane type core layer 11 of 20 μm in film thickness which is formed of a macromolecular organic compound and plane clad layers 12 between which the core layer 11 is sandwiched by an upper part and a lower part.例文帳に追加
平面型高分子光導波路10は、通過光の波長が850nm付近に設定された光導波路であって、それぞれ、高分子有機化合物からなる、膜厚20μmの平板状のコア層11、及びコア層11を上下から挟む平板状のクラッド層12を備える。 - 特許庁
An FRP waterproof layer 50 successively laminating a primer 12, a first FRP resin 14, a glass mat 16 and a second FRP resin 18 is formed on a substrate layer 10, and an adhesive tape 20 is stucked in the form of a lattice in order to form a tile style pattern on a foundation waterproof face 100 which is the upper face.例文帳に追加
下地層10上に、プライマ12、第1のFRP樹脂14、ガラスマット16、第2のFRP樹脂18を順に積層してなるFRP防水層50を形成し、その上面である基礎防水面100上にタイル風の模様を形成すべく粘着テープ20を格子状に貼り付ける。 - 特許庁
Any one of the lower layer 7 and the upper layer 9 has magnetization direction fixed to an external magnetic field and the other may have magnetization direction changeable depending on an external magnetic field so that the size of the external magnetic field can be detected, based on the change of a resistance for a sense current 22 in response to the external magnetic field.例文帳に追加
センス電流22に対する抵抗値が外部磁界に応じて変化することによって外部磁界の大きさを検知するように、下部層7と上部層9のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。 - 特許庁
A plane coil is pinched between a lower ferrite magnetic layer that is formed by baking a mixture of ferrite magnetic powder and a resin binder and an upper ferrite magnetic layer formed of a ferrite sintered plate, and gaps among coil wires of the plane coil are filled with a ferrite magnetic resin as a mixture of the ferrite magnetic powder and resin binder.例文帳に追加
フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物を焼成して得た下部フェライト磁性層とフェライト焼結板からなる上部フェライト磁性層との間に、平面コイルを挟み、該平面コイルのコイル線間の空隙に、フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物であるフェライト磁性樹脂を充填する。 - 特許庁
Thereafter, a second doped polysilicon film 28a and a second tungsten silicide film 28b are sequentially formed on the surface of a contact hole and the interlayer insulating film, and the second tungsten silicide film 28b and the second doped polysilicon film are patterned into an upper conductive layer pattern which comes into contact with the lower conductive layer pattern.例文帳に追加
その後、熱処理したコンタクト孔表面及び前記層間絶縁膜上に第2のドープしたポリシリコン膜28aと第2のタングステンシリサイド膜28bを順次形成し、第2のタングステンシリサイド膜と第2のドープしたポリシリコン膜をパターニングし、下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンを形成する。 - 特許庁
A wire connected to the gate of a MOS transistor for composing a signal read-out circuit is set to be the wiring 41 on the lower layer in the wires connected to the signal read-out circuit attached to and formed at each photoelectric conversion circuit, and the wiring connected to the source or drain of the MOS transistor is set to be the wiring 42 on the upper layer.例文帳に追加
各光電変換素子に付設形成された信号読出回路に接続される前記配線のうち信号読出回路を構成するMOSトランジスタのゲートに接続される配線を下層の配線41とし、MOSトランジスタのソースまたはドレインに接続される配線を上層の配線42とする。 - 特許庁
The second conductive layer 170 is formed to surround a central part of the upper surface 132 of the columnar part 130 by bypassing a second opening part 172 which opens to an outer direction from the central part, and formed to overlap more than half of a planar area of the first conductive layer 160 over the columnar part 130.例文帳に追加
第2の導電層170は、柱状部130の上面132の中央部から外方向に開口する第2の開口部172を避けて該中央部を囲むように形成され、かつ柱状部130の上方において第1の導電層160の平面面積の半分以上とオーバーラップして形成されている。 - 特許庁
