「きばちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

この電気化学表示装置は、ガラス基板２の所定面２ａ上に形成された画素電極６と、ガラス基板２および３の間に配置されているとともに、光変調物質が含有されている電解質層１とを備えている。例文帳に追加

The electrochemical display device includes pixel electrodes 6 formed on a predetermined surface 2a of a glass substrate 2, and an electrolyte layer 1 disposed between glass substrates 2 and 3 and containing an optical modulating material. - 特許庁

少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板２に穴３が形成され、かつ基板外部よりＬｉが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料１。例文帳に追加

In a wafer level package material 1 for a surface acoustic wave device, holes 3 are formed at least on a single crystal piezoelectric substrate 2 where piezoelectricity is eliminated and Li is diffused from the exterior part of the substrate. - 特許庁

基板２が処理位置に到達した後、各微調用撮像部７によって、基板２のアライメントマーク３を含み、かつ第１領域よりも狭い第２領域を、第１倍率よりも高い第２倍率で撮像する。例文帳に追加

After the substrate 2 arrives at the processing position, each imaging section 7 for fine adjustment images a second region of the substrate 2 including the alignment mark 3 and narrower than the first region at a second magnification higher than the first magnification. - 特許庁

本発明の高演色性のあるアレイ型発光装置は、基板１、基板１に電気的に接続されたアレイ型発光モジュール２、複数の波長変換層３、及び複数の透光層４を含む。例文帳に追加

The array-type light-emitting device having high color-rendering properties includes a substrate 1, an array-type light-emitting module 2 electrically connected to the substrate 1, a plurality of wavelength conversion layers 3 and a plurality of translucent layers 4. - 特許庁

単結晶から成る圧電基板１上の一主面上に励振電極５を形成し、他主面上にガラス層８を介して非単結晶から成る保護基板３を接合させたことを特徴とする弾性表面波装置とする。例文帳に追加

Concerning this SAW device, an exciting electrode 5 is formed on one principal face of a piezoelectric substrate 1 composed of a monocrystal and a protecting substrate 3 composed of a non-monocrystal is bonded through a glass layer 8 onto the other principal face. - 特許庁

下ガラス基板２の上ガラス基板３から突出された突出部２ｂの上面の所定の箇所は長方形状の半導体装置接合領域１１となっている。例文帳に追加

In this semiconductor device, a prescribed part on an upper face of a projecting part 2b made to project from an upper glass substrate 3 of a lower glass substrate 2 is a rectangular semiconductor device connection area 11. - 特許庁

主制御部８６の撮像部８６ａは、照明装置２および調光装置３により、はんだが塗布された基板に対して所定の強度の赤外線を照射させ、撮像装置４により、その基板を撮像させる。例文帳に追加

In an imaging part 86a of a main control part 86, a substrate onto which solder is applied is irradiated with infrared rays having prescribed intensity by an illumination device 2 and a dimming device 3, and the substrate is imaged by an imaging device 4. - 特許庁

基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。例文帳に追加

The present invention provides the method for depositing or growing the group Ill-nitride layer, e.g. GaN layer 5, on a substrate 1, the substrate 1 comprising at least a Ge surface 3, preferably with hexagonal symmetry. - 特許庁

基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。例文帳に追加

A wettability adjusting layer 5 using a material that is changed in wettability with irradiation of light is formed within an exposed surface region of a circuit board 1 including a disconnection point D of the wiring 3 formed on the circuit board 1. - 特許庁

気相成長装置１は、処理対象物である基板５を保持する、回転可能なサセプタ３と、基板５の一方の主表面上に成膜用のガスを流す流路１０とを備える。例文帳に追加

The vapor deposition apparatus 1 includes a susceptor 3 which holds a substrate 5 as a workpiece and can rotate, and a flow channel 10 for flowing gas for deposition on one main surface of the substrate 5. - 特許庁

