「きばちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

基板１の両面には、電子部品２，３を搭載すると共に、電子部品２，３の端子２Ａ，３Ａ間には、インダクタンス調整回路６を接続する。例文帳に追加

Electronic components 2 and 3 are mounted on the opposite sides of a board 1, and an inductance adjusting circuit 6 is connected between the terminals 2A and 3A of the electronic components 2 and 3. - 特許庁

波長が１０６４ｎｍであるレーザ光をＴＦＴアレイ基板の表面側から照射することにより、ソース電極６の引出し部６ａを確実にカットする（図１(a)-3 ）。例文帳に追加

Then, the leader part 6a of a source electrode 6 is cut surely (Figure 1 (a)-3) by irradiating it with a laser beam whose wavelength is 1064 nm from the surface side of the substrate. - 特許庁

本発明では、半導体層３より抵抗率が低い低抵抗層（例えば、エピタキシャル成長層）２が、半導体層３と基板１との間に介在している。例文帳に追加

A low-resistance layer (for example, epitaxially grown layer) 2, having a lower electrical resistivity than the semiconductor layer 3 has, is interposed between the layer 3 and substrate 1. - 特許庁

波長が１０６４ｎｍであるレーザ光をＴＦＴアレイ基板の裏面側から照射することにより、ドレイン電極７とゲート配線１をコンタクトさせる（図１(b)-3 ）。例文帳に追加

Next, a drain electrode 7 and a gate wiring 1 are made to be contacted (Figure 1 (b)-3) by irradiating a laser irradiation part for contact with a laser beam whose wavelength is 1064 nm from the back side of the substrate. - 特許庁

また、これら一対の放射導体３，４は誘電体基板２の表面に設けてあるので、誘電体による波長短縮を加味して各放射導体３，４の長さを短く設定することができる。例文帳に追加

Additionally, the pair of radiation conductors 3 and 4 is provided on the surface of the dielectric substrate 2, thus shortly setting the length in each of the radiation conductors 3 and 4 by adding the decrease in a wavelength due to a dielectric. - 特許庁

基板上に電極と少なくとも２層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも２層の膜密度が１．１０〜１．２５ｇ／ｃｍ^3であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

The organic electroluminescence element has an electrode and at least two organic layers on a substrate, wherein at least two of the organic layers have a film density of 1.10 to 1.25 g/cm^3. - 特許庁

概ね長方形状をした厚さ２〜３ｍｍの金属製板をＣ字曲げした基板３とハット曲げした補強板４を重ね合せて固定する。例文帳に追加

In the fall-down prevention plate, a substrate 3 obtained by C bending of a metallic plate having a substantially rectangular shape and a thickness of 2 to 3 mm and a reinforcing plate 4 subjected to hat bending are fixed one over the other. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。例文帳に追加

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed. - 特許庁

所定の活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの少なくとも貼り合わせ面を含む表層部分の酸素濃度が、ともに1.0×10^18(atoms/cm^3, Old ASTM)以下であることを特徴とする貼り合わせウェーハを提供する。例文帳に追加

In a laminated wafer, a surface layer at least including the bonded surface of a predetermined wafer for an active layer and a wafer for a supporting substrate has an oxygen concentration of 1.0×10^18 (atoms/cm^3, Old ASTM) or lower. - 特許庁

（３）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であるとともに、照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。例文帳に追加

The carbon nanowall (3) has ≥50 cm^2/cm^2-substrate×μm wall surface area and has such the crystallinity that the half-value width of the D band of the Raman spectrum measured by using the irradiation laser having 514.5 nm wavelength is ≤85 cm^-1. - 特許庁

本発明に係るレーザ光源装置１は、赤色レーザ光源２Ｒと、緑色レーザ光源２Ｇと、青色レーザ光源２Ｂとが共通の基板３にマウントされ、レーザ光源２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの光軸をマウント面３ａに対して調整するための光軸調整機構を備えている。例文帳に追加

The laser light source apparatus 1 is provided with a red laser light source 2R, a green laser light source 2G, and a blue laser light source 2B mounted on a shared board 3, and an optical axis adjusting mechanism for adjusting the optical axes of the laser light sources 2R, 2G, 2B relative to a mounting face 3a. - 特許庁

