「write margin」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To make it possible to improve the recording characteristics at a high speed recording by bettering power margin at the high speed recording in a write-once type optical recording medium having an inorganic recording film.例文帳に追加

無機記録膜を有する追記型光記録媒体において、高速記録でのパワーマージンを改善することにより、高速記録での記録特性を向上することができるようにする。 - 特許庁

The write start position of a CDR 40 is detected in a WBL detection circuit 48, and data read from the buffer 46 are expanded so as to write the EFM signals including the margin bits from the position, then supplied to a strategy circuit 36 and written to the CDR 40.例文帳に追加

ＣＤＲ４０の書き出し位置をＷＢＬ検出回路４８で検出し、その位置からマージンビットを含むＥＦＭ信号が書き込まれるようにバッファ４６から読み出したデータを伸長した後ストラテジー回路３６に供給し、ＣＤＲ４０に書き込む。 - 特許庁

Therefore, confirming the pressure measurement by the presence or absence of head-disk contact eliminates head-disk contact in the following read/write operation to attain a secure margin for the clearance.例文帳に追加

このため、ヘッド・ディスク接触により上記気圧測定の再確認を行うことで、その後のリード／ライト動作におけるヘッド・ディスク接触を避け、あるいは、クリアランスのマージンをより確実に確保する。 - 特許庁

Therefore, the supply time of a readout current is shortened as compared with the supply time of a write current to secure the readout disturbance margin, so that the occurrence of the readout disturbance can be suppressed.例文帳に追加

したがって、読出し電流の供給時間を書込み電流の供給時間に比較して短くすることで、読出しディスターブマージンを確保し、読出しディスターブの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can write multi-values securing a read margin and having high reliability without being influenced by variation of devices and without being deteriorated in a program speed.例文帳に追加

デバイスのばらつきに影響されることなくかつプログラムスピードを劣化させることなく、読み出しマージンが確保できる信頼性の高い多値書き込みができる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

As different column operation synchronizing pulses are used in the case of READ or WRITE, timing of a synchronizing pulse can be adjusted according to a primary factor for speed control, operation margin of a column system circuit can be sufficiently secured.例文帳に追加

リードとライトで異なるカラム動作周期パルスを用いるので、それぞれの律速要因に合わせて同期パルスのタイミングを調整でき、カラム系回路の動作マージンを充分に確保できる。 - 特許庁

Even if an time interval between write operation and verification read operation is shortened, a sensing margin is secured, and a memory speed is improved by a bias method of the clamp circuit.例文帳に追加

上述のクランプ回路のバイアス方法によって、書き込み動作と検証読み出し動作間の時間間隔を減らしてもセンシングマージンを確保することができてメモリ速度を高めることができる。 - 特許庁

Since the points A, C are selected with a margin to absorb phase jitter in a clock or the like with respect to the write address respectively, that is, to provide a hysteresis, the slip takes place only once and production of a long time slip is prevented.例文帳に追加

Ａ点およびＣ点はそれぞれ書込位置に対しクロックの位相ジッタなどを吸収できる分、即ちヒステリヒスを与えるために離して設定されているので、スリップは１回限りで長時間スリップの発生が防止できる。 - 特許庁

To avoid the shortage of a read/write margin attendant on the high- speed revolution of a recording medium and also to maintain the states of a focusing servo and a tracking servo stable as to a revolution control method and a storage device.例文帳に追加

本発明は回転制御方法及び記憶装置に関し、記録媒体の高速回転化に伴うリード／ライトマージンの不足を回避すると共に、フォーカスサーボ及びトラッキングサーボ状態を安定に維持することを目的とする。 - 特許庁

In an asteroid curve represented by a bit line magnetic field H_x generated by a write bit line current I_B and a word line magnetic field H_y generated by a write word line current I_W, manufacturing variations and a design margin are taken into consideration to assume an asteroid curve AC_out outside all memory cell asteroid curves (located with a hatched area of Figure).例文帳に追加

書込ビット線電流Ｉ_Ｂにより発生するビット線磁界Ｈ_ｘと書込ワード線電流Ｉ_Ｗにより発生するワード線磁界Ｈ_ｙとにより表されるアステロイド曲線において、製造ばらつきと設計マージンを考慮し、全メモリセルのアステロイド曲線（図中ハッチング領域内に収まる）よりも外側にアステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔを想定する。 - 特許庁

To further improve accuracy of a test write power and to secure an optimum power margin by producing an optimum recording mark in a whole zone area of a disk, without being affected to the utmost by the thermal interference due to a linear velocity for every zone while unnecessitating a complicated algorithm or special constitution.例文帳に追加

