As with the full report, you can suppress the printing of warnings with the -n command line argument. Example 58-6.発音を聞く 例文帳に追加

完全な出力と同様、コマンドライン引数-n を指定すると警告を表示しなくなります。 - PEAR

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

The back electrode 2 and the n-type microcrystalline silicon semiconductor layer 31 do not come into complete contact.例文帳に追加

裏面電極２とｎ型微結晶シリコン半導体層３１は、完全に接することがない。 - 特許庁

Each LIST is made up of one range, or many ranges separated by commas.発音を聞く 例文帳に追加

範囲は完全に指定しなくてもよい: `\\-m'は`1\\-m'を、`n\\-'は`n'から行の終わりか最後のフィールドまでを意味する。 "\\-b, \\-\\-bytes byte-list"byte-listで示した位置のバイトだけを表示する。 - JM

function inspects at most n bytes of the multibyte string starting at s and extracts the next complete multibyte character.発音を聞く 例文帳に追加

関数は s から始まるマルチバイト文字列を最大 n バイト調べて次の完全なマルチバイト文字を取り出す。 - JM

Two instruction sets use the complete N-bit data passage in a processor core 2 to control the processing.例文帳に追加

２つの命令セットはプロセッサコア２内に完全なNビット・データ通路を用いて処理を制御する。 - 特許庁

Two instruction sets use the complete N-bit data path in a processor core 2 to control the processing.例文帳に追加

２つの命令セットはプロセッサコア２内に完全なNビット・データ通路を用いて処理を制御する。 - 特許庁

A high speed synchronizing complete N PLL for performing hybrid digital rough VCO adjustment and VCO temperature drift compensation provides a completely digital tuning system without necessitating any charging pump.例文帳に追加

混成ディジタル粗ＶＣＯ調整およびＶＣＯ温度ドリフト補償を行う高速同期完全Ｎ ＰＬＬは、充電ポンプを必要とせずに完全にディジタル的な同調方式を提供する。 - 特許庁

The liquid in the first denitrification tank 1 is introduced into the second denitrification tank 2 and methanol 16 is injected to almost perfectly denitrify residual NOx-N.例文帳に追加

第１脱窒槽の槽内液は第２脱窒槽に導入し、メタノール１６を注入して残留ＮＯx−Ｎをほぼ完全に脱窒する。 - 特許庁

An n^+ type source region 3 is formed on the p type base region 2 to bury the inside of the trench 21 completely.例文帳に追加

そして、ｎ^＋型ソース領域３をｐ型ベース領域２の上に形成することで、トレンチ２１の内部を完全に埋め込む。 - 特許庁

FULLY INTEGRATED FLOATING POWER SUPPLY FOR HIGH VOLTAGE TECHNOLOGY INCLUDING BIASING ON N-EPITAXIAL LAYER例文帳に追加

Ｎ−エピタキシャル層にバイアスをかけることを含む高電圧技術のための、完全集積化フローティング電源 - 特許庁

Thus, the pMOS (P-channel metal oxide semiconductor) active region 6 of SOI and the nMOS (N-channel MOS) active region 8 of SOI can be electrically separated completely.例文帳に追加

これにより、ＳＯＩのｐＭＯＳ活性領域６と、ＳＯＩのｎＭＯＳ活性領域８とを電気的に完全に分離することができる。 - 特許庁

Electric charges generated / stored in a conduction region of the n-type conductive region 16 can be completely transferred even when a plurality of the transfer gates are arranged to the PD 18.例文帳に追加

ｎ型導電領域１６の導電領域に発生・蓄積された電荷は、転送ゲートが複数でも完全転送することができる。 - 特許庁

Mutually attracting force of the N pole and S pole of the magnetism is utilized to cause complete mixture and improve the thermal efficiency even in an adverse condition.例文帳に追加

磁力の、Ｎ極とＳ極の、互いに引き合う力を活用して、悪条件の中でも完全混合させて、熱効率を向上させる。 - 特許庁

The meanings between the expressions "an integer n of 2-5" and "n represents 2, 3, 4, or 5" and between the expressions "an integer n of 3-5" and "n represents 3, 4, or 5" are totally identical, although they have a difference in expression.発音を聞く 例文帳に追加

