「トンネル現象」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲート電極に電圧を印加すると基底エネルギー準位が一致して共鳴トンネル現象が起きるために、半導体装置はオンする。例文帳に追加

When a voltage is applied to the gate electrode, the base energy levels become equal to each other and a resonant tunneling phenomenon occurs, so the semiconductor device turns on. - 特許庁

基底エネルギー準位が不一致であり共鳴トンネル現象が起きないためノーマリーオフとなる。例文帳に追加

The base energy levels are not equal to each other and no resonant tunneling phenomenon occurs, so the semiconductor device is normally off. - 特許庁

ＩＣカード１とラベル３との間に、毛細管現象を生じさせるトンネル状の空隙４を設ける。例文帳に追加

Tunnel-like gaps 4 which can give rise to capillarity are disposed between the IC card 1 and the label 3. - 特許庁

集中排気式トンネルにおける火災時の風速抑制制御を改良し、排風機の急停止に起因して発生する風速振動現象にかかわらず、トンネル内風速を安全かつ速やかに抑制することができるトンネル換気制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tunnel ventilation control device capable of safely and quickly suppressing the wind velocity in a tunnel regardless of a wind velocity vibrating phenomenon caused by an abrupt stop of an exhauster by improving the wind velocity suppression control at a fire in the centralized exhaust type- tunnel. - 特許庁

隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide: a magnetic tunnel junction apparatus capable of preventing an interference phenomenon and an electrical short circuit between magnetic tunnel junction apparatus adjacent to each other; and to provide a production method thereof. - 特許庁

従来より高速で鉄道車両がトンネルを通過する際に発生する現象を測定・検証可能としたトンネル走行実験方法及び装置を提供する例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for a tunnel traveling experiment to measure and verify the phenomenon generated when a rolling stock passes through a tunnel at a higher speed than the conventional speed. - 特許庁

選択メモリセルにデータをトンネル現象によって電気的に書込むことが可能な不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、書込み禁止の非選択メモリセルへの書込みディスターブ現象を抑制または防止する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device comprising a nonvolatile memory cell which can write data electrically into a select memory cell by tunnel phenomenon in which write disturb phenomenon to a write disable nonselect memory cell can be suppressed or prevented. - 特許庁

ＯＮＯ層のスマイリング現象及びトンネル酸化膜のバーズビーク現象を防止することができ、コントロールゲートの面抵抗の増加を抑制することができるうえ、全体時間時間を短縮して生産性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of preventing a smiling phenomenon on an ONO layer and a bird's beak phenomenon on a tunnel oxide film, controlling increase of a surface resistance of a control gate, and increasing productivity by shortening the whole processing time. - 特許庁

本発明の目的は、注入された導電性中央領域を有し、量子トンネル現象によって電子が通過することを容易にする電子放出器を提供することである。例文帳に追加

To provide an electron emitter having injected conductivity central regions facilitating electrons to pass by a quantum tunnel phenomenon. - 特許庁

チャネルホットエレクトロンを利用した書込みと、チャネル全面でのＦＮトンネル現象による消去とを行なうことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that allows writing by using channel hot electrons and an erasure by FN tunnel phenomenon over the entire channel surface. - 特許庁

電子及び正孔が、ダイレクトトンネル現象により透過可能な厚さの空乏層を挟んでｐ型半導体層及びｎ型半導体層が相互に接合されている。例文帳に追加

A p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer are mutually joined while sandwiching a depletion layer of a thickness which an electron and positive hole can transmit by a direct tunnel phenomenon. - 特許庁

トンネル現象によって一対の電極間を移動する熱電子を利用する熱電子型発電装置において、大きな発電量を実現するための技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technique for attaining a large amount of power generation in a thermoelectronic power generation apparatus utilizing thermoelectrons each moving between a pair of electrodes through a tunnel phenomenon. - 特許庁

複数の導電性中央領域(28)は、誘電体層(12)内にあり、電子が量子トンネル現象によって、導電体(14)から薄い金属層(16)へ誘電体層(12)を通過することを可能にする。例文帳に追加

A plurality of the conductivity central regions 28 exist in the dielectric layer 12 to enable electrons to pass from the conductor 14 to the thin metal layer 16 through the dielectric layer 12 by the quantum tunnel phenomenon. - 特許庁

