Then, this performs the fault judgement processing having reflected the mathematical relation being materialized among terminal voltages V_U, V_V, and V_W, using the terminal voltages V_U, V_V, and V_W detected about three or more mutually different current application terminals u, v, and w, thereby performing the fault judgment about the processing results.例文帳に追加

そして、３以上の互いに異なる通電端子ｕ，ｖ，ｗについて検出された端子電圧Ｖ_Ｕ、Ｖ_Ｖ、Ｖ_Ｗを用いて、それら端子電圧Ｖ_Ｕ、Ｖ_Ｖ、Ｖ_Ｗ間に成立する数学的関係を反映した故障判定処理を行ない、その処理結果に基づいて故障判定を行なう。 - 特許庁

The sum L (L=L_h+L_V) of channel length L_h in the longitudinal direction of the crystal grain shape and channel length L_V in the direction orthogonal thereto in sub pixels 13R, 13G and 13B having different emitted light color is equal, and L_h/L_V is different.例文帳に追加

発光色の異なる副画素１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂにおける結晶粒形の長手方向のチャネル長Ｌ_hと、それに交差する方向のチャネル長Ｌ_Vの和Ｌ（Ｌ＝Ｌ_h＋Ｌ_v）は等しく、Ｌ_h／Ｌ_Vが異なっている。 - 特許庁

The display region V has a plurality of regions Va, Vb, Vc having different light scattering characteristics.例文帳に追加

表示領域Ｖは異なる光散乱特性を有する複数の領域Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを有する。 - 特許庁

Plural V grooves 11, 12, 13 for setting up optical fibers 21, 22, 23 are provided in positions of plural different heights in a V grooved substrate 1 for optical fibers.例文帳に追加

光ファイバ用Ｖ溝基板１の複数個の異なる高さの位置に、光ファイバ２１、２２、２３設置用のＶ溝１１、１２、１３を複数個設けた。 - 特許庁

A pair of transistors Tr1 and Tr2 which differ in polarity from each other are connected in series across a power supply voltage V_DD of 10 V.例文帳に追加

互いに極性の異なる一対のトランジスタＴｒ１及びＴｒ２が、１０Ｖ系の電源電圧Ｖ_DD間に直列接続される。 - 特許庁

The first and second strain buffer intermediate layers include different semiconductor materials, and reduce strain of the first group III-V semiconductor body.例文帳に追加

前記第１および第２の歪緩衝中間層は、異なる半導体材料を有し、前記第１のIII-V族半導体本体における歪みを減少させる。 - 特許庁

When the voltage detected by the differential amplifier units D1 to D8 differs more than 0.15 V from 3.60 V, it is determined that the differential amplifier units are in failure.例文帳に追加

差動増幅部Ｄ１〜Ｄ８で検出される電圧が３．７５Ｖから０．１５Ｖ以上異なる場合に差動増幅部の故障を判断する。 - 特許庁

Here, when the circumferential speed V is different from a reference circumferential speed Vp, a drive motor 88 is driven based on speed difference between V-Vp.例文帳に追加

ここで、定着ベルト１０２の周速度Ｖが、基準周速度Ｖｐと異なる場合、Ｖ−Ｖｐの速度差に基づいて、駆動モータ８８を駆動する。 - 特許庁

To provide a repeater for enabling communication between different V-LANs and a V-LAN system using it.例文帳に追加

異なるＶ−ＬＡＮ間の通信を可能とする中継装置及びそれを用いたＶ−ＬＡＮシステムを提供することができる。 - 特許庁

When the voltage, detected by differential amplifying section D1 to D8, is different by 0.15 V or larger from 3.75 V, the differential amplifying section is decided as being faulty.例文帳に追加

差動増幅部Ｄ１〜Ｄ８で検出される電圧が３．７５Ｖから０．１５Ｖ以上異なる場合に差動増幅部の故障を判断する。 - 特許庁

VPP image matching is performed in the range of a common plane area R (ΔX, ΔY) of VPP images I_V(t) and I_V(t-1) taken at different times is performed, and the moving quantity is calculated from the determined slippage.例文帳に追加

異なる時刻間でのＶＰＰ画像Ｉ_V(t)、Ｉ_V(t-1)のうち平面の共通領域Ｒ（ΔＸ、ΔＹ）の範囲でＶＰＰ画像マッチングを行い、求められたずれ量から移動量を算出する。 - 特許庁

