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vacuum processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1012件
To provide a plasma processing apparatus which can detect occurrence of abnormalities, such as vacuum leaks, etc., at an early stage.例文帳に追加
真空のリーク等の異常の発生を早期に検知することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and maintaining a plasma.例文帳に追加
プラズマ処理チャンバは、プラズマを発生し、維持するために結合された装置を持った真空チャンバである。 - 特許庁
In the installing mechanism 52 of the high vacuum probe 18 of this processing chamber, the high vacuum probe 18 is installed to a processing chamber main body, through an installing piping 56 which is connected to the high vacuum probe at its front end, connected to the processing chamber main body 11 at its base end, and has the third switching valve 54 on the way.例文帳に追加
本処理チャンバの高真空測定子18の取り付け機構52は、先端で高真空測定子に接続し、基端で処理チャンバ本体11に接続し、途中に第3開閉弁54を有する取り付け配管56を介して高真空測定子を処理チャンバ本体に取り付けている。 - 特許庁
To provide a vacuum processing system capable of ensuring in-plane uniformity of a processed object.例文帳に追加
処理後の処理対象物の面内均一性を確保することが可能な真空処理装置を提供する。 - 特許庁
In the vacuum processing device 100, a loading/unloading chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are coupled, the plasma processing chamber 20 being provided with a vacuum vessel 20a having an opening A on an upper surface, and a tabular top cover 30 opening and closing the opening A.例文帳に追加
真空処理装置100は、ロード/アンロード室10とプラズマ処理室20とが連結されており、プラズマ処理室20は、上面に開口部Aを有する真空容器20aと開口部Aを開閉する平板状の上蓋30とを備えている。 - 特許庁
While the temperature of the internal wall of the vacuum processing container 1 is set higher than that of a processed base body 2 during the RIE processing, the deposited film formed on the internal wall of the vacuum container 1 during the IRE processing is removed by plasma.例文帳に追加
真空処理容器1の内壁の温度を、RIE加工時の被処理基体2の温度よりも高い温度に設定した状態で、RIE加工時に真空処理容器1の内壁に形成された堆積膜をプラズマにより除去する。 - 特許庁
To improve the efficiency of vacuum-drying processing and shorten the processing time just after coating in a spinless coating method using slit nozzles, and to enhance the uniformity of quality of a coated resist film after vacuum-drying processing.例文帳に追加
スリットノズルを使用するスピンレス塗布法において塗布処理直後に行われる減圧乾燥処理の効率性の向上および処理時間の短縮化を実現するとともに、減圧乾燥処理後のレジスト塗布膜の膜質均一性を向上させる。 - 特許庁
To prevent a plasma electrode installed at an opening of a vacuum vessel from being deformed, by being pressed with a pressure difference between the outside and the inside of a vacuum chamber, thereby improving the uniformity of plasma processing, in a plasma processing apparatus for processing a meter-class large area substrate.例文帳に追加
メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。 - 特許庁
To provide a load lock device capable of rapidly increasing the degree of vacuum, and a substrate processing apparatus and a substrate processing system equipped with the same.例文帳に追加
迅速に真空度を上昇させることが可能なロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システムを提供する。 - 特許庁
The substrate is fixed on the processing stage by vacuum suction, and the exhaust hole is processed by a laser by running the laser on the processing position of the substrate.例文帳に追加
真空吸着によって加工ステージに基板を固定させレーザーによって基板の加工位置にレーザーを走査して排気ホールを加工する。 - 特許庁
To provide a substrate processing device which is capable of efficiently decomposing waste gas with a plasma without affecting a vacuum processing chamber.例文帳に追加
真空処理チャンバに影響を与えることなく、排ガスをプラズマにより効率よく分解することのできる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁
10^-4Pa or less is desirable for the base degree of vacuum of the process, ion-etching processing is desirable for the cleaning processing.例文帳に追加
前記工程のベース真空度は、10^−4Pa以下であることが好ましく、前記清浄化処理は、イオンエッチング処理であることが好ましい。 - 特許庁
To provide a vacuum processing apparatus capable of performing stable plasma-processing even for a large substrate by suppressing thermal deformation of a ridge electrode and the substrate.例文帳に追加
リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。 - 特許庁
At the lead-out portion of the scan shaft on the outside of the vacuum processing chamber, a vacuum seal mechanism equipped with a seal housing 2 provided on the periphery of the scan shaft on the atmospheric side is disposed.例文帳に追加
スキャンシャフトの当該真空処理室外の導出部に、スキャンシャフトの大気側における周囲に設けられたシールハウジング2を備えた真空シール機構が配設される。 - 特許庁
To convey a semiconductor wafer in a high vacuum level between processing chambers and respective processors in a multi-chamber type processor, and hold the interior of a conveying chamber under the high vacuum level to convey a wafer, and directly connect with various kinds of vacuous processor without a buffer chamber.例文帳に追加
マルチチャンバ型処理装置における処理室間および各処理装置間における半導体ウエハの高い真空度中における搬送を可能とする。 - 特許庁
A measuring processing system 4 observes respectively a plurality of discharge currents versus characteristics of the degree of vacuum relative to each different applied voltage in a detection part 3 of the degree of vacuum.例文帳に追加
計測処理システム4は、真空度検出部3における異なった印加電圧ごとの複数の放電電流対真空度特性それぞれを観測する。 - 特許庁
To provide a vacuum pump capable of effectively restraining mixture of a foreign matter in a vacuum processing chamber, and to provide a device and method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
真空処理室内での異物の混入を効果的に抑制することができる真空ポンプ、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
On a lower surface (vacuum vessel 20a side) of the top cover 30 and the upper surface, the same devices for vacuum processing 31a and 31b are arranged respectively symmetrically in front and rear.例文帳に追加
上蓋30の下面(真空容器20a側)および上面には、それぞれ同一の真空処理用機器31aおよび31bが表裏対称的に配置されている。 - 特許庁
The chamber 2 is vented to the atmospheric pressure, and the chamber 3 is roughly exhausted so as to become the same pressure as a vacuum chamber 4 on the vacuum processing device in the next stage side adjacent thereto.例文帳に追加
次いで、2を大気圧にベントすると共に、3を隣接する次位の真空処理装置側の真空チャンバー4と同じ圧力になるように荒引排気する。 - 特許庁
After the film formation, the wafer is taken out from the processing chamber to the vacuum transfer chamber (step 107), and the vacuum transfer chamber is restored to an atmosphere (step 108), the wafer is collected (step 109).例文帳に追加
成膜後、ウェハを処理室から真空搬送室へ取出し(ステップ107)、真空搬送室を大気に戻した後(ステップ108)、ウェハを回収する(ステップ109)。 - 特許庁
To provide a suction device capable of increasing both gradient power and vacuum suction power against an insulating substrate, and to provide its manufacturing method and a vacuum processing apparatus.例文帳に追加
絶縁性の基板に対するグラディエント力と真空吸着力の両方を大きくできる吸着装置、その製造方法、真空処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a vacuum drier, quickly performing vacuum drying processing and heating processing, reducing the fully occupying area of the drier on the whole, and hardly exerting thermal influence on a base plate in a non-heating state.例文帳に追加
減圧乾燥処理と加熱処理とを迅速に行うとともに全体として装置の占有面積を低減させ、かつ、非加熱時の基板に対する熱的影響が少ない減圧乾燥装置を提供する。 - 特許庁