マスク保持部５及び／又は基板保持部３の温度を調整しつつ、光源９から照射された光により、マスクパターンを基板２の表面に露光する。例文帳に追加

While adjusting the temperature of the mask holding part 5 and/or that of the substrate holding part 3, the mask pattern is transferred to the surface of the substrate 2 by exposure by light emitted from a light source 9. - 特許庁

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。例文帳に追加

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B. - 特許庁

荷室の内壁面をなす板材１に向き合う細長い基板部分２と、基板部分２の長辺Ｌに連なり且つ短辺に接して閉空間３を形成する張殻部分４とを備えている。例文帳に追加

The air rib is provided with a long and slender base plate portion 2 facing a plate 1 comprising an inner wall face of a cargo chamber, and a stress portion 4 continuous with a long edge L of the base plate portion 2 and contacting a short edge to form a closed space 3. - 特許庁

ＩｎＳｂ系化合物半導体多結晶膜３と接する基板１Ａ、１Ｂ最表面に凹凸（１_1〜１_n、２_1〜２_n）を形成し、結晶の核発生数を増加するよう構成したことを特徴とするＩｎＳｂ薄膜基板１０。例文帳に追加

Irreguralities (11-1n, 21-2n) are formed on the uppermost surfaces of substrates 1A, 1B which are in contact with an InSb based compound semiconductor polycrystal film 3, and this InSb thin film substrate 10 is so constituted that the number of generation nuclears of crystal is increased. - 特許庁

本発明はＬＥＤ１と、このＬＥＤ１が設けられる基板２とを有する点灯装置において、前記ＬＥＤ１は、前記基板２に、導電性を有する台座３を介して取り付けられることを特徴とする点灯装置を提供する。例文帳に追加

With the lighting device equipped with an LED 1, and a substrate 2 which the LED 1 is mounted on, the LED 1 is mounted on the substrate 2 through a conductive pedestal 3. - 特許庁

気相成長装置は、被処理基板２が載置される載置面を含むサセプタ３と、被処理基板２を収容する内部空間６を形成し、内部空間６にガス流れが形成される反応管３２とを備える。例文帳に追加

The vapor phase epitaxial growth device is provided with a susceptor 3 including a placing face onto which a substrate 2 to be processed is placed and a reaction tube 32 which forms an inner space 6 for storing the substrate 2 to be processed so as to allow a gas flow to be formed in the inner space 6. - 特許庁

超音波発生装置１０は、熱導電性の基板１と、基板１の一方の面に形成された断熱層２と、断熱層２上に形成され、電気的に駆動されて熱を発生する発熱体薄膜３とを有する。例文帳に追加

The ultrasonic wave generator 10 comprises a thermally-conductive substrate 1, a heat insulating layer 2 formed on one face of the substrate 1, and a heating element thin film 3 which is formed on the heat insulating layer 2 and is electrically driven to generate heat. - 特許庁

本発明の薄型基板固定治具は、平板２と弱粘着剤層３が形成された薄膜４からなる薄型基板固定治具１であって、前記平板２上に前記薄膜４が着脱自在に固定されていることを特徴とする。例文帳に追加

The thin substrate fixing jig 1 is composed of a plate 2 and a thin film 4 formed of a weak adhesive layer 3 and arranged such that the thin film 4 is applied removably to the plate 2. - 特許庁

本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法の代表的な構成は、ガラス基板３を、酸性溶液を用いて洗浄した後に、さらに炭酸ガス溶液２で洗浄することを特徴とする。例文帳に追加

The typical cleaning method of a glass substrate for a magnetic disk is characterized in that the glass substrate 3 is cleaned by using an acid solution and then cleaned by using a carbon dioxide gas solution 2. - 特許庁

結晶化ガラスよりなるガラス基板と、ガラス基板における被加熱物を設置する調理面上に配設した多数の点状装飾層３とを有してなる。例文帳に追加

It is comprised by having the glass substrate comprising crystallized glass, and a multiplicity of spot-like decoration layers 3 disposed on a cooking face for disposing a heating reception object in the glass substrate. - 特許庁

