「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。例文帳に追加

After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13. - 特許庁

誘導結合型プラズマを用いて等価回路で表した場合に保護ダイオードに接続されるような配線加工を行うと、電気遮蔽効果によりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され、トランジスタ性能が低下するという問題の解決を図る。例文帳に追加

To prevent a semiconductor device from deteriorating in reliability by a method, wherein a transistor capable of recovering its characteristics is in a state where a gate insulating film suffers no damage, even if wirings are formed through an inductively coupled plasma etching method. - 特許庁

光学素子成形用型１の製造方法は、型母材２に放電プラズマ焼結法を用いて酸化クロムを含む焼結用粉末を焼結して、成形面３の原型６を作製する工程（Ｓ０１）と、作製した原型６を精密加工して成形面３とする工程（Ｓ０２）とを備えている。例文帳に追加

The method of manufacturing the die 1 for forming the optical device is provided with a process (S01) for forming the prototype 6 of the forming surface 3 on a die base material 2 by sintering sintering powder containing chromium oxide using a discharge plasma sintering method and a process (S02) for forming the forming surface 3 by precisely machining the formed prototype 6. - 特許庁

対向する電極間に基材を配置し、大気圧または大気圧近傍の圧力で、該電極間に１００ｋＨｚ以上１５０ＭＨｚ未満の周波数を有する高周波電圧を印加して放電プラズマを発生させ、該基材表面に防眩加工を施すことを特徴とする防眩層の形成方法。例文帳に追加

This method for forming the glare shielding layer is characterized by arranging a substrate between opposite electrodes, applying a high-frequency voltage at ≥100 and <150 Hz frequency across the electrodes, generating a discharge plasma and carrying out the glare shielding processing of the substrate surface. - 特許庁

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。例文帳に追加

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment. - 特許庁

リブペースト材を使用しないで気密性が高くノンポーラスな障壁を形成してパネル特性を向上でき、余分な工程を省略して低コストで加工でき、かつ環境にも悪影響を与えることがなくなるプラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a back base plate for a plasma display panel, capable of improving panel characteristic by forming non-porous barrier ribs having air-tightness without rib paste, being processed at a low cost by omitting a spare process and preventing bad influence upon the environment. - 特許庁

この加工データＤｐに基づいて、罫描きユニット３０が鏡板１に対して自動的に罫描き線ａを書き込み、次いで、プラズマ切断ユニット４０およびグラインダユニット５０が罫描き線ａに基づいて自動的に穴を形成する。例文帳に追加

Based on this processing data Dp, a marking unit 30 automatically draws engraving line (a) on the head 1, and a plasma cutting unit 40 and a grinding unit 50 automatically form holes along the marking line (a). - 特許庁

スパッタを効率良く遮蔽できると共に、切断状況の監視、トーチの消耗品交換が容易にできる、簡易で、かつ長寿命なトーチのフードを設けたプラズマアークまたはレーザによる切断加工機、およびその切断方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cutting machine equipped with an easy torch hood with long life by using of plasma arc or laser capable of efficiently shielding sputters and easily watching cutting conditions and changing torch supplies, and a cutting method. - 特許庁

被加工試料３表面からの反射光の波長ならびに各波長の光強度変化を検出する光導入部の透明体端面を、プラズマの境界から真空容器１内でのガス分子の平均自由工程の５倍以上の距離の空間を隔てて配置する。例文帳に追加

A transparent end face of a light introduction for detecting wavelengths of the light reflected from the plane of the workpiece 3 and a change in intensity of light of each wavelength is arranged at a distance five times or more the mean free path of gas molecules inside a vacuum container 1 from the plasma boundary. - 特許庁

基板２を載せる面に、基板２を保持する基板保持部１６と、載せた基板２との間に空間を形成する凹部１７とを有するステージ１４を用い、そのステージ１４上にプラズマディスプレイパネル用の基板２を保持して基板２に加工を行う。例文帳に追加

With the use of a stage 14 equipped with substrate-holding parts 16 for holding a substrate 2 and concaves 17 forming a space between the loaded substrate 2 and the substrate-holding parts 16, the substrate 2 for the plasma display panel is held on the stage 14 and processed. - 特許庁

真空槽１１は、被処理物体Ｗの加工処理プロセスの進行中において、排気弁１３の開度を変化させて真空槽１１内の反応ガスの圧力を変動させ、プラズマ中の活性種の存在比率を適切に制御することができる。例文帳に追加

The tank 11 changes an opening of an exhaust valve 13 during advancing of working and treating process of the article W to be treated, makes the pressure of reaction gas in the tank to change, and can suitably control the abundance ratio of active species in the plasma. - 特許庁

熱処理時の低分子量物および紫外線吸収剤の析出が少なく、光学用途に用いる際の加工特性に優れたポリエステルフィルム、特にプラズマディスプレイパネルの反射防止フィルムとして用いられるポリエステルフィルム、を提供する。例文帳に追加