長期的な物理モデルの変遷を自動的に獲得して制御性能の低下を避けることができるとともに、トンネル内の物理現象の短期的なバラツキは適応制御でその都度補償できる。例文帳に追加

A deterioration in control performance can be avoided by automatically acquiring long-term transition between physical models, and a short-term variation in physical phenomenon in a tunnel can be compensated for in each case by the adaptation control. - 特許庁

本発明は、トンネル現象を生じることなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材を用いても、打ち抜き等の加工作業に最適なテープを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a tape which does not cause a tunnel phenomenon, and is optimal for processing works such as a punching work, even when a polyethylene terephthalate (PET) substrate is used. - 特許庁

このような構成にすることより、樹脂フィルム１ａ、１ｂに押圧力が印加されたとき、カーボン粒子間の平均距離が小さくなり、トンネル伝導現象が生じて電極２ａ、２ｂ間の導通抵抗値が低下する。例文帳に追加

By this constitution, the average distance between the carbon particles becomes small when a pressure force is applied to the resin films 1a, 1b, a tunnel conduction phenomenon is generated, and the continuity resistance value between the electrodes 2a, 2b is lowered. - 特許庁

磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。例文帳に追加

A barrier layer of thickness through which an electron passes by tunnel phenomenon is disposed on pinned layers (20, 22) including a ferromagnetic material where a magnetic direction is fixed. - 特許庁

トンネル内外の環境差に起因して自動車のフロントガラスに生じる結露現象に関して、運転をサポートする枠組みを提供する。例文帳に追加

To provide a framework for supporting a drive in relation to a dew condensation phenomenon generated on a windshield attributable to the difference in environment between the inside and the outside of a tunnel. - 特許庁

ＳＴＩ工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies. - 特許庁

セルの間の間隔が狭くなっても干渉現象を改善することができ、トンネル絶縁膜とコントロールゲートの距離を確保することができるフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a flash memory device which is capable of improving an interference phenomenon regardless of the reduction in a space between cells and ensuring a distance between a tunnel insulating film and a control gate, and a method of fabricating the same. - 特許庁

装飾用粘着シートを小巻（直径３〜４ｃｍ）に加工する際に剥離シートがトンネル状に浮くトラブル、いわゆるトンネリング現象を防ぐ。例文帳に追加

To prevent the so-called tunneling phenomenon which is a trouble of forming a gap in the shape of a tunnel between a release sheet and a pressure-sensitive adhesive in processing a decorative pressure-sensitive adhesive sheet into a small roll (having a diameter of 3-4 cm). - 特許庁

ＳＡ−ＳＴＩ工程の際にセル領域で発生するトンネル酸化膜のスマイリング現象と素子分離膜のギャップフィリング不良を防止する。例文帳に追加

To prevent the smiling phenomenon of a tunnel oxide film and the gap-filling failures for an element isolation film occurring, in a cell region in an SA-STI (Self-Aligned Shallow Trench Isolation) process. - 特許庁

主−副ビット線構造を有する不揮発性半導体記憶装置に、ＦＮトンネル現象のようにドレイン電流をほとんど流さない書き込みメカニズムを適用できるようにする。例文帳に追加

To apply a write-in mechanism which hardly makes a drain current flow like an FN(Flower Nordheim) tunnel phenomenon to a nonvolatile semiconductor memory device having main-sub-bit line structure. - 特許庁

口径が例えば３ｍを超えるような中口径クラスあるいは大口径クラスのシールドトンネル工法に適用可能な、先流れ現象の問題が生じないグラウト材注入技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for pouring a grout material applicable to a construction method for a shield tunnel of a middle bore class or a large bore class with bore exceeding, for example, 3 meters and capable of preventing the occurrence of a flow ahead phenomenon. - 特許庁

荷重の大きな列車やトラックの通過する地盤が弱く地下水位の高いトンネル内、又は、大雨の降る可能性があり、しかも、地下水位の高いトンネル外の路盤において、噴泥現象が発生しにくく、施工が容易で、しかも工事費、材料費が割安となる強度と透水性に優れた路盤材及び路盤構造を提供する。例文帳に追加