薄膜基板１と、 該薄膜基板上に形成された有機薄膜層２と、 該有機薄膜層上に形成され、電気信号が入力されることにより発熱する表面電極３と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The present invention includes: a thin film substrate 1; an organic thin film layer 2 formed on the thin film substrate; and a surface electrode 3 that is formed on the organic thin film layer 2 and is heated by inputting an electric signal. - 特許庁

複数の開口部を設けた金属基板１に粘着性フィルム３を貼付け、開口部２から露出した粘着面にモジュールサイズのセラミック基板５を固定し、半導体装置を製造する。例文帳に追加

An adhesive film 3 is pasted on a metal plate 1 having a plurality of openings formed thereon, and a module-size ceramic substrate 5 is fixed on the adhesive surface exposed from the opening 2, thereby manufacturing a semiconductor substrate. - 特許庁

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。例文帳に追加

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1. - 特許庁

セラミック基板３の表面に導体層２が形成されてなるとともに、セラミック基板３には複数の同心円状の溝７が形成されその溝７の一部に貫通孔８が設けられ且つ、底面には同心円状の発熱体４１が設けられていることを特徴とするウエハプローバ１０１に使用されるセラミック基板３。例文帳に追加

A conductive layer 2 is formed on the surface of a ceramic substrate 3, and plural concentric circular grooves 7 are formed on the ceramic substrate 3, and through-holes 8 are formed at one pert of the grooves 7, and concentric circular heating elements 41 are arranged on the bottom face of the ceramic substrate 3 so that a ceramic substrate 3 to be used for a wafer prober 101 can be constituted. - 特許庁

実装基板面上に配置されるＩＣカードコネクタ１において、ＩＣカードコネクタ本体３の基板面側の接触端子７を伸長すると共に、前記ＩＣカードコネクタ本体を前記実装基板から浮かせるためスペーサ９を配設する。例文帳に追加

In the IC card connector 1 arranged on a mounting substrate, a contact terminal 7 of a substrate surface side of the IC card connector main body 3 is extended and a spacer 9 is arranged in order to raise the IC card connector main body from the mounting substrate. - 特許庁

半導体素子２と基板１とを固定する接着剤３が、半導体素子２の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と基板１とを接着するとともに、基板１と半導体素子２との間には接着剤が入り込んでいないことを特徴とする。例文帳に追加

An adhesive 3 for fixing the semiconductor element 2 to the substrate 1 bonds at least one surface of the surfaces other than the front and rear surfaces of the semiconductor element 2 to the substrate 1, and the adhesive does not enter into a portion between the substrate 1 and the semiconductor element 2. - 特許庁

新聞見開きバインダー（１）の中央部（２）に折り込み専用ワイヤースプリング（３）で挟み込み紙面を固定し全面をオープンにして読める様にしたことが特徴である。例文帳に追加

The invention relates to the newspaper spread binder 1 which offers an easier reading with the whole newspaper surface open by firmly holding the newspaper with a wire spring 3 built in the center folding part 2 of the binder 1. - 特許庁

ＩＣ３上面（能動面）３ａは配線パターン２を含む基板１上面１ｂと同一面となっていて、レンズＩＣ間距離Ｌは無調整で精度がでる構成である。例文帳に追加

An upper surface (active surface) 3a of the IC 3 is flush with the upper surface 1b of the substrate 1 comprising the wiring pattern 2, with the distance L from the lens IC capable of accurately setting without adjustment. - 特許庁

アンテナ装置１の共振周波数を調整するための容量形成部３３ａ〜３３ｄがアンテナ装置１の最表面である誘電体基板３の表面側３ｂに配置されている。例文帳に追加

Capacity formation parts 33a-33d for adjusting resonance frequency of an antenna device 1 are disposed on a surface side 3b of a dielectric substrate 3 which is the topmost surface of the antenna device 1. - 特許庁

