「write direction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To make a memory element store information, preventing destruction of the memory element by making the direction of magnetization of a storage layer reverse by applying a write current having less write-in voltages.例文帳に追加

少ない書き込み電圧から成る書き込み電流を印加することによって記憶層の磁化の向きを反転させることで、記憶素子の破壊を防ぎつつ、記憶素子に情報を記憶させる。 - 特許庁

Write bit lines (WBL0, WBL1) are arranged in a direction orthogonal to an easy axis (EX) of magnetization of a variable magnetoresistive element (VR), and write bit line drive circuits (22U, 22L) supply currents to the bit lines in directions corresponding to write data.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ，２２Ｌ）により、書込データに応じた方向に、書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁

Overshoot control circuits 30a and 30b add an overshoot current corresponding to the write current to the write current Iw flowing to the magnetic head 12 in a prescribed overshoot period during which the direction of the write current Iw flowing to the magnetic head 12 changes.例文帳に追加

オーバーシュート制御回路３０ａ、３０ｂは、磁気ヘッド１２に流れる書込電流Ｉｗの向きが変化する所定のオーバーシュート期間中、磁気ヘッド１２に流れる書込電流Ｉｗに、書込電流に応じたオーバーシュート電流を加算する。 - 特許庁

Here, a write magnetic field profile which is related to a position of a direction along a track in the recording layer of the magnetic recording medium and which shows an intensity distribution of the write magnetic field generated from the write magnetic pole has a projecting region on a leading side.例文帳に追加

ここで、磁気記録媒体が有する記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する、書き込み磁極から生じる書き込み磁界の強度分布である書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有している。 - 特許庁

The write wiring 13 is extended in a Y direction and shared by two TMR elements 10 present above and below it.例文帳に追加

書き込み配線１３は、Ｙ方向に延び、その上下に存在する２つのＴＭＲ素子１０に共有化される。 - 特許庁

The first write line extends in a direction which is not perpendicular to the easily magnetized axis of the MTJ element nor parallel to it.例文帳に追加

第１書き込み線は、ＭＴＪ素子の磁化容易軸方向と直交せず且つ平行でない方向に延びる。 - 特許庁

To enable selecting whether or not write is performed in the arbitrary direction of data for each bit in a multi-bit device.例文帳に追加

多ビット品において、各ビット毎に、任意のデータ方向に対して書き込みを行うかどうかの選択を可能とすること。 - 特許庁

To perform main scanning direction synchronization detection for deciding the write-in position in the main scanning direction and a subscanning direction position detection for detecting the position of a light beam in the subscanning direction with high accuracy, using a single detection sensor.例文帳に追加

主走査方向の書き出し位置を決定するための主走査方向同期検知と、副走査方向の光ビームの位置を検知するための副走査方向位置検知と、の両方を一つの検知センサーで高精度に検知する。 - 特許庁

Especially, the trimming depth 5 of the A side being an inverse side of a progress direction of the write-head 40 is made larger than the trimming depth 6 of the B side being the progress direction side.例文帳に追加

特にライトヘッド４０の進行方向逆側であるＡ側のトリミング深さ５が、進行方向側であるＢ側のトリミング深さ６よりも大きくなっている。 - 特許庁

A plurality of write electrodes 3b are arranged and supported in a plurality of arrays in an axial direction (horizontal scanning direction) of a latent image carrier to an elastic flexible base 3a.例文帳に追加

複数の書込電極３ｂが弾性のある可撓性の基材３ａに、潜像担持体の軸方向（主走査方向）に複数列配列されて支持されている。 - 特許庁

Reading and writing are conducted at the same time in parallel by switching the write direction and the red direction for each super-frame received sequentially.例文帳に追加

順次入力されるスーパーフレームごとに、書き込み方向および読み出し方向を切り換えることにより、読み出しと書き込みを同時に並列に行うことができる。 - 特許庁

This test circuit detects a bit in which a shift is caused in a write-in property in a memory cell array 1 as a defective bit using a method by which one axis write-in current of a difficult axis direction is applied.例文帳に追加

このテスト回路は、メモリセルアレイ１中の書き込み特性にシフトがあるビットを、困難軸方向の一軸書き込み電流を印加する手法を用いて不良ビットとして検出する。 - 特許庁

A semiconductor laser driving circuit 6 controls the interval between write-in dot positions by a light beam in a main scanning direction by the mirror 2 on a surface to be scanned 4 based on the write-in clock.例文帳に追加