To obtain a roadbed material and a roadbed structure excellent in strength and water permeability, less liable to cause mud pumping phenomenon, easy to apply and comparatively low in construction cost and material cost even in a tunnel having flimsy ground and a high groundwater level through which a high load train or truck passes or even in roadbed liable to a heavy rain and having a high groundwater level at the outside of a tunnel. - 特許庁

前記複数層のドーピング層により、ソース／ドレイン領域とＰＮ接合を成す部分においては、電子がバンド間トンネリングとなるように誘導し、前記トンネルリングされた電子を所定の逆バイアス状態で加速させてアバランシュ現象が起こるようにする。例文帳に追加

On a portion forming a PN junction with a source/drain region by the multi-doped layers, electrons are induced so as to be band-to-band tunneled and the tunneled electrons are accelerated in a prescribed reverse bias state to generate an avalanche phenomenon. - 特許庁

浮遊ゲートと不純物拡散層とのオーバーラップ面積を確保しながらメモリセルの微細化を図り、さらにメモリセルの微細化に伴って発生するビット間のＦ−Ｎトンネル現象のばらつきの低減を図ることを目的とする。例文帳に追加

To form a fine memory cell, while securing an overlapping area of a floating gate and an impurity diffused layer, and to reduce irregularity on an F-N tunnel phenomenon between bits that is resulted from a fine memory cell. - 特許庁

土被りが浅い場所、流砂現象が発生し易い場所等をシールド掘削機によりトンネル掘削する場合等におけるチャンバ内の急激な土圧変動にも対応したシールド掘削機における土圧バランス装置を提供することを提供する。例文帳に追加

To provide an earth pressure balancing device of a shield machine capable of coping with the sudden change of earth pressure in a chamber, in a case when a tunnel is excavated by the shield machine at a place of shallow earth covering or a place where the sediment load is easily generated. - 特許庁

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region. - 特許庁

盛替え等を行わずにトンネル覆工コンクリートの長期間挙動を計測することができ、また、覆工コンクリートの中心部や外側面近傍に発生する変状を把握でき、また、変状現象の進行状況を十分に評価することができ、また、トンネル縦断方向の歪みの変化を確実に把握することができ、さらに、材料費を抑えることができる歪み計測システムを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a strain measuring system capable of measuring a long term behavior of a tunnel lining concrete without performing replacement or the like, acquiring a change generated on the center part or a periphery of the outside surface of the lining concrete, evaluating sufficiently a progression state of a changing phenomenon, acquiring surely a strain change in the tunnel longitudinal direction, and suppressing material cost. - 特許庁

一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート１８に第１の電圧を印加し、第２のウェルには第１の電圧と反対の極性の第２の電圧を印加し、第１のウェルには第１の電圧と同じ極性の第３の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート１６に電子を注入することで消去前書き込みを行う。例文帳に追加

Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon. - 特許庁

従って、メモリアレイの動作は、前記アバランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはＦ−Ｎトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。例文帳に追加

The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing. - 特許庁

半導体基板に形成されたトンネル酸化膜の縁部にスマイリング現象が生じることを防止するとともにトレンチの上部コーナーを丸く形成することができるため、その結工程の信頼性及び素子の電気的な特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜の形成方法。例文帳に追加

To provide a method for forming an element isolation film of a semiconductor element in which, since a smiling atmosphere is precluded from occurring at the edge of a tunnel oxide film formed in a semiconductor substrate and the upper corner of a trench can be formed round, the reliability of the process and electric characters of the element can be enhanced. - 特許庁

回路を構成する金属の種類に少なくとも対応し、且つ当該金属においてトンネル効果による電子放出現象を生起させるように予め設定された振幅、パルス幅及びパルス間隔を備える印加パルスＰＰを生成し、その生成された印加パルスＰＰを回路内の金属に対して印加する。例文帳に追加

An applied pulse PP at least corresponding to the kind of the metal composing the circuit and having a magnitude, a pulse width, and a pulse interval which are set in advance so as to cause an electron emitting phenomenon by a tunnel effect in the metal is generated, and the applied pulse generated is applied to the metal in the circuit. - 特許庁