「尚」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

SCI cleaning (RCA cleaning) is applied, and a silicon substrate 1 where the etching damaged layer 11 is made is etched by 10 Å-20 Å.例文帳に追加

ＳＣ１洗浄（ＲＣＡ洗浄）を施し、エッチング・ダメージ層１１が形成されたシリコン基板１を１０Å〜２０Åだけエッチングする。 - 特許庁

The method for producing the extruded foam of the styrenic resin is characterized in that the styrenic resin is extruded and expanded using water as a foaming agent and involving a zeolite having a pore diameter of 3-9 Å.例文帳に追加

スチレン系樹脂を押出発泡してなるスチレン系樹脂押出発泡体であって、発泡剤に水を使用し、細孔径３〜９Åのゼオライトを含有することを特徴とするスチレン系樹脂押出発泡体の製造方法。 - 特許庁

Film thickness T1 of the superposed stopper 26 and silicon oxide film 27 is set thinner than the root of the product of the film thickness T2 of the silicon nitride film 28 and 4,000 Å.例文帳に追加

ストッパ２６と酸化シリコン膜２７とを重ねた膜厚Ｔ1は、窒化シリコン膜２８の膜厚Ｔ2と４０００Åとの積の平方根より薄く形成される。 - 特許庁

In the powder X-ray diffraction by using a Cu-Ka beam as a beam source, the crystal modification shows strong peaks at 11.22, 8.93, 6.23, 3.42 and 3.27 Å.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋａ線を線源とした粉末Ｘ線回折において、１１．２２、８．９３、６．２３、３．４２、３．２７オングストロングに強いピークを示す結晶変態である。 - 特許庁

The difference between a pair of front and rear wavelengths of an absorption end is 0.05-0.5 Å, and the percentage content of sulfur is measured by detecting the mass absorption coefficients at the front and rear of the absorption end of sulfur over the angle corresponding to it.例文帳に追加

吸収端の一対の前後の波長の差は０．０５〜０．５Åであり、これに相当する角度を移動し、硫黄の吸収端の前後の質量吸収係数を検出することにより硫黄の含有率を測定する。 - 特許庁

Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.例文帳に追加

次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁

The cobalt compound comprises a crystal phase having a crystal structure of a space group R3m structure, and at least a part of the crystal phase has a spacing of the (003) faces of 13.8 Å or more.例文帳に追加

コバルト化合物が、空間群Ｒ３ｍ構造の結晶構造を有する結晶相を備え、且つ、前記結晶相の少なくとも一部は、（００３）面の面間隔が１３．８Å以上となっている。 - 特許庁

When such a thick film resistor is formed, thick film resistor paste containing RuO_2 having a lattice constant on the a-axis and b-axis between 4.4919-4.4994 Å is employed.例文帳に追加

このような厚膜抵抗体を形成するには、例えば、ａ軸及びｂ軸の格子定数が、４．４９１９Åより大であり、４．４９９４Åより小であるＲｕＯ_2を含む厚膜抵抗体ペーストを用いる。 - 特許庁

The dielectric porcelain comprises an oxide having a specific composition wherein a rare earth element (Ln), Al, M (M is Ca and/or Sr) and Ti are contained as metal elements, and the dielectric porcelain contains crystallites having diameters of 100 to 1,000 Å.例文帳に追加

金属元素として希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａおよび／またはＳｒ）、及びＴｉを含有する特定組成の酸化物からなり、結晶子径が１００〜１０００Åである誘電体磁器とする。 - 特許庁

A method for applying resist film is devised to apply a resist film having a film thickness of ≤5,500 Å to a wafer having a diameter of ≥8 inches by spin coating.例文帳に追加

本方法は、スピンコート法により、８インチ以上の大口径のウエハ上に膜厚５５００Å以下のレジスト膜を塗布する方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing the glass for a touch panel includes a roughening step of making the surface roughness Ra of the whole or part of the glass surface to be 3-50,000 Å.例文帳に追加

本発明のタッチパネル用ガラスの製造方法は、ガラス表面の全部または一部の表面粗さＲａを３〜５００００Åにする粗面化工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

An electrode E1, an insulating film IS1 and a stabilizing film ST1 are formed on the substrate S1 and the total film thickness of the insulating film IS1 and the stabilizing film ST1 is 300-1,500 Å.例文帳に追加

基板Ｓ１には電極Ｅ１、絶縁膜ＩＳ１、安定化膜ＳＴ１が形成されており、絶縁膜ＩＳ１と安定化膜ＳＴ１の膜厚の合計を３００Å〜１５００Åの範囲とする。 - 特許庁

The measurement condition is, X-ray source: CuKα line (CuKα=1.5418 Å), divergence slit: 1°, scattering slit: 1°, light receiving slit: 0.2 mm and step width: 0.05°.例文帳に追加