To provide a polyester film, having less precipitation of a low molecular-weight substance and a UV UV-absorption during heat treatment, and showing superior processing characteristics, when it is used for optical applications, and in particular, to provide a polyester film used as an antireflection film of a plasma display panel. - 特許庁

型として使用するのに適した大形の金属シェル３５は、熱スプレーガン２２を使用し、溶融金属をマトリックス１０に噴霧してキャビティ３５を有するシェル金属層を被着するプラズマまたはアークスプレーにより成形加工される。例文帳に追加

The molding of a tool by thermal spray is performed as follows: a large metal shell 37 suitable to be used as a mold is prepared by spraying a molten metal to a matrix 10 with a thermal spray gun 22 so as to cover the matrix with a shell metal layer having a cavity 35. - 特許庁

半導体基板（１０１）上に酸化ハフニウム等の金属酸化膜を含んだ絶縁膜１０２を形成した後、プラズマ処理を行い表面をハフニウム金属膜等の金属膜１０３に改質し、ゲート電極に加工する。例文帳に追加

After an insulating film 102 containing the metal oxide film of a hafnium oxide, etc., is formed on a semiconductor substrate (101), the surface of the insulating film 102 is processed to the gate electrode by reforming the surface to a metallic film 103 of a hafnium metallic film etc., by performing plasma treatment. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの放電空間を区画する隔壁を形成する製造工程におけるサンドブラスト加工に使用される研磨材であって、ジルコンビーズの平均粒径が１６〜２５μｍで平均ビッカース硬度が７００〜９００Ｋｇｆ／ｍｍ^２に設定される。例文帳に追加

In the abrasives used for sand blasting work in a manufacturing process of forming the barrier plate for partitioning an electric discharge space of the plasma display panel, the average grain diameter of zircon beads is set to 16-25 μm, and the average Vickers hardness is set to 700-900 Kgf/mm^2. - 特許庁

レーザ光を用いて金属パターンを高精度に加工することができ、特に、比較的低パワーのレーザ光で金属厚膜を加工することができ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイにも応用可能な金属パターン付き基板の製造方法及び金属積層体付き基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a substrate with a metal pattern, which is capable of highly accurately processing the metal pattern by using laser light, capable of processing a metal thickness film by laser light of comparatively low power and allowed to be applied also to a flat panel display such as a plasma display, and to provide a substrate with a metal laminate. - 特許庁

また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ３上にノズル穴２ａまたは供給口７ａ等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。例文帳に追加

Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device. - 特許庁

上記円筒型回転電極２と基板ステージ４との間に生成されたプラズマ１０の全領域のうちの表面加工量の分布がなだらかな領域を、第１基板ホルダー１１を介して基板ステージ４に固定されたIII族窒化物半導体６の表面と接触させることによってIII族窒化物半導体６の表面を加工する。例文帳に追加

A group III nitride semiconductor 6 is processed by bringing the surface of the group III nitride semiconductor 6 fixed to the substrate stage 4 via a first substrate holder 11 into contact with the region, where the distribution of the amount of surface processing is gently distributed in all the regions of the plasma 10 between the cylindrical rotating electrode 2 and the substrate stage 4. - 特許庁

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma. - 特許庁

加工物の材質よりも実質的に硬い材質からなる回転ツール１を加工物２の接合部に挿入し、前記回転ツール１を回転させながら移動させることによって生じる摩擦熱を利用した摩擦溶接方法において、前記摩擦溶接による溶接部をアーク又はプラズマ又はレーザの中のいずれかの熱源によって溶融させる摩擦溶接方法。例文帳に追加

In a friction welding method utilizing frictional heat generated by inserting a rotary tool 1 made of a material essentially harder than that of a work to the weld zone of the work 2 and moving the rotary tool 1 while rotating it, the weld zone by the friction welding is melted by either heat source out of an arc, plasma or a laser beam. - 特許庁

砥石の芯ズレや振れを効率よく除去することができ、砥石自体の変形がなく高精度のツルーイングができ、電源設備が小型，小出力で足り、複雑な制御回路や制御装置が不要であり、電極等消耗品の製作／再加工が容易であるプラズマ放電ツルーイング装置と微細加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma discharge trueing device and fine machining method which can effectively remove the center drifting of a grinding wheel and run-out, perform highly accurate trueing without deformation of the grinding wheel itself, manage with a small capacity power supply facility and small output, make complex control circuits unnecessary and controllers and manufacture and rework consumables such as electrodes with ease. - 特許庁

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維とマトリックスである金属とで複合材料を作製し、それを加工した後、その加工表面を酸素プラズマ処理することにより、表面に存在するポア中の有機物を除去した複合材料を得ることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the ceramics and metal composite, a composite material is prepared by using ceramic powder or ceramic fiber as a reinforcement and metal as a matrix and then the composite is worked and the worked surface is subjected to oxygen plasma treatment, to obtain the composite in which the organic matter in the pores of the surface is removed. - 特許庁