主内腔とバルーン膨張用内腔５とを少なくとも有する管状部材と、該管状部材の先端側に設けられたバルーン３と、から構成される体内留置用バルーンカテーテルであって、前記バルーンは前記バルーン全長の半分より先端側の内面及び／又は外面に少なくとも一つの凸部材６が付設されていることを特徴とする。例文帳に追加

This indwelling balloon catheter consists of a tubular member at least having a main lumen and a balloon inflation lumen 5, and a balloon 3 provided at the distal end side of the tubular member, wherein the balloon is characterized in that at least one projecting member 6 is attached to the inner face and/or the outer face at a distal end side of the half of the balloon whole length. - 特許庁

基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the device includes the steps of: forming a protective material 3 on a side surface of a substrate 10A; forming a functional layer 4A on at least one principal surface of the substrate 10A; and removing the protective material 3 from the substrate 10A. - 特許庁

基板９表面に結晶を成長させる空間となるチャンバ２と、チャンバ２に向けて基板９が搬出されるリフター室３との間には、基板９がリフター室３からチャンバ２に向けて搬送される通路となる搬送路形成部４が形成される。例文帳に追加

Between a chamber 2 which becomes a space for growing a crystal on the surface of a substrate 9 and a lifter room 3 where the substrate 9 is conveyed towards the chamber 2, a conveying path forming part 4 which becomes a path for conveying the substrate 9 from the lifter room 3 to the chamber 2 is formed. - 特許庁

圧電発振器１は、平面視にて略長方形状をなす実装用基板４と、実装用基板４上に載置され、圧電振動片２を収納するパッケージ３と、実装用基板４とパッケージ３との間に設けられる電子部品６とを有している。例文帳に追加

A piezoelectric oscillator 1 includes: the substrate 4 for packaging, formed in a nearly rectangular shape in a plan view; a package 3 that is placed on the substrate 4 for packaging and stores a piezoelectric vibration reed 2; and an electronic component 6 provided between the substrate 4 for packaging and the package 3. - 特許庁

本発明の電力変換装置１は、基板４と、基板４に実装される電力変換用スイッチング素子３と、電力変換用スイッチング素子３を駆動し、基板４の法線方向に積層される２以上の駆動素子２１〜２３と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

This power conversion equipment 1 has a board 4, a switching element 3 for power conversion, which is mounted on the board 4, and two or more driving elements 21-23, which are stacked in the direction of normal of the board 4 so as to drive the switching element 3 for power conversion. - 特許庁

配線基板２の表面に、配線基板側パッド９を囲んで形成されたソルダーレジスト層３、４を備え、ソルダーレジスト層３、４は、配線基板側パッド９の周辺部が凹部となるように形成された段差部１５を有することを特徴とする。例文帳に追加

Solder resist layers 3 and 4 enclosing the wiring-board-side pads 9 are formed on a surface of the wiring board 2, and the solder resist layers 3 and 4 have a step portion 15 formed so that peripheral portions of the wiring-board-side pads 9 are recessed. - 特許庁

抵抗発熱体がセラミック基板の内部または表面に形成されたセラミックヒータであって、上記セラミック基板の厚さばらつきが、上記セラミック基板の平均厚さの−３〜３％であることを特徴とするセラミックヒータ。例文帳に追加

This ceramic heater for forming a resistance heating element on the inside or a surface of a ceramic substrate, is set with the dispersion of the thickness of the ceramic substrate being in the range of -3 to 3% of the average thickness of the ceramic substrate. - 特許庁

セラミックス基板の表面に導電箔を配置した絶縁基板において、セラミックス基板２Ａは複数枚のセラミックス板３を積層した構成とし、積層した各セラミックス板３の層間は絶縁樹脂層４で接合したことを特徴とする。例文帳に追加

In the insulating substrate arranging a conductive foil on the surface of a ceramic substrate 2A, the ceramic substrate 2A is constituted of laminating a plurality of ceramic plates 3, and respective laminated ceramic plates 3 are joined with each other through an insulating resin layer 4. - 特許庁

