「きばちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

受光面１ａと、受光面１ａの裏面１ｂとを有する透光性基板１と、透光性基板１の裏面に設けられた太陽電池素子２と、太陽電池素子２を封止する封止材３と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The solar cell module includes a light receiving surface 1a, a light transmitting substrate 1 having the rear surface 1b of the light receiving surface 1a, a solar cell element 2 provided on the rear surface of the light transmitting substrate 1, and a sealing material 3 for sealing the solar cell element 2. - 特許庁

本発明の圧電体素子は、基板１と、その基板１の上に形成した下部電極層２と、その下部電極層２の上に液相成長法により形成した圧電体層３と、その圧電体層３の上に形成した上部電極層４とを有する。例文帳に追加

This piezoelectric element includes: a substrate 1; a lower electrode layer 2 formed on the substrate 1; a piezoelectric layer 3 formed on the lower electrode layer 2 by a liquid deposition method; and an upper electrode layer 4 formed on the piezoelectric layer 3. - 特許庁

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。例文帳に追加

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3. - 特許庁

圧電磁器板１の両主面に振動電極３を形成してなる圧電磁器振動体であって、振動電極３が、圧電磁器板１上に無電解メッキにより形成された下地層３ａと、該下地層３ａに設けられた蒸着膜３ｂとにより形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the piezoelectric ceramic vibrator comprising the vibration electrode 3 formed on both principal faces of the piezoelectric ceramic plate 1, the vibration electrode 3 has a background layer 3a formed on the piezoelectric ceramic plate 1 by electroless plating and a vapor-deposition film 3b formed on the background layer 3a. - 特許庁

基板１の両面側に記録領域２が形成され、それぞれの記録領域２上に光透過層３が形成されており、前記基板１の厚さが前記光透過層３の厚さより大きいことを特徴とする光情報記録媒体である。例文帳に追加

In this optical information recording medium, recording regions 2 are formed at both sides of a substrate 1, a light transmission layer 3 is formed at each recording region 2, thickness of the substrate 1 is larger than thickness of the light transmission layer 3. - 特許庁

コア２の周囲にコイル３が巻装されてなり、プリント基板５上に配設されるアンテナコイル１において、前記コイル３の前記プリント基板５側となる下面３ａに非金属磁性粉末からなる磁気シールド層６が設けられていることを特徴とするアンテナコイル１を用いる。例文帳に追加

The antenna coil 1 disposed on the printed circuit board 5 has a core 2 around which a coil 3 is winded wherein a magnetic shield layer 6 composed of nonmetallic magnetic powder is provided at a lower surface 3a to be the print circuit board 5 side of the coil 3. - 特許庁

本発明のホログラム型光記録媒体１は、プラスチック基板２と、前記プラスチック基板２の一方の主面上に設けられた無機中間層３と、前記無機中間層３上に設けられ且つホログラフィを利用して情報が記録される有機記録層４とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The hologram optical recording medium 1 is provided with a plastic substrate 2, an inorganic intermediate layer 3 disposed on one side principal plane of the plastic substrate 2 and the organic recording layer 4 which is disposed on the inorganic intermediate layer 3 and allows information to be recorded thereon by utilizing holography. - 特許庁

光ディスクに用いられる凹凸部２、３が形成された光ディスク基板１の作製方法において、凹部２の深さよりも短い波長のレーザ光を用いて、光ディスク基板１を照射して、凹凸部２、３のエッジのダレを生じることなく、その表面を平滑にする。例文帳に追加

In the method for making the optical disk substrate 1 in which the concave and convex parts 2 and 3 for use in an optical disk are formed, the surface thereof is flattened without generating the sagging of the concave and convex parts 2 and 3 by irradiating the optical disk substrate 1 using a laser beam having the wavelength shorter than the depth of the concave part 2. - 特許庁

本発明に係る気相エピタキシャル成長用治具１は、基板３を治具本体１１の収容穴１２にフェイスダウン構造で支持、固定するものであり、収容穴１２内に、基板３を径方向内方に付勢してバネ力で支持するバネ部材４を複数個設けたものである。例文帳に追加

The holder 1 for the vapor-phase epitaxial growth supports and fixes the substrate 3 facedown to a reception hole 12 of the holder body 11, and a plurality of spring members 4, for supporting the substrate 3 by pressing with the spring force in a diameter-inward direction, are provided inside the reception hole 12. - 特許庁

