「ずり応力」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シルクパウダーと平均粒径が５０〜１，０００μｍであり、かつ崩壊強度が１０〜２００ｇ／個である粒子とを併用配合し、かつ２５℃におけるずり速度１２８ｍｉｎ^-1時のずり応力がずり速度１６ｍｉｎ^-1時のずり応力の２倍以下であることを特徴とする歯磨組成物。例文帳に追加

This dentifrice composition is characterized in that the composition is obtained by formulating silk powder with particles having 50-1,000 μm average particle diameter and 10-200 g/particle collapse strength and has a shear stress at 128 min^-1 at 25°C of twice or smaller than a shear stress at 16 min^-1. - 特許庁

血流のずり応力とずり応力以外の血流情報とを同時に観察することができる超音波診断装置、血流可視化装置及び制御プログラムを提供する。例文帳に追加

To provide an ultrasonic diagnostic apparatus, blood flow visualization apparatus and control program simultaneously observing the shearing stress of blood flow and blood flow information other than the shearing stress. - 特許庁

血管壁に働く壁ずり応力とこの壁ずり応力以外の血流情報とを同時に観察することができる超音波診断装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ultrasonic diagnostic apparatus simultaneously observing the wall shearing stress acting on a blood vessel wall and blood flow information other than the wall shearing stress. - 特許庁

渦電流を利用した渦流探傷機による加工品の残留応力の検出方法例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING RESIDUAL STRESS IN WORKPIECE WITH EDDY CURRENT TESTER USING EDDY CURRENT - 特許庁

旋回する反応器内で反応物にずり応力と遠心力を加えて、化学反応を促進させる反応を用い、化学反応の過程で、反応器内で反応物にずり応力と遠心力を加えて生成した金属酸化物ナノ粒子と、反応器内でずり応力と遠心力を加えて分散したカーボンとからなる。例文帳に追加

The metal oxide nano particles are formed by applying a shearing stress and a centrifugal force on a reactant in a rotating reactor and by using reaction to promote chemical reaction, and further, by adding shearing stress and centrifugal force on the reactant in the reactor in the process of chemical reaction; and the carbon is dispersed, by adding the shearing stress and centrifugal force in the reactor. - 特許庁

本発明は、嚥下困難者が液状食品を摂食する際の適切な物性値として、温度20℃の物性値が粘度0.6〜2.3Pa・s、かつ降伏応力0.07〜0.75Paであり、一方、ずり流動化を示し、ずり速度0.1s^-1の定常ずり粘度が5.6〜28Pa・s、ずり速度500s^-1の定常ずり粘度が0.02〜0.038Pa・sであるという知見に基づくものである。例文帳に追加

The liquid composition is produced based on such knowledge that the appropriate physicality values of liquid food at 20°C when the patient with dysphagia takes liquid food comprises viscosity of 0.6-2.3 Pa s, and yield stress of 0.07-0.75 Pa. - 特許庁

E型粘度計により求められるずり速度とずり応力において，ずり速度1〜2/secでのある一点のでの粘度とその10倍のづり速度での粘度の比が0.5〜2.0であることを特徴とするポリエステル系樹脂水分散体．例文帳に追加

This water dispersion of a polyester-based resin characteristically has a viscosity ratio of 0.5-2.0, wherein shear rates and shear stresses are measured by the E-type viscometer, and the viscosity ratio is defined as a ratio of a viscosity measured at a certain point of shear rate between 1 and 2/sec to a viscosity measured at 10 times the share rate of the above measurement. - 特許庁

これにより、ビーズ１８間にせん断力やずり応力、摩擦などを発生させて、触媒インクを破砕分散できる。例文帳に追加

According to this, the shearing force, grinding stress, friction, or the like, are generated among the beads 18 so as to be able to crush and disperse the catalyst ink. - 特許庁

他の物体との衝突による衝撃は、ずり応力の変動速度が大きい事象の典型的な例である。例文帳に追加

Shock collided with the other object is a typical example of a phenomenon wherein variable speed of shearing stress is large. - 特許庁