「ｎ＝２～５の整数」という記載と「ｎは２、３、４或いは５」という記載、及び「ｎ＝３～５の整数」という記載と「ｎは３、４或いは５」という記載は表現上の差異があるだけであって、その意味することは完全同一である。 - 特許庁

NON_TER the residue at an extremity of the sequence is not the terminal residue; if applied to position 1, this signifies that the first position is not the N-terminus of the complete molecule; if applied to the last position, it signifies that this position is not the C-terminus of the complete molecule; there is no description field for this key発音を聞く 例文帳に追加

NON_TER配列の1端の残渣は末端残渣ではない。位置1に適用した場合，このことは最初の位置が完全分子のN-端末でないことを意味する。最後の位置に適用した場合，それはこの位置が完全分子のC-端末でないことを意味する。このキーについての説明欄は存在しない。 - 特許庁

In the agent, the recombinant proNGF is a β-NGF having the N terminal linked to a complete prosequence, and the proNGF having the complete prosequence at the N terminal has a biological or physiological activity.例文帳に追加

活性成分として組換えプロＮＧＦを含有する薬剤であって、該組換えプロＮＧＦが、Ｎ末端に完全なプロ配列が連結したβ−ＮＧＦであり、かつ、Ｎ末端に完全なプロ配列を有する該プロＮＧＦが、生物学的又は生理学的活性を有するものである薬剤。 - 特許庁

The default for n is 1, meaning that if there are any dots in a name, the name will be tried first as an absolute name before any search list elements are appended to it.発音を聞く 例文帳に追加

n のデフォルトは 1 である。 これは、名前にドットがある場合、search list の要素が付加される前に、その名前が完全な名前として最初に試されるということを意味している。 - JM

The intermediate synthesizing unit reacts N-(diphenylmethylene)glycine tert-butylester with 11C-labeled methyl iodide, and then hydrolyzes to obtain 11C-labeled D, L-alanine and includes a means for removing a used solvent completely.例文帳に追加

中間体合成ユニットは、N-(ジフェニルメチレン)グリシン tert-ブチルエステルと、^11C-標識ヨウ化メチルとの反応させ、後加水分解し^11C-標識DL-アラニンを得、該反応終了後に、使用溶媒を完全に除く手段を含む。 - 特許庁

To provide a stocking method whereby, in stocking N-vinyl-2-pyrrolidone with an added radical polymerization inhibitor in a container, the polymerization of the N-vinyl-2-pyrrolidone during stocking can be nearly perfectly prevented.例文帳に追加

ラジカル重合禁止剤を添加したＮ−ビニル−２−ピロリドンを容器内にて保管する際に、保管中のＮ−ビニル−２−ピロリドンの重合をほぼ完全に抑制できる保管方法を提供する。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加

ＳＯＩ層３内にＮ^+拡散領域１１が選択的に形成され、Ｎ^+拡散領域１１の全周辺領域を覆って完全分離領域４が形成される。 - 特許庁

The composition contains a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO_1.5}_n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.例文帳に追加

本発明の組成物は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、｛ＲＳｉＯ_１．５｝_ｎ（但し、ｎは８である）と、少なくとも１つの発色団部分および透明部分とを含む。 - 特許庁

An N^- diffusion region is arranged along walls of trenches 20 to 23 so that the concentration and thickness of the N^- diffusion region and a P^- mesa are depleted fully during reverse blocking operation.例文帳に追加

Ｎ^−拡散領域が、トレンチ２０〜２３の壁面に沿って並び、Ｎ^−拡散領域およびＰ^−メサの濃度および厚みが、逆ブロッキング動作中に完全に空乏化するように構成されている。 - 特許庁

The antireflective hardmask layer comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO_1.5}_n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.例文帳に追加

この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、｛ＲＳｉＯ_１．５｝_ｎ（但し、ｎは８である）と、少なくとも１つの発色団部分および透明部分とを含む。 - 特許庁

A differentiating circuit 130A determines the differentiating value of a node N voltage change in the dead time, and a detection circuit 130B detects a timing, where node N voltage is in complete compliance with power voltage Vin, for example.例文帳に追加