スロット３の伸長方向は、アンテナ開口部５となる誘電体基板１の基板端面の法線方向と同一方向であり、かつ、テーパー部４ａを構成する２本の双曲線正接関数曲線は、スロット３の中心軸に関して非対称となっている。例文帳に追加

The extending direction of the slot 3 is same as a normal direction of a substrate end surface of the dielectric substrate 1 which becomes an antenna opening portion 5, and the two hyperbolic tangent function curves for configuring the tapered portion 4a are asymmetry about a center axis of the slot 3. - 特許庁

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_2 バッファ層２を形成し、次に、このＣｅＯ_2バッファ層２上にＬａＡｌＯ_3 を傾斜層３として形成し、次に、この傾斜層３上にＥＢＣＯ薄膜４を形成する。例文帳に追加

By the method for forming the oxide superconducting thin film on the sapphire substrate, a CeO_2 buffer layer 2 is formed on the R-surface sapphire substrate 1, an LaAlO_3 is formed as a slanting layer 3 on the CeO_2 buffer layer 2, and an EBCO thin film 4 is formed on the slanting layer 3. - 特許庁

基板３を固定すると共に前記基板３の表面をほぼ垂直方向にして吊り下げる構成の治具本体部５と、この治具本体部５の下端に設けた複数の山形状の山切り部３１からなる鋸刃状の第１液切り部３３と、で構成することを特徴とする。例文帳に追加

The substrate fixture for plating comprises a jig main body portion 5 configured to fix a substrate 3 and suspend the substrate 3 with its surface held in a nearly vertical direction and a first liquid drain portion 33 in a saw tooth shape comprising a plurality of mountain-cut portions 31 provided at a lower end of the jib main body portion 5. - 特許庁

上面板１の裏側に、複数枚の通気板２、３から成る通気部材を配したことを特徴とする小屋裏用換気部材で、通気板２、３は、一連の板材を湾折曲して構成される場合の外、複数枚を垂直状態又は傾斜状態に配置して構成される場合がある。例文帳に追加

This ventilation member for attic space is constituted by arranging a ventilation member composed of a plurality of ventilation boards 2, 3 on a back side of an upper face plate 1 and may be constituted by arranging a plurality of ventilation boards 2, 3 in a vertical or inclined condition in some cases in addition to the case where they are constituted by curving and bending a series of plate members. - 特許庁

電極基板３に感圧導電ゴム２を絶縁膜４を介在させて積層し、絶縁膜４に感圧導電ゴム２表面よりも小さな穴５を形成し、穴５を介してのみ電極基板３と感圧導電ゴム２とを接触させたことを特徴とする。例文帳に追加

The sensor has characteristics wherein a pressure-sensitive conductive rubber 2 is laminated on an electrode substrate 3 through an intervening insulating film 4, and a smaller hole 5 than the surface of the pressure-sensitive conductive rubber 2 is formed on the insulating film 4, and the electrode substrate 3 is brought into contact with the pressure-sensitive conductive rubber 2 only through the hole 5. - 特許庁

短冊状をなす金属端子片２，３の基端部にそれぞれその長辺方向に一定の距離を隔てて２個の孔部２１，３１を穿設し、この孔部２１，３１が穿設された基端部面を回路基板本体１の導電パッド４，５上にそれぞれ載置してハンダ付けするようにしたものである。例文帳に追加

Two holes 21 and 31 are bored in the bases of metal terminal strips 2 and 3 so as to separate from each other by a certain distance in the lengthwise direction of the strips 2 and 3, and the bases of the metal terminal strips 2 and 3 where the holes 21 and 31 are bored are mounted and soldered onto the conductive pads 4 and 5 of the circuit board main body 1. - 特許庁

複数のバスバー１、２、３を厚み方向に絶縁物６を介して積層して、樹脂４により前記複数のバスバー１、２、３を一体モールドしてなり、前記絶縁物６の沿面距離を、隣接する前記バスバー１、２、３の厚み方向の隙間より長くしてなることを特徴とする。例文帳に追加

A plurality of the bus bars 1, 2, 3 are laminated in thickness directions through insulators 6, and the plurality of the bus bars 1, 2, 3 are integrally molded with the resin 4, wherein creeping distances of the insulators 6 are made longer than the gaps of the thickness directions of the adjoining bus bars 1, 2, 3. - 特許庁

ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。例文帳に追加

On an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based layer 3 is grown by an MBE method and then heat treatment is carried out between 600 to 800°C to set the average hydrogen concentration of the N-containing InGaAs-based layer 3 to be 2×10^17 number/cm^3 or lower by the heat treatment. - 特許庁

照明装置１から射出された照明光を輝度変調する輝度変調素子２と、上記輝度変調素子２から射出された上記照明光を投写光としてスクリーン４に投写する投写手段３とを有し、上記スクリーン４が伸縮性を有するカラーフィルタ基板と拡散板とが積層されて構成されている。例文帳に追加

The projector comprises a brightness modulation element 2 which modulates the brightness of illumination light emitted from an illumination device 1 and a projection means 3 which projects the illumination light emitted from the brightness modulation element 2 as projection light to a screen 4, wherein the screen 4 is constituted by laminating a color filter substrate having extensibility and a diffuser plate. - 特許庁

基板本体３に電子部品４が実装された実装基板１をケース２内において樹脂８で封止する実装基板の樹脂封止方法であって、樹脂８を、常圧、又は減圧下で傾斜部５を介してケース２内へ充填することを特徴としている。例文帳に追加

The method of resin-sealing a mounting board for sealing a mounting substrate 1 with an electronic part 4 mounted on a substrate body 3 in a case 2 by using a resin 8, wherein the resin 8 is filled into the case 2 via a slope 5 under ordinary pressure or diminished pressure. - 特許庁

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。例文帳に追加

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1. - 特許庁

有機ＥＬ基板４と、有機ＥＬ基板４の一主面に第１緩衝材３を介して接着された枠体２と、有機ＥＬ基板４の他主面に第２緩衝材５を介して接着されるとともに、枠体２に嵌め込まれた板体６と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬモジュール。例文帳に追加

The organic EL module includes: an organic EL substrate 4; a frame body 2 bonded to one main surface of the organic EL substrate 4 through a first cushioning material 3; and a plate body 6 bonded to the other main surface of the organic EL substrate 4 through a second cushioning material 5, and fitted into the frame body 2. - 特許庁

セラミックス基板（１）の一方の面に金属回路（２）、その反対面に金属放熱板（３）を有するものにおいて、金属回路の一部をセラミックス基板の少なくとも一辺から突出させ、その部分を端子（４）としてなることを特徴とする端子付き回路基板。例文帳に追加

In the circuit board with terminals having a metal circuit (2) on one surface of a ceramics substrate (1) and a metal heat sink (3) on the opposite surface, one portion of the metal circuit is allowed to project from at least one side of the ceramics substrate, and the portion is set to be a terminal (4) in the circuit board having terminals. - 特許庁

紫外光を反射して可視光を透過する誘電体膜３と、紫外光を放射する紫外発光ＥＬ素子１０と、紫外光を波長変換して、この紫外光の入射方向に可視光を放射する波長変換膜９とをこの順で透明基板２上に積層して形成する。例文帳に追加

A dielectric film 3 for reflecting an ultraviolet light and transmitting a visible light, an ultraviolet light emitting electroluminescent element 10 for radiating the ultraviolet light and a wavelength conversion film 9 for wavelength-converting the ultraviolet light and radiating the visible light in the incident direction of the ultraviolet light are stacked in this order and formed on a transparent substrate 2. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed. - 特許庁

符号化されたデジタル信号のデータレートに当たる基本周波数において、１／４波長となる２つの１／４波長線路５，６を、デジタル信号を伝送する伝送線路３に沿って基板８の一方の表面層である信号配線層に配置した。例文帳に追加

In a fundamental frequency corresponding to a data rate of a coded digital signal, two 1/4 wave length lines 5 and 6 that are correspond to 1/4 wave length are arranged on a signal wiring layer that is one of the surface layers of a substrate 8, along a transmission line 3 that transmits a digital signal. - 特許庁

また、薄膜ヘッド部１ｂは、磁気ディスク面に対向する記録／再生素子２、３と、アルミナ及びシリコン系セラミックスを有してシリコン製スライダ基板部１ａの線膨張係数と概略同じ線膨張係数を持つセラミック絶縁膜５とを備える。例文帳に追加