This vacuum processing device is constituted in such a way that reciprocatively movable hands 12 and 13 are provided in a main vacuum tank 11 and a plurality of processing chambers 40, 501, and 502 is arranged along the moving loci of the handles 12 and 13 on the ceiling of the tank 11.例文帳に追加
主真空槽11の内部に往復移動可能なハンド12、13を設け、主真空槽11の天井の上のハンド12、13の移動軌跡上の位置に複数の処理室40、50_1、50_2を並べる。 - 特許庁
To provide a vacuum processing apparatus, on which a temperature sensing mechanism can be easily mounted and which can sense temperature accurately and with stability, and thus can stably perform satisfactory vacuum processing.例文帳に追加
温度検出機構の取り付けを容易に行うことができ、かつ、精度良く安定した温度検出を行うことによって、良好な真空処理を安定して行うことのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁
The substrate S held by the hand 5 and one side 7 of the vacuum vessel are carried to the film deposition processing module 15 by driving the carrying arm 3 of the robot 6, and one side 7 of the vacuum vessel is abutted on the other side 13 of the vacuum vessel to form the vacuum vessel.例文帳に追加
ロボット6の搬送アーム3を駆動することにより、ハンド5に把持した基材S及び真空容器の一方側7を成膜処理モジュール15に搬送し、真空容器の一方側7を真空容器の他方側13に当接させて真空容器を形成する。 - 特許庁
In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加
真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極22,24を備え、真空容器12にマイクロ波を放射し、真空容器12を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置10を設ける。 - 特許庁
Partition valves 4 which close to sandwich the sheet-like substrate S are arranged respectively on an inlet part of the upstream side auxiliary vacuum chamber 3_1, an outlet part of the downstream side auxiliary vacuum chamber 3_2, and an inlet part and outlet part of the vacuum processing chamber.例文帳に追加
上流側補助真空室3_1の入口部と、下流側補助真空室3_2の出口部と、真空処理室の入口部及び出口部とに,夫々シート状基板Sを挟むようにして閉じる仕切り弁4を配置する。 - 特許庁
Further, by vacuum molding the vacuum heat-insulating material and forming the groove configuration or the irregularities at the same time, a secondary processing such as groove forming after vacuum molding is omitted, realizing improved productivity and reduction in cost.例文帳に追加
更に、真空断熱材を真空成形すると同時に前記の溝形状または凹凸形状を形成することにより、真空成形後の溝形成などの2次加工を省略して、生産性向上およびコスト低減を実現する。 - 特許庁
In the vacuum processing system 11 comprising first and second vacuum chambers 13, 15 independently, a cup-like structure 33 is provided upside down in the second vacuum chamber while surrounding the surface 27a of a substrate 27 to be treated.例文帳に追加
この互いに独立した第1及び第2真空室13及び15を具える真空処理装置11では、第2真空室内に、椀を伏せた状態に基板27の被処理面27aを囲い込む椀状構造体33を有している。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a vacuum-proof complex cable and a vacuum-proof complex cable enabled to be easily used under a high-vacuum environment, economically advantageous, and rich in general-purpose properties allowing processing in any given length.例文帳に追加
高真空環境下での使用を容易に可能にした、経済的に有利で、かつ任意長に加工できる汎用性に富む耐真空複合ケーブルの製造方法および耐真空複合ケーブルを提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a vacuum processing device which provides a high processing capability for a processed object by suppressing unwanted reaction, without increase in the size and cost.例文帳に追加
大型化、高コスト化することなく、不要な反応を抑えて、被処理物に対する高い処理能力が得られる真空処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma processing apparatus wherein deposition of contamination along with implementation of plasma processing can be minimized on the inner surface of a cylindrical vacuum container.例文帳に追加
筒状をなす真空容器の内表面において、プラズマ処理の実施に伴う付着物の堆積を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