Using a first V-block group A and a second V-block group B which are formed by mixing first V-blocks 3_1 and second V-blocks 3_2 at a different mixing ratio, the belt 1 is assembled.例文帳に追加

第１のＶブロック３_１と第２のＶブロック３_２とを異なる配合比で混合した第１のＶブロック群Ａと第２のＶブロック群Ｂとにより、ベルト１を組立てる。 - 特許庁

V grooves 51-58 and 61-68 different in depth are formed in an optical fiber array tool 10, and grooves 71-78 and projected lines 81-88 are formed in a pressing plate 9 in accordance with the different depths of the V grooves.例文帳に追加

光ファイバ配列具１０には、深さの異なるＶ溝５１，５２…，５８および６１，６２，…，６８を形成し、押さえ板９にはＶ溝の異なる深さに対応して溝７１，７２，…，７８と突条８１，８２，…，８８とを形成する。 - 特許庁

A controller controls a concentration sensor so as to read the detection value V_patch of a reference patch and the detection value V_cln of the raw surface of an intermediate transfer belt for every different image forming condition (step S1), and calculates a characteristic value m(TC)(=(V_patch-Rx)/(V_cln-Ry)) (step S2).例文帳に追加

コントローラは、濃度センサを制御して、異なる画像形成条件毎に、基準パッチ検出値Ｖ_ｐａｔｃｈ及び中間転写ベルトの素面の検出値Ｖ_ｃｌｎを読み込み（ステップＳ１）、特性値ｍ（ＴＣ）（＝（Ｖ_ｐａｔｃｈ−Ｒｘ）／（Ｖ_ｃｌｈ−Ｒｙ））を算出する（ステップＳ２）。 - 特許庁

The plurality of field effect transistors MN1 of the plurality of unit control circuits are turned on at the different levels of the oscillation control voltage V_TUNE.例文帳に追加

複数の単位制御回路の複数の電界効果トランジスタＭＮ１は、発振制御電圧Ｖ_ＴＵＮＥの異なるレベルでターンオンする。 - 特許庁

On the other side surface different from the side surface of the rod part 12 formed with the rack gear 14, a V groove part 18 extending to the piston part 16 is formed.例文帳に追加

ラックギヤ１４が形成されるロッド部１２の側面と異なる他の側面には、ピストン部１６まで延びるＶ溝部１８が形成される。 - 特許庁

In the circuits 18(1) to 18(n), recording levels are set so as to be mutually made to differ by volumes V_1 to V_n.例文帳に追加

回路１８（１）〜１８（ｎ）では、ボリュームＶ_１〜Ｖ_ｎにより互いに異なるように録音レベルを設定する。 - 特許庁

Adjacent blocks in the tire width direction V differ from each other in the tire circumferential positions of the sipes 28.例文帳に追加

そして、タイヤ幅方向Ｖに隣接するブロック同士では、サイプ２８のタイヤ周方向位置が互いに異なる。 - 特許庁

When the ship speed V is different, property out of the dead zone is such that a portion of its linear function is moved in parallel.例文帳に追加

船速Ｖが異なる場合の不感帯外の特性は、その一次関数の部分を平行移動させた特性となっている。 - 特許庁

A first collation section 42 collates the voice signal V to each of a plurality of phoneme models MP corresponding to different utterance strength L.例文帳に追加

第１照合部４２は、相異なる発声強度Ｌに対応する複数の音素モデルＭPの各々と音声信号Ｖとを照合する。 - 特許庁

The change rate of the speed V with respect to the manipulate variable T is changed in each section 12 or 14.例文帳に追加

第１区間Ｉ２と第２区間Ｉ４とでは操作量Ｔに対する発射速度Ｖの変化率が異なる。 - 特許庁

To manufacture a V-engine for variety of applications within many use ranges that can be economically realized.例文帳に追加

Ｖ型エンジンにおいて、経済的に実現可能な多数の使用範囲内の異なる適用に合わせて製造する。 - 特許庁

One-end sides of resistances 41 and 42 having mutually different resistance values are connected to an electrification terminal Nd to which a source voltage V_DD is supplied.例文帳に追加

