「きばちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

超砥粒層２と基板３の段差については、基板の内側側面３ａと超砥粒層２の内側側面の段差ｔ_１より、基板の外側側面３ｂと超砥粒層２の外側側面の段差ｔ_２の方が大きくなるようにする。例文帳に追加

Steps between the super abrasive-grain layer 2 and the substrate 3 are set such that a step t2 between an outside surface 3b of the substrate 3 and an outside surface of the super abrasive-grain layer 2 is larger than a step t1 between an inside surface 3a of the substrate 3 and an inside surface of the super abrasive-grain layer 2. - 特許庁

この基板を用いて気相成長した場合、マスク３が存在するため、凸部１１の上方部からしか結晶成長が起こらない。例文帳に追加

When vapor phase growth is performed by using the substrate 1, crystal growth occurs only from the tops of the projecting sections 11 due to presence of the mask 3. - 特許庁

表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー２０であって、台座１と、爪部材２と、弾性部材３とを備えている。例文帳に追加

The substrate holder 20 for holding a substrate for growing a film on its surface comprises a pedestal 1, a claw member 2, and an elastic member 3. - 特許庁

調光層前駆体１が、電極層２を介して２枚の透明基板３に挟持されている。例文帳に追加

In the liquid crystal optical device, the precursor 1 of a light-controlling layer 1 is held between two transparent substrates 3 with electrode layers 2 interposed. - 特許庁

各分極性電極を、集電体となる基板3, 4 とその片面に成長させたブラシ状カーボンナノチューブ5, 6 とから構成した。例文帳に追加

The polarizable electrodes 1, 2 comprise substrates 3, 4 serving as power collectors and carbon nano-tubes 5, 6 grown into a brush shape on one side of each of the substrates 3, 4. - 特許庁

反射膜４と色調補正膜３とは、可視波長域において、色調補正膜３と透明結晶化ガラス基板２との間の界面における平均光反射率が、色調補正膜３と反射膜４との間の界面における平均光反射率よりも低くなるように構成されている。例文帳に追加

In the visible wavelength range, the reflective film 4 and the color tone correction film 3 have a mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the transparent crystallized glass substrate 2 lower than the mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the reflective film 4. - 特許庁

変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。例文帳に追加

The substrate 3 for modulation includes: a modulation section 7 with a thickness of 10 μm or less for at least performing modulation of light propagating in the optical waveguide 4; and an optical fiber connection 6 thicker than the modulation section 7. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁

乾燥した補強板を、補強板貼付装置による貼付工程（３）で、フレキシブル基板５の裏面に貼り付ける。例文帳に追加

In the attaching step (3) by a reinforcing plate attaching device, the dried reinforcing plate is attached to the rear of a flexible substrate 5. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

透光性低膨張ガラスセラミックスからなる基板２と、基板２における調理面２１とは反対側の面である裏側面２２に積層したパール調層３とからなる。例文帳に追加

The glass top plate for a heating cooker includes a substrate 2 made of translucent and low-expansion glass ceramics, and a pearl tone layer 3 laminated at a rear side surface 22 that is an opposite side surface of a cooking face 21 on the substrate 2. - 特許庁

調理器用トッププレート１は、透明結晶化ガラス基板２と反射膜４との間に形成されており、可視波長域において、波長が長くなるに従って光透過率が漸減する色調補正膜３をさらに備えている。例文帳に追加

The top plate for cooker 1 is formed between the transparent crystallized glass substrate 2 and the reflective film 4, and further includes a color tone correction film 3 with an optical transmissivity gradually reducing with the elongation of wavelength in the visible wavelength range. - 特許庁

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。例文帳に追加

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

ガラス基板２と、ガラス基板２の調理面とは反対側の面である裏側面２１に直接形成されたタッチパネル層３とを有する。例文帳に追加

This glass top plate has a glass board 2 and a touch panel layer 3 directly formed on the back side 21 forming the side opposite to the cooking side of the glass board 2. - 特許庁

したがって、基板Ｗを内槽３から搬出させる際には、表面張力が大きな処理液の界面を通過することがなく、表面張力が小さな低表面張力溶液の界面を通過する。例文帳に追加

Therefore, when taking out the substrate W from the inner tub 3, the substrate does not pass through an interface of a treatment liquid in the big surface tension, but passes through an interface of the low surface tension solution in low surface tension. - 特許庁

ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。例文帳に追加

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁

本発明のアルカリ蓄電池用焼結基板は、タップ密度が０．９２ｇ／ｃｍ^3以下のニッケル粉末を使用して作製したことを特徴とする。例文帳に追加

The sintered substrate for the alkaline storage battery is fabricated by using nickel powders of which the tap density is 0.92 g/cm^3 or less. - 特許庁

