「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

キャリアーガスとして希ガスを含有する水素混合ガスの雰囲気下で、高周波電力が印加される印加電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間に水素プラズマ１０を発生させ、前記水素プラズマ１０によって前記III族窒化物半導体６の表面をエッチング加工するIII族窒化物半導体の加工方法を提供する。例文帳に追加

In the method for processing a group III nitride semiconductor, a hydrogen plasma 10 is generated between an application electrode 2 having a high frequency power applied thereto and the surface of a group III nitride semiconductor 6 in an atmosphere containing a rare gas as a carrier gas so that the hydrogen plasma 10 causes the surface of the group III nitride semiconductor 6 to be etched. - 特許庁

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。例文帳に追加

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching. - 特許庁

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。例文帳に追加

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas. - 特許庁

窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線用のトレンチを微細加工する。例文帳に追加

A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas. - 特許庁

このように、プラズマ浸炭処理後にねじ転造加工をすることにより、疲労破壊が発生しやすいねじ谷底部の加工硬化層が軟化せず、また、圧縮応力が緩和せず、さらに、プラズマ浸炭処理によって生じた肌荒れが平滑化されるなどの転造効果が維持され、チタン合金ねじ部品の疲労強度が改善される。例文帳に追加

By the tread form rolling after the plasma carburization treatment, such form rolling effects that the work hardening layer at a thread valley bottom wherein fatigue fracture easily occurs is not softened, that the compression stress is not relaxed, and that the roughened surface due to the plasma charburization treatment is smoothened are secured; and the fatigue strength of the titanium alloy thread part is improved. - 特許庁

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック３０からデチャッキングされる。例文帳に追加

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck 30 by gradually reducing a chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece. - 特許庁

高湿度の空気を積極的に加工室内に導入することによって静電気の発生を簡易な構造で防止し、被加工体にサンドブラスト加工を行うサンドブラスト装置、およびプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a sandblasting device to apply sandblasting work on a work piece by preventing generation of static electricity in simple structure by positively introducing air of high humidity to the inside of a work room and a plasma display panel. - 特許庁

両面銅張り板の少なくとも一方の導体層をマスクとしてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又は樹脂エッチング手法で絶縁べ−ス材２の穴及び溝を同時に加工し、その穴及び溝を導通用孔及び回路基板の外形加工に用いる。例文帳に追加

In this method of manufacturing double-sided flexible circuit board, holes and grooves are simultaneously formed at into the insulating base material 2 by laser beam machining, plasma etching, or resin etching by using at least one conductor layer of a both-sided copper-clad board as a mask and the holes and grooves are used for forming continuity holes and the contour a circuit board. - 特許庁

レーザー機械切削するために加工物の表面を適切な位置に配置する方法であって、上記方法は、以下：（ａ）レーザー光線を発生させる工程１０２；（ｂ）該レーザー光線を焦点に集中させて、プラズマ放射を発生させるプラズマを形成する工程１３０；（ｃ）該プラズマ放射に対して応答性の該焦点の位置を決定する工程；および（ｄ）該加工物の該表面を、該焦点の該位置に移動させる工程１３２、を包含する方法を提供する。例文帳に追加

This method for positioning a workpiece at the focal point of laser beam includes (a) a process 102 for generating laser beam, (b) a process 130 for focusing laser beam and forming plasma which causes plasma radiation, (c) a process for positioning the focal point responsive to plasma radiation, and (d) a process 132 for translating the surface of workpiece to the above position of focus. - 特許庁

不活性ガスを用いることなく、プラズマプルームのレーザー光に対する影響を除くと共に、レーザー光照射部の酸化防止が可能なレーザー加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser beam machining apparatus capable of eliminating influence of plasma plume on a laser beam without using an inert gas, and of preventing oxidation of a laser beam irradiated portion. - 特許庁

この溝３を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に溝４を形成する。例文帳に追加

While using the conductor layer having the grooves 3 as a mask layer, grooves 4 are formed in the insulation base material 2 by laser beam machining, plasma etching, or wet etching. - 特許庁

平行平板型プラズマＣＶＤ装置のシャワー電極の製造において、シャワー電極の小径のシャワー穴を、均質で且つ低い加工コストで形成する。例文帳に追加

To uniformly form shower holes of the small diameter of a shower electrode at a low cost in manufacturing the shower electrode of a parallel plate type plasma CVD apparatus. - 特許庁

厚膜のイミド系耐熱性樹脂フィルムに対して、高価な感光性樹脂の使用量を少なくして低コストでプラズマエッチングする加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a processing method for performing plasma etching on an imide heat-resistant resin film of thick membrane using a small amount of an expensive photosensitive resin and at a low cost. - 特許庁

工程Ｓ１０５では、絶縁膜マスクを用いてエピタキシャル基板のプラズマエッチングを行って、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を加工する。例文帳に追加