電源電圧Ｖ_ＤＤが給電端子Ｎｄに、抵抗値が互いに異なる抵抗４１、４２の一端がそれぞれ接続される。 - 特許庁

A pair of plate blades 6, 7 is provided so that both the edges of the blades are turned inwardly so as to form an opening of a V shape therebetween, and hair is introduced from the opening into the interior thereof to cut the hair.例文帳に追加

また、作業性を低下させることなく柄を異なる形態の刃で共用することの可能なようにヘアカットレザーを構成する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a desired mirror ratio cannot be obtained, when transistors present in two current paths of a current mirror circuit are different in V_DS.例文帳に追加

カレントミラー回路のふたつの電流経路に存在するトランジスタのＶ_ＤＳが異なると、所望のミラー比が得られない。 - 特許庁

When a game ball enters a V zone, a game control part decides whether to present the game different from the normal game to the player.例文帳に追加

遊技制御部は、遊技球がＶ入賞したときに、遊技者に通常の遊技とは異なるゲームを提示するか否かを決定する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a belt on which a plurality of V-blocks different in plate thickness are randomly assembled has harsh noises because of an insufficient forming into white noises.例文帳に追加

板厚の異なる複数のＶブロックをランダムに組付けたベルトでは、ホワイトノイズ化が充分ではなく、耳障りな騒音を発生する。 - 特許庁

To grow a III-V compound layer on a substrate having sharply different lattice constant.例文帳に追加

格子定数が大幅に異なる基板上にＩＩＩ−Ｖ族層を成長させるための改良された方法を提供することができる。 - 特許庁

Voltages with alternately different polarities (+V volt, -V volt) are applied to the both ends of the liquid crystal layers 11a-11c and electrodes 14a-14d at boundary parts in this order.例文帳に追加

液晶層１１ａ〜１１ｃの両端と境界部の電極１４ａ〜１４ｄには、この順に交互に極性の異なる電圧（＋Ｖボルト、−Ｖボルト）が印加される。 - 特許庁

The sink component is adapted to automatically select at least one of a plurality of different types of communication networks for obtaining the A/V program data and the A/V menu data stream from the source component.例文帳に追加

シンクコンポーネントは、複数の異なるタイプの通信ネットワークのうちの少なくとも１つを自動的に選択するようになっており、ソースコンポーネントからＡ／ＶプログラムデータおよびＡ／Ｖメニューデータストリームを得る。 - 特許庁

A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).例文帳に追加

第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁

In the magnetic head, the groove depth may be different between the V-shaped groove on the tape entry portion and the V-shaped groove on the tape exit portion.例文帳に追加

また、本発明にかかる磁気ヘッドにおいて、テープの入り部分のＶ字型の溝と、テープの出部分のＶ字型の溝とは、それぞれ溝の深さが異なるようにしてもよい。 - 特許庁

A groove inside surface 65b which is the inside surface of a V groove 65a of a developing sleeve 65 which is a developer carrier is roughened more than a groove outside surface 65c which is a surface part different from the V groove 65b of the sleeve 65.例文帳に追加

現像剤担持体たる現像スリーブ６５のＶ溝６５ａの内面である溝内面６５ｂを、現像スリーブ６５のＶ溝６５ａとは異なる表面部分である溝外面６５ｃよりも粗面化せしめた。 - 特許庁

An actual attraction measurement time t_c is measured, and when it differs from a predetermined attraction time t_1, a hold voltage V_h(t) and a secession voltage V_r(t) are recalculated based on the actual attraction measurement time t_c (S8 to S11).例文帳に追加

実際の吸着実測時間ｔ_cを測定し、予め設定された吸着時間ｔ_1と異なる場合、実際の吸着実測時間ｔ_cに基づき、保持電圧Ｖ_h（ｔ）、離脱電圧Ｖ_r（ｔ）を再計算する（Ｓ８〜Ｓ１１）。 - 特許庁

When Vmin is 0.9 V or less or the difference from the maximum value Vmax is 0.2 V or less, the existence of the different maker's battery is displayed, and the system is stopped.例文帳に追加

Ｖmin が０．９Ｖ以下、又は、最大値Ｖmax からの差が０．２Ｖ以下である場合には、メーカが異なる電池が含まれている旨が表示され、システムが停止する。 - 特許庁