ＲＯＭシール４をメモリモジュール３上に貼付し、メモリモジュール３をサブ基板２側のコネクタに取り付ける。例文帳に追加

A ROM seal 4 is stuck onto a memory module 3 and the memory module 3 is attached to a connector in the side of a sub substrate 2. - 特許庁

端部施工金具３は、端部施工金具３は、背板部３１を寸法調整外壁板２０の裏側面２６に当接させ、前方屈曲部３２を寸法調整外壁板２０の切断端面２３１に当接させている。例文帳に追加

A back plate part 31 of the end execution fitting 3 abuts on a rear side face 26 of the dimension adjusting external wall plate 20, and a front bent part 32 of the end execution fitting 3 abuts on a cut end face 231 of the dimension adjusting external wall plate 20. - 特許庁

発光層３と、発光層３からの発光波長に対して透明な透明基板２との間に(Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP（0≦y≦1、0＜z＜1）からなるコンタクト層８を備えることを特徴とするAlGaInP系の半導体発光素子。例文帳に追加

The AlGaInP semiconductor light-emitting element has a light-emitting layer 3 and a contact layer 8 formed of (Al_yGa_1-y)_zIn_1-zP(0≤y≤1, 0<z<1) between a light-emitting layer 3 and a transparent substrate 2 which is transparent to a light-emitting wavelength from the light-emitting layer 3. - 特許庁

クリーニングの終点が確実に検出できるため、基板ホルダ３のオーバーエッチを防止でき、基板ホルダ３の長寿命化が図れる。例文帳に追加

The end point of cleaning can be surely detected, so that the substrate holder 3 can be protected against overetching and can be prolonged in service life. - 特許庁

基板３と、励起光と異なる波長領域の蛍光体光を発光する蛍光体層２と、を有する円形の波長変換素子９０１は、基板３の側面３ａに蛍光体層２が形成されている。例文帳に追加

In a circular wavelength conversion element 901 having a substrate 3 and a phosphor layer 2 emitting phosphor light of a wavelength range different from excitation light, the phosphor layer 2 is formed on a side face 3a of the substrate 3. - 特許庁

一方、基板２、ハードコート層３、プライマー層４の夫々に熱膨張を生じると、図１（ｃ）に示すように、基板２が大きく膨張して、分割された各ハードコート層３の間隙３ａの幅を広げる。例文帳に追加

On the other hand, when thermal expansion is generated on each of the base plate 2, the hard coat layer 3, and the primer layer 4, the base plate 2 is greatly expanded to increase the width of a clearance 3a between the divided hard coat layers 3, as shown in Fig (c). - 特許庁

光透過性基板１上に赤外波長カット膜３が設けられ、さらにその上に、赤外波長カット膜３側に第１の平坦面を有するレンズ２が設けられている。例文帳に追加

The infrared wavelength cut film 3 is formed on a light-transmitting substrate 1, and the lens 2 having a first flat surface 2a on the infrared wavelength cut film 3 is provided on the infrared wavelength cut film 3. - 特許庁

透光性プラスチック基板１の外側表面には、粘着剤５付き偏光板３が貼付けられ、また、反射層付プラスチック基板２の外側表面には、粘着剤５付きポリカーボネート基板７が貼付けられる。例文帳に追加

A polarizing plate 3 with an adhesive 5 is stuck on the outside surface of the transmissive plastic substrate 1 and a polycarbonate substrate 7 with the adhesive 5 is stuck on the outside surface of the plastic substrate 2 with the attached reflection layer. - 特許庁

通例、頭頂に仏面、頭上の正面側に菩薩面（3面）、左側（向かって右）に瞋怒面（3面）、右側（向かって左）に狗牙上出面（3面）、拝観者からは見えない背面に大笑面（1面）を表わす。例文帳に追加

Usually, Butsumen is put atop the head, Bosatsumen (three faces) at the front side on the head, Shinnumen (three faces) on the left side (on the observers' right), Kugejoshutsumen (three faces) on the right side (on the observers' left) and Daishomen (one face) on the back which can not be seen from observers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また位置調整用のネジ３により平面基板１とブラケット８とを連繋し、平面基板１とブラケット８に挿通されたネジ３と、ナット７及び平面基板１とブラケット８間に設けられた圧縮バネ５により平面基板１の位置調整を行う。例文帳に追加

The positional adjustment of the planar substrate 1 is made with use of screws 3 which are associated with the substrate 1 and a bracket 8 by the position adjusting screws 3, and which are passed through the substrate 1 and the bracket 8, nuts 7, and compression springs 5 provided between the substrate 1 and the bracket 8. - 特許庁

シート状基板剥離装置１はシート状シリコン基板を成長させるための成長用基板３と、シート状基板を剥離するための真空吸着パッド１１と、シート状基板を搬送するためのベルヌーイ吸着パッド１３とを備えている。例文帳に追加