半導体基板(１)に電極端子を形成するために金属層(３，４)が設けられ、及びパッシベーション(２)が設けられ、且つキャリヤの寿命を調節するために粒子の照射に曝される。例文帳に追加

Metal layers 3, 4 and a passivation 2 are provided in order to form electrode terminals on a semiconductor substrate 1 and exposed to irradiated with particles in order to regulate the lifetime of carrier. - 特許庁

基板３を輸送するための本発明の装置は、移動可能であり、調整ステーション２２に結合されうるミニエンバイロンメント密封容器１を備える。例文帳に追加

The device for transporting the substrate 3 is movable and is provided with a mini environment sealed container 1 that can be connected to an adjusting station 22. - 特許庁

基板１の表面に形成された高温超伝導薄膜２の表面に１μｍ以下の厚みの保護膜３を形成し、この状態で平坦化のためのエッチングを行う。例文帳に追加

A protection film 3 with a thickness of 1 μm or less is formed on the surface of a high-temperature superconductive thin film 2 that is formed on the surface of a substrate 1, and etching for flattening is made in this state. - 特許庁

薄形のリム及び基板を用いることで、組み合わせた電極構造の厚みが３ミリメートル以下、面板及び背板１４間の距離が１０ミリメートルとなり、超薄形大画面ディスプレイに適したものとなる。例文帳に追加

By using the thin rim 26 and a substrate, thickness of a combined electrode structure becomes 3 mm or below, a distance between the face plate 12 and a back plate 14 becomes 10 mm and the device becomes suitable for an ultrathin large-sized screen display. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。例文帳に追加

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained. - 特許庁

チップ部品６を収容するためのキャビティ２を備えるセラミック多層回路基板１において、キャビティ２の少なくとも１つの側面にキャビティ開口面積を減少させる凸部３を設けていることを特徴とする。例文帳に追加

In the ceramic multi-layer circuit board 1 provided with the cavity for storing the chip component 6, a projection part 3 decreasing the opening area of the cavity is provided on at least one side of the cavity 2. - 特許庁

ホルダー部材２は、磁石３及び磁気検出素子３を配設するためのヘッド部２１と、ヘッド部２１から延長形成され回路基板５を配設するためのボディー部２２とを少なくとも有し、ハウジング１内に配設される。例文帳に追加

The holder member 2 is at least composed of the head part 21 for arranging the magnet 3 and the magnetic detector element 4, and the body part 22 formed by extending from the head part 21 for arranging the circuit board 5, and is disposed in the housing 1. - 特許庁

予めフレキシブルプリント配線板端子部２にアルミ線３をステッチ溶接した後、被接続基板の端子部と位置決め、加圧し、超音波振動を印加することにより接続する。例文帳に追加

An aluminum wire 3 is previously stitch-welded to the terminal 2 of a flexible printed wiring board, then the terminal 2 of the printed wiring board is positioned to the terminal of a counter board, pressed and connected to it by applying ultrasonic vibrations. - 特許庁

本発明の半導体装置１は、第一アンテナ回路３を絶縁化された一面に配してなる半導体基板２と、該半導体基板２に載置され、前記第一アンテナ回路３と電気的に接続された半導体素子４とを少なくとも備えることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device 1 is provided with at least the semiconductor substrate 2 composed by disposing a first antenna circuit 3 on an insulated surface and the semiconductor element 4 mounted on the semiconductor substrate 2 and electrically connected to the first antenna circuit 3. - 特許庁

本願発明は、発光ダイオード３１，３２，３３を実装してなる基板３に電線を接続するとともに、合成樹脂材にて電線５２，５３と、基板３と、発光ダイオード３１，３２，３３とを一体に密着被覆して成形したことを特徴とする照明器具である。例文帳に追加