In a process S105, an insulation film mask is used for performing plasma etching to the epitaxial substrate to process a plurality of III-V compound semiconductor films. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの加工用金属粉末において、Ｈｖ２００〜４００の金属粉末に対して、セラミックス粉末を１〜３０ｍａｓｓ％混合するショットブラスト用粉末。例文帳に追加

The powder for shot blast is prepared by mixing 1 to 30 mass% of ceramic powder with the metal powder having Hv 200 to 400 and used for machining the plasma display panel. - 特許庁

すなわち、ＹＡＧ系レーザが被加工物１２を構成する金属を溶融させ、ＹＡＧ系レーザよりもプラズマ吸収率の高いＣＯ_２レーザが溶融金属の温度を上昇させる。例文帳に追加

The YAG based laser melts metal constituting the workpiece 12, and the CO_2 laser having plasma absorption rate higher than that of the YAG based laser raises the temperature of molten metal. - 特許庁

リブ７３の直上流側には、ショットブラスト加工やプラズマ処理によって形成された、あるいは酸化チタン皮膜よりなる親水部が設けられている。例文帳に追加

A hydrophilic part formed by shot blasting treatment or plasma treatment or comprising a titanium oxide film is installed on the direct upstream side of the rib 73. - 特許庁

半導体加工装置に配設されている静電チャック自体が環境汚染物の発生源とならず、耐食性と耐プラズマ・エロージョン性に優れた静電チャックを提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic chuck member which has superior corrosion resistance and resistance to plasma and erosion such that the electrostatic chuck disposed in a semiconductor processing device never becomes a generation source for environmental contamination. - 特許庁

線状の導線２０に、ネジ切り加工して凹凸を形成し、ＤＣプラズマＣＶＤ装置によって、電子放出部となるカーボンナノチューブ２９を成膜して電子放出部１３を製造する。例文帳に追加

An electron emission part 13 is manufactured by forming unevenness by threading work on a linear conductive wire 20, and by film-forming a carbon nano tube 29 to become an electron emission part by a DC plasma CVD device. - 特許庁

プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of processing a substrate and method of manufacturing a semiconductor chip where an etching mask is formed at low cost by my means of a plasma processing. - 特許庁

タングステンを含有し且つクラックの無い均質な溶接構造を実現し、切削加工可能なプラズマ粉体溶接を用いた溶接部材、及びそのような溶接部材を形成しうる溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a welding member using plasma powder welding which realizes a homogeneous welding structure containing tungsten and not having cracks and is cuttable and a welding method which is capable of forming such welding member. - 特許庁

レーザー光を用いた熱加工によりプラズマディスプレイ用基板上にリブを形成する方法であって、リブにできるだけ凹凸を生じさせないようにする。例文帳に追加

To prevent unevenness on ribs as much as possible in a method for forming the ribs on a substrate for a plasma display by means of thermal processing using a laser beam. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト加工法で形成するに際し、研削能力を落とすことなく、常に良好な形状のリブを形成できるようにする。例文帳に追加

To form a good shape of rib without lowering of cut ability when a rib of plasma display panel is formed by the sand blast machining method. - 特許庁

プロセスガスの存在下のチャンバ内で被処理部材の各面をプラズマ処理にて加工する表面処理方法において、上記プロセスガスに水分及び不活性ガスのうち少なくともいずれかをを添加する。例文帳に追加

Moisture and/or inert gas is added to process gas in a surface processing method where the surfaces of the processed member are subjected to plasma processing in the presence of process gas in a chamber. - 特許庁

電極の貫通を迅速に感知して、冷却水の噴出を最小限に抑えることのできるプラズマ加工機における電極貫通監視装置を提供する。例文帳に追加

To provide the device for monitoring the penetration of an electrode in a plasma machine by which the jetting of cooling water can be minimized by quickly sensing the penetration of the electrode. - 特許庁

プラズマ装置の真空処理室１０内の加工電極２０の周囲に、負の電圧が印加される導電体と、当該導電体の表面を覆う薄い表面絶縁物とからなるパーティクル除去電極４０を配置する。例文帳に追加

This plasma apparatus includes particle removing electrodes 40 consisting of a negative voltage-applied conductor around a processing electrode 20 in a vacuum treatment chamber 10 of the plasma apparatus and a thin surface insulator for covering the surface of the conductor. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの障壁をサンドブラスト法により形成する際に、加工時に静電気が発生しても、その静電気による悪影響を防止する。例文帳に追加

To prevent bad influence caused by static electricity even if static electricity is generated when forming a barrier of a plasma display panel by a sand blasting method. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト加工法でパターニングする際に大量に発生するサンドブラスト廃材の良好な再利用を図る。例文帳に追加

To reuse sand blasting waste generated in mass quantity in patterning a rib of a plasma display panel in a sand blasting method. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、所定枚数のウエハに加工処理を施す毎に、上記プラズマエッチング装置にクールダウンステップを行なうものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device, a cool-down step is performed for the plasma etching device whenever the working process is performed for a specified number of sheets of wafer. - 特許庁