この場合緩衝部材２０１は硬化し、ずり応力を機能基板としての有機ＥＬ基板２０３内に分散させる。例文帳に追加

The buffer member 201 is hardened in this case, and the shearing stress is dispersed into the organic EL substrate 203 as a functional substrate. - 特許庁

セラミック焼結体１４よりもずり応力に強い金属材料からなる複数の被吸着物支持体６は、絶縁基材２に固定されている。例文帳に追加

A plurality of supports 6 made of a metallic material stronger against shear stress than the sintered ceramic 14 are secured to the insulating basic material 2. - 特許庁

ずり応力はスキージ１０４の端部またはスキージ１０４の昇降軸１０４ｂに取り付けた歪みゲージ１０４ｃで検出する。例文帳に追加

The shear stress is detected by a strain gauge 104c attached to the edge part of the squeezee 104 or an elevating shaft 104b of the squeezee 104. - 特許庁

またタンパク質コロイド水溶液は、カッソンプロットにおける[ずり速度(γSec^−１)]^１/２＝０のときの[ずり応力(τPa)]^１/２が少なくとも0.05 Pa^１/２以上の値である。例文帳に追加

In the protein colloid aqueous solution, the value of [shearing stress (τPa)]^1/2 in the case of [shear rate (γSec^-1)]^1/2=0 in a Casson plot is a value of at least 0.05 Pa^1/2 or more. - 特許庁

ずり速度を 0sec ^-1から12sec ^-1まで等速的に変化させた際の、ずり速度が 8〜12sec ^-1の範囲での、ずり応力S とずり速度D との比S/D で表される粘度が800 〜2300poise の範囲内で、かつずり速度1 sec ^-1のときの粘度v_1と、ずり速度10sec ^-1のときの粘度v_2との比v_1/v_2 で表されるチキソ性が 3〜13の範囲内である、積層セラミックコンデンサの内部電極用導電性ペースト。例文帳に追加

At the same time, a thixotropy index represented by a ratio v1/v2 of the viscosity v1 in the time of the shear rate of 1 sec-1 to the viscosity v2 in the time of the shear rate of 10 sec-1 is in the range of 3-13. - 特許庁

測定精度が向上出来、軽量でかつ外部からの応力などに対して堅牢な渦流量計を実現する。例文帳に追加

To realize a vortex flowmeter which improves the accuracy of measurement, is light, and strong against stresses etc. from outside. - 特許庁

また、Ａｒイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層４の引張り応力が１１ＭＰａ以上かつ２７ＭＰａ以下となるようにする。例文帳に追加

By adjusting the dose amount of the Ar ions, tensile stress of the lattice strain layer 4 is set to 11-27 MPa. - 特許庁

後身頃２２において、吊上げ部材２６は幅寸法が徐々に大きくなって胴回り２４に至っているため、吊上げ部材の収縮応力が胴回り部２４において分散するようになり、ショーツをずり下げるようとする局部的な応力が作用しない。例文帳に追加

In the rear body side 22 of the shorts, the lifting member 26 is gradually increased in width to reach the waist part 24, whereby the shrinkage stress of the lifting member is dispersed in the waist part 24, applying no local stress of causing slip-down of the shorts. - 特許庁

電極ペーストは、ずり速度が０〜１０００［ ｓ^−１］ の範囲における流動曲線が、Ｓ＝ｍＤ^ｎ （Ｓはずり応力、Ｄはずり速度、ｍは係数、ｎは非ニュートン粘性指数）で表される流動方程式に相関係数０． ９５以上の条件で近似されるように調整する。例文帳に追加

Electrode paste is adjusted so that a flow curve with a shear rate in the range of 0-1000 [s^-1] is approximated to a flow equation expressed by S=mD^n (where S is shearing stress, D is a shear rate, m is a coefficient and n is a non-Newton viscosity index) with a correlation coefficient of 0.95 or more. - 特許庁

τ＝μ×Ｄ …（Ｉａ） μ＝η×Ｄ^（n-1） …（Ｉｂ）（ただし、τ：ずり応力 μ：粘度 η：定数 Ｄ：ずり速度 ｎ：べき乗指数） ずり速度が１０^３以上におけるべき乗指数が０．６以上であるような硬化性樹脂組成物であれば、スリットの不均一に起因した吐出流量の分布劣化を抑制し得る。例文帳に追加

