c-mosとは 意味・読み方・使い方

To allow manufacturing of a hybrid substrate, especially manufacturing of C-MOS structure to be simplified.例文帳に追加

ハイブリッド基板の製造、特にＣ−ＭＯＳ構造の製造を簡略化することを可能にする。 - 特許庁

A MOS capacitor C is connected between two adjacent ones of the lines 10, 11, 13 and 14.例文帳に追加

ＶＳＳ線１０，１３と、ＶＤＤ線１１，１４との間には、ＭＯＳキャパシタＣが接続される。 - 特許庁

With respect to n-channel MOS transistors TN-A and TN-B and p-channel MOS transistors TP-A and TP-B comprising the level shift circuit, p-channel MOS transistors TP-C and TP-D comprising a current mirror circuit are formed at the drain of the p-channel MOS transistors TP-A and TP-B.例文帳に追加

レベルシフト回路を構成するＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ‐Ａ、ＴＮ‐ＢおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂにおいて、ＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂのドレインにカレントミラー回路を構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐ＣおよびＴＰ‐Ｄを構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.例文帳に追加

埋込型フォトダイオードＰＤに接続された転送ゲートを備えたＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにソースが接続されたＭＯＳトランジスタＴ２と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＴ５と、ＭＯＳトランジスタＴ５のソースに接続されたコンデンサＣと、を備える。 - 特許庁

The drain and the gate of a MOS transistor T1 are connected to the anode of a photo diode PD with a d-c voltage VPD applied to its cathode, and the drain and the gate of a MOS transistor T3 are connected to the source of the MOS transistor T1.例文帳に追加

カソードに直流電圧ＶPDが印加されたフォトダイオードＰＤのアノードにＭＯＳトランジスタＴ１のドレインとゲートを接続するとともに、このＭＯＳトランジスタＴ１のソースにＭＯＳトランジスタＴ３のドレインとゲートを接続する。 - 特許庁

Specially, a driving part divides the C-MOS switch array 13 and CCD cell array 10 in two dimensions into the upper and lower parts based upon the center position of the C-MOS switch array 13 and independently drives an upper CCD cell array 10A, a lower C-MOS switch array 13B, and a lower CCD cell array 10B.例文帳に追加

特に駆動部がＣ−ＭＯＳスイッチアレイ１３およびＣＣＤセルアレイ１０をＣ−ＭＯＳスイッチアレイ１３の中央位置を基準として平面的に上部および下部に分割し、上部Ｃ−ＭＯＳスイッチアレイ１３Ａ、上部ＣＣＤセルアレイ１０Ａ、下部Ｃ−ＭＯＳスイッチアレイ１３Ｂ、および下部ＣＣＤセルアレイ１０Ｂを独立に駆動する。 - 特許庁

An additional resistor R is connected between a source electrode and a gate electrode of the 3rd MOS TR 6 and an additional capacitor C is connected between a drain electrode and the gate electrode of the 3rd MOS TR 6.例文帳に追加

この第３のＭＯＳトランジスタの前記ソース電極およびゲート電極間には付加抵抗が接続され、前記ドレイン電極およびゲート電極間には付加容量が接続されている。 - 特許庁

The shift register circuit includes two input circuits, i.e., a MOS transistor T11a that is an input circuit connected to a gate terminal of a MOS transistor T15 in which a capacitor C as a bootstrap circuit is provided, and a MOS transistor T11b that is an input circuit connected to a gate terminal of a MOS transistor T14 as an inverter.例文帳に追加

ブートストラップ回路であるコンデンサＣが設けられたＭＯＳトランジスタＴ１５のゲート端子に接続される入力回路であるＭＯＳトランジスタＴ１１ａと、インバータであるＭＯＳトランジスタＴ１４のゲート端子に接続される入力回路であるＭＯＳトランジスタＴ１１ｂの２系統の入力回路を設ける。 - 特許庁