「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

The active matrix substrate further has an auxiliary capacitance common wiring connected to the auxiliary capacitance common electrodes, an upper conductive layer electrically connected to the auxiliary capacitance common wiring and an interlayer insulating layer provided between the pixel electrodes and the auxiliary capacitances and between the upper conductive layer and the auxiliary capacitances.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、さらに、補助容量共通電極に接続された補助容量共通配線と、補助容量共通配線に電気的に接続された上層導電層と、画素電極および上層導電層と補助容量との間に設けられた層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The plasma display panel provided with an upper panel and a lower panel facing each other with barrier ribs in between is composed of a first dielectric layer formed on the upper panel and a second dielectric layer which is formed on the above first dielectric layer by patterning and contains black pigment.例文帳に追加

隔壁を介して相対向する上部パネルと下部パネルを備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、上部パネルに形成された第１誘電体層と、前記第１誘電体層上にパターニングされて形成され、ブラック顔料が含まれた第２誘電体層と、を備える構成とした。 - 特許庁

The sample chuck 2 supporting the semiconductor sample 13 is provided with an upper side layer 6 formed of a semiconductor material and having a holding face 18 holding the sample, and a lower side layer 4 formed of a conductive material and laminated on the contrary side to the holding face of the upper side layer.例文帳に追加

半導体サンプル１３を支持するサンプルチャック２は、半導体材料から形成されかつ前記サンプルを保持する保持面１８を有する上側層６と、導電材料から形成されかつ前記上側層の前記保持面とは反対側に積層された下側層４とを備えている。 - 特許庁

This method includes a process providing a layer (a layer 108 in figures 1a-1d) which covers a substrate (a substrate 104 in figures 1a-1d), has an upper surface and contains tantalum pentoxide; and a process forming the structure containing tantalum and nitrogen by nitriding the upper surface of the layer of tantalum pentoxide.例文帳に追加

本方法は、基板（図１ａ−１ｄの基板１０４）を覆って、上部表面を有する五酸化タンタルを含む層（図１ａ−１ｄの層１０８）を提供する工程、および五酸化タンタルの層の上部表面を窒化して、タンタルおよび窒素を含む構造を形成する工程を含む。 - 特許庁

A stripped part 12 is formed on a base 4 for the stem for semiconductor laser by removing a part of an upper layer 9, while a heat sink 5 is protruded from the stripped part 12 whereby the stripped part 12 is not provided with a layer consisting of a material for forming the upper layer 9 or iron on the surface thereof.例文帳に追加

半導体レーザ用のステムのベース４には、その上層９の一部を除去することによってストリップ部１２が形成されており、ヒートシンク５は、ストリップ部１２から隆起することによって、その表面に上層９を形成する材料である鉄からなる層を有していない。 - 特許庁

The dye-sensitized solar battery includes a lower substrate and an upper substrate separated from each other, a semiconductor electrode layer arranged on the lower substrate, a dye layer adsorbed on a surface of the semiconductor electrode layer, and electrolyte solution arranged between the lower and the upper substrates.例文帳に追加

この染料感応太陽電池は、互いに離隔した下部基板及び上部基板と、下部基板上に配置された半導体電極層と、半導体電極層の表面に吸着された染料層と、下部及び上部基板間に配置される電解質溶液とを含む。 - 特許庁

Gas fuel is injected by a gas fuel supply device 12a-12d on the upper side of the charge layer 9 within a hood 21 arranged on the downstream side of the ignition furnace and surrounding the upper part of the charge layer 9, mixed with air and supplied to the charge layer 9 as diluted gas fuel.例文帳に追加

点火炉の下流側に配設された、装入層９の上部を囲むフード２１内における装入層９の上方で気体燃料供給装置１２ａ〜１２ｄによって気体燃料を噴射し、空気と混合して希釈気体燃料として装入層９に供給する。 - 特許庁

To obtain infrared light emission with a wavelength of approximately 610 nm on which display fabrication is based by a perovskite type oxide thin film EL element which has a lower insulating layer, a light emitting layer, and an upper insulating layer formed of oxide perovskite thin films on a lower electrode and further has an upper electrode formed thereupon.例文帳に追加

下部電極上に、酸化物ぺロブスカイト薄膜からなる絶縁層／発光層／絶縁層を作製し、その上に上部電極が作製されたぺロブスカイト型酸化物薄膜EL素子によって、ディスプレイ作成の基礎となる波長610nm近傍の赤色発光を得ること。 - 特許庁