The sheet-form substrate separating device 1 comprises a substrate 3 for growth for growing a sheet-form silicon substrate, a vacuum suction pad 11 for separating the sheet-form substrate, and a Bernoulli's suction pad 13 for conveying the sheet-form substrate. - 特許庁

ばね定数調整ねじ２のねじ溝３のピッチよりも小さいピッチを有する圧縮コイルばね１を、前記ばね定数調整ねじの前記ねじ溝に填め込んで固定することを特徴とする。例文帳に追加

This method of fixing is characterized by filling a screw groove of a spring constant adjusting screw with a compression coil spring 1 having a pitch smaller than a pitch of the spring groove 3 of the spring constant adjusting screw 2 to be fixed. - 特許庁

その後、基板上に３℃の処理液を供給して、基板のレジストパターン上のリンス液の表面張力を低下させる（ステップＳ５）。例文帳に追加

Thereafter, a treatment liquid at 3°C is supplied onto the substrate to lower surface tension of the rinse agent on the resist pattern of the substrate (step S5). - 特許庁

メモリ３を書き換える際には、制御基板１０の拡張コネクタ１２に実装基板１４を装着する。例文帳に追加

When the memory 3 is rewritten, a mounting base board 14 is mounted on an extension connector 12 of the board 10. - 特許庁

まず、室温において、基板２の裏面上に、基板２よりも熱膨張率が低い第１の膜３を成膜する（ａ）。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor laminated structure, a first film 3 whose thermal expansion coefficient is lower than that of a substrate 2 is formed on the back surface of the substrate 2 at a room temperature first (a). - 特許庁

２つの変調器２０，３０及びＰＢＣ３を同一基板２に形成し、基板２の一端面２ａにλ／４板６及びミラー７を設ける。例文帳に追加

Two modulators 20 and 30, and a PBC 3 are formed on the same substrate 2, and a λ/4 plate 6 and a mirror 7 are disposed on one edge face 2a of the substrate 2. - 特許庁

加熱調理具が載置可能なトッププレート３の下方に、加熱調理具を加熱するための加熱コイル１０と、加熱コイル１０を制御するための制御基板１２を収容可能な基板ケース１１が配置されている。例文帳に追加

A substrate case 11 which houses a heating coil 10 for heating a heating device and a control substrate 12 for controlling a heating coil 10, is positioned below a top plate 3 on which a cooking utensil is placed. - 特許庁

ガラス基板３に埋め込まれた光ファイバ１の途中に斜めに波長選択フィルタ２を挿入した光出射部を形成する。例文帳に追加

A light emission part is formed which has a wavelength selective filter 2 inserted obliquely halfway into an optical fiber 1 buried in a glass substrate 3. - 特許庁

(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされ、凹面１２にマスク３が形成された基板１を用いる。例文帳に追加

In the method of manufacturing semiconductor crystal, a substrate 1 having a recessed and projecting growing surface and carrying a mask 3 on the recessed surface 12 is used as shown in Fig. (a). - 特許庁

上記着色組成物を低膨張ガラス基板としての低膨張結晶化ガラス基板２の表面に絵付けし，焼成して，模様１を形成してなる装飾ガラス基板３である。例文帳に追加

The decorative glass substrate 3 is obtained by coating the coloring composition on a low expansive crystallized glass substrate as a low expansive substrate, and after that, by forming a pattern 1 by firing. - 特許庁

基板１は、基板１を含む平面内において回動可能に支持されており、基板１と共に同期検出器３を回転させることにより、部品精度や調整誤差による画像書き出し位置のずれを調整する。例文帳に追加

The substrate 1 is turnably supported in a plane including the substrate 1, and displacement of image writing start position due to the accuracy of components and an adjustment error is adjusted by turning the synchronous detector 3 together with the substrate 1. - 特許庁

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。例文帳に追加

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface. - 特許庁

エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。例文帳に追加

The substrate is a substrate for epitaxial growth 1 in which a chamfering part 3 is partially on the rear face 1b side opposite to a front face 1a of the substrate 1 which is subjected to epitaxial growth. - 特許庁

波長板を形成する第１の水晶基板３の一方の表面上には、位相調整膜６と波長選択膜７とからなる開口フィルタ５が成膜されている。例文帳に追加

The aperture filter 5 composed of a phase adjustment film 6 and a wavelength selection film 7 is deposited on one surface of a first quartz crystal substrate 3 forming the wavelength plate. - 特許庁

誘電体基板１上において、超伝導層及び絶縁層が交互に自然積層された構造を有するメサ形状の超伝導超格子構造３を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing the constant voltage generator comprises the step of: forming a mesa shape superconducting superlattice structure 3 having a structure in which a superconducting layer and an insulating layer are alternately naturally stacked. - 特許庁