複雑なアルゴリズムや特別な構成を要せずに、ゾーン毎の線速度による熱的干渉を極力受けず、テストライトパワーのさらなる精度向上およびディスクのゾーン全域で最適な記録マークを生成し最適なパワーマージンを確保する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device in which margin of threshold determination voltage for read voltage is made small, time required for write and erasure is shortened, and stable operation can be performed, even when power source voltage is varied.例文帳に追加

電源電圧が変動する場合においても、読み出し電圧に対するスレッショルド判定電圧のマージンを小さくし、書き込み及び消去に要する時間を短縮するとともに、安定した動作を行わせることができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

Also, each voltage difference (Margin ΔVm) between write discrimination voltage Va for each data value and read voltage Vr being adjacent to the lower potential side of Va is set so that ΔVm at higher threshold voltage Vtm which tends to drop easily owing to deterioration of electric charge holding is made higher.例文帳に追加

また、各データ値に対する書き込み判定電圧Ｖa とその低電位側に隣接する読み出し電圧Ｖr との各電圧差（マージンΔＶm ）を、電荷保持劣化によるしきい値電圧Ｖtmの低下が生じ易いしきい値電圧Ｖtmの高いものほど順次大きくなるように設定する。 - 特許庁

The voltage of the internal node N1 of an inverter composed of a load transistor Lo1 and a driver transistor Dr1 connected to the bit line BL1 on the low voltage side is varied forcibly to evaluate a write operation margin using the current of the internal node N1 measured at that time.例文帳に追加

そして、その低電圧側のビット線ＢＬ１に接続された、ロードトランジスタＬｏ１とドライバトランジスタＤｒ１で構成されるインバータの、その内部ノードＮ１の電圧を強制的に変化させ、そのときに測定されるその内部ノードＮ１の電流を用いて書き込み動作マージンを評価する。 - 特許庁

Since pre-charge voltage VBP can be lowered even when the second voltage VPP is lowered and the 'H' level memory write-in potential is reduced by generating bit line pre-charge voltage VBP by referring to the first voltage VDD and the second voltage VPP, the 'H' level read-out margin can be increased.例文帳に追加

第１の電圧ＶＤＤ及び第２の電圧ＶＰＰを参照することによってビット線プリチャージ電圧ＶＢＰを発生することにより、第２の電圧ＶＰＰが小さくなって”Ｈ”レベルメモリ書き込み電位が減少した際にもプリチャージ電圧ＶＢＰを低くすることができるため、”Ｈ”レベル読み出しのマージンを大きくすることができる。 - 特許庁

To obtain a DRAM semiconductor memory in which a high speed operation can be realized which securing operation margin by dissolving the restriction of connection relation between a pair of bit lines and a pair of data buses by a column selection gate in a DRAM of a direct sense system, and optimizing independently the internal timing control at the read-out and the internal timing control at the time of write-in.例文帳に追加

ダイレクトセンス方式のＤＲＡＭにおけるコラム選択ゲートによる、ビット線対とデータバス対との接続関係の制約を解消するとともに、読み出し時の内部タイミング制御と書き込み時の内部タイミング制御とを独立して最適化することで、動作マージンを確保しながら高速動作を実現できるＤＲＡＭ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

As you just mentioned, many major banks posted a substantial increase in earnings for the April-June quarter. The financial results of all major banks and other financial institutions for the quarter ended June 30, 2010 became available to the public by last Friday, on July 30. As pointed out just now, the financial results of major banks for the quarter ended June 30 released to the public recently revealed that their gross financial margin—which, as you know, is the profit margin—decreased, whereas market-related revenue such as proceeds from selling and purchasing of government bonds and other such financial instruments increased, while service revenue such as sales commission of investment trusts recovered. In addition, credit-related expenses decreased, as relatively few large-scale corporate bankruptcies during the April-June quarter brought about the decrease in the allowance for doubtful accounts, write-offs and so forth. I believe these factors made a positive contribution, and by and large, resulted in an increase in net income on a year-on-year basis. 例文帳に追加

今ご指摘のように、主要行の4-6月期の決算、実は多くの大幅増益となったということでございますが、主要行等の平成22年度の6月期決算は先週の金曜日でございますが、7月30日までに出揃ったところでございますが、今もご指摘のように今般公表された主要行の6月期決算では、資金利益が落ち込む一方、これはご存じのように利ざやですね、落ち込む一方、投資信託の販売手数料など、役務収益が回復している中、国債等の売買といった市場関連収益の増加のほか、与信関連費用が減少したことにより、これはご存じのように大型の会社の倒産というのが比較的この期（4-6月期）少なかったし、まあ、そういったこともございまして、それからそういったことの貸倒引当金、それから償却等が減りましたので、そんなことがプラスに働いたのではないかと思っておりますけれども、最終的な利益は前年同月比ではおおむね増収となりました。 - 金融庁