マドリッド協定に関する議定書第3条の3(2)の規定に基づく標章の国際登録から生ずる保護の爾後の地域拡張の請求は，特許庁に提出しなければならない。爾後の地域拡張が登録標章を基礎として行われるべき場合であって，その請求が標章の登録前に提出されているときは，その請求は，登録の日に受理されたものとみなされる。例文帳に追加

The request for subsequent territorial extension of the protection resulting from the international registration of a mark under Article 3ter(2) of the Protocol Relating to the Madrid Agreement shall be filed with the Patent Office. If the subsequent extension is to be effected on the basis of a registered mark and if the request has been filed prior to the registration of the mark, it shall be deemed to have been received on the date of registration.  - 特許庁

室内機へ電源を供給する空気調和機の室外機であって、室外機３’から室内機２へ電源を供給するための電源供給ライン上にコモンモードチョークコイル１３を設け、室外機３内の電源部及び制御部を搭載する基板１２’にコモンモードチョークコイル１３を搭載することを特徴とする空気調和機の室外機３’。例文帳に追加

In this outdoor unit of the air conditioner supplying electric power to the indoor unit, a common mode choke coil 13 is disposed on an electric power supply line for supplying electric power from the outdoor unit 3' to the indoor unit 2, and the common mode choke coil 13 is loaded on a substrate 12' loading an electric power portion and a control portion in the outdoor unit 3. - 特許庁

基板の製造方法は、少なくとも表面に絶縁体２を有する第１の基板１に第２の基板３を結合した結合基板５を準備する工程と、結合基板５の表面に金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層４を形成し複合基板５’を作製する工程と、複合基板５’を熱処理する工程と、複合基板５’からゲッタリング層４を除去する工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing the substrate includes the stages of preparing a bonded substrate formed by bonding a 1st substrate 1 and a 2nd substrate 3 having insulators 2 at least on surfaces, forming a compound substrate 5' by forming a gettering layer 4 for capturing metal impurities on the surface of the bonded substrate 5, heat-treating the compound substrate 5', and removing the getternig layer 4 from the compound substrate 5'. - 特許庁

表面が印刷面、または、カラーシートとなされた基板３の表面上に、透明、または、半透明のフィルム１を貼付して黒板を構成する。例文帳に追加

This blackboard is constituted by sticking a transparent or translucent film 1 on a surface of a base board 3 whose surface serves as a printing surface or uses a color sheet. - 特許庁

本発明の導波路型光変調器は、電気光学効果を有する基板１と、光波を導波させるための光導波路２と、導波光を制御するための進行波型信号電極３及び接地電極４とを具える。例文帳に追加

This modulator has a substrate 1 having an electro-optic effect, an optical waveguide 2 for guiding light waves, a progressive wave type electrode 3 for controlling the guided light and a grounding electrode 4. - 特許庁

続いて、トレンチ２及びマーカー３を埋め込むようにＳｉＣ層４をエピ成長させたのち、ＳｉＣ層４を表層部から順に除去していき、ＳｉＣ基板１の表面が露出するまで平坦化を進める。例文帳に追加

The method further comprises the steps of epitaxially growing the SiC layer 4 so as to embed the trench 2 and the marker 3, then sequentially removing the SiC layer from its surface layer, and advancing flattening until the surface of the substrate 1 is exposed. - 特許庁

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。例文帳に追加

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration. - 特許庁

治具本体２の表面に基板３を保持し、治具本体２の裏面からヒーター４で加熱して基板３に結晶をエピタキシャル成長させる治具１において、治具本体２の裏面に多数の凹凸部５を形成したものである。例文帳に追加

In a tool 1, a substrate 3 is held on the surface of a tool body 2, the substrate 3 is heated by a heater 4 from the rear surface of the tool body 2 for epitaxial growth of crystal, and uneven sections 5 are formed on the rear surface of the tool body 2. - 特許庁

このように、平板状のフレキシブル基板（４）には、その平板面と平行な平板面を持つ電子部品であるＩＲモジュール（３）が実装され、フレキシブル基板（４）の平板面におけるＩＲモジュール（３）近傍は、略長方形型となっている。例文帳に追加