By using the curable resin composition having ≥0.6 power-law exponent at ≥10^3 s^-1 shear rate, deterioration in the distribution of discharge flow amounts attributed to non-uniformity of a slit can be suppressed. - 特許庁

酸化マンガンナノ粒子の前駆体とこれを担持したカーボンナノ粒子は、旋回する反応器内で反応物にずり応力と遠心力を与えるメカノケミカル反応によって作製する。例文帳に追加

The precursor of manganese oxide nanoparticles and the carbon nanoparticles supporting thereof are prepared by a mechanochemical reaction which imparts shear stress and centrifugal force to the reactant in a revolving reactor. - 特許庁

チタン酸リチウム結晶構造体の前駆体とこれを担持したＣＮＦは、旋回する反応器内で反応物にずり応力と遠心力を与えるメカノケミカル反応によって作製する。例文帳に追加

The precursor of the lithium titanate crystal structure and the CNF which supports the same are prepared by a mechanochemical reaction in which shear stress and centrifugal force are applied to reagents in a rotating reaction vessel. - 特許庁

金属酸化物ナノ粒子の前駆体とこれを担持したカーボンナノ粒子は、旋回する反応器内で反応物にずり応力と遠心力を与えるメカノケミカル反応によって作製する。例文帳に追加

The precursor of the metal oxide nanoparticles and the carbon nanoparticles, which support the precursor, are prepared by means of the mechanochemical reaction produced by applying sheer stress and centrifugal force to a reactant in a whirling reactor. - 特許庁

制御装置３０１を備え、接着剤２５１にずり応力を与える回転数にて吐出用シャフト２１２１を軸回り方向へ回転させる制御を吐出用シャフト回転装置２１３１に行わせる。例文帳に追加

This viscous fluid application apparatus comprises a control apparatus 301 to control a shaft rotation apparatus 2131 for discharge as to rotate the shaft 2121 in the axle rotation direction at a rotation speed high enough to apply shearing stress to an adhesive 251. - 特許庁

極めて高い熱伝導率を示すにも関わらず、流動性の低下や、フィルムの強度、熱応力の緩和の作用、耐熱性や耐湿性の低下などがなく、半導体用途に好適な接着フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive film suitable for use for semiconductors, free from reduction of flowability, deterioration of film strength, relaxation of thermal stress, heat resistance and moisture resistance in spite of manifesting extremely high heat conductivity. - 特許庁

ピストンの低速域でも所定の減衰力を発生し、ピストンの中・高速域では減衰力が過剰とならず、リリーフバルブの曲げ応力の上昇を防止でき、多数の固定部やピストンを用意する必要が無い。例文帳に追加

To generate a desired damping force even in a piston low speed range, prevent an excess of damping force in piston middle/high speed ranges, prevent an increase of bending stress of a relief valve, and eliminate a necessity to prepare a number of fixing parts and pistons. - 特許庁

研削等による削り量が部分的に異なる部品であっても、残留応力の影響を小さくして研削焼け検出精度を高めることができるバルクハウゼンノイズ検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide a Barkhausen noise inspection device capable of reducing an influence of residual stress to raise burn mark detection accuracy even in the case of a component with partially different grinding amounts by grinding, etc. - 特許庁

チップのサイズ及び電力消耗を減らし、イネーブル時間に拘わりなくヒューズに加わる応力を減らし得る冗長ヒューズリード回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a redundant fuse lead circuit which can reduce a chip size and electric power consumption, and a stress applied on a fuse irrespective of the enable time. - 特許庁

軸との局所的な接触を避けて、軸受面に生じる応力集中の緩和を図り、かつ、その支持位置によらず良好な油膜の形成を図り得る焼結含油軸受を提供する。例文帳に追加

To provide an oil-impregnated sintered bearing capable of alleviating concentrated stress occurring on a bearing face by avoiding local contact with a shaft and forming an excellent oil film regardless of the supported position of the shaft. - 特許庁

