「いちえだ３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

文禄・慶長の役において名護屋城の陣中にあった利家に見初められ側室となり、3代当主前田利常を生んだ。例文帳に追加

While staying at a camp in Nagoya Castel during the Bunroku-Keicho War, Toshiie flirted with her and made her his concubine, and she later gave birth to Toshitsune MAEDA, the third head of the Maeda clan.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＬＥＤ制御部３は、領域毎の第１の特徴量に応じてＬＥＤバックライト５の各分割領域の第１の輝度を定める。例文帳に追加

An LED control section 3 determines a first luminance of each of divided regions of an LED backlight 5 according to the first feature amount for each of the regions. - 特許庁

レイアウトフローにおけるＣＴＳの工程が終了した後、各々のＣＴＳについて、ＣＴＳ最終段バッファからＦＦまでの最長配線長を調べ、最長配線長の平均値ｌを求める。例文帳に追加

After the process of CTS in a layout flow is completed(2), longest wiring lengths from a CTS final stage buffer to FF concerning each CTS are inspected(3) and the average l of the lengths is obtained(4). - 特許庁

打撃球１はワイヤー２，３を含む打撃面Ｓａにおいて放射状配置を採り、その静止位置状態で予張力をもって保持される。例文帳に追加

The hitting ball 1 is arranged radially on the batting face Sa which includes the wires 2, 3 and is held in the stationary position with a pretension. - 特許庁

基台２に対して座体３を前後方向に調整移動する為の水平調整手段４を備えていても良い。例文帳に追加

A horizontal adjusting means 4 for adjusting and moving the seat body 3 in the longitudinal direction to the base 2 may also be mounted. - 特許庁

第１電極１２又は第２電極１３の圧電膜１１と反対側の面には、密度が５００ｋｇ／ｍ^3以上且つ３５００ｋｇ／ｍ^3以下の材料からなる共振周波数調整膜１４が形成されている。例文帳に追加

A resonance frequency adjusting film 14 which is formed of material 500 to 3,500 kg/m^3 in density is provided on the side of the first electrode 12 or the second electrode 13 opposite to its other side facing the piezoelectric film 11. - 特許庁

また縁片３には張出し先端から幅方向へ該幅の中程までに至る幅調節用の切り目１１が間隔を保ち設けてもよい。例文帳に追加

Cut lines 11 for adjusting the width of the edge piece 3 may be formed in the edge piece 3 from its projected tip to the approximately center of the width at spaces. - 特許庁

平板２の外周面に超音波センサ５を配置し、そのエコーによって平板３と波板２の頂部との接触位置を検出する。例文帳に追加

A supersonic wave sensor 5 is arranged at a peripheral face of the flat plate 3 for detecting a contacting point of the flat plate 3 and the apex part of the corrugated plate 2 by means of an echo therefrom. - 特許庁

扉１１を備え被調理物１を収容する調理室２と、被調理物１の加熱のために前記調理室２内へ蒸気を供給する給蒸手段３とを備える調理装置において、調理中に前記扉１１を開くことなく被調理物１へ水または調味液７を散布する散布手段８を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

In the cooking apparatus which has a cooking chamber 2 with a door 11 where a cooked object 1 is housed and a steam supply means 3 which supplies steam into the cooking chamber 2 for heating the cooked object 1, a spray means 8 is so arranged as to spray water or a seasoning liquid 7 onto the cooked object 1 without opening the door 11 during the cooking. - 特許庁

光源であるランプ3 と、該ランプ3 から延長して形成され、側面の一部分が透明な円筒形の光ガイド部1 とにより構成される照明装置において、前記光ガイド部1 は、エピサイクロイド形断面で構成される。例文帳に追加

In the illuminator constructed with a lamp 3 being a light source, and a light guide part 1 formed by extending from the lamp 3 and having a part of its side face with a transparent cylindrical shape, the light guide part 1 is constructed with an epicycloid shaped section. - 特許庁

Ｒ（λ１）／Ｒ（λ２）＜ １ （１） 〔式中、Ｒ（λ１）、Ｒ（λ２）は、ぞれぞれの波長λ１ｎｍ、λ２ｎｍ（４００＜λ１、λ２＜７００、λ１＜λ２）における高分子配向フィルムの面内位相差である。例文帳に追加

The phase contrast of the above phase contrast film satisfies formula (1): R(λ1)/R(λ2)<1 at the wavelength λ and the haze of the film is ≤3%. - 特許庁