An exhaustion system 19 exhausts so that the pressure in the vacuum waveguide 13 becomes lower than that in a processing chamber in which the plasma processing is carried out.例文帳に追加
排気システム19は、真空導波管13内の圧力がプラズマ処理を行う処理チャンバ1内の圧力よりも低い圧力に排気する。 - 特許庁
The emission intensity of a processing gas correlated with the surface temperature of inner wall of the vacuum processing chamber is measured to control the intermittent generation of plasma 402.例文帳に追加
また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成402を制御する。 - 特許庁
To provide a vacuum-processing device which is capable of uniformly improving adhesion of a processed substrate to a support plane and processing the substrate.例文帳に追加
被処理基板と支持面との間の密着性を向上させ、被処理基板に対する処理の均一化を図ることが可能な真空処理装置を提供する。 - 特許庁
Further, there is provided a substrate conveyance mechanism which conveys a substrate 2 between the processing chamber 24 and the vacuum spare rooms 28a, 28b approaching the processing chamber 24.例文帳に追加
更に、処理室24とそれに接近している真空予備室28a、28bとの間で基板2を搬送する基板搬送機構が設けられている。 - 特許庁
To provide a database system using simultaneous execution control, wherein vacuum processing and update processing do not adversely effect each other.例文帳に追加
同時実行制御を利用するデータベースシステムにおいて、バキューム処理および更新処理が相互に悪影響を及ぼすことがないデータベースシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a device and method for vacuum processing, capable of uniforming temperature of a sample within a surface of the sample.例文帳に追加
試料温度を面内で均一にすることのできる真空処理装置および真空処理方法を提供する。 - 特許庁
In vacuum cooling, the gas in the processing tank 3 is sucked and discharged to the external through the exhaust pipe conduit 36.例文帳に追加
真空冷却時には、排気管路36を介して、処理槽3内の気体を外部へ吸引排出する。 - 特許庁
To provide a thermal processing apparatus capable of improving a buckling strength of an outside shell in a vacuum insulating layer formation body.例文帳に追加
真空断熱層形成体の外側シェルの座屈強度を向上させた熱処理装置を提供する。 - 特許庁
After the evacuation, the wafer is transferred from the vacuum transfer chamber to a processing chamber (step 105) to form a film on the wafer (step 106).例文帳に追加
この真空引き後、真空搬送室から処理室へウェハを搬送し(ステップ105)、成膜する(ステップ106)。 - 特許庁
To provide a plasma processing method which can more freely control the component (composition) of plasma generated by vacuum discharge.例文帳に追加
真空放電によるプラズマの構成成分(組成)をより自由に制御可能なプラズマ加工法を提供すること。 - 特許庁
To provide a vacuum carburization apparatus which reduces the processing time for carburization treatment consisting of several times of hardening treatment.例文帳に追加
複数回の焼き入れ処理を行う浸炭処理の工程時間を短縮する真空浸炭装置の提供。 - 特許庁
The sealed water to the vacuum pump 43 is supplied through a hollow portion 46 of a bottom wall of the processing tank 2.例文帳に追加
この真空ポンプ43への封水は、処理槽2の底壁の中空部46内を介して供給される。 - 特許庁
To enlarge a vacuum processing apparatus, while suppressing influence due to thermal expansion, and securing proper position accuracy.例文帳に追加
熱膨張による影響を抑えて良好な位置精度を確保しつつ真空処理装置の大型化を図る。 - 特許庁
To rapidly measure the distribution of light emission intensity of plasma generated in a vacuum processing chamber with a simple structure.例文帳に追加
真空処理室内に生成されたのプラズマの発光強度の分布を簡易な構成で高速に測定する。 - 特許庁
Then, reaction gas is supplied from a gas bomb 1 into the vacuum processing room 2 by opening the stop valve 5.例文帳に追加
次に、開閉弁5を開くことにより、ガスボンベ1から真空処理室2内に反応ガスを供給する。 - 特許庁
A copy part 133 copies a database file for vacuum processing to a temporary memory 12 from a database 11.例文帳に追加
コピー部133は、バキューム処理が実行されるデータベースファイルを、データベース11からテンポラリメモリ12にコピーする。 - 特許庁
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