[測定条件] Ｘ線源：ＣｕＫα線（ＣｕＫα＝１．５４１８Å） 発散スリット：1° 散乱スリット：1° 受光スリット：０．２ｍｍ ステップ幅：０．０５° - 特許庁

The air cleaning filter uses RB ceramics and/or CRB ceramics with a pore size of 10-2,000 Å and a pore volume of 0.1-1.1 cc/g as an adsorbing filter medium.例文帳に追加

細孔直径が１０〜２０００ オングストロームの細孔の容積が０．１〜 １．１ｃｃ／ｇのＲＢセラミックス及び／又はＣＲＢセラミックスを吸着・濾過材として用いる空気清浄フィルター。 - 特許庁

When an electrode film is deposited on a semiconductor substrate, it is deposited with extremely low deposition rate (1-1,000 Å/min) while heating the substrate from 400 to 900°C.例文帳に追加

本発明では、半導体基板上に電極膜を成膜する時、基板温度を４００℃から９００℃まで加熱しながら、成膜速度を極めて遅くして（１〜１０００Å／ｍｉｎ）堆積させる。 - 特許庁

A silicon substrate 1 of crystal orientation {100} is prepared, and left in the atmosphere for about 70 hours after its rear face is ground, to form a natural oxide film 2 of the thickness of around 4 Å.例文帳に追加

結晶方位｛１００｝のシリコン基板１を準備し、シリコン基板１の裏面を研磨した後、大気中に７０時間程度放置して、厚さ４Å程度の自然酸化膜２を形成する。 - 特許庁

As compared with the case where the development defect preventing composition is not applied, reduction in film thickness of the photoresist after development is increased by 100-600 Å.例文帳に追加

これにより、現像欠陥防止用組成物を塗布しない場合に比べ現像処理後のフォトレジストの膜厚の減少量が、更に１００Å〜６００Å大きくされる。 - 特許庁

It is desirable that the dielectric layer 3 is constituted by niobium oxide having a feature that the full width at half maximum of the MZ rays of the characteristic X-rays of niobium is 1.00 Å or larger.例文帳に追加

また、ニオブの特性Ｘ線のＭＺ線のピークの半値幅が１．００Å以上である酸化ニオブによって誘電体層３を構成することが、より好ましい。 - 特許庁

Subsequently, polysilicon 40 is grown by CVD using SiH4 (silane) and Wsi 50 is deposited thereon to produce a level difference on the order of 1500 Å.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン４０を、ＳｉＨ_4 （シラン）を用いたＣＶＤ法により成長させ、その上に、ＷＳｉ５０を形成すると、１５００Å程度の段差が発生する。 - 特許庁

The powdery activated carbon having ≥1,000 m2/g specific surface area measured by N2 adsorption BET method and ≥10 Å to ≤50 Åaverage fine pore diameter, and the manufacturing method are provided.例文帳に追加

Ｎ_２吸着ＢＥＴ法で測定した比表面積が１０００ｍ^２／ｇ以上であり、かつ平均細孔直径が１０Å以上５０Å以下である活性炭粉体及びその製造法。 - 特許庁

In a region of the resist film where a transfer pattern is to be formed, the difference between the film thickness of the resist film at a position with the maximum thickness and at a position with the minimum thickness is not more than 50 Å.例文帳に追加

また、レジスト膜は、転写パターンが形成される領域において、膜厚の最も厚い位置におけるレジスト膜の膜厚と、膜厚の最も薄い位置におけるレジスト膜の膜厚との差異が５０オングストローム以下である。 - 特許庁

On an Si substrate 4, a pattern oxidized film 3 is formed by thermal oxidization and the stopper film 2 of a film thickness x Å[x>1.2H/(S-1.2)] is formed by using a CVD technique.例文帳に追加

Ｓｉ基板４上に熱酸化によってパターン酸化膜３及びＣＶＤ技術を用いて膜厚ｘÅ［ｘ＞１．２Ｈ／（Ｓ−１．２）］のストッパ膜２を成膜する。 - 特許庁

A thin film with a thickness of 200-2,000 Å containing metal oxide and a polymeric material is provided on at least one surface of a polymeric film.例文帳に追加

高分子フィルムと、その少なくとも一面上に、金属酸化物および高分子材料を含む膜厚２００〜２０００Åの金属酸化物含有薄膜とを設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The thermoplastic resin composition includes an aluminum oxide hydrate having 1.50 [mol/mol] or less crystal water and/or 195 Å or more crystallite size on the 200 plane.例文帳に追加