An IR module (3) as the electronic component having a planar surface parallel to the planar surface of a plate-like flexible board (4) is mounted on the board, and the neighborhood of the IR module (3) in the planar surface of the flexible board (4) has a nearly rectangular shape. - 特許庁

防塵シート８は、ＬＣＤパネル１側の対向辺８ａが両面テープ等の接着材でＬＣＤパネル１の端面１ａに貼付けられ、回路基板３側の対向辺８ｂは防塵シート８の弾発力をもって回路基板３の端面３ａに圧着されている。例文帳に追加

A counter edge 8a on the LCD panel 1 side of the dust proof sheet 8 is stuck to an end face 1a of the LCD panel 1 with an adhesive such as a double sided adhesive tape and its counter edge 8b on the circuit substrate 3 side is pressed to stick to an end face 3a of the circuit substrate 3 with repulsive force of the dust proof sheet 8. - 特許庁

基板２と基板２の表面に形成される金属色フィルム層３と、金属色フィルム層３の表面に所望の色のインクによるオフセット印刷を施してなる印刷層４とからなり紙材表面が有色の金属色であることを特徴とする加工紙１。例文帳に追加

The processed paper 1 includes a substrate 2, a metallic color film layer 3 formed on the surface of the substrate 2, and a print layer 4 formed by offset-printing effected in ink in a desired color on the surface of the metallic color film layer 3, and a paper material surface is metal-colored. - 特許庁

基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。例文帳に追加

In order to exfoliate the material layer from the substrate in the interface of the substrate 1 and the material layer 2, to a work 3 in which the material layer 2 is formed on the substrate 1, through the substrate 1, a pulse laser light is irradiated so that adjacent each irradiation region is overlapped in the work 3, while changing the irradiation region to the work 3 every second. - 特許庁

基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。例文帳に追加

In order to peel a material layer 2 from a substrate 1 on the interface thereof, a work 3 where the material layer 2 is formed on the substrate 1 is irradiated with pulse laser light through the substrate 1 while changing the irradiation region for the work 3 from moment to moment so that the adjoining irradiation regions in the work 3 overlap. - 特許庁

セラミック基板4に設けられたキャビティ3のキャビティ側面18と、キャビティ3内に配置されたチップ10のチップ側面19との間に形成される側面空間16a〜16d内ならびに角部空間32a〜32d内に、チップ10をキャビティ3に固定する為の接着樹脂14と、接着樹脂14が設けられていない空隙13とを設けることを特徴とする。例文帳に追加

In side face spaces 16a-16d formed between the cavity side face 18 of a cavity 3 formed on a ceramic substrate 4 and the chip side face 19 of the chip 10 arranged in the cavity 3 and in corner spaces 32a-32d, the adhesive resin 14 for fixing the chip 10 to the cavity 3, and a gap 13 not provided with the adhesive resin 14, are formed. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

平面形状がほぼ長方形状のヘッド基板１の一面に、ヘッド基板１の長手方向に沿って帯状の発熱体２が形成され、このヘッド基板１の他面側が接着剤４を介して基台３に固着されることにより、ヘッド基板１が支持されている。例文帳に追加

On one side of a head substrate 1 having a substantially rectangular planar shape, a stripe heating element 2 is formed along the longitudinal direction of the head substrate 1 and the other side of the head substrate is bonded to a base 3 through adhesive 4 thus supporting the head substrate 1. - 特許庁

本発明の特徴は、樹脂基板の素子搭載面に接着剤を介して半導体素子が搭載される半導体装置であって、前記樹脂基板が通気性を有する多孔樹脂基板であり、前記樹脂基板の少なくとも一部が露出していることをにある。例文帳に追加

A semiconductor element 5 is mounted on an element-mounting surface 1 of a resin board through an adhesive agent 4 for the formation of a semiconductor device, where an air-permeable porous resin board 3 is used as the resin board, and the resin board is partially exposed. - 特許庁

ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６を形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を接合することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing a semiconductor pressure sensor, an aluminum layer 6 is formed in the thickness of 1 μm to 3 μm on a thick bottom face 36 of a silicon substrate 31 which will become a joint face with a glass substrate 32 and then the silicon substrate 31 and the glass substrate 32 are bonded. - 特許庁

