「vacuum processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The robot arms 3, 4 transfer the processing object 52 from a storage place 51 outside the vacuum container to the buffer 6, receive the processing object 52 retained by the second external arm 18, and transfer it to the storage place 51 outside the vacuum container.例文帳に追加

ロボットアーム３、４は、真空容器外の保管場所５１からバッファ６へ処理対象物５２を搬送し、かつ第２の外部アーム１８に保持された処理対象物５２を受け取り、真空容器外の保管場所５１へ搬送する。 - 特許庁

A first load locking mechanism 1 and a second load rocking mechanism 2 are installed in a vacuum container 50, and a buffer 6 temporarily retaining the processing object 52 is disposed outside the vacuum container 50.例文帳に追加

真空容器５０に、第１のロードロック機構１と第２のロードロック機構２とが設置され、真空容器５０の外に、処理対象物５２を一時的に保持するバッファ６が配置されている。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of directly measuring changes in the amount of target erosion with high precision when necessary after one stage of substrate processing while maintaining the vacuum of a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器の真空を維持したまま、基板処理の区切りで必要に応じてターゲットの侵食量の変化を、直接的に、精度よく計測可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film roll having a good magnetic tape characteristic and processing suitability to a vacuum deposited magnetic recording medium when being used as a substrate for a magnetic recording medium especially for the vacuum deposited magnetic recording medium.例文帳に追加

磁気記録媒体、特に蒸着磁気記録媒体用ベースとして用いた際の磁気テープ特性や蒸着磁気記録媒体への加工適性が良好なフィルムロールを提供すること。 - 特許庁

The cooling unit 3 is used for cooling the work W1 which is thermally treated in a vacuum in the vacuum processing device 1, and the work W1 is cooled down by using a heat pipe 7.例文帳に追加

被処理体Ｗ１に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置１の冷却装置３において、上記被処理体Ｗ１をヒートパイプ７を用いて冷却する。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus comprises: a transfer chamber 10; first processing chambers 12-1 and 12-2; second processing chambers 12-3 and 12-4; first substrate transfer trucks 20-1 and 20-2; and second substrate transfer trucks 20-3 and 20-4.例文帳に追加

真空処理装置は、搬送室１０、第１処理室１２−１〜２、第２処理室１２−３〜４、第１基板搬送台車２０−１〜２、第２基板搬送台車２０−３〜４を備える。 - 特許庁

To provide a technique for suppressing an increase in apparatus size and also suppressing an increase in footprint, in a substrate processing apparatus in which a plurality of processing chambers for processing substrates are connected to a vacuum conveyance chamber.例文帳に追加

真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

After a sintered magnet and a metal vaporized material (v) containing at least one of Dy and Tb are disposed in a processing box 7 defining a processing chamber 70, the processing box is stored in a vacuum chamber 3.例文帳に追加

処理室７０を画成する処理箱７内に焼結磁石と、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料ｖとを配置した後、真空チャンバ３内に収納する。 - 特許庁

To provide a technique capable of efficiently executing vacuum filling processing of working fluid, regardless of a specification of a brake device.例文帳に追加

ブレーキ装置の仕様によらず、作動液の真空充填処理を効率的に実行可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of decreasing the thermal load by reducing the transmission loss in an electric power transmission path.例文帳に追加

送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To enhance the processing capability of a vacuum processor by shortening the transportation time and the carry-in/out time of an object to be processed.例文帳に追加

処理対象物の搬送及び搬出入の時間を短くし、真空処理装置の処理能力を高める。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus improving the working rate of a process chamber even when the number of carriers is small.例文帳に追加

キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress lowering in the purity of processing gas due to impurity gas from the side face of a vacuum chamber in a gas source epitaxy system.例文帳に追加

ガスソースエピタキシー装置において、真空室壁面からの不純物ガスによる処理用ガスの純度低下を抑制する。 - 特許庁

More specifically, brake fluid, contained in the stroke simulator 24, is connected to a fluid pressure circuit in vacuum-filling processing.例文帳に追加

すなわち、真空充填処理に際してストロークシミュレータ２４にブレーキフルードを封じ込めた状態で液圧回路に接続する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus of filmlike flexible substrate in which creasing and deformation do not take place during evacuation or leakage.例文帳に追加

真空引き時やリーク時に皺や変形が生じない、フィルム状の可撓性基板の真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and an atmosphere exchanging method for reducing adhesion of particles to a substrate in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室においてパーティクルが基板に付着することを低減する処理装置及び雰囲気置換方法を提供する。 - 特許庁

Inner side of a sample preserving chamber 5 and the detachable case 10 can communicate with the processing chamber 21 through a vacuum gate valve.例文帳に追加