In the organic solid storage apparatus having a solid storage tank receiving wastewater containing an organic solid and removing the solid by sedimention separation to allow treated water to flow out, the lower layer part of the solid storage tank is set to a solid storage part and the upper layer part thereof is set to an aerobic biological treatment part.例文帳に追加
有機性固形物を含む排水が流入し、固形物を沈殿分離により除去して処理水を流出する固形物貯留槽において、該固形物貯留槽の下層部分を固形物貯留部とし、上層部分を好気性生物処理部としたことを特徴とする有機性固形物の貯留装置。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加
シリコン基板11の上面に多孔質な多孔質シリコン層12を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層12の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜13を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
To achieve stable power generation by using thermocouple generators by obtaining heat energy sources on a road, on the rooftop of a building, on an open field, in the upper layer of the underground, and in the deep layer of the underground and by using unused heat energy without causing the discharge of a carbon dioxide.例文帳に追加
地表と地中が有する熱エネルギーの温度差から熱電対発電機で発電する装置に関し、路面、構築物の屋上面、露地面、地中上層部、地中深層部に熱エネルギー源を求め、未利用熱エネルギーを使い二酸化炭素の排出をせず熱電対発電機にて安定した発電を目的とする。 - 特許庁
The thickness of this decorative layer 16 gradually becomes larger from the boundary B of the surface side formed by the artificial marble 11 and the decorative layer 16 toward the upper site C in the figure 1 and see-through clarity to the artificial marble 11 is gradually decreased thereby toward the site C.例文帳に追加
この加飾層16の厚みは、人造大理石11と加飾層16とによって形成される表面側の境界Bから図1中上方の部位Cに向かって次第に大きくなっており、これによって、人造大理石11への透視鮮明度が境界Bから部位Cに向かって徐々に低下することとなる。 - 特許庁
After a source/drain electrode pattern is formed of the similar catalyst 2 at a part for forming a source/drain electrode 3B on an insulating layer 4 formed on the upper surface of the gate electrode 3A, similar plating agent is touched to the source/drain electrode pattern on the insulating layer 4 thus forming the source/drain electrode 3B.例文帳に追加
そして、このゲート電極3Aの上面に形成した絶縁層4上のソース/ドレイン電極3Bを形成する部分に、同様の触媒2でソース/ドレイン電極パターンを形成した後、同様のメッキ剤を絶縁層4上のソース/ドレイン電極パターンに接触させてソース/ドレイン電極3Bを形成する。 - 特許庁
On one substrate 1, a plurality of pixel electrodes 5 distributed on the upper layer, a plurality of switching elements TFT distributed on the lower layer via intermediate insulating layers 6a, 6b, and contact parts 7 for electrically connecting each pixel electrode 5 and each switching element TFT through the insulating layers 6a, 6b are formed.例文帳に追加
一方の基板1には、上層に配された複数の画素電極5と、中間の絶縁層6a,6bを介して下層に配された複数のスイッチング素子TFTと、絶縁層6a,6bを通して各画素電極5と各スイッチング素子TFTを互いに電気接続するコンタクト部7とが形成されている。 - 特許庁
This LED element is characterized in that the LED chip is jointed by a Au-Sn alloy layer formed directly on the upper surface of the heat radiation member, and the Au-Sn alloy layer has a concentration distribution wherein the concentration of the Au constituent is reduced toward the heat radiation member in the thickness direction.例文帳に追加
LED素子は、放熱部材の上面に直接形成されたAuSn合金層によって当該LEDチップが接合されてなり、当該AuSn合金層が厚さ方向において放熱部材に向かうに従ってAu成分の濃度が小さくなる濃度分布を有することを特徴とする。 - 特許庁
Gas forming members 21, 22 house an MEA 15 in the inside of framework-like frames 13, 14, and the first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加
枠状のフレーム13,14の内部にMEA15を収容し、該MEA15のアノード電極層17及びカソード電極層18と、前記フレーム13,14の上下両面に接合固定された第1,第2セパレータ23,24との間に第1,第2ガス流路形成部材21,22を介在する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
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