ここで、微分回路１３０Ａは、デッドタイムにおけるノードＮの電圧変化の微分値を求め、検出回路１３０Ｂは、ノードＮの電圧が例えば電源電圧Ｖｉｎに完全に一致したタイミングを検出する。 - 特許庁

An n+ buffer layer that is formed on the reverse side of an N- layer 11 consists of an inactive region 21 where the activation of ions is incomplete, and an active region 19 that is a region where the activation of ions has been improved.例文帳に追加

Ｎ^-層１１の裏面に形成されたｎ^+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域２１と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域１９とからなる。 - 特許庁

When the UMOSFET Trp not conducting, the portion under the bottom faces of the trenches can be depleted completely, by extending depletion layers from the lateral joint surfaces 62 of the base region 6 of a first main electrode region (n-type drift region 102) side.例文帳に追加

UMOSFETＴｒｐの非導通時、このベース領域６の横方向接合面６２から第１主電極領域（n型ドリフト領域１０２）側に空之層２０Ｃを伸ばしてトレンチ２底面下を完全に空之化することができる。 - 特許庁

In t2 when the Pr reduces up to a value of not causing a release shock of a retreat brake even if this is eliminated under non-control, the Pr is eliminated at a stretch from its drain port by putting the manual valve in an N range position, and the retreat brake is completely released.例文帳に追加

Prが、これを非制御下に排除しても後退ブレーキの解放ショックを生じない値まで低下したt2に、マニュアルバルブをNレンジ位置にしてそのドレンポートよりPr を一気に排除し、後退ブレーキを完全解放させる。 - 特許庁

All resistors (including resistors in a Zener zapping circuit), except resistors included in an analog integrated circuit in a semiconductor integrated circuit device, are each equipped with a P-type resistive layer 6 which functions as a resistor, an N--type resistive island layer 4N which completely surrounds the resistive layer 6, and an N+-type ring-shaped collector wall layer 7.例文帳に追加

ＩＣ化された半導体集積装置内のアナログ集積回路を除く全ての抵抗（ツェナーザッピング回路内の抵抗をも含む）の各々は、同抵抗として機能するｐ型抵抗層６と、抵抗層６を完全に取り囲むｎ^-型の抵抗島層４Ｎと、抵抗島層４Ｎの全側面を完全に取り囲むｎ^+型のリング状のコレクターウォール層７とを有する。 - 特許庁

The constraints can include that the transform has a scaled integer implementation, provides perfect or near perfect reconstruction, has a DCT-like basis function, is limited to a coefficient within a range represented in n-bits (e.g. n is 16 bits), and provides a sufficient headroom for overflow of the range.例文帳に追加

この制約は、この変換が、スケーリングされた整数の実装を有すること、完全またはほぼ完全な再構築を提供すること、ＤＣＴ近似の基底（DCT-like basis）を有すること、ｎビット（例えば、ｎは１６ビット）における表現の範囲内の係数に制限されること、ノルムに類似する基底関数を有すること、および、範囲のオーバーフローに対して十分なヘッドルームを提供すること、を含むことができる。 - 特許庁

N-bit address to the buffer are mapped or masked from/to m-bit packet-processing address registers by software, thereby enabling the buffer size to be fully scalable.例文帳に追加

該バッファに対するｎビットアドレスがソフトウエアによりｍビットパケット処理アドレスレジスタから又はそれに対してマッピング又はマスキングされてバッファ寸法を完全にスケーラブルなものとさせることを可能とする。 - 特許庁

Before occurrence of meeting of the n-type GaN layer 12, a dopant is switched to a p-type dopant and lateral growth is performed until perfect meeting of a p-type GaN layer 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１２の会合が起きる前にドーパントをｐ型ドーパントに切り替え、ｐ型ＧａＮ層１３が完全に会合するまで横方向成長を行う。 - 特許庁

RACE-PCR is performed by extracting an mRNA from the strain and designing a primer based on the amino acid sequence information of the N-terminal amino acid of the purified TAP, and a full-length TAP gene is obtained.例文帳に追加

また、上記菌株からｍＲＮＡを抽出し、精製ＴＡＰのＮ末端アミノ酸の配列情報に基づいてプライマーを設計することによりＲＡＣＥ−ＰＣＲを行ない、これにより完全長のＴＡＰ遺伝子を得る。 - 特許庁