Contrary to a case where the upper electrode layer 4 is composed of a semiconductor, ion doping for forming a semiconductor is not required when the upper electrode layer 4 is formed and thereby structural defects, e.g. a pinhole, incident to ion doping can be eliminated from the dielectric layer 3.例文帳に追加

上部電極層４を半導体で構成する場合とは異なり、上部電極層４を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になるため、そのイオンドープ処理に起因して誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥が生じなくなる。 - 特許庁

The film for forming a resist pattern by ionizing radiation lithography has at least one upper layer on a resist layer formed on a substrate and a composition in the upper layer contains an amphiphilic polymer selected from polyvinyl alcohol, polyvinylamine, polyallylsulfonic acid, cellulose, etc.例文帳に追加

電離放射線リソグラフィーよるレジストパターンの形成用膜において、基板上に形成したレジスト層上に少なくとも一層の上層を有し、上層中の組成物にはポリビニルアルコール、ポリビニルアミン、ポリアリルスルホン酸、セルロースなどから選ばれた両親媒性ポリマーを含有するレジストパターン形成用膜。 - 特許庁

The upper layer 13 is composed of NiFe, a simple substance of nickel, an NiFeX termary alloy (where X indicates chromium, cobalt, or copper), CoFe or copper, and it functions to promote the crystal growth of an antiferromagnetic layer 15 formed on the upper layer 13 itself in the direction of <111>.例文帳に追加

上部層１３は、ＮｉＦｅ、ニッケル単体、三元合金であるＮｉＦｅＸ（Ｘは、クロム，コバルトまたは銅のいずれか）、ＣｏＦｅまたは銅などからなり、自らの上に形成される反強磁性層１５における＜１１１＞方向の結晶成長を促進するように機能する。 - 特許庁

An upper part 10a and a bottom part 10b have a three-layer lamination structure including: a soft layer 11 such as felt on the inner side of a folding bag 10, contacting with an electronic device P; an external layer with durability such as leather; and hard intermediate layers for structurally supporting the upper part and the bottom part of a cover.例文帳に追加

上部１０ａ及び底部１０ｂは、電子装置Ｐと接触する折りかばん１０内側のフェルトなどの軟質層１１、革などの耐久性のある外側層、ならびにカバーの上部及び底部に構造的支持をもたらす堅い中間層からなる３層積層構造を備える。 - 特許庁

To prevent the corrosion of a high-saturation magnetic flux density layer when the upper surface of the high-saturation magnetic flux density layer formed by plating is made flat in the manufacturing of a thin film magnetic head having a high-saturation magnetic flux density layer made of a magnetic material containing Co and made flat for its upper surface.例文帳に追加

Ｃｏを含む磁性材料よりなり、上面が平坦化された高飽和磁束密度層を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、めっき法によって形成された高飽和磁束密度層の上面を平坦化する際における高飽和磁束密度層の腐食を防止する。 - 特許庁

A portion of light beam L2 made incident on the thin film transistor array substrate without being orthogonal to the light transmissive substrate is never made incident on a polycrystalline silicon film 5 forming a TFT by reflected by an upper light shielding layer 12 and the like since the lower light shielding layer has a width wider than that of the upper light shielding layer 12.例文帳に追加

光透過性基板に直交せずに薄膜トランジスタアレイ基板内に入射した光Ｌ２は、下部遮光層が上部遮光層１２よりも幅広であるため、上部遮光層などで反射されてＴＦＴを成す多結晶シリコン膜５に入射することがない。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes: the support substrate 1; a first nitride-based semiconductor layer 2 of a group III nitride-based semiconductor of which an upper surface 2b becomes at least a single crystal; and a second nitride-based semiconductor layer 3 that is provided on the upper surface 2b of the first nitride-based semiconductor layer 2 and contains nitrogen and gallium.例文帳に追加

支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 - 特許庁

In an area where wiring 440 is disposed, an outer peripheral end of an upper charge selective transmission layer 402 is disposed inside an outer peripheral end of a bias electrode 440, so that the outer peripheral end of the bias electrode 401 comes in direct contact with a photoconductive layer 404 not through the upper charge selective transmission layer 402.例文帳に追加

上部電荷選択透過層402の外周端は、配線440が配置された領域において、バイアス電極401の外周端の内側に位置するのでバイアス電極401の外周端が上部電荷選択透過層402を介することなく、直接、光導電層404に接触する。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

