「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。例文帳に追加

By the above, a multiple function, such as local plasma processing, and inspection, analysis, fine processing using charged particle beam or the like, is realized. - 特許庁

被処理面の加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method that improve processing precision of a surface to be processed. - 特許庁

真空放電によるプラズマの構成成分（組成）をより自由に制御可能なプラズマ加工法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing method which can more freely control the component (composition) of plasma generated by vacuum discharge. - 特許庁

ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method, capable of improving processing accuracy of a workpiece. - 特許庁

ステージ１１を、プラズマ処理時の装置使用温度での変形を想定しプラズマ処理時に平坦面を確保するように、常温で加工する。例文帳に追加

The stage 11 is so worked at room temperature as to keep the flatness at the plasma processing by supporting the deformation at the temperature at which the apparatus is used for the plasma processing. - 特許庁

加工形状の制御性に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching process and a plasma etching system capable of exhibiting excellent controllability of a processing profile. - 特許庁

移行式プラズマを採用したプラズマ切断トーチを用いて安定した状態で被加工材Ａにマーキングを形成する。例文帳に追加

To form a marking on a work A in a stable state by using a plasma cutting torch where a moving plasma is employed. - 特許庁

誘電体窓直下の電界集中を緩和し、被加工物表面に均一なプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device capable of generating uniform plasma on a processing surface by alleviating electric field concentration right under a dielectric window. - 特許庁

プラズマに晒されても表面が削れないように加工されたプラズマ処理装置用のアルミナ部材を提供する。例文帳に追加

To provide an alumina member for a plasma treatment device worked in such a manner that the surface is not ground even if being exposed to plasma. - 特許庁

放電プラズマＰの中心部に形成されたホロー放電プラズマＰｈにて、基板１４の処理面１４ａを深堀加工する。例文帳に追加

A processing face 14a of the substrate 14 is deeply dug by the hollow discharge plasma Ph formed at the central part of the discharge plasma P. - 特許庁

効率よく低コストで均一なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To efficiently execute a uniform etching process at a low cost. - 特許庁

プラズマの分布が均一で，経時変化による劣化が少なく，微細加工の可能な，プラズマ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus, in which the distribution of a plasma is uniform, whose degradation due to an aged deterioration is small and which can perform micromachining operations. - 特許庁

広く均一な加工面を得ることができるプラズマプロセス装置およびプラズマプロセス方法を提供する。例文帳に追加

To provide plasma processing apparatus and method capable of obtaining a large uniform processed surface. - 特許庁

レーザ加工機において、加工中にプラズマを誘発することにより、加工速度の向上を図り高速加工を可能にすることにある。例文帳に追加

To enhance the machining speed and enable the high-speed machining by inducing plasma during the machining, in a laser beam machine. - 特許庁

反応生成物を周囲に飛散させることがなくて、被加工部材を精密に加工することができ、かつ、大掛かりなメンテナンス作業を必要としないプラズマ加工装置およびプラズマ加工方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein a member to be processed can be processed precisely without making a reacted product scattered around surroundings, and there is no necessity for major maintenance work. - 特許庁

プラズマ電源のオンによりプラズマトーチ７先端よりプラズマアーク２１を発生させてワークＷを切断するプラズマアーク２１によるワーク切断方法において、上記ワークＷの切断加工終了後、上記プラズマ電源の出力を一定時間オフとした後に上記プラズマトーチ７を次の動作に移すようにする。例文帳に追加

In a method of cutting a workpiece W by generating a plasma arc 21 from the tip of a plasma torch 7 by turning on a plasma power source, it is designed that the output of the power source is turned off for a specific time after the completion of cutting of the workpiece W, and that the plasma torch 7 is then shifted to the next operation. - 特許庁

プラズマ発生部Ｅからのプラズマ流れＰを磁界によりプラズマ発生部と対面しない方向に屈曲させて前記プラズマ加工部Ｔに流入させるとともに、プラズマ発生部Ｅと対面する位置をプラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料微粒子（ドロップレット）を捕集するドロップレット捕集部Ｄとする。例文帳に追加

The plasma flow P from the plasma generation part E is bent in the direction not confronting the plasma generation part and allowed to flow into the plasma processing part T, and the position confronting the plasma generation part E is made a droplet capturing part D to capture cathode material in the form of particulates (droplets) as biproduct from the cathode when plasma is generated. - 特許庁

微小プラズマを発生させるための電極間距離の制御を精度良く行うことが可能であって、且つ試料にプラズマ加工を施した直後の試料観察を可能とするマイクロプラズマ発生装置の提供。例文帳に追加

To provide a microplasma generating device which can control the distance between electrodes to generate a microplasma and allows a test piece to be observed, immediately after the test piece is processed by the plasma. - 特許庁

高周波電源の高周波出力をインピーダンス整合器を介してプラズマ処理室に供給し、このプラズマ処理室でプラズマ加工を行う構成とする。例文帳に追加

The plasma processing is performed in the plasma processing chamber by supplying high frequency output of a high frequency power source through an impedance matching device. - 特許庁

エンクロージャ壁がプラズマ処理チャンバで使用されるとき、プラズマ処理チャンバで形成されるプラズマによって生成されるスパッタされた材料は、テクスチャー加工された表面に良好な粘着性を有する。例文帳に追加

When the enclosure wall is used in the plasma processing chamber, a spattered material produced by the plasma formed in the plasma processing chamber has proper adhesiveness on the surface, on which the texture processing is performed. - 特許庁

プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法、ブラスト加工装置、プラズマディスプレイパネル用背面板、並びに、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造に用いられる積層体例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING BACK PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL, BLASTING DEVICE, BACK PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL, AND LAMINATE USED FOR MANUFACTURE OF BACK PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