To produce a uniform mature TFPI (tissue factor potency inhibitor) having authentic nature (right N-terminal amino acid sequence) and complete length.例文帳に追加

真正（ａｕｔｈｅｎｔｉｃ）（すなわち、正しいＮ−末端アミノ酸配列を有する）であり、完全長であり、そして均一である成熟ＴＦＰＩを産生すること。 - 特許庁

Disclosed are the liquid crystalline n-type organic conductor material consisting of a completely ring-fused porphyrin dimer represented by formula [1], and an organic photoelectronic device using the same.例文帳に追加

下記の一般式で表される完全縮環ポルフィリン二量体よりなる液晶性ｎ型有機導電体材料、及びそれを用いた有機光電子デバイス。 - 特許庁

During level shift operation, the N type transistors N3 and N4 in the protective circuits B3 and B4 are turned on completely to accelerate level shift operation without limiting current flow.例文帳に追加

従って、レベルシフト動作時には、保護回路Ｂ３、Ｂ４のＮ型トランジスタＮ３、Ｎ４は完全ＯＮして、流れる電流を制限せず、レベルシフト動作を速める。 - 特許庁

The translation of the radiation source with respect to the examination area in the axial direction of rotation is controlled so as to ensure that the conical radiation beam completely irradiates the segments of the examination area during the n time intervals Δt.例文帳に追加

検査領域に対しての回転軸方向における放射線源の並進は、ｎ個の時間間隔Δｔの間にいつでもコニカル放射線ビームが検査領域のセグメントを完全に照射するよう制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the interval between a P-type region and an N-type region is narrowed for miniaturizing and completely depleting a vertical MOSFET element, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴ素子の微細化及び完全な空乏化を達成するためＰ型領域及びＮ型領域間のピッチを狭くした半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, it is judged, based on the residual torque TR, whether or not a cylinder #N first making the transition to an intake stroke after the starting demand is made can make the transition to a compression stroke till the engine operation is completely stopped.例文帳に追加

また、始動要求がなされた後に最初に吸気行程に移行する気筒＃Ｎが、機関運転が完全停止するまでに圧縮行程に移行可能か否かを残留トルクＴＲに基づいて判定する。 - 特許庁

An engine control device of a water jet propelling boat according to the invention makes changing-over between the D-j control and α-N control before establishment of the perfect coast running condition (planing) which is often used usually and requires a high boat maneuvering feeling.例文帳に追加

通常よく使用され、高い操船フィーリングが要求される完全滑走航走状態（プレーニング）となる前に、Ｄ−ｊ制御とα−Ｎ制御を切り替えるようにした。 - 特許庁

As a result, in comparison with the case where N+1 pieces of azimuth units 10 are connected completely in a mesh shape, the number of azimuth units 10 is increased.例文帳に追加

この結果、Ｎ＋１個の方路ユニット１０が完全にメッシュ状に接続されている場合に比べて、方路ユニット１０の数を増やすことができる。 - 特許庁

Furthermore, an N-channel MOS transistor 31 and a P-channel MOS transistor 35 of the circuit 3 are turned off completely, and on through-current flows from power supply nodes 33 to ground terminals 34 in the circuit 3.例文帳に追加

また、専用回路３のＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１およびＰチャネルＭＯＳトランジスタ３５が完全にオフされ、専用回路３において電源ノード３３から接地端子３４へ貫通電流が流れなくなる。 - 特許庁

In the CMOS circuit 10, since a current path is not formed between the N-channel transistor 11 and the P-channel transistor 12 due to a parasitic transistor, the occurrence of latch-up can be completely prevented.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路１０によれば、Ｎチャネルトランジスタ１１とＰチャネルトランジスタ１２の間に寄生トランジスタによる電流パスが形成されないため、ラッチアップの発生を完全に防止できる。 - 特許庁

As a result, since the drift region 21 and single crystalline region 17 can be completely depleted, there can be obtained a vertical n+ type MOS field effect transistor 1 which has a high withstand voltage.例文帳に追加

以上により、ｎ^+型ドリフト領域２１およびｐ^-型シリコン単結晶領域１７を完全空乏化できるので、縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１によれば、耐圧を高くすることができる。 - 特許庁