Moreover, the thin-film head part 1b is provided with recording/reproducing elements 2, 3 opposite to the face of the magnetic disk and a ceramic insulation film 5 which is formed of alumina and silicon-based ceramics, and which has the same coefficient of linear expansion as that of the slider substrate part 1a made of silicon. - 特許庁

この自動調節加重装置４１は、バンプを介して平面実装するタイプの電子部品２を実装する場合に際してのみ、電子部品２に応じて調整した所定の押圧力を吸着ノズル７に対し付与して電子部品２を回路基板３に押し付ける。例文帳に追加

The automatic adjustment-weighting device 41 gives a prescribed press force, that is adjusted according to the electronic components 2 to the chucking nozzle 7 and presses the electronic components 2 to a circuit substrate 3, only when the electronic components 2 of a type to be mounted on a plane via a bump are mounted. - 特許庁

誘電体板１の上面に共振用導体線路３、入出力導体４ａ，４ｂおよび結合用電極５を形成し、実装基板６に共振周波数調整用電極９を形成し、結合用電極５と共振周波数調整用電極９とをワイヤボンディングする。例文帳に追加

A conductive line 3 for resonance, input and output conductors 4a and 4b, and an electrode 5 for connection are formed on the upper face of a dielectric board 1, and an electrode 9 for adjusting resonance frequencies is formed on a mounted substrate 6, and the electrode 5 for connection is wire- bonded with the electrode 9 for adjusting the resonance frequencies. - 特許庁

回路モジュール44を、メイン基板42と電気的に接続した状態でケーシング41から実質的に出すことができる延長手段２と、延長手段２に接続されて回路モジュール44を接続可能に構成された中継手段３とを有する。例文帳に追加

The debugging device 1 is provided with an extension means 2 for essentially taking out circuit modules 44 (44-1-44-7) from a casing 41 while it is electrically connected to a main substrate 42, and a relay means 3 that is connected to the extension means 2 for connecting the circuit modules 44. - 特許庁

波長変換部材４ａ、４ｂは、ＬＥＤチップ３が放射する電磁波を該電磁波とは異なる分光強度分布の電磁波に変換する波長変換材料を含んでおり、電磁波取出し面に対して垂直方向に重ねて実装基板２に配置される。例文帳に追加

The wavelength-converting members 4a, 4b contain wavelength-converting material for converting electromagnetic waves emitted from the LED chip 3 into electromagnetic waves having a spectral intensity distribution different from that of the chip-emitted electromagnetic wave, and are located on the mounting substrate 2 to be stacked in a direction perpendicular to an electromagnetic wave exit surface. - 特許庁

一方、独立行政法人中小企業基盤整備機構が四半期毎に実施している「中小企業景況調査」を見ると、中小企業の業況判断DIは、2004年1-3月期をピークとして3四半期連続で業況悪化基調を示している（前掲第1-1-3図〔1〕）。例文帳に追加

On the other hand, the results of the Survey on SME Business Conditions, conducted quarterly by the SMRJ, indicate that the business conditions DI for SMEs deteriorated for three quarters in succession after peaking in the first quarter of 2004 (Fig. 1-1-3(1)). - 経済産業省

本発明に係る基板現像装置は、流量調節弁９，１１によって各々流量調整された原現像液と純水（親水化処理液）とを単一のノズル３に送り、ノズル３から所定濃度の現像液を基板Ｗ上に供給して現像液を液盛りし、その状態で現像処理を行う。例文帳に追加

This substrate developing device feeds a raw developer and a pure water (treating agent for hydrophilicity impartation) of which flow rates are respectively adjusted by flow rate adjusting valves 9 and 11, to a single nozzle 3, and the developer with a prescribed concentration is supplied onto a substrate W through the nozzle 3, and then the substrate is developed in such a state. - 特許庁

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。例文帳に追加

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1. - 特許庁

基板１と、当該基板１の一方面に配置される電解質３と、当該電解質３の同一平面上に所定間隔をおいて配置される燃料極５及び空気極７からなる複数の電極対Ｅとを備え、隣り合う電極対Ｅの間に、電解質３を分断するよう貫通し基板１にまで達している溝Ｋが形成されていることを特徴とする固体酸化物形燃料電池を提供する。例文帳に追加