渦流量計の渦検出センサ部は、応力或いは歪を検出する検出素子を貼着しかつ振動管の上部開口側に圧入される上端圧入部を持つ弾性母材を有している。例文帳に追加

A vortex detection sensor part of this vortex flowmeter has an elastic parent metal, having a detection element stuck thereon for detecting a stress or a strain and having an upper end press-fitting part to be press-fitted onto the upper opening side of a vibrating tube. - 特許庁

一方、他の３辺２ｂ〜２ｄにおいては、熱膨張の差に起因する応力によりズリ変形可能な可塑性の接着剤層１２ａ〜１２ｄにより互いに一体にまとめられている。例文帳に追加

On the other hand, the optical sheet and the light transmission plate are integrally put together one another by plastic adhesive layers 12a to 12d which can cause slippage deformation by the stress occurring in the difference in coefficients of thermal expansion on the other three sides 2b to 2d. - 特許庁

温度変化によって発生する応力、半導体基板上の熱分布、不純物のドーズ量勾配によって、ひずみ検出に用いるホイートストンブリッジにオフセット出力が発生する。例文帳に追加

To solve the problem that an offset output is generated in a Wheatstone bridge to be used for distortion detection due to a stress generated according to temperate change, heat distribution on a semiconductor substrate and the dose quantity gradient of impurity. - 特許庁

カルマン渦の応力を検出して渦流量信号を検出する渦流量計において、演算制御部とセンサで検出した信号を増幅する増幅部へのコントロール線にシリアルなデータストリーム方式の送受信を行うようにしてコントロール線を減少させるようにした渦流量測定方法及び渦流量計を提供する例文帳に追加

To provide a method and a meter for a vortex rate which decrease control lines of a vortex flowmeter, which detects the stress of a Karman vortex and detects a vortex flow signal, by performing transmission and reception by a data stream system through a control line to an amplification part amplifying signals detected by an arithmetic control part and a sensor. - 特許庁

少なくとも有機銀塩及び感光性ハロゲン化銀粒子を含有する分散液において、該分散液の流動をオストワルドの流動方程式：σ＝Ｋγ^ｎ（ただし、σはずり応力（Ｐａ）、γはずり速度（ｓ^−１）を表す。）に当てはめた場合、ｎが０．１〜１．０で、かつＫが０．１〜１．０であることを特徴とする分散液。例文帳に追加

In the dispersion containing at least an organic silver salt and photosensitive silver halide grains, when flowage of the dispersion is applied to the Ostwald's streaming motion expression: σ=Kγ^n (where σ is shearing stress (Pa) and γ is shear rate (s^-1)), n is 0.1-1.0 and K is 0.1-1.0. - 特許庁

又、表ライナーＬ３の含水率ＢＬを下流の裏ライナーＬ１の含水率ＤＬと同一にし、ダブルフェーサ７において、上記の様に残留応力を内在しない片面段ボールＷ１に対し、その裏ライナーＬ１と同一の含水率（ＢＬ＝ＤＬ）で以て表ライナーＬ３を片面段ボールＷ１に貼り合わせる。例文帳に追加

The moisture content BL of a front liner L3 is also made equal to the moisture content DL of the back liner L1 on the downstream and the front liner L3 is pasted, in the double facer 7, on the corrugated fiberboard W1 made free of the inherent residual stress as mentioned in the above, with the same moisture content (BL=DL) as the back liner L3. - 特許庁

又、凹凸部３では、センタレス研磨により凸部が均一に削り取られて、凹凸部３の精度が高く出、トルク伝達軸１に作用するトルクによる引張りや圧縮の応力を磁歪材２に均一に及ぼさせ得るようになる。例文帳に追加

At the protruding and recessed part 3, protrusions are cut off uniformly by centerless polishing and since accuracy of the protruding and recessed part 3 is high, a tensile or compressive stress due to a torque acting on the torque transmission shaft 1 can be spread uniformly to the magnetostrictive material 2. - 特許庁

本発明は，電界，磁界，応力，電流，温度，振動，圧力，音響，歪み等の計測物理量を検出することのできる物理量計測装置および物理量計測方法に関し，ショットノイズ（量子雑音）レベル以下の微小な計測物理量を検出する。例文帳に追加