This liquid crystal display device includes an overcoat layer 25 formed on the upper side of the transmission display region 6 and on the upper side of the reflection display region 7 of the CF substrate 2, and a liquid crystal layer 1 which is formed between the TFT substrate 3 and the overcoat layer 25 and has a positive type liquid crystal.例文帳に追加

そして、ＣＦ基板２の透過表示領域６上側および反射表示領域７上側に形成されたオーバーコート層２５と、ＴＦＴ基板３とオーバーコート層２５との間に挟まれて形成され、ポジ型液晶を有する液晶層１とを備える。 - 特許庁

Subsequently, the photosensitive resin layer on an upper part of the support frame 107 and at an area of the fine structure body 106 is removed, and a sacrifice layer 111 in which an upper surface of the support frame 107 is exposed and the area of the fine structure body 106 is removed is formed on the insulation layer 103.例文帳に追加

次に、支持枠１０７の上部および微細構造体１０６の領域の感光性樹脂層を除去し、支持枠１０７の上面が露出し、かつ微細構造体１０６の領域が除去された犠牲層１１１が、絶縁層１０３の上に形成された状態とする。 - 特許庁

The image forming member includes an image forming layer 10, an upper drawn polymer sheet 12, a stuck adhesion layer 14 which comes into contact with the upper polymer sheet and also into contact with a lower drawn polymer sheet 16, and a positioning adhesive 16 which comes into contact with the reverse side of the lower polymer sheet in order from a top surface layer.例文帳に追加

表層から順に、画像形成層１０、上部延伸ポリマーシート１２、前記上部ポリマーシートと接しかつ下部延伸ポリマーシート１６とも接する貼り合せ接着層１４、および前記下部ポリマーシートの下側と接する位置決め接着剤１６を含んでなる画像形成部材。 - 特許庁

The laser trimmable capacitor is formed by laminating a lower electrode 3, an organic resin-made dielectric layer 5 and an upper electrode 6 on a base board 1, and an SiO2 contact layer A is formed between the dielectric layer 5 and the upper electrode 6.例文帳に追加

ベース基板１上に、下側電極３、誘電体層５、上側電極６を順次積層してなるとともに、誘電体層５が有機樹脂からなるレーザートリマブルコンデンサであって、誘電体層５と上側電極６との間に、ＳｉＯ_2からなる密着層Ａが形成されている。 - 特許庁

The cover 10 consists of a lower layer and an upper layer .The upper layer is made of flexible rubber so that friction with a putter made of hard rubber is increased.例文帳に追加

具体的には、コアー９とカバー１０よりなる球のカバーの部分を、下層と上層に作り分け、この上層を柔軟なゴムで作り、先に出願した硬質ゴム製のパターのヘッドとこすれ合う様にし、カット打ちなる言葉がパット界に登場し、且つ、定着する事を願う、というものである。 - 特許庁

The upper surface of the most upper layer of this layered product is processed in irregular surface S in partial or whole area, and a p-side electrode P102 is formed for filling hole into the p-type nitride semiconductor layer 104 in the second n-type nitride semiconductor layer 105.例文帳に追加

前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Ｓとされており、かつ、前記第２のｎ型窒化物半導体層１０５には、前記ｐ型窒化物半導体層１０４へ正孔を注入するためのｐ側電極Ｐ１０２が形成されている。 - 特許庁

The adaptor 10 includes a flat dielectric layer 11, first and second line conductors 12, 14 formed on the upper face and the lower face of the flat dielectric layer 11, and first and second ground planes 18, 15 formed on the lower face and the upper face of the flat dielectric layer 11.例文帳に追加

アダプタ１０は、平板状誘電体層１１と、平板状誘電体層１１の上面，下面上に形成された第１，第２線路導体１２，１４と、平板状誘電体層１１の下面，上面上に形成された第１，第２グランドプレーン１８，１５とを備えている。 - 特許庁

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently.例文帳に追加

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。 - 特許庁

The wiring board includes: a first insulation layer 10; first upper wires 11-17 embedded in the upper part of the first insulation layer 10; first lower wires 21-27 embedded in the lower part of the first insulation layer 10; and central vias 31 and 32 comprising solder balls connecting the upper wires 12 and 16 with the lower wires 22 and 26.例文帳に追加