The solid oxide fuel cell is equipped with a substrate 1, an electrolyte 3 arranged on one side of the substrate 1, and a plurality of electrode pairs E each comprising a fuel electrode 5 and an air electrode 7 installed on the same plane of the electrolyte 3 at prescribed intervals, and a groove K passing through the electrolyte 3 and reaching the substrate 1 is installed between the adjoined electrode pairs E. - 特許庁

アルカリガラス基板２の片面に誘電体多層膜３が形成され、他方の面に石英ガラス薄膜４が形成されたことを特徴とする誘電体多層膜型フィルタ素子１。例文帳に追加

The dielectric multilayer film type filter element 1 is characterized in that a dielectric multilayer film 3 is formed on one side of the alkali glass substrate and a quartz glass thin film 4 is formed on the other side. - 特許庁

本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。例文帳に追加

There is provided a base material 1 with a graphene sheet, wherein an epitaxially grown cubical crystal silicon carbide layer 3 and a graphene sheet 4 are sequentially laminated on a silicon substrate 2 whose crystal orientation is (111) surface. - 特許庁

配線基板３は、ガラスやアラミドなどの低熱膨張率の材料からなる繊維に、エポキシやアクリルなどの樹脂を含侵させた基材３ａと、めっきなどで形成された導体６とからなる。例文帳に追加

The wiring board 3 comprises a base member 3a formed by impregnating an epoxy or acrylic resin to fibers made of a material with a low coefficient of expansion such as glass or aramid and a conductor 6 formed by plating or the like. - 特許庁

ｎ型半導体基板１に低いアスペクト比（たとえば、５）の第１のトレンチ２を形成し、エピタキシャル成長法により第１のトレンチ２をｐ型エピタキシャル層３で埋め込む。例文帳に追加

A first trench 2 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in an n-type semiconductor substrate 1 and buried with a p-type epitaxial layer 3 by using the epitaxial growth method. - 特許庁

成長された多結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。例文帳に追加

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the grown silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤5×1018 atoms/cm3. - 特許庁

信号処理回路基板３の上面に、当該上面に固定された放射線検出素子５及び増幅回路６の周囲に長方形の管状にグランドパターン１５を導電性の配線パターンにて形成する。例文帳に追加

A rectangular tubular ground pattern 15 is formed with a conductive wiring pattern around the radiation detection element 5 and amplifying circuit 6 fixed to the upper surface of a signal processing circuit board 3. - 特許庁

基板上に形成された、その膜厚５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光し、現像した後、表面張力が６７×１０^−３Ｎ／ｍ以下のリンス液で洗浄することを含むレジストパターン形成方法。例文帳に追加

The method of forming the resist patterns includes cleaning the resist pattern with a rinse liquid having a surface tension of ≤67×10^-3 N/m after selectively exposing and developing resist films formed on a substrate and having a film thickness of ≤50 nm. - 特許庁

ガラス基板２を、連続炉３で所望の温度プロファイルに従って熱処理するための各炉３_１〜３_３の設定温度の調整作業を容易に行えるようにする。例文帳に追加

To easily perform adjustment work for a setting temperature of each furnace 3_1-3_3 for performing heat treatment to a glass substrate 2 according to a desired temperature profile in a continuous furnace 3. - 特許庁

水晶基板１の両主面にマスク２ａ、２ｂを装着し、エピタキシャル成長を行うための装置の中に載置すると共に、マスク２ａ、２ｂの上下にノズル３を配設する。例文帳に追加

Masks 2a, 2b are mounted on both principal planes of a crystal substrate 1 and the crystal substrate 1 is placed in an apparatus for epitaxial growth, and nozzles 3 are arranged above and below the mask 2a and the mask 2b. - 特許庁

シリコン基板１上にＮ＋型のコレクタ埋め込み層２を形成し、Ｎ−型のエピタキシャル層３を成長させた後、Ｎ＋型のコレクタ層４を形成する。例文帳に追加

An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed. - 特許庁

ｎ^−型半導体層３は、半導体基板２上にエピタキシャル成長方法によって形成され、その面方位が（１００）面のｎ^−型の半導体層から構成されている。例文帳に追加

The layer 3 is formed by an epitaxially growing method on the substrate 2, comprising an n^--type semiconductor layer of orientation (100). - 特許庁