To detect a small physical quantity that is equal to or smaller than a shot noise (quantum noise) by the device and method of physical quantity for detecting such measurement physical quality as electric fields, magnetic fields, stresses, currents, temperatures, vibrations, pressure, sounds, and distortions. - 特許庁

内部応力を有する膜を基板の裏面にのみ形成することにより、基板の反り量を抑制し、その際に基板の表面にダメージを与えず、裏面に対する成膜と表面に対するパターン形成とを一貫して行う半導体製造装置を得られるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus that suppresses the quantity of warpage in a substrate by forming a film having an internal stress only on the rear surface of the substrate without damaging the front surface thereof and consistently applies film formation to the rear surface and pattern formation to the front surface. - 特許庁

耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide: a semiconductor device mounting structure excellent in shock resistance and mass-productivity and easy to repair and rework, and in which no residue, such as adhesive, remains on a circuit substrate after repair and stress during the period of repair is suppressed as small as possible; a method of manufacturing the same; and a method of peeling a semiconductor device. - 特許庁

耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device mounting structure, which has superior shock resistance and mass-productivity, is easy to repair and rework, has no residues of an adhesive etc., left on a circuit board after the repair, and is applied with as less stress as possible during the repair, to provide a manufacturing method thereof, and to provide a peeling method of the semiconductor device. - 特許庁

フロー半田付け工程で、半田付けされた半田１は、凸部１２よりその内側に形成されるから、その後の冷却時に、銅ランド２に大きな引っ張り応力が生じず、リフトオフおよび銅ランド剥離の発生を抑制できるとともに、凸部１２の存在により、アカメの発生も抑制される。例文帳に追加

Since solder 1 used in the flow-soldering step is formed on the inside of the projecting section 12, no strong tensile stress is generated in the copper land 2 and the liftoff and peeling of the land 2 can be suppressed, at the same time, the occurrence of red divisions can also be suppressed by the projecting section 12. - 特許庁

誘電率が４以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing silicon carbide film which secures a dielectric coefficient of 4 or less, stable film stress even when the film is left in the atmosphere, a small leak current, extremely slow dry etching velocity which is lower than that of the silicon oxide film including carbon, and may be used as an etching stop film of copper wiring. - 特許庁

金属板製のインナコラム１０ｂが二次衝突に伴う衝撃荷重により上記アウタコラム９ｂ内に押し込まれる過程で、このインナコラム１０ｂの後端縁により上記各突条部２６、２６に剪断応力を加えつつこれら各突条部２６、２６を削り取る。例文帳に追加

In the process where an inner column 10b made of the metallic plate is pushed in the outer column 9b by the impact load associated with a secondary collision, the respective projection parts 26, 26 are scraped away while a shearing stress is applied to the respective projection parts 26, 26 by the rear end edge of the inner column 10b. - 特許庁

ブレード１２のクリスマスツリー状部１６の座面２６及び／又はディスク２０のブローチ削りスロット１６の座面２６は“クラウニング”されて、座面２６の縁での応力を減少して荷重を一層均一に分配せしめる。例文帳に追加

A bearing surface 26 of a fir-tree part 1 of a blade 12 and/or a bearing surface 26 of a broaching slot 16 of a disc 20 are subjected to crowing, so that at the edge of the bearing surface 26, the stress is decreased so as to further uniformly distribute load. - 特許庁

耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device mounting structure that is excellent in shock resistance and mass productivity, and easy in repairing and reworking, and does not cause residues of an adhesive or the like to be left on a circuit board after repairing and does not cause stress in repairing to the utmost, and provide its manufacturing method and a method for peeling the semiconductor device. - 特許庁

被着体表面の凹凸に従った変形が起こり易く、初期接着性が良好であり、且つ外部からズリや変形等の応力が長時間加わった場合であっても被着体から剥がれ難い、水分散型アクリル系粘着剤組成物を用いた両面粘着テープを提供する。例文帳に追加

To provide a double-sided tacky tape using a water-dispersible acrylic adhesive composition, making deformation which goes along the unevenness of the surface of an adherend ready, having good initial adhesiveness and scarcely causing release from the adherend even when stress such a shearing or deformation is applied for a long time from the outside. - 特許庁