A luminaire includes light-emitting diodes 31, 32 and 33 implemented on a substrate 3 connected with wires, wherein the wires 52 and 53, the substrate 3, and the light-emitting diodes 31, 32 and 33 are integrally coated to be molded by using a synthetic resin. - 特許庁

第２工程は、ガラス基板３，４のＩＴＯ膜１２が形成された面と逆側の面において、ガラス基板３，４に対する透過率が２０％以上９０％以下となるような波長が２．６μｍ以上４．５μｍ以下のレーザ光を分断予定ラインに沿って照射する。例文帳に追加

In the second step, on the opposite side face to a face where the ITO film 12 is formed on the glass substrates 3, 4, irradiation along the planned cutting line is performed with a laser beam whose wavelength is 2.6-4.5 μm so as to provide a transmittance 20-90% for the glass substrates 3, 4. - 特許庁

耐摩耗性被覆層１０は、基板３との段差が、ほぼ無いように付着形成されるされ、切断時に発生する切粉が殆ど滞留しないため、超硬質合金の耐摩耗性被覆層１０の直下の基板３の外周部４にアンダーカットが発生することを防止し、寿命が長くなる。例文帳に追加

The abrasion resistant coating layer 10 is stuck and formed to have no level difference from the base plate 3 so that cutting chip produced in cutting is hardly accumulated to prevent the undercut from being formed in the outer circumferential part 4 of the base plate 3 right under the cemented carbide abrasion resistant coating layer 10, thereby elongating the life. - 特許庁

化粧板形成用の基板(1)と、前記基板(1)の表面に積層一体化された熱硬化性樹脂含浸紙(2)と、前記熱硬化性樹脂含浸紙(2)に積層一体化され、フッ素樹脂からなる塗材を表面にコーティングした合成樹脂フィルム(3)とから構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The decorative plate is composed of a substrate (1) for forming the decorative plate, thermosetting resin-impregnated paper (2), and a synthetic resin film (3) which is laminated on the thermosetting resin-impregnated paper (2) to be integrated and coated with a coating material comprising a fluororesin. - 特許庁

基板２と複数のフィン３を所定間隔で配した放熱フィン部１０とからなるヒートシンク１であって、単体で加工されたフィン３をかしめ接合して構成した放熱フィン部１０と前記基板２とをろう付けしたことを特徴とするヒートシンクである。例文帳に追加

The heat sink 1 constituted of a base plate 2 and a radiating fin unit 10 on which a plurality of fins 3 are arranged at predetermined intervals is manufactured by brazing a radiating fin unit 10 constituted by connecting the singly worked fins 3 by calking and the base plate 2. - 特許庁

原画５を描写した伸長可能な布２と、原画５の一部を描写した透明基板３と、布２と透明基板３とを所定の間隔を隔てて重ね合わせて固定する枠４とを備え、布２は引き伸ばされて枠４に固定されている。例文帳に追加

The ornament includes: an extendable cloth 2 on which the original picture 5 is described; a transparent substrate 3 on which a part of the original picture 5 is described; and a frame 4 superimposing the cloth 2 and the transparent substrate 3 with prescribed intervals so as to be fixed, and the cloth 2 is stretched and is fixed to the frame 4. - 特許庁

また、この光ディスク装置にＣＤ基板３の厚さｔ_2が1.2ｍｍであるＣＤが装着されたときには、波長λ_2＝790ｎｍの光ビーム５が開口数ほぼ0.45の光束として有効に用いられ、ＣＤ基板３の情報記録面３ａに集光する。例文帳に追加

Also, when a CD for which the thickness t_2 of a CD substrate 3 is 1.2 mm is mounted on the optical disk device, the light beam 5 of the wavelength λ_2=790 nm is effectively used as the luminous flux for which the numerical aperture is roughly 0.45 and converged on the information recording surface 3a of the CD substrate 3. - 特許庁