結晶水量が１．５０［ｍｏｌ／ｍｏｌ］以下、及び／又は、２００面の結晶子サイズが１９５Å以上である酸化アルミニウム水和物と熱可塑性樹脂組成物。 - 特許庁

Wholly aromatic polyamide filament is characterized in that the crystallinity (X) before heat treatment ranges from 70 to 79% and the apparent crystal size (ACS, based on 200 plane) before heat treatment ranges from 42 to 50 Å.例文帳に追加

本発明の全芳香族ポリアミドフィラメントは、熱処理前の結晶化度（Ｘ）が７０〜７９％であり、熱処理前の結晶サイズ（ＡＣＳ、２００平面基準）が４２〜５０Åである。 - 特許庁

Synthetic zeolite or a molecular sieve 5A having a pore size of around 5 Å is caused to adsorb a Thujopsis dolabrata oil and is used as a part of raw materials of an incense stick.例文帳に追加

ヒバ油を細孔径が５Å相当の合成ゼオライトやモレキュラーシーブ５Ａに吸着させて、これを線香の原料の一部に用いる。 - 特許庁

It is preferable that the electrolytic manganese dioxide has a (110)/(021) peak intensity ratio of 0.50-0.80 in the X-ray diffraction peak pattern, and an interplanar distance between the (110) planes of 4.00-4.06 Å.例文帳に追加

電解二酸化マンガンのＸ線回折ピークにおける（１１０）／（０２１）のピーク強度比が０．５０以上０．８０以下、（１１０）面の面間隔が４．００Å以上４．０６Å以下であることが好ましい。 - 特許庁

The filter 18 includes an adsorbent layer 18b made of zeolite having a micropore with a diameter of 4 Å, and the pore diameter is smaller than the value determined by the molecular weight of the refrigerant.例文帳に追加

このフィルタ１８は、微細孔の大きさが４Åのゼオライトよりなる吸着材層１８ｂを備え、その微細孔の大きさは冷媒の分子量により決定される大きさより小さくなっている。 - 特許庁

The repeating charge motif includes a positively charged free amino moiety and a negative charge, and the positively charged free amino moieties of at least two repeating charge motifs are preferably separated by a distance of at least 32 Å.例文帳に追加

反復電荷モチーフは陽性に荷電した遊離アミノ部分および陰性電荷から成っており、少なくとも二つの反復電荷モチーフの陽性に荷電した遊離アミノ部分は好ましくは、少なくとも32Åの距離だけ分離されている。 - 特許庁

The surface of the soft magnetic layer 13 has an average surface roughness of 0.5 to 5.0 Å and a line density of the texture streaks of ≥30 pieces/μm.例文帳に追加

軟磁性層１３の表面の平均表面粗さが０．５Å〜５．０Åの間の範囲にあり、テクスチャ条痕のライン密度が３０本／μｍ以上の範囲にある。 - 特許庁

The Kanto loam soil is heated to 150-800°C to provide adsorbent with the peak pore distribution within a range of 10-500 Å and a specific surface of 50 m^2/g or more, preferably 100 m^2/g or more.例文帳に追加

関東ローム土を、１５０〜８００℃に加熱処理して、細孔分布のピークが１０〜５００オングストロームの範囲にあり、比表面積が５０ｍ^2／ｇ以上、好適には１００ｍ^2／ｇ以上である吸着剤を得る。 - 特許庁

Then, by forming the groove part of 1,300 Å depth, the height of the top surface of the upper electrode 18 is made substantially equal to that of the top surface of the LOCOS oxide film 9 on a P-well region 8.例文帳に追加

そこで、溝部１２の深さを１３００Åとすることにより、上部電極１８の上面とＰウエル領域８上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の上面とを実質的に同じ高さにすることができる。 - 特許庁

This digester gas refining agent consists of an activated carbonaceous material with the integrated volume of pores having a specific surface area of ≥500 m2/g and a pore diameter ranging from 10 to 20 Å of ≥0.1 cm3/g.例文帳に追加

比表面積が５００ｍ^2／ｇ以上および／または１０Å〜２０Åの範囲の細孔径を有する細孔の積算容量が０．１ｃｍ^3／ｇ以上となるように、賦活処理が施された炭素質からなることを特徴とする。 - 特許庁

An Ar gas flow rate, pressure in film formation, high-frequency power and a film formation period are set to 10 cc/min, 0.27 Pa, 200 W and 15 min, respectively, and the thickness of the film formed under the conditions is set to around 3,000 Å.例文帳に追加