面発光レーザ装置では、活性層３と反射鏡２、４から成る機能層を支持する基板１が発振波長に対して透明であり、基板１の機能層側の反対にある追加的反射鏡８と基板１側の反射鏡２を用いて基板部分を光学共振器として使用する。例文帳に追加

A substrate 1, which supports a function layer comprising an active layer 3 and reflective mirrors 2 and 4, is transparent with respect to the oscillation wavelength, and an additional reflecting mirror 8 on the side opposite to the function layer of the substrate 1 and the reflecting mirror 2 on the substrate 1 side are used, so that a substrate part is used as an optical resonator. - 特許庁

パネル本体１に、土壌等の植栽基盤材を収納する植栽基盤材収納部２と、前記植栽基盤材を所定の厚みにするために前記植栽基盤材収納部２を所定の深さに形成すべく嵩上げする嵩上げ部３とを具備させたことを特徴とする。例文帳に追加

The panel to be built for greening the rooftop has a plantation base material-storing part 2 for storing a plantation base material such as soil, and a raising part 3 for raising the plantation base material-storing part 2 so as to form the prescribed thickness and to enable the plantation base material to have a prescribed thickness, installed in a panel body 1. - 特許庁

一対の基板２の互いに対向する面に電極３を形成し、前記基板２の周囲にトランスファ材５が混入されたシール材４を塗布して各基板２を貼り合わせ、前記トランスファ材５により前記各基板２の対向する電極３を導通させるとともに、前記基板２の隣接する各電極３間に隔壁６を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

Electrodes 3 are formed on the mutually opposite surfaces of a couple of substrates 2, the circumference of the substrates 2 is applied with sealant 4 in which a transfer material 5 is mixed, and the substrates 2 are stuck together; and the opposite electrodes 3 on the substrates 2 are electrically connected to each other through the transfer material 5 and a partition wall 6 is formed between adjacent electrodes 3 on the substrates 2. - 特許庁

さらに、ヒューズ層の下にガード層を有する構造を用いることにより可視領域波長レーザの照射時に問題となるシリコン基板へのダメージを抑制することができるため、銅に対する光吸収率の高い可視領域波長レーザを用いても銅ヒューズを切断することができる。例文帳に追加

With a guard layer provided under the fuse layer 3, the damages to a silicon substrate, which arises at irradiating visible region wavelength laser, are suppressed, so that a copper fuse is melted even with a visible region wavelength laser with high light absorptivity with respect to copper. - 特許庁

電子部品基板３の一方の面に複数のキー接点４を保持し、他方の面に超小型パッケージ５を保持しているとき、超小型パッケージ５を形成しているシリコンチップ11と並べて、シリコンチップ11と略同じ厚さの固体板６を、セラミック面10上に具備すること。例文帳に追加

A plurality of key contacts 4 are held on one surface of an electronic component substrate 3, and when the package 5 is held on the other surface, a solid plate 6 having nearly the same thickness as a silicon chip 11 is provided on a ceramic surface 10 as arranged together with the silicon chip 11 forming a microminiature package 5. - 特許庁

シリコン基板１の上に、金属膜を成膜し、その金属膜の上に、金属膜と下地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜を形成し、その後に、下地用パターン３の上の金属膜を残し絶縁膜４の上の金属膜を剥離する。例文帳に追加

The metal film is formed on the silicon substrate 1, a stress control film is formed on the metal film for adjusting the stress exerted on the interface between the metal film and the base and then the metal film on the insulation film 4 is peeled with the metal film left on the base pattern 3. - 特許庁

電子部品基板３の一方の面に複数のキー接点４を保持し、他方の面に超小型パッケージ５を保持しているとき、超小型パッケージ５を形成しているシリコンチップ11を覆う部材６を、セラミック面10の上に空隙12を介して具備する。例文帳に追加

When a plurality of key contacts 4 are held on one surface of a board 3 for electronic components and a microminiature package 5 is held on its other surface, a member 6 forming the microminiature package 5, which covers a silicon chip 11, is provided on a ceramic surface 10 of the microminiature package 5 via an air gap 12. - 特許庁