試料保管室５及び脱着型ケース１０内は、真空仕切り弁を介して加工室２１と連通可能である。 - 特許庁

The sure position of the inserts (groups) is facilitated by using vacuum sample processing with automated liquid handlers.例文帳に追加

挿入物（群）の確実な位置は、自動化された液体取り扱い器具を用いる真空試料処理の使用を容易にする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a vacuum container 100, a cathode electrode 200, an anode electrode 300, and an electrode plate 220.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空容器１００、カソード電極２００、アノード電極３００、及び電極板２２０を備える。 - 特許庁

An overwrite part 134 overwrites the database file subjected to the vacuum processing into the database 11 from the temporary memory 12.例文帳に追加

上書き部１３４は、バキューム処理が実行されたデータベースファイルを、テンポラリメモリ１２からデータベース１１に上書きする。 - 特許庁

A gate valve 26 is provided in the processing chamber 24, and gate valves 30 are respectively provided in the vacuum spare rooms 28a, 28b.例文帳に追加

処理室２４にはゲートバルブ２６が、各真空予備室２８ａ、２８ｂにはゲートバルブ３０が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a fixed processing chamber 24 and two movable vacuum spare rooms 28a, 28b.例文帳に追加

この真空処理装置は、固定された処理室２４と、移動可能な二つの真空予備室２８ａ、２８ｂとを備えている。 - 特許庁

The robot type vacuum film deposition apparatus 30 comprises a robot type substrate holding module 10 and a film deposition processing module 15.例文帳に追加

ロボット式真空成膜装置３０は、ロボット式基材保持モジュール１０と成膜処理モジュール１５を備えている。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of improving production efficiency by reducing contamination generated from a member.例文帳に追加

部材から発塵する異物を低減し、生産効率の向上が図れるようにした真空処理置を提供すること。 - 特許庁

To seal an outlet of a vacuum structure with simple process without causing any limitation on the post-processing and without producing any leakage.例文帳に追加

簡易な工程で、後加工を制限せず、かつリークを生じることなく、真空構造体の排気孔を封止する。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus including an etching chamber 140 and an ashing chamber 150 in a vacuum conveyance chamber 130, a vacuum vessel provided with a coating film of a heat shrinkage sheet formed on the inner surface thereof is used as the vacuum conveyance chamber 130, and generation of contamination due to microcrack is suppressed, to improve production efficiency.例文帳に追加

真空搬送室１３０にエッチング室１４０とアッシング室１５０を備えた真空処理装置において、真空容器の内面に熱収縮シートによる被膜を備えたものを真空搬送室１３０として用い、マイクロクラックによる異物の発生を抑え、生産効率の向上が図れるようにした。 - 特許庁

To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device.例文帳に追加

スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。 - 特許庁

A method, computer readable medium, and system for treating a substrate in a process space of a processing system that is vacuum isolated from a transfer space of the processing system is described.例文帳に追加

処理システムの移送空間から真空分離された処理システムの処理空間内で基板を処理するための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムが示される。 - 特許庁

The vacuum pump 33 is connected with a bottom portion of the processing tank 3 through a draining pipe conduit 37, and connected with a side portion of the processing tank 3 through an exhaust pipe conduit 36.例文帳に追加

真空ポンプ３３は、処理槽３の底部と排水管路３７を介して接続されると共に、処理槽３の側部と排気管路３６を介して接続される。 - 特許庁

After the formation of a lubricant layer, the substrate 9 is conveyed to a post- processing chamber 26, and post-processing for adjusting the adhesion and lubrication of the lubricant film is carried out in vacuum.例文帳に追加

潤滑層形成後に基板９は後処理チャンバー２６に搬送され、潤滑層の付着性及び潤滑性を調節する後処理が真空中で行われる。 - 特許庁

A determination processing part 25 determines that the inside of an airtight chamber reaches a prescribed degree of vacuum, if the mean value calculated by the mean value calculation processing part 24 is below a prescribed threshold.例文帳に追加

判定処理部２５は、平均値算出処理部２４が算出した平均値が、所定の閾値以下であれば、前記気密室内が所定の真空度に達したと判定する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of securing a retreat place for wafers before and after processing without increasing the scale of the mechanism of a delivery chamber nor making it complicated.例文帳に追加

受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる、真空処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The processing for decompressing the pressure chamber and changing the condition into vacuum condition is made to be performed at the timing under recording operation before the processing for ejecting the ink or the timing under recording standby.例文帳に追加

圧力室を減圧して負圧状態にする処理を、インクを排出させる処理に先立つ記録動作中または記録待機中のタイミングで行うようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing system capable of processing a large number of objects at high rate and capable of ensuring in-plane uniformity of a processed object.例文帳に追加

