「きばちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

温調している鏡面部材６とスタンパ３を密着させることで熱伝導を安定にして基板特性を安定させる。例文帳に追加

Thus it is possible to stabilize the substrate properties by making the temperature-controlled mirror member 6 adhere to the stamper 3 and thereby enabling the heat to be stably conducted. - 特許庁

仕切り部材２０の壁面部の高さは、実装する基板３および電子部品に干渉しないように調整する。例文帳に追加

The height of a wall surface part of the partition member 20 is adjusted so as not to interfere with the mounted board 3 and the electronic components. - 特許庁

基板２０上において、視認側に突き出した凸部２４からなる目盛２１に、金属光沢調ハーフミラー層３を設けて形成した。例文帳に追加

This display panel is constituted to provide a metallic glossy tone of half mirror layer 3 in a scale 21 comprising a protrusion 24 projected to a visible side, on a substrate 20. - 特許庁

ガラス膜３の光学的性質が少なくともガラス基板１の表面に平行な方向で変化するように変調領域４を形成する。例文帳に追加

A modulation region 4 is so formed that the optical property of the glass film 3 at least changes in the direction parallel to the surface of the glass substrate 1. - 特許庁

この熱移動手段から独立して装置基板３の内部又は裏面に点灯装置15を実装したことを特徴としている。例文帳に追加

The light-emitting device is such that the turn-on device 15 is mounted in the device substrate 3, or on the reverse surface thereof, independently of the heat transmission means. - 特許庁

更に、基板１０は、剥離液槽１の底部設置された超音波発生装置２と対面するように保持部材３により保持される。例文帳に追加

The substrate is held by the holder 3 so as to face the ultrasonic wave generator 2 installed at the bottom of the bath 1. - 特許庁

表面実装部品１００を実装するプリント配線基板２の上に熱膨張緩衝シート３を一体に積層する。例文帳に追加

A thermal-expansion buffer sheet 3 is laminated integrally on the printed-wiring board 2 on which the surface mounting component 100 is mounted. - 特許庁

位相シフター膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記位相シフター膜５は、主に露光光の位相を制御する位相調整層４と、透明基板２と位相調整層４との間に形成され主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層３とを有し、前記透過率調整層３の膜厚が、９０オングストローム以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In the halftone phase shifting mask blank 1 having a phase shifter film 5, the phase shifter film 5 has a phase adjusting layer 4 which chiefly controls the phase of exposure light and a transmittance adjusting layer 3 formed between a transparent substrate 2 and the phase adjusting layer 4 and having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and the thickness of the transmittance adjusting layer 3 is ≤90 Å. - 特許庁

そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。例文帳に追加

Accordingly, cracks occurring at the first semiconductor layer 3 can be inhibited at the boundary surface of the first semiconductor layer 3 with the second substrate 4 when causing the growth of the second semiconductor layer 5 on the first semiconductor layer 3. - 特許庁

誘電体基板３の一方の面にアンテナパターン４が形成されたアンテナ装置１において、アンテナパターン４にアンテナ装置１の共振周波数を調整するための共振周波数調整部４２を形成する。例文帳に追加

In the antenna device 1 in which an antenna pattern 4 is formed on a face of a dielectric substrate 3, a resonant frequency adjustment unit 42 for adjusting resonant frequency of the antenna device 1 is formed on the antenna pattern 4. - 特許庁

撮像素子３の調整結果の設定値を除き、最新のプログラムや補正値を、位置調整時にメモリ６への書き込みができ、また固定された基板４ｂに行うため容易かつ正確に端子と接触できる。例文帳に追加

The newest program and the correction value can be written into the memory 6 at the position adjustment except for the set value resulting from the adjustment result of an imaging element 3, and easy and sure contact with a terminal becomes possible since the write-in is performed to the fixed substrate 4b. - 特許庁

遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ_2ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。例文帳に追加

Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

平面形状が長方形の平板状の基板２の両側端２１，２１から基板２の表面２４から裏面２３に達する複数の切込み３，３…を左右交互に互いに略平行に設けたことを特徴とする幣束作成補助具１。例文帳に追加

The Heisoku making aid has the plurality of cuttings 3, 3, ... extending from front face 24 to a back face 23 of a substrate 2, provided by being cut alternatively from the left end and right end substantially parallel to each other from both side ends 21, 21 of the flat substrate 2 having a rectangular planar shape. - 特許庁

無機材料からなり、多孔質に形成された表面２ａを有する基板２と、基板２の表面２ａに搭載された複数の発光素子３と、複数の発光素子３上に共通に配置された波長変換層４と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