露光装置は、光源１と、光の通過量を調整するための第２の開口２ａと、第２の開口２ａを調整するための第２の開口調整手段２と、反射板３と、レチクル４と、投影レンズ５とを備える。例文帳に追加

The aligner has a light source 1, a second aperture 2a for adjusting an amount of light transmission, a second aperture adjusting means 2 for adjusting the second aperture 2a, a reflecting plate 3, a reticle 4, and a projection lens 5. - 特許庁

このように、財政赤字の更なる拡大は、回復し始めた世界経済の成長を妨げるリスク要因となり得る（コラム3、4参照）。例文帳に追加

In this way the further expansion of fiscal deficits could become a risk factor which could hinder growth of the global economy that has just started to recover (Refer to Column 3 and 4). - 経済産業省

堤代長（つつみしろなが、正徳(日本)6年2月20日(旧暦)（1716年3月13日）-天明3年11月28日(旧暦)（1783年12月21日））は、江戸時代の公卿。例文帳に追加

Shironaga TSUTSUMI (March 13, 1716 - December 21, 1783) was a Kugyo (high court noble) in the Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

積層された複数の波長変換板３、５、７、９と、前記複数の波長変換板３、５、７、９の端面に取付けられた太陽電池１１と、隣接する前記波長変換板３、５、７、９の間に分散された微粒子１５と、を備えることを特徴とする太陽電池パネル１。例文帳に追加

A solar cell panel 1 comprises plural laminated wavelength conversion plates 3, 5, 7, 9; solar cells 11 mounted to end faces of the plural wavelength conversion plates 3, 5, 7, 9; and fine particles 15 dispersed between the adjacent wavelength conversion plates 3, 5, 7, 9. - 特許庁

第１スタブは、Ｌ＝λ／４ｍ（ただし、ｍ＝２，３，４，・・・，ｎ）で表される伝送線路長Ｌを各々有している。例文帳に追加

First stubs respectively have a transmission line length L indicated by L=λ/4m (where m=2, 3, 4,..., n). - 特許庁

３　第一項の規定により計算した課徴金の額が一万円未満であるときは、課徴金の納付を命ずることができない。例文帳に追加

(3) When the amount of surcharge calculated pursuant to the provisions of paragraph (1) is less than ten thousand yen, payment of the surcharge may not be ordered.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

Ｘ線照射装置１と受像機２との間に、出力調整用板３を介挿して当該調整用板３のＸ画像を求め、このＸ線画像を画像処理装置５内に取り込み、その輝度を求める。例文帳に追加

An output adjusting plate 3 is interposed between an X-ray irradiation device 1 and an image receiver 2 to calculate the X-ray image of the output adjusting plate 3 and this X-ray image is fetched into an image processor 5 to calculate the brightness of the X-ray image. - 特許庁

光源１の照射光を分光器３で掃引し、サンプル１００のピーク静電容量値を与える照射光の波長λ１を求める。例文帳に追加

Irradiated light of a light source 1 is swept by a spectroscope 3 to obtain a wavelength λ1 of the irradiated light which gives a peak electrostatic capacitance value of a sample 100. - 特許庁

空気調和機は、内蔵機器を固定するための固定部材３と、固定部材３を嵌め込むための挿入口１５を有し内蔵機器を覆うための外装ケース１と、固定部材３と外装ケース１との間の密閉性を確保するためのシール材とを備える。例文帳に追加

The air conditioner is provided with the fixing member 3 for fixing the built-in equipment, an insertion hole 15 for the fixing member 3 to be fitted in, the exterior case 1 for covering the built-in equipment, and a sealing material for securing sealing property between the fixing member 3 and the exterior case 3. - 特許庁

また、高さ調節手段３は、側溝ブロック２に設けられて、第一雌ネジ部１０と螺合する雄ネジ部を有したボルト１３を備える。例文帳に追加

Further the height adjusting means 3 includes a bolt 13 which is arranged in the side ditch block 2 and provided with a male screw part for engaging with the first female screw part 10. - 特許庁

３　経済産業局長は、第一項の決定をしようとするときは、あらかじめ公害等調整委員会の承認を得なければならない。例文帳に追加

(3) The Director of Regional Bureau of Economy, Trade and Industry shall, when he/she makes the decision prescribed in the provision of paragraph (1) above, receive approval from the Environmental Dispute Coordination Committee in advance.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