多数の処理対象物の高速処理が可能で、かつ、処理後の処理対象物の面内均一性を確保することが可能な真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 100 presses a processing member 160 which has unevenness on a surface and is heated against a surface of the flexible substrate 50 in a vacuum container.例文帳に追加

まず、基板加工装置１００において、真空容器内で、表面に凹凸を有していて加熱された加工部材１６０を可撓性基板５０の表面に押し付ける。 - 特許庁

To provide a plasma processing equipment and a plasma processing method, which reduces falling of particles inside a vacuum treatment container, and also reduces deterioration of semiconductor product yield.例文帳に追加

真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing which has excellent mass production stability by controlling a film deposited on the inner wall of a vacuum processing vessel.例文帳に追加

真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the processing gas (a second gas) formed of a compound including nitrogen is introduced to the vacuum chamber, and the semiconductor substrate 10 is irradiated with the plasma thereof (nitrogen plasma processing step).例文帳に追加

続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス（第２のガス）を導入し、そのプラズマを半導体基板１０に照射する（窒素プラズマ処理工程）。 - 特許庁

To provide a vacuum treatment apparatus which performs an interruption processing by interrupting operation and can continue the interrupted treatment after the interruption processing.例文帳に追加

運転を一時中断させて割り込み処理を実行し、その割り込み処理が終了した後は一時中断させていた処理を続行させうる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A flexible film processing apparatus includes: a supply roll and a take up roll moving a flexible film; a processing chamber provided between the supply roll and the taking up roll and processing the flexible film; a first vacuum chamber provided between the supply roll and the processing chamber; and a second vacuum chamber provided between the processing chamber and the take up roll.例文帳に追加

可撓性フィルム処理装置は、可撓性フィルムを移動する供給ロール及び巻取りロールと、前記供給ロールと前記巻取りロールの間に設けられ、前記可撓性フィルムを処理する処理室と、前記供給ロールと前記処理室の間に設けられた第一の真空室と、前記処理室と前記巻取りロールの間に設けられた第二の真空室と、を有する。 - 特許庁

A plasma processing unit has a function in which microwaves are introduced into a vacuum chamber 4 through the intermediary of a microwave transmission window member 3, processing gas existing in the vacuum chamber 4 is irradiated with microwaves to generate plasma, and a work is processed by the use of the plasma.例文帳に追加

マイクロ波透過窓部材３を介して真空容器４の内部にマイクロ波を導入し、真空容器４内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物７を処理する装置である。 - 特許庁

In another embodiment, a method for vacuum processing a substrate is provided that includes disposing a substrate on a substrate support in the processing chamber, flowing processing gas laterally into a space defined above a gas distribution plate positioned on the substrate in the processing chamber, and processing the substrate in the presence of the processing gas.例文帳に追加

他の実施形態において、基板を処理チャンバ内の基板支持部上に配置し、処理チャンバ内の基板上に配置されたガス分配板上に規定した空間に処理ガスを横方向に流し、処理ガスを存在させて基板を処理することを含む基板を真空処理する方法を提供する。 - 特許庁

A substrate holder 5 having a hook 6 for holding a susceptor 11 for housing the substrate 10 and an elevator part 2 for holding the susceptor 11 carried in from an outside and moving the held susceptor 11 to the position of the hook 6 of the substrate holder 5 are provided in the vacuum processing chamber 200 of the substrate processing device having the vacuum processing chamber 200 for processing the substrate 10.例文帳に追加

基板１０の処理を行う真空処理室２００を有する基板処理装置の該真空処理室２００内に、基板１０を収納したサセプタ１１を保持するフック６を有する基板ホルダ５と、外部から搬入されたサセプタ１１を保持し、保持したサセプタ１１を前記基板ホルダ５のフック６の位置まで移動する昇降部２とを設ける。 - 特許庁

To provide a particulate sample processing/retaining material for reducing FIB processing time, preventing deformation by ion beams, reducing objects to be etched, reducing the occurrence of contaminants, preventing a decrease in the degree of vacuum, and preventing a decrease in etching precision, and to provide a method and an apparatus for processing the particulate sample processing/retaining material.例文帳に追加

ＦＩＢ加工時間短縮、イオンビームによる変質防止、被エッチング物低減、汚染物発生減少、真空度低下防止、エッチング精度低下防止可能の、微粒子試料加工保持材、その加工方法および加工装置の提供。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which a plurality of processing chambers to perform processing on substrates are connected to a vacuum conveyance chamber and which can suppress increase in an installation area (footprint) by suppressing the increase of apparatus size due to attachment/detachment of the lid of the processing chambers.例文帳に追加

基板に対して処理を行うための処理室を真空搬送室に複数接続した基板処理装置において、処理室の蓋体の着脱に伴う装置の大型化を抑えてフットプリントの増大を抑制できる技術を提供すること。 - 特許庁