Ａｒガス流量１０ｃｃ／ｍｉｎ、成膜時の圧力０．２７Ｐａ、高周波電力２００Ｗ、成膜時間１５分とし、この条件で成膜された膜圧は約３０００Åとなる。 - 特許庁

The porous adsorbent packed in the packed layer preferably has ≥500 m2/g specific surface area, and ≥0.1 cm3/g accumulated volume of pores within 10-20 Å diameters.例文帳に追加

また、前記充填層に充填される多孔質吸着剤は、５００ｍ^2／ｇ以上の比表面積を有することが好ましく、１０Å〜２０Åの範囲の細孔の積算容量が０．１ｃｍ^3／ｇ以上であることが好ましい。 - 特許庁

This magnetic recording medium comprises a magnetic recording layer having a ferro-magnetic host layer 15 and a ferro-magnetic overlay 17 which is attached in direct on the host layer 15 and has an effective thickness in the range of 1 to 40 Å.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、強磁性ホスト層と、前記ホスト層上に直接付着された、１〜４０オングストロームの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイとを含む磁気記録層を有する。 - 特許庁

To provide a preparative method for nanocomposite material of conductive polymer having conductivity ≥10-1 S/cm comprising a lamella silicate having interlayer distance ≥50 Å.例文帳に追加

伝導率が１０^-1Ｓ／ｃｍ以上で、層間スペースが５０Å以上である層状ケイ酸塩からなる導電性高分子のナノ複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The intermediate film has its thickness specified to a variation rate of reflection of ≤±1% with respect to the change of the film thickness within ±10 Å from the characteristics of reflection to the film thickness.例文帳に追加

前記中間膜は、膜の厚さが、膜厚に対する反射の特性から、±１０Å以内の膜厚の変化に対し反射の変動率±１％以下となる膜厚に特定されたことを特徴とする。 - 特許庁

In a method for forming a resist pattern, hydrophilic water 21 is coated on the face to be treated of a wafer W, ad the medical liquid of a antireflection film is coated on this so that an about 1,000 Å thickness antireflection film 22 can be formed.例文帳に追加

ウエハＷの被処理面に親水液２１を塗布し、この上に反射防止膜の薬液を塗布して、例えば１０００Å程度の厚さの反射防止膜２２を形成する。 - 特許庁

A c constant of the ZnO buffer layer is 5.2070 Å or above, 5.21-5.28 Åbeing preferred, by adjusting a parameter of a sputter device.例文帳に追加

上記ＺｎＯバッファ層のｃ定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、５.２０７０Å以上、好ましくは５.２１Å〜５.２８Åとしている。 - 特許庁

The X-ray diffraction patterns (lattice spacing d/A) are as follows: 13.2±0.6, 12.3±0.3, 11.0±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1, 3.4±0.1.例文帳に追加

Ｘ線回折パターン （格子面間隔ｄ／Å） １３．２±０．６ １２．３±０．３ １１．０±０．３ ９．０±０．３ ６．８±０．３ ３．９±０．２ ３．５±０．１ ３．４±０．１ - 特許庁

If polishing of the magnetic disk is carried out by using the particle-free polishing fluid in the final step of polishing work, the surface roughness of less than about 1.51 Å is achieved.例文帳に追加

研磨加工の最終工程で粒子を含まない研磨流体を用いて磁気ディスクを研磨すると、約１．５１Å未満の表面粗さが可能である。 - 特許庁

The dimensional value of the bond bar of the single bond of 1 in the bond order is specified to the bond distance L_1=0.7 Å of the hydrogen molecule and the relation between the dimensional value L_n of the bond bar in the bond order n and the bond order n is expressed by Equation 1.例文帳に追加

また、結合次数が１である単結合の結合棒の寸法値を水素分子の結合距離Ｌ_１＝0.7Åとし、結合次数ｎにおける結合棒の寸法値Ｌ_ｎと結合次数ｎとの関係を式１で表現する。 - 特許庁

An alumina sintered body with continuous pores, having an average pore diameter of 500-1,100 Å and with a porosity value of 6-16%, is formed on the surface of the measurement electrode 23 as an electrode protective layer 50, so as to cover the measurement electrode 23.例文帳に追加

測定電極２３の表面上に、電極保護層５０として、連通気孔の平均気孔径が５００〜１１００Å、気孔率が６〜１６％のアルミナ焼結体が測定電極２３を被覆するように形成される。 - 特許庁

When measured according to JIS K7129-B at 40°C and 90% RH, the water vapor permeability of the silicon nitride film with a thickness of 1,000 Å is 0.02 g/m^2/day or lower.例文帳に追加

窒化シリコン膜の４０℃９０％ＲＨでの水蒸気透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１２９−Ｂで規定された測定方法により厚さ１０００Åとして測定した場合、０．０２ｇ／ｍ^２・日以下となる。 - 特許庁