A light emitting device comprises: a substrate 2 that is made of an inorganic material and has a porous surface 2a; multiple light emitting elements 3 mounted on the surface 2a of the substrate 2; and a wavelength conversion layer 4 that is commonly disposed over the multiple light emitting elements 3. - 特許庁

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

超微粒子材料７を基板３上に供給して形成した前記超微粒子材料の堆積物から前記超微粒子材料の膜２を形成する超微粒子材料成膜方法において、前記基板上に供給された前記超微粒子材料の堆積物２ａの表面を平坦にする平坦化工程を一回以上加えて前記膜を形成する例文帳に追加

In a superfine particle material-based film formation method for forming a film 2 of an ultrafine particle material 7 from a deposited material of the superfine particle material formed by supplying the superfine particle material to the substrate 3, the film is formed by carrying out a leveling process one or more times to level the surface of the deposited material 2a of the superfine particle material supplied to the substrate. - 特許庁

3. 我々は、11 月 3、4 日にカンヌで行われた最近の G20 首脳会合の結果をレビューし、世界経済の回復を強固にし、金融セクターの安定を強化し、開かれた市場を維持し、強固で持続可能かつ均衡ある成長の基盤を築くために、協調行動をとることを誓った。例文帳に追加

3. We reviewed the conclusions of the recent G-20 Leaders Summit meeting in Cannes on November 3-4, and pledged to take coordinated actions to strengthen the global recovery, reinforce financial sector stability, maintain open markets, and build a foundation for strong, sustainable, and balanced growth.  - 財務省

基板１に長波長光を吸収するためのｎ型半導体層３、アンドープ半導体層４、ｐ型半導体層５を積層し、その上部に短波長光を吸収するためのｎ型半導体層６、アンドープ半導体層７を積層する。例文帳に追加

An n-type semiconductor layer 3, an undoped semiconductor layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 for absorbing long wavelength light are laminated in a substrate 1; and an n-type semiconductor layer 6 and an undoped semiconductor layer 7 for absorbing short wavelength light are laminated thereon. - 特許庁

そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材６の融液溜め８に貯溜されている融液を成長室３内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板１のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加

The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

光源装置１は、同一基板２上に複数の面発光レーザ３を有する面発光レーザアレイ３ａと、面発光レーザアレイ３ａ上に設けられ、該面発光レーザアレイ３ａからの光を波長変換する波長変換素子５と、を具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

The light source device 1 comprises a surface emitting laser array 3a having a plurality of surface emitting lasers 3 on the same substrate 2, and a wavelength conversion element 5 that is disposed above the surface emitting laser array 3a and converts the wavelength of the light from the surface emitting laser array 3a. - 特許庁

直線状の端面２ａを有する基板本体２の端面２ａに沿って、電気コネクタ５に挿入される複数のパッド３(1)〜３(n)を所定間隔を置いて形成してなるプリント基板１において、端面２ａからパッド３(1)〜３(n)の先端までの距離を異ならせてなることを特徴とする。例文帳に追加

In the printed circuit board 1 where the plurality of pads 3 (1) to 3 (n) inserted into the electric connector 5 are formed at prescribed intervals along the end face 2a of a board body 2 having the linear end face 2a, distances from the end face 2a to tips of the pads 3 (1) to 3 (n) differ from one another. - 特許庁

貫通孔３を有する基板４の表面にレジストを塗布する方法であって、レジスト吸収部材１により貫通孔３を塞いだ状態で、基板４の表面にレジストを塗布することを特徴とするレジスト塗布方法。例文帳に追加

In a method for coating a resist on a surface of a substrate 4 having a through hole 3, the resist is coated on the surface of the substrate 4 while the through hole 3 is blocked by a resist absorption member 1. - 特許庁

端子ピン８は、本体部６に載置された回路基板３の端面３ａの横側を通って回路基板３の表面３ｂまで伸長形成されている部位８Ａを有する。例文帳に追加

The terminal pin 8 has a portion 8A elongated and formed while passing through the side of the end surface 3a of the circuit board 3 placed on the body 6 up to the surface 3b of the circuit board 3. - 特許庁

角形基板(1)を回転させてその表面に薬液(2)を塗布する薬液塗布方法であって、薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流す事を特徴とする。例文帳に追加

In the liquid chemical applying method for applying a liquid chemical 2 on the surface while rotating a square substrate 1, air current 4 flows from the center P of the square substrate 1 to the peripheral direction S along the liquid chemical coating surface 3. - 特許庁

各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。例文帳に追加

The each LED substrate is mounted on the mounting substrate 3 so that the substrate for crystal growth 24 is removed after the light-emitting layer 22 is fixed on the first side 30 of the mounting substrate 3, and only the LED chip 2 composed of the light-emitting layer 22 and the electrode 21 remains on the mounting substrate 3. - 特許庁