第１の絶縁層１０と、第１の絶縁層１０の上部に埋設された第１の上部配線１１〜１７と、第１の絶縁層１０の下部に埋設された第１の下部配線２１〜２７と、第１の上部配線１２，１６と第１の下部配線２２，２６とを接続する半田ボールからなる中央ビア３１，３２とを備える。 - 特許庁

This thin film magnetic head is provided with at least an inductive writing head element including an upper core layer magnetically coupled to an upper magnetic pole for its front end, a lower core layer magnetically coupled to a lower magnetic pole for its front end, a coil conductor inserted between the upper and lower core layers, and a coil insolating layer formed by sandwiching the coil conductor.例文帳に追加

前端部で上部磁極に磁気的に結合している上部コア層と、前端部で下部磁極に磁気的に結合している下部コア層と、上部コア層及び下部コア層間に挿通しているコイル導体と、コイル導体を挟んで形成されたコイル絶縁層とを含むインダクティブ型書込みヘッド素子を少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドである。 - 特許庁

The optical transparent tach panel comprises an upper substrate 11 having an upper conductive layer 12 formed under the substrate, and a lower substrate 13 having a lower conductive layer 13 formed on the substrate facing to the lower conductive layer 14 with a fixed space therebetween, wherein a plurality of surface conductive layers 17A to 17D are formed on the upper substrate 11.例文帳に追加

下面に上導電層１２が形成された上基板１１と、上面にこの上導電層１２と所定の間隙を空けて対向する下導電層１４が形成された下基板１３からなり、この上基板１１の上面に複数の表面導電層１７Ａ〜１７Ｄを形成して光透過性タッチパネルを構成する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator 1 has a substrate 11, a lower barrier layer 12 provided below the substrate 11, an upper barrier layer 13 provided on the substrate 11, a lower electrode 14 provided on the upper barrier layer 13, a piezoelectric thin film 15 provided on the lower electrode 14, and an upper electrode 16 provided on the piezoelectric thin film 15.例文帳に追加

圧電共振子１は、基体１１と、基体１１の下に配置された下部バリア層１２と、基体１１の上に配置された上部バリア層１３と、上部バリア層１３の上に配置された下部電極１４と、下部電極１４の上に配置された圧電薄膜１５と、圧電薄膜１５の上に配置された上部電極１６とを備えている。 - 特許庁

When controlling the film thickness of the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for the fuse by etching the metal wiring insulating film 140 on that upper layer, the depth of a groove 170 generated by etching is exactly controlled by the etching stop film 180, and the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for fuse is formed with proper film thickness.例文帳に追加

その上層の金属配線間絶縁膜１４０をエッチングしてヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜の膜厚を調整する際に、エッチング停止膜１８０によってエッチングによる溝１７０の深さを正確に制御し、ヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜を適正な膜厚に形成する。 - 特許庁

A reflection layer 1A is formed on an upper side of a lower base 11, and the reflection layer has a resin layer 6 where a surface on the liquid crystal layer side has recessed and projecting patterns regulated in advance and a reflection film 4A formed on the recessed and projecting patterns.例文帳に追加

下側基板１１の上側には反射層１Ａが形成されており、反射層は液晶層側の面が予め規定された凹凸パターンを有している樹脂層６と、凹凸パターン上に形成された反射膜４Ａとを有している。 - 特許庁

A p type AlInP capacity reduced layer 100 of which the impurity concentration is lower than that of a p type AlGaInP 1st upper clad layer 14 is formed between the layer 14 and an n type AlInP current block layer 102.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４とｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０２との間に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４より不純物濃度が低いｐ型ＡｌＩｎＰ容量低減層１００を設ける。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer made by a gas phase deposition method, the phosphor layer consists of a lower layer which has a spherical crystal structure and an upper layer which has a columnar crystal structure.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、球状結晶構造を有する下層と柱状結晶構造を有する上層とから構成されている放射線像変換パネル。 - 特許庁

The voids can be formed by forming a resistance adjustment layer formed of heat-resistant inorganic fine particles on the light absorption layer, and forming the metal film tightly on the upper surface of the resistance adjustment layer through the smooth resin layer.例文帳に追加

また、光吸収層の上に耐熱性無機微粒子から成る抵抗調整層を形成し、この抵抗調整層の上面に平滑性樹脂層を介して金属膜を密接・形成することで、前記空隙を形成することもできる。 - 特許庁