半導体レーザ駆動回路６は、その書込クロックに基づいて被走査面４上での回転多面鏡２による主走査方向の光ビームによる書き込みドット位置間隔を制御する。 - 特許庁

An MR head is provided by being overlapped in the relative moving direction of a medium with respect to the gap of an inductive write head, and the inductive write head is driven by a driver at a constant direct current during reading.例文帳に追加

インダクティブライトヘッドのギャップに対してメディアが相対移動する方向に重ねてＭＲリードヘッドが設けられ、かつ、インダクティブライトヘッドには、リード時において一定の直流でドライバにより駆動がなされる。 - 特許庁

To provide a disk device which prevents a disk medium from entering into a depth direction of the device in a disk device which performs read, write or read/write of a signal from the disk medium.例文帳に追加

ディスク媒体から信号の読み込み若しくは書き込み又は読み書きを行うディスク装置であって、ディスク媒体が装置の奥行き方向に入り込んでしまうことを防止したディスク装置の提供。 - 特許庁

A write head Hw and a read head Hr are movable on the rotating magnetic disk in a radial direction and arranged side by side with a distance.例文帳に追加

書込みヘッドHwと読込みヘッドHrは、回転する磁気ディスク上をディスク半径方向に移動でき、距離を置いて並置される。 - 特許庁

The write word line 20B is extended in an X-direction, and the lower surface thereof is covered by a yoke member 25B having high magnetic permeability.例文帳に追加

書き込みワード線２０Ｂは、Ｘ方向に延び、その下面は、高透磁率を有するヨーク材２５Ｂにより覆われている。 - 特許庁

A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.例文帳に追加

情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁

The address generator 220 generates the write address 221 so as to write a data in a row direction of a square matrix constructed on the dual-port memory 210 and simultaneously generates the read address 222 so as to read the data in a diagonal direction of it.例文帳に追加

アドレス発生器２２０は、デュアルポートメモリ２１０上に構成された正方行列において、行方向にデータが書き込まれるように書込みアドレス２２１を発生すると同時に、斜め方向にデータが読み出されるように読出しアドレス２２２を発生する。 - 特許庁

As for enlargement control, the asynchronous write control part 0107 controls read-out prohibition from the frame memory 0102 and write prohibition in the line memory 0110 in the vertical direction, and the line memory read control part 0109 executes repeated read-out control of the same data from the line memory 0110 in the horizontal direction.例文帳に追加

拡大制御は垂直方向を該非同期ライト制御部0107が該フレームメモリ0102からの読み出し禁止及び，該ラインメモリ0110への書き込み禁止を制御し，水平方向を該ラインメモリ・リード制御部0109が該ラインメモリ0110から繰り返し同じデータを読み出す制御を行う。 - 特許庁

The read/write head 10 includes a write head which writes the information on the magnetic medium, a read head which reads the information from the magnetic medium and an electric circuit element 54 which is disposed adjacent to the read head and acts to generate an electromagnetic field of a direction approximately opposite to the direction of the electromagnetic field generated by the write head in the read head.例文帳に追加

読取り／書込みヘッドは、磁気媒体上に情報を書き込む書込みヘッドと、磁気媒体から情報を読み取る読取りヘッドと、読取りヘッドに近接して配置され、書込みヘッドが発生した電磁場に対して概して反対方向の電磁場を読取りヘッドにおいて発生するように作用する電気回路素子とを含む。 - 特許庁

This spin injection is executed in parallel to the memory cells to which the data "1" is written, the bit line write drive circuit is only required to constantly supply the data write current in one direction, and reduction for a layout space for the write drive circuit and high-speed writing can be realized.例文帳に追加

このスピン注入は、データ“１”を書込むメモリセルに対して並行して実行され、ビット線書込ドライブ回路は、常に一方方向にデータ書込電流を供給することが要求されるだけであり、書込ドライブ回路のレイアウト面積の低減および高速書込を実現することができる。 - 特許庁

When write to an electronic paper 10 is terminated to enter into a non-write state where write operation is not performed, a controller of an image writing device 20 moves a light irradiation bar 31 in a direction of an arrow 2A and moves a moving rod 42 up to an end part of a rod insertion hole 24 (b).例文帳に追加

画像書込装置２０のコントローラは、電子ペーパー１０への書き込みが終了して、書込動作を行わない非書込時になると、光照射バー３１を矢印Ａ２方向に移動させて、ロッド挿通孔２４の端部まで移動ロッド４２を移動させる（ｂ）。 - 特許庁