上面に基板が保持されるテーブル４と、テーブルに保持された基板にその板面と直交する上下方向に超音波振動を付与する振動子３と、テーブルに保持され振動子によって超音波振動する基板の上面に処理液を供給するノズル体を具備する。例文帳に追加

The processing apparatus is equipped with a table 4 to hold a substrate on its surface, a vibrator 3 to impart ultrasonic vibration in up and down directions perpendicular to the substrate surface to the substrate held on the table, and a nozzle body to supply a processing solution on the upper surface of the substrate held on the table and ultrasonically vibrating by the vibrator. - 特許庁

ただし、この度重なる所属替えは徳島藩士の陣幕への嫌悪へとつながり、1867年（慶応3年）4月場所7日目の陣幕と張出小結鬼面山谷五郎との取組で最高潮に達した。例文帳に追加

However, his perpetual transfers caused the hatred of the retainers of the Tokushima clan, which burst up at the match between Jinmaku and Haridashi-Komusubi (wrestler at the fourth highest rank, lower grade) Tanigoro KIMENZAN on the seventh day of the April Tournament in 1867.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

表面にテクスチャ加工を施した非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理し、その上に非磁性下地膜３および磁性膜４を形成する。例文帳に追加

An orientation adjusting film 2 is formed on a surface-textured nonmetallic substrate 1, the surface of the film 2 is oxidized or nitrided and a nonmagnetic base film 3 and a magnetic film 4 are formed on the film 2. - 特許庁

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。例文帳に追加

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E). - 特許庁

表面にテクスチャ加工を施した非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理し、その上に非磁性下地膜３および磁性膜４を形成する。例文帳に追加

An alignment regulation film 2 is formed on a non-metallic substrate 1 which undergoes texturing on a surface and the surface of the alignment regulation film 2 is subjected to oxidation or nitridation, and a non-magnetic undercoat film 3 and a magnetic film 4 are formed thereon. - 特許庁

光導波路３のコア層１２が、菱面体構造を示す電気光学材料からなり、主面の結晶方位が（１００）である基板上に成長形成した膜として成長形成されている。例文帳に追加

A core layer 12 of an optical waveguide 3 is composed of an electro-optic material exhibiting a rhombohedral structure, and the electro-optic material is grown and formed as a film grown and formed on a substrate whose crystal orientation of the principal surface is (100). - 特許庁

本発明による植生土壌基盤１は、膨張性保水材４を柱状に形成して土壌３中に鉛直方向に埋設し、膨張性保水材の上面５を土壌で被覆して構成している。例文帳に追加

A vegetation soil bedrock 1 forms an expansible water retention material 4 in the shape of a column to bury it in the soil 3 in the vertical direction, and the upper surface 5 of the expansible water retention material is coated with the soil. - 特許庁

半導体チップ３を基板４に超音波ボンディングする前に、超音波振動子５によりホーン２ａを発振させる予備運転を行い、ボンディングツール２を常温から３８℃程度まで暖める。例文帳に追加

Before a semiconductor chip 3 is subjected to ultrasonic bonding to a substrate 4, the preliminary operation is performed which oscillates a horn 2a by using an ultrasonic vibrator 5, and the bonding tool 2 is warmed from a normal temperature to about 38^OC. - 特許庁

表面から３００ｎｍまでの深さの表面層１ａ内における結晶軸のずれ角が２５°以下で、表面粗さＲ_P-Vが１５０ｎｍ以下に平坦化された配向金属基板１上に、超電導層３を形成されていることを特徴とする超電導線材およびその製造方法。例文帳に追加

A superconductive layer 3 is formed on an orientated metal substrate 1 in which the deviation angle of a crystal axis in its surface layer 1a having a depth of up to 300 nm from its surface is 25° or less, and which is leveled so as to have surface roughness R_p-v of 150 nm or less. - 特許庁

誘電体基板３上にプリプレグ層から成る板厚ｔ２の誘電体基板８が貼付され、誘電体基板８の表面全面に接地平面導体９が形成されている。例文帳に追加

A dielectric substrate 8 with a plate thickness of t2 consisting of a prepreg layer is adhered onto the dielectric substrate 3, and a ground plane conductor 9 is formed on the entire surface of the dielectric substrate 8. - 特許庁

静電チャックプレート２と基板３との間に潤滑ガスが存在し、潤滑剤として作用するので、基板３が昇温し、熱膨張する際に、基板３裏面と静電チャックプレート２表面との間が摺動しても、ダストが発生しないようになっている。例文帳に追加