リード３は、全長に亘って一様の幅ａ、厚みｔに設定され、全長も含めて全音高について同一構成とされる。例文帳に追加

The reed 3 is set uniform in width a and thickness t over the whole length, and is formed in a same structure including the whole length for all pitches. - 特許庁

ケージ型メソポーラスカーボンは、空間群がＦｍ３ｍであり、格子定数が最大２３ｎｍであり、比表面積が最大１．９×１０^３ｍ^２／ｇであり、比孔容量が最大３ｃｍ^３／ｇであることを特徴とする。例文帳に追加

In the cage type mesoporous carbon, a space group is Fm3m, a lattice constant is maximum 23 nm, a specific surface area is maximum 1.9×10^3 m^2/g and a specific pore volume is maximum 3 cm^3/g. - 特許庁

このようにして、判交換の際に枚葉紙の側縁部３．１，３．２;３’．１;３’．２を案内面上で浮遊高さに保持するために用いられる補助手段の調節が不要になる。例文帳に追加

It is thus possible to eliminate the need for adjustment of the auxiliary means used for retaining the side end parts 3. 1, 3. 2; 3'. 1, 3'. 2 at a floating height above the guide surface. - 特許庁

ダイシングテープ５に貼付された半導体チップ３の表面に表面保護テープ２を貼付してからダイシングテープ５を剥がし、その後、予めＵＶ硬化されている粘着テープ１をダイシングテープ５に代えて半導体チップ３の裏面に貼付する。例文帳に追加

A surface protecting tape 2 is stuck on the front side of a semiconductor chip 3 stuck on a dicing tape 5, the dicing tape 5 is then released, and a previously UV-cured adhesive tape 1 is stuck on the rear side of the semiconductor chip 3 in place of the dicing tape 5. - 特許庁

本発明のカーラジオは、同調回路１と自動同調手段２と自動選局切替手段３とを有する。例文帳に追加

This car radio receiver has a tuning circuit 1, an automatic tuning means 2, and an automatic channel selection changeover means 3. - 特許庁

光ディスク３のスピンアップ時において、エラー信号生成部４により生成されるサーボエラー信号に対しゲイン調整及びオフセット調整を行い、第１のゲイン調整値及びオフセット調整値を求める。例文帳に追加

At the time of spin-up of the optical disk 3, the gain adjustment and the offset adjustment are executed with respect to a servo error signal produced by an error signal producing part 4, then the 1st gain adjusting value and offset adjusting value are obtained. - 特許庁

ワーク３を搬送するための搬送用パレット１であって、前記ワーク３を配置するための配置面７ａを有する配置部材７と、前記ワーク３を吸着して前記配置部材７に配置するための吸着手段１７とを備えることを特徴とする搬送用パレット１。例文帳に追加

A transporting pallet 1 for transporting a work 3 is equipped with a placing member 7 having a placing surface 7a on which the work 3 is placed and a suction means 17 to suck the work 3 and place on the member 7. - 特許庁

結晶原料を溶かし込んだ坩堝２内の溶液に種子基板１１を浸漬し、その基板１１上に結晶を成長させる液相成長方法であって、基板１１の浸漬前には溶液面に蓋部材３を浮在させおき、基板１１の浸漬時に蓋部材３を溶液中に沈降させる。例文帳に追加

The liquid phase-growing method comprises immersing a seeding substrate 11 into a solution dissolving a crystalline raw material in a crucible vessel 2 and growing a crystal on the substrate 11, wherein a lid member 3 is floated on the solution surface before immersing the substrate 11, whereas the lid member 3 is precipitated in the solution when immersing the substrate 11. - 特許庁

回転軸１と同体に回転する回転環２と、この回転環２に対向して攪拌槽１０３側に配位された固定環３に、両者の摺動面２ａ，３ａ間の面圧若しくは間隔を調整する調整機構を備える。例文帳に追加

A rotary ring 2 is provided to be rotated in a manner united with a rotary shaft 1, and a fixed ring 3 arranged in a stirring tank 103 side facing the rotary ring 2 is provided with an adjusting mechanism for adjusting a surface pressure or an interval between the sliding surface of both 2 and 3. - 特許庁

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27. - 特許庁

化粧板用基材の少なくとも一方の面に第１接着剤層を介して膨張黒鉛シートを積層したことを特徴とする不燃性基材であり、前記膨張黒鉛シートは厚さが０．１〜１．０ｍｍであって、密度が０．９６〜１．６０ｇ／ｃｍ^3であることを特徴とする不燃性基材。例文帳に追加