トレンチ加工におけるエッチングレートと歩留まりの向上が充分に得られるようにした半導体基板のプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for plasma-etching a semiconductor substrate capable of sufficiently obtaining an etching rate in trench working and an improvement in yield. - 特許庁

様々な材料切断条件に適合する異なる水素含有量を有するガス混合物を使用し、また速度、切断面のフラッシュおよび／または粗さの点で切断性能を改善するプラズマアーク加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma arc machining method using a gas mixture having different hydrogen contents adaptable to various material cutting conditions and also improving cutting performance with respect to the speed and flushing and/or the roughness of a cut surface. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト法によりパターニングするに際し、ブラストによってダメージを受けてはならない部分を覆うように予め遮蔽部材を配置してからサンドブラスト加工を行うようにする。例文帳に追加

In patterning ribs of a plasma display panel by a sand-blast method, the sand-blast processing is performed after previously disposing a shielding member to cover parts that should not be damaged by the blast. - 特許庁

加工片のプラズマジェットマーキングおよび切断または溶接のための組合された自動設備が提供され、それは全ての設備の障害およびその複雑さを減少することを可能にする。例文帳に追加

To provide a combined automatic facility for marking and, cutting or welding a workpiece by plasma jet, whereby faults and complexity of all the facilities can be reduced. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施すものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor device, a working process for forming the hole in the insulating film on a wafer using the plasma etching device is performed continuously for a plurality of wafers. - 特許庁

トーチ（４）から発生するプラズマアーク（２２）またはレーザにより金属を切断する切断加工機において、前記トーチ（４）の周囲に、アクチュエータ（１５）により昇降自在とされたフード（１１）を設ける。例文帳に追加

In a cutting machine for cutting metals by plasma arc (22) or laser emitted from a torch (4), a hood (11), which can be raised and lowered by an actuator (15), is installed around the torch (4). - 特許庁

被加工物１０８の被覆表面１５５にレーザビーム１０２を照射し、発生するプラズマ８の光スペクトルをストリークカメラ６による高速ラインスキャン分光測定を行う。例文帳に追加

A laser beam 102 is emitted to the coating surface 155 of a workpiece 108, and the optical spectrum of generated plasma 8 is subjected to high-speed line scan spectrometry by use of a streak camera 6. - 特許庁

次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。例文帳に追加

The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c). - 特許庁

高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハにおいて、表面にプラズマエッチングによる走査加工痕を残さずに高い平坦度を得ること。例文帳に追加

To provide a method for producing a high planarity semiconductor wafer and a high planarity semiconductor wafer, in which high planarity is attained, without leaving machining flaws due to plasma scanning on the surface. - 特許庁

プラズマＭＩＧ溶接のアルミ溶接において、被加工物の入熱量の過多をなくして、アルミニウム及びアルミニウム合金の組織の劣化及び割れを防止すること。例文帳に追加

To prevwent deterioration and cracking in the structure of aluminum and an aluminum alloy by eliminating the excess of heat input in a workpiece in an aluminum welding using a plasma MIG (Metal Inert Gas) welding. - 特許庁

絶縁べ−ス材１上にレジスト層３を設け、プラズマエッチング又はウエットエッチングにより絶縁べ−ス材１の所望の個所のみを薄く加工する。例文帳に追加

A resist layer 3 is provided on an insulation base material 1, and only a desired part thereof is machined thin through plasma etching or wet etching. - 特許庁

プラズマエッチングによってマスク基板の表面にパターンを加工する際に、マスク基板の表面におけるエッチング速度の均一性を改善する。例文帳に追加

To improve the uniformity of the etching rate on the surface of a mask substrate when the surface of the mask substrate is patterned lay plasma etching. - 特許庁

フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。例文帳に追加

Ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is achieved by using gas whose ratio of carbon to fluorine is large, and increasing the selectivity to the resist by using high density plasma, a large flow rate, high vacuum process. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト法により形成する場合、基板２のうち、ブラストによってダメージを受けてはならない部分上に、保護部材１３を配置してからサンドブラスト加工を行う。例文帳に追加

When the ribs of the plasma display panel are formed using the sandblasting process, protective members 13 are disposed on portions of a substrate 2 which are to be protected from the sandblasting and the sandblasting process is carried out. - 特許庁

電極２を有する電子部品１を熱可塑性樹脂シート基材３に埋設した後、研磨加工あるいはプラズマエッチングにより、シート基材表面に電極２を露出させる。例文帳に追加

The method for manufacturing the electronic component mounted with components comprises the steps of embedding the electronic component 1 having electrodes 2 in a thermoplastic resin sheet base 3, and then exposing the electrode 2 to the surface of the sheet base by polishing or plasma etching. - 特許庁

鋼板の前加工作業を要せず、設備費が低く、溶接ワイヤを要しないプラズマ溶接により、ブロ−ホ−ルを生ずることなく深溶込み溶接をする。例文帳に追加

To attain a deep penetration welding without developing blow hole by adopting a plasma welding which unnecessitates preworking of a steel plate and does not require a welding wire so that the equipment cost is low. - 特許庁