The substrate silicon layer, having thickness in the range of 10 to 40 nm, is used to be constituted in this manner, and hence the silicon germanium layer is in a compression distortion state, so that the upper silicon layer and the substrate silicon layer are set to a tensile distortion state.例文帳に追加

厚さ１０〜４０ｎｍの範囲の基板シリコン層を用いてこのように構成することにより、シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、上部シリコン層と基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態とすることが可能となる。 - 特許庁

A PIN diode 212 is constituted on an insulation film 44 by sequentially laminating a lower electrode 212a, an N-type semiconductor layer 212b, a light receiving layer 212c made of a polysilicon layer, a P-type semiconductor layer 212d, and an upper electrode 212e.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２１２は、絶縁膜４４上に順に積層された下電極２１２ａ、Ｎ半導体層２１２ｂ、ポリシリコン層からなる受光層２１２ｃ、Ｐ型半導体層２１２ｄ、及び上電極２１２ｅを備えて構成されている。 - 特許庁

Each of the optical waveguide 10, the optical waveguide 20, the incident side optical demultiplexer 30, and the emission side optical multiplexer 40 has a lower clad layer, a core layer, an intermediate semiconductor layer, and an upper clad layer laminated in order on an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。 - 特許庁

This spin valve structure is equipped with: a Ta layer for improving the vertical magnetic anisotropy of the upper part [Co/Ni]_x multilayer reference layer 23; and a composite seed layer 22 including a metal layer having a fcc [111] or hcp [001] structure.例文帳に追加

このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。 - 特許庁

Organic light-emitting devices 10R, 10G and 10B are provided with a first electrode layer 13, a lower part organic layer 14, an upper part organic layer 15 and a second electrode 16 on a concave part 121 of a flat insulation layer 12 fitted on a base body 11, in this order.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基体１１に設けられた平坦化絶縁層１２の凹部１２１に、第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５および第２電極１６が順に設けられたものである。 - 特許庁

Desirably, the mixed layer is formed in such a manner that, after the carbonaceous material is charged to the upper part of the sintering raw material layer on both the edge parts in the width direction of the sintering pallet, the surface of the sintering raw material layer is flattened, and the thickness of the mixed layer is preferably ≤50 mm.例文帳に追加

焼結パレットの幅方向両端部の焼結原料層上部に炭材を装入した後に焼結原料層表面を平坦化することで混合層を形成し、混合層の厚さが５０ｍｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁

The part of a conductive layer 9 forming electrodes to be connected to an MR element in the groove formed between the lower shielding layer 5, and the 1st part 6a of the upper shielding layer are arranged in a state in which it is insulated by an insulator layer 8.例文帳に追加

下部シールド層５と上部シールド層の第１の部分６ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層９の一部が、絶縁膜８によって絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

After the formation of a wiring layer by a thin film formation process, the coil is formed by forming a new wiring layer on the upper layer of the wiring layer by the thin film formation process, and repeating lamination of the wiring layers.例文帳に追加

ここで前記コイルの形成は、薄膜形成プロセスによって配線層を形成した後、当該配線層の上層に前記薄膜形成プロセスによって新たな配線層を形成し、これら配線層の積み重ねを繰り返すことで行うようにした。 - 特許庁

The capacitor 31 is provided with a lower electrode layer 14b electrically connected to a storage node 51 held at the potential of stored data in the static type memory cell and an upper electrode layer 20 facing the lower electrode layer 14b across a dielectric layer 19.例文帳に追加

キャパシタ３１は、スタティック型メモリセルの記憶データの電位に保持される記憶ノード５１に電気的に接続される下部電極層１４ｂと、下部電極層１４ｂと誘電体層１９を挟んで対向する上部電極層２０とを有している。 - 特許庁

The buried oxide layer and the semiconductor layer are removed from a first region of the SeOI wafer while maintaining the buried oxide layer and the semiconductor layer in a second region of the SeOI wafer to form an upper transistor in the second region.例文帳に追加

ＳｅＯＩウェーハの第２の領域の埋め込み酸化物層および半導体層を維持しながらＳｅＯＩウェーハの第１の領域から埋め込み酸化物層および半導体層を除去し、第２の領域に上部トランジスタを形成する。 - 特許庁

Because of this, it is possible to arrange the first auxiliary active layer 7 and the second auxiliary active layer 8 in the position of the antinode of a standing wave where the amplitude of light is large without extending an optical length Lo between the lower reflective layer 4 and the upper reflective layer 5.例文帳に追加

これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 - 特許庁