Since a lubricating gas exists between the electrostatic chuck plate 2 and substrate 3 and acts as a lubricant, when the temperature of the substrate 3 rises and thermally expands, dust is not generated even if a back surface of the substrate 3 and surface of the electrostatic chuck plate 2 slide. - 特許庁

基板本体２の端面２ｃに沿って複数のパッド３(1)〜３(n)が所定間隔を置いて形成され、電気コネクタ５に挿入されるプリント基板１において、基板本体２の端面２ａが、複数のパッド(1)〜３(n)の配列方向に対して非平行に形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the printed circuit board 1 formed with a plurality of pads 3(1) to 3(n) at a specific interval along an end face 2c of a board body 2 and inserted into an electric connector 5, the end face 2a of the board body 2 is nonconcurrently formed relative to the arrangement direction of the plurality of pads (1) to 3 (n). - 特許庁

よって、回路基板３を直接加熱しなくてもいいため、回路基板３への熱応力が掛かりにくく、回路基板３の熱膨張・熱収縮によって発生する、ランド４やスルーホール５内部がはく離するはんだ付け不良を防止することができる。例文帳に追加

Consequently, thermal stresses are hardly applied to the circuit board 3, and the occurrence of such defective soldering that is caused by the thermal expansion or thermal shrinkage of the circuit board 3 and causes the peeling of lands 4 or the contents of the through holes 5 can be prevented, because the direct heating of the circuit board 3 is not required. - 特許庁

ＴＣＰ等の電子部品２が部品吸着ヘッド１１で吸着され基板３の所定位置に位置決め実装されるとき、基板３上の貼付された異方性導電テープ等の接続部材４を、基板３受け台１８に装着されたヒータ１８等により加熱する。例文帳に追加

When electronic parts 2 such as TCP or the like are attracted by a part attracting head 11 and are positioned at predetermined positions of a substrate 3 for mounting, a connection tape 4 such as anisotropic conductive tape, or the like stuck onto the substrate 3 is heated by a heater 18, etc., mounted to a pedestal 18 of the substrate 3. - 特許庁

回路基板の表面に形成された信号伝送線路３と、この信号伝送線路３に対して、空間を介して対向するように配置された導体７Ａと、これら導体７Ａ及び信号伝送線路３の間の距離を調整するアクチュエータとを備えたインピーダンス調整装置を構成する。例文帳に追加

The impedance adjuster is provided with a signal transmission line 3 formed on the surface of a circuit board, a conductor 7A disposed opposed to the signal transmission line 3 via a space, and an actuator for adjusting a distance between the conductor 7A and the signal transmission line 3. - 特許庁

Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。例文帳に追加

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2. - 特許庁

本発明の発熱有機ガラスは、透明性樹脂基板１と、基板１の表面に形成された透明導電性膜２と、透明導電性膜２の上に形成された酸化ケイ素からなるハードコート膜３と、を有し、ハードコート膜３は、膜厚が３μｍ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

This exothermic organic glass has a transparent resin substrate 1, the transparent conductive film 2 formed on the surface of the substrate 1 and the hard coat film 3 comprising silicon oxide formed on the transparent conductive film 2, and the hard coat film 3 has a thickness of 3 μm or above. - 特許庁

ガラス基板３の上面領域の大きさはガラス基板３のガラス基板搭載予定領域Ｒ３上への搭載時におけるガラス基板３の外周端部から基板固定テーブル５の端部までの最短距離となる余白幅Ｄｔが、ガラス材からなるガラス基板３内部を伝わる平面波長の１／４以上の長さに設定される。例文帳に追加

The size of an upper surface area of the glass substrate 3 is set so that the margin width Dt forming the shortest distance from an outer peripheral end of the glass substrate 3 to an end of the substrate fixing table 5 when mounting the glass substrate 3 on a glass substrate mount-scheduled area R3 becomes the length of ≥1/4 of the plane wavelength transmitting in the glass substrate 3 consisting of glass material. - 特許庁

電気光学効果を有する結晶基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を通過する光を変調するための変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極を構成する信号電極３と接地電極４のうち、少なくとも一方にはＴｉとＩｎの複合酸化物からなる赤外透明導電膜１２が用いられることを特徴とする。例文帳に追加

The optical control element having a crystal substrate 1 having electrooptic effect, an optical waveguide 2 formed on the substrate, and a modulating electrode for modulating light passing through the optical waveguide is characterized in that an infrared transparent conductive film 12 made of composite oxide of Ti and In is used for at least one of a signal electrode 3 and a ground electrode 4 constituting the modulating electrode. - 特許庁