The noncombustible base material is characterized in that an expanded graphite sheet is laminated on at least one face of the base material for the decorative plate through a first adhesive layer and that the expanded graphite sheet has a thickness of 0.1-1.0 mm and a density of 0.96-1.60 g/cm^3. - 特許庁

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。例文帳に追加

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12. - 特許庁

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。例文帳に追加

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。例文帳に追加

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces. - 特許庁

超音波振動子２、３の配置位置を焦点とする仮想楕円体Ａの端部楕円面が内面に形成された超音波反射用ホーン７、８を、仮想楕円体Ａの端部位置において互いに対向する態様で超音波振動子２、３に設ける。例文帳に追加

This measuring device is provided with ultrasonic wave reflecting horns 7, 8, which have end elliptic faces of a virtual ellipsoid A having focal points at the layout positions of ultrasonic vibrators 2, 3 on the inner faces, on the ultrasonic vibrators 2, 3 at the end positions of the virtual ellipsoid A in a facing state. - 特許庁

定規本体１の下面に、被切断部材２端面に引掛ける爪部３を備えた引掛け手段４を設けたことを特徴とする。例文帳に追加

A hooking means 4 equipped with a claw part 3 for being hooked on an end face of the member to be cut 2 is provided on an under surface of the ruler main body 1. - 特許庁

パターン検査装置１００は、光照射手段１と、検査用撮像手段２と、検査手段３と、調整用撮像手段４と、フォーカス調整手段５と、光量調整手段６と、メモリ７とを備える。例文帳に追加

The pattern inspection device 100 has a light irradiator 1, an image pickup part 2 for inspection, a tester 3, an image pickup part 4 for adjustment, a focus adjuster 5, a light amount adjuster 6, and a memory 7. - 特許庁

当時、消えかかっていた上方落語の復興に尽力した、桂米朝(3代目)・桂春団治(3代目)・笑福亭松鶴(6代目)・桂文枝(5代目)の総称。例文帳に追加

It is a general term for Beicho KATSURA (the third), Harudanji KATSURA (the third), Shokaku SHOFUKUTEI (the sixth) and Bunshi KATSURA (the fifth), who made efforts in restoring Kamigata rakugo at the time when it almost disappeared.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

表面保護膜２を有する酸化物超電導バルク体１であって、前記表面保護膜２が、前記酸化物超電導バルク体１の上に形成される第１樹脂層３と、当該第１樹脂層３の上に形成される第２樹脂層４とからなる酸化物超電導バルク体を形成する。例文帳に追加

The oxide superconductive bulk body 1 has the surface protective film 2 comprising a 1st resin layer 3 formed on the oxide superconductive bulk body 1 and a 2nd resin layer 4 formed on the 1st resin layer 3. - 特許庁

このために、本発明の誘電体磁器組成物では（ＢａＮｄＳｍＭｎ）ＴｉＯ_3 磁器組成物に対し、重量比でＺｎＯ−ＳｉＯ_2 −ＢａＯを６〜１３％、Ｂ_2 Ｏ_3 を３〜１３．５％、ＣｕＯを０．５〜３％、Ｂ_2 Ｏ_3 を０．５〜３％添加したことを特徴とする。例文帳に追加

The dielectric ceramic is obtained by adding, by weight, 6 to 13% ZnO-SiO_2-BaO, 3 to 13.5% B_2O_3, 0.5 to 3% CuO and 0.5 to 3% B_2O_3 to a (BaNdSmMn)TiO_3 ceramic composition. - 特許庁

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。例文帳に追加

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface. - 特許庁

摩阿姫（まあひめ、元亀3年（1572年）-慶長10年10月13日(旧暦)（1605年11月23日））は、前田利家と芳春院の三女。例文帳に追加

Princess Mahime (1572- November 23, 1605) was the third daughter of Toshiie MAEDA and Hoshunin.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、鳥獣魚介肉、大豆蛋白、ペプチド混合物及び水を含み、加熱調理され、形を有し硬さが５×１０^５Ｎ／ｍ^２〜５×１０^３Ｎ／ｍ^２であることを特徴とする調理肉加工食品及びその製造法である。例文帳に追加

The cooked meat processed food comprises flesh meat and seafood meat, soybean protein, a peptide mixture and water, is cooked, and has a certain shape and hardness of 5×10^5 N/m^2 to 5×10^3 N/m^2. - 特許庁