プラズマ処理装置の真空処理室１０に隣接して予備処理室１０Ａを設け、予備処理室１０Ａにおいて、水分の量を計測しながら基板Ｗがプラズマ加工されないパワーで基板Ｗをプラズマに晒す。例文帳に追加

In the preparatory treatment chamber 10A, a substrate W is exposed to plasma by a power in which the substrate W is not plasma-treated, while measuring a moisture degree. - 特許庁

半導体製造に用いられるプラズマ処理装置の製作方法において、機械加工や表面処理が施されプラズマ処理装置のプラズマに晒される部品を、該部品の装置への組み込む前に、温純水によって洗浄する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a plasma processor being employed in the production of a semiconductor, components subjected to machining or surface treatment and being exposed to the plasma of the plasma processor are cleaned with hot pure water before being incorporated in an apparatus. - 特許庁

オーバーヘッドコイルを用いたプラズマ分布の制御によりウエハーまたは加工物表面の均一性改善できるプラズマ反応器とプラズマ分布の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma reactor and a method of controlling plasma distribution, which can improve uniformity of the surface of a wafer or a workpiece by controlling plasma distribution with overhead coils. - 特許庁

金属加工片３をプラズマジェットマーキングおよび切断または溶接するのための自動設備３３１はプラズママーキングトーチ１と、プラズマまたはレーザ切断、酸素切断あるいはプラズマまたはレーザ溶接、または同等な少なくとも１つのトーチ２との両方を運ぶ運搬構造を備える。例文帳に追加

This automatic facility 331 for marking and, cutting or welding a metal workpiece 3 by plasma jet is equipped with a transferring structure for transferring both of a plasma marking torch 1 and at least one torch 2 for plasma or laser cutting, oxygen cutting or, plasma or laser welding, and the like. - 特許庁

有機系反射防止膜加工でのプラズマガスとしてＡｒを用いない条件を適用した。例文帳に追加

The condition in which Ar is not used as a plasma gas in processing of an organic antireflection film is applied. - 特許庁

微細加工性に優れ且つデバイスへの損傷が少ないプラズマ処理プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing process which is superior in micro workability and gives few damages to a device. - 特許庁

位相調整方法とその装置及び素子分割組み合せ方法とその装置及びプラズマ加工装置例文帳に追加

PHASE ADJUSTING METHOD AND APPARATUS, ELEMENT SEPARATING AND COMBINING METHOD AND APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS - 特許庁

損傷の無い表面の造形のための大気圧反応性原子プラズマ加工装置及び方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR ATMOSPHERIC PRESSURE REACTIVE ATOM PLASMA PROCESSING FOR SURFACE MODIFICATION - 特許庁

生産性が高く、加工精度の高い、可撓性被処理物を処理するプラズマエッチング装置の提供。例文帳に追加

To provide a plasma etching system treating the flexible object with high productivity and high working precision. - 特許庁

高速の半導体回路を高歩留まりで加工できるプラズマ処理装置の提供にある。例文帳に追加

To provide a plasma processing device which can process a fast semiconductor circuit at high yield. - 特許庁

、被加工物を均一な厚さでエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching apparatus capable of etching workpieces by a uniform thickness. - 特許庁

ワークの加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus for improving processing precision of a workpiece. - 特許庁

薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND HIGH DENSITY PLASMA ETCHING DEVICE - 特許庁

下地膜へのダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of processing an organic film through plasma etching where damages to a base film are small. - 特許庁

プラズマおよび反応ガスの噴流は、加工物に衝撃を与え、それを処理する。例文帳に追加

Jets of the plasma and the reaction gas impact the workpiece to treat them. - 特許庁

プラズマのみでの分割に比べて加工部の発熱、改質を抑えられる。例文帳に追加

Heat generation and reforming at a machining section can be restrained as compared with the division by the plasma only. - 特許庁

プラズマ処理装置で、加工対象である基板の位置におけるモニタを行う。例文帳に追加

To conduct monitoring at the position of a substrate which is an object to be treated in a plasma treatment apparatus. - 特許庁

プラズマ加工機における電極消耗のシュミレーション方法およびその装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR SIMULATION OF WEAR OF ELECTRODE IN PLASMA ARC CUTTING MACHINE - 特許庁

加工性が高性能で、均一性のよいプラズマプロセス装置を提供することを主要な目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma process apparatus which has high-performance and uniform processability. - 特許庁

水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which a mirror processing can be applied on a silicon substrate without degrading the surface roughness of a silicon material when hydrogen gas is used as etching gas. - 特許庁

プラズマが加工物全体に均一に分布するようにした大形加工物用の新規な改良形高周波磁界励磁プラズマ加工機を提供する。例文帳に追加

To provide a high frequency magnetic field excitation plasma arc cutting machine for a large work piece, which uniformly distributes plasma in the whole work piece. - 特許庁

ガス加工トーチ，プラズマ加工トーチ，レーザー加工トーチに於ける冷却すべき部位の冷却効率を向上する。例文帳に追加

To improve cooling efficiency of a part to be cooled in a gas working torch, a plasma working torch and a laser beam working torch. - 特許庁

被加工物表面を高能率に加工することができるプラズマによる超精密加工方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ultra precise processing method using plasma which can process the surface of a work with high efficiency. - 特許庁

プラズマ源から放射される光が被加工物に照射されるのを抑制し、被加工物の加工点を安定して撮像する。例文帳に追加

To suppress irradiation of light emitted from a plasma source on a processed object and photograph stably a processing point of the processed object. - 特許庁