The variable resistive film 2 is a sulfide expressed by A_1-xB_xS_y, where A is at least one kind selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu, and B is one kind different from A and selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu.例文帳に追加

可変抵抗膜２はＡ_１−ｘＢ_ｘＳ_ｙで表される硫化物であり、前記ＡはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれた少なくとも１種であり、前記Ｂは前記Ａとは異なるＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれた少なくとも１種からなる。 - 特許庁

The number of slits, the heights of the surfaces in which V-grooves are formed, or the angles of V-grooves in the first region 13a and second region 13b are differently formed, and the grooves of the second region 13b are provided with four inclined surfaces.例文帳に追加

例えば、第１領域１３ａと第２領域１３ｂのスリット本数又はＶ溝を形成する面の高さ又はＶ溝角度を異なるようにしたり、第２領域１３ｂの溝を４つの斜面を有する形状とする。 - 特許庁

Each set of the potentials V_X and V_Y is provided with an exchange point where the scale relation is inverted according to the change of the input signal level A, and the exchange point of each set is set so as to exist at the different positions of the input signal level A.例文帳に追加

Ｖ_Ｘ，Ｖ_Ｙの各組は、Ａの変化に対して大小関係が反転する交換点を有し、また、組毎の交換点は、Ａの異なる位置に存在するように設定される。 - 特許庁

A V groove for guiding the engaging member (pin) 62 to a prescribed position is provided in the member (block piece) 61 to be engaged, and at the same time the direction of the V groove of at least one member 61 to be engaged is directed toward a different direction relative to the V groove of the other members to be engaged.例文帳に追加

前記被係合部材（ブロック片）６１にはそれぞれ前記係合部材（ピン）６２を所定位置に案内するＶ溝を設けるとともに、少なくとも１つの被係合部材６１のＶ溝の方向を、それ以外の被係合部材６１のＶ溝に対して異なる方向に向けて配置する。 - 特許庁

The variable speed type man conveyor has a handrail re-grasping part in the neighborhood of a V-shaped area formed between two adjoining handrails having different running speeds and is equipped with a sensual transmitting means 4a to transmit sensually to the passenger that he must re-grasp the handrail.例文帳に追加

走行速度が互いに異なる隣接した移動手摺の一方と他方の間に形成されたＶ形状の空域近傍の移動手摺持ち替え部に、走行速度が互いに異なる隣接した移動手摺を持ち替えることを乗客の感覚により伝える感覚伝達手段４ａを設ける。 - 特許庁

This device is equipped with a fiber 2 for transmission which transmits signal light having different wavelengths, and a plurality of fibers 3a, 3b, and 3c for fusion which extend together with the fiber 2 for transmission while optically fused to the side face of the fiber 2 for transmission at different positions and have mutually different standardized frequencies V.例文帳に追加

異なる複数の波長を有する信号光を伝送する伝送用ファイバ２と、伝送用ファイバ２の側面に異なる位置で光学的に融着された状態で伝送用ファイバ２とともに延び、互いに異なる規格化周波数Ｖを有する複数の融着用ファイバ３ａ，３ｂ，３ｃとを備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor solar cell includes: a first semiconductor layer 102 comprising a III-V nitride semiconductor and including a first pn junction; and a second semiconductor layer 104 comprising a III-V nitride semiconductor and including a second pn junction different in bandgap from the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。 - 特許庁

To prevent the occurrence of vertical cracks in stripe-like seed crystals during growing a III-V nitride-based compound semiconductor layer on a horizontally grown III-V nitride-based compound semiconductor layer having a different lattice constant.例文帳に追加

横方向成長された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にこれと格子定数の異なる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる場合に、ストライプ形状の種結晶に垂直な方向にクラックが発生するのを防止する。 - 特許庁

This display is constituted so that first voltage V_COM (102) is applied to a common electrode in the case of the write-in mode and first voltage and different second voltage V_SM(104) are applied to a common electrode in the case of the non-write-in mode.例文帳に追加

このディスプレイは、書き込みモードのとき第１の電圧Ｖ_ＣＯＭ（１０２）を共通電極に印加し、非書き込みモードのとき第１の電圧と異なる第２の電圧Ｖ_ＳＭ（１０４）を共通電極に印加するように構成されている。 - 特許庁