First and second side elements are disposed on opposite sides of the write element tip in a cross-track direction at the medium confronting surface.例文帳に追加

第１及び第２の側部素子は、媒体対向面のところでクロストラック方向の書き込み素子先端の対向面上に配置される。 - 特許庁

The TMR element 23 and a contact 29 are connected, in a parallel direction astride a write word line 13 via a plurality of cells.例文帳に追加

また、ＴＭＲ素子２３及びコンタクト２９は、書き込みワード線１３と平行方向に複数のセルにまたがって繋がっている。 - 特許庁

Then, if print setting and direction of print start are performed by the user, it generates the print data and write it to the electronic apparatus 301.例文帳に追加

そして、印刷設定と印刷開始の指示とがユーザにより行われると、印刷データを生成して電子機器３０１に書き込む。 - 特許庁

The read/write bit lines BL1, BL2, BL3, BL4 are extended in the direction of Y, and connected to a read circuit 29 through the column selection switch 29C.例文帳に追加

読み出し／書き込みビット線ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４は、Ｙ方向に延び、カラム選択スイッチ２９Ｃを経由して、読み出し回路２９Ｂに接続される。 - 特許庁

Gate lines to operate the transistors are formed in the lateral direction of the panel and source signal lines 201 to supply the data to write the pixel electrodes are formed in the longitudinal direction of the panel to form a matrix.例文帳に追加

このトランジスタを動作させるためのゲートライン２０２をパネル横方向に、画素電極に書き込むデータを供給するソース信号線２０１をパネル縦方向にマトリクス状に形成する。 - 特許庁

The multichannel head 1 is provided with a substrate 11, a plurality of write elements 5 arrayed in a track width direction in the upper part of its stacking direction, and a plurality of read elements 7 arrayed in a track width direction in the upper part of their stacking direction.例文帳に追加

マルチチャンネルヘッド１は、基板１１と、その積層方向上方においてトラック幅方向に並べて配置された複数の書込素子５と、それらの積層方向上方においてトラック幅方向に並べて配置された複数の読取素子７とを備える。 - 特許庁

Along a magnetic layer formed over the circumference of the side edge of a conveying belt, there are arranged in order from an upstream as viewed in the traveling direction of the conveying belt: a first write head 18; a read head 19; and a second write head 20.例文帳に追加

搬送ベルトの側縁部に周に渡り形成された磁性層に沿って、搬送ベルトの移動方向上流側から順に、第１書込みヘッド１８、読込みヘッド１９、第２書込みヘッド２０が配置されている。 - 特許庁

According to this constitution, since the magnetic field by the write current can be provided efficiently for the TMR element 4, the magnetizing direction of the first magnetic layer 41 can be inverted even with a small write current.例文帳に追加

この構成によれば、書き込み電流による磁界をＴＭＲ素子４へ効率よく提供できるので、第１磁性層４１の磁化方向を小さな書き込み電流でもって反転させることができる。 - 特許庁

A method for writing and reading information to/from the memory cell includes: switching a magnetization direction of the memory layer to write data into the memory layer during write operation; aligning magnetization direction of the sense layer to a first aligned magnetization direction during read operation; and comparing the write data with the first aligned magnetization direction by measuring a first resistance value of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

本開示はまた、メモリセルに書き込み、かつ読み出すための方法であって、書き込み動作中に、データを前記記憶層に書き込むために前記記憶層の磁化方向を切り替えることと、読み出し動作中に、前記センス層の磁化方向を第１の配向される磁化方向に配向することと、前記磁気トンネル接合部の第１の抵抗値を測定することによって、前記書き込みデータを前記第１の配向された磁化方向と比較することと、を含む方法に関する。 - 特許庁

The MTJ memory cells that adjoin each other in the column direction share at least one of the read word line RWL and the write word line WWL.例文帳に追加

列方向に隣接するＭＴＪメモリセルは、リードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬの少なくとも一方を共有する。 - 特許庁

A recess 100 is formed with its length direction parallel to the recording surface of a magnetic disk 2 on a side surface of a recording magnetic pole 31 of a write head.例文帳に追加

磁気ディスク２の記録面に対して平行な長手方向を有する凹部１００をライトヘッドの記録磁極部３１の側面に形成する。 - 特許庁

Then, the lower part magnetic pole part 2 is made asymmetry of left and right for a straight line X of a cross track direction passing through a center of the write-gap.例文帳に追加

ここで、ライトギャップ中心を通るクロストラック方向の直線Ｘに対し、下部磁極ノッチ部分２が左右非対称になっている。 - 特許庁

An angle of a write unit constituting the exposure means is adjusted, thereby adjusting the horizontal scanning direction and eliminating an image distortion.例文帳に追加

露光手段を構成する書込ユニットの角度を調整することにより、主走査方向の調整を行って、画像の歪みを除去する。 - 特許庁

One cycle of write access and read access for image data is performed for the image memory area with a plurality of pixels in a horizontal direction as a unit.例文帳に追加

画像メモリ領域に対して、水平方向の複数画素単位で、画像データの書き込みアクセスおよび読み出しアクセスの１サイクルを行なう。 - 特許庁

A horizontal direction memory 4 once writes therein five regional data A, B, C, D, E generated by a horizontal direction counter circuit 1, a vertical direction counter circuit 2, and a decoder circuit 3 according to write addresses from a horizontal direction counter decoder 5 and the five regional data A, B, C, D, E are read according to read addresses.例文帳に追加

水平方向メモリ４は水平方向カウンタ回路１と垂直方向カウンタ回路２とデコーダ回路３とによって発生された５つの領域データＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを水平方向カウンタデコーダ５からの書込みアドレスで一旦書込み、読出しアドレスで読出される。 - 特許庁

Pairs of read data line (IOR0-IOR31), write data lines (IOW0- IOW31) and spare read data lines (SIR), spare write data lines (SIW) are arranged across a memory cell array while extending in the column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイ上にわたってリードデータ線対（ＩＯＲ０−ＩＯＲ３１）およびライトデータ線対（ＩＯＷ０−ＩＯＷ３１）ならびにスペアリードデータ線対（ＳＩＲ）およびスペアライトデータ線対（ＳＩＷ）を列方向に延在して配設する。 - 特許庁

That is, the magnitude of the write currents I_W can be made smaller compared with the case of no permanent-magnet layer 9, when the direction of the magnetization is changed forward and when the direction of the magnetization is changed negatively.例文帳に追加

すなわち、永久磁石層９が無い場合と比較して、磁化の向きの正変更、負変更の双方の場合に必要な書き込み電流Ｉ_Ｗの大きさを減少させることができる。 - 特許庁

A data write-in current control circuit 51 can control easily a direction of a data write-in current flowing in a pair of bit lines as a going and returning current in accordance with a level of write-in data by setting each of data lines IO and /IO to each one side of a high potential state (Vcc) and a low potential state (Vss).例文帳に追加

データ書込電流制御回路５１は、データ線ＩＯおよび／ＩＯのそれぞれを高電位状態（Ｖｃｃ）および低電位状態（Ｖｓｓ）の一方ずつに設定することにより、往復電流としてビット線対を流れるデータ書込電流の方向を書込データのレベルに応じて簡易に制御できる。 - 特許庁

When address ranges of store/load in the RAM 21 are overlapped, and in the case of a new CP 12 > an old CP 13, the read/write direction corresponding to store and load in the RAM 21 is switched from the forward direction in the address order to the reverse direction.例文帳に追加

ＲＡＭ２１におけるストア／ロードのアドレス範囲が重複し、かつ新ＣＰ１２＞旧ＣＰ１３である場合は、ＲＡＭ２１におけるストア及びロードに対応する書き読みの方向をアドレス順の順方向から逆方向へ切り替える。 - 特許庁

Thereby, a connection part 60 has a potential being approximate to write-in voltage, an electric field having a direction being inverse to polarization caused in ferroelectric substance in the memory element 20 becomes small or its direction becomes the same direction as polarization, and a data holding characteristic is improved.例文帳に追加

これにより接続部６０は書き込み電圧に近い電位を持ち、記憶素子２０内の強誘電体材料に発生する分極と逆向きの電界が小さく又は分極と同じ方向になり、データ保持特性が改善される。 - 特許庁

When a write step is performed, a pulsed voltage which rises in a negative direction and has the application time T1 and a voltage value of -50V is first applied once.例文帳に追加

また、書き込みステップが行われる際、負方向に立ちあがる印加時間Ｔ１，電圧値−５０Ｖのパルス状電圧が最初に１回印加される。 - 特許庁

Tungsten of the contact 13 leaks along a flow of electrons in the opposite direction from the write current, the resistance value of the contact 13 increases and information is written.例文帳に追加

書き込み電流と逆方向の電子の流れにそってコンタクト１３のタングステンが漏出し、コンタクト１３の抵抗値が上がり情報が書き込まれる。 - 特許庁