面積の比率の小さいためにそれだけでは優れた加工均一性を得ることができない本パターン１に加えて、本パターン１より面積が小さいダミーパターン２を空いているスペースに形成し、優れた加工均一性が得られる面積比率まで、プラズマエッチングされる部分の面積を拡大する。例文帳に追加

Dummy patterns 2 having areas smaller than a main pattern 1 are formed in an empty space in addition to the main pattern 1, in which the excellent working uniformity cannot be obtained only by the pattern 1 owing to the small ratio of an area, and the areas of plasma-etched sections are expanded up to area ratios, where the excellent working uniformity is obtained. - 特許庁

半導体集積回路などの製造に用いられるフォト・リソグラフィ法と、イオン又はプラズマを用いるエッチング法を組み合わせて、エンコーダ・スケールに形成された格子パターンと軸穴部を、同一のフォトマスク、又は互いに正確に位置決め可能なフォトマスクを用いてエッチング加工を行う。例文帳に追加

A lattice pattern formed on the encoder scale and a shaft hole are etched by using the same photomasks or photomasks accurately locatable with each other in combination with a photolithography used to manufacture a semiconductor integrated circuit and the like and an etching method using an ion or a plasma. - 特許庁

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。例文帳に追加

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory. - 特許庁

小口径管１の突き合わせ端部をそれぞれＩ型開先に加工し、この開先同士を突き合わせた状態で保持してその突き合わせ部の外側に活性化フラックス５を塗布・乾燥させた後、この活性化フラックス塗布部の上からその突き合わせ部をプラズマアークで溶接し、その後、さらにこの溶接部を再溶融してその溶接部に余盛りを形成する。例文帳に追加

A square groove is prepared respectively at butting end parts of a small diameter tube, after activating flux is applied/dried to the outer side of the butted part while these grooves are butted each other, the butted part is subjected to plasma welding on the activated flux coated part, after that the welded part is remelted so that reinforcement of weld is formed thereon. - 特許庁

このようなプラズマディスプレイパネルは、基板１１上にバリアーリブ形成層を設ける工程と、当該バリアーリブ形成層上に着色顔料を分散させたブラストマスク兼バリアーリブ材料をパターン状に塗工した後に、ブラスト加工を行ってバリアーリブ形状を形成することを特徴とする。例文帳に追加

This plasma display panel is formed by a process for providing a barrier rib forming layer on a substrate 11 and by forming a barrier rib shape by performing blast working after the barrier rib material used as the blast mask in dispersed with colored pigment on the barrier rib forming layer is coated in a pattern shape. - 特許庁

集積回路及びマイクロ電気機械デバイスを加工する時のホトレジスト除去のために用いられるプラズマ灰化機械のためのグリッド板組立体において、上方グリッド板と、前記上方グリッド板から可変間隙により分離された下方グリッド板とを具え、然も、前記上方及び下方のグリッド板が一連の孔を有する、上記グリッド板組立体。例文帳に追加

A grid board assembly, which is for a plasma-ashing machine used for removing a photoresist as an integrated circuit and a micro electromechanical device are worked, is provided with an upper grid board and an lower grid board that is separated from the upper grid board with a variable gap in between, and each of these upper and lower grid boards has a chain of holes. - 特許庁

本発明に係る溶加材の製造方法の１番目は、筒状基材１０の外面に、プラズマ粉末溶接法を用いて溶着層１２を形成する溶接工程と、基材１０を除去し、筒状の溶着層１２を分離する分離工程と、溶着層１２からリング状の溶加材１４を切り出す加工工程とを備えている。例文帳に追加

The first filler metal manufacturing method comprises a welding step of forming a weld layer 12 on an outer face of a cylindrical base member 10 by using a plasma powder welding method, a separating step of separating the cylindrical weld layer 12 by removing the base member 10, and a working step of cutting out a ring-shaped filler metal 14 from the weld layer 12. - 特許庁

基板上の一部の領域にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を覆うようにプラズマＣＶＤ法によって、基板上に有機材料膜１１を形成する工程と、レジスト膜１３を除去することによって、レジスト膜１３とともにレジスト膜１３上に位置する有機材料膜１１を剥離除去する工程とを包含する、有機材料膜の加工方法である。例文帳に追加

A method for processing the organic material film comprises a step of forming a resist film 13 on a partial area of a substrate, a step of forming an organic material film 11 on the substrate according to a plasma CVD method so as to cover the film 13, and a step of releasing and removing the film 11 disposed on the film 13 together with the film 13 by removing the film 13. - 特許庁

被加工体７と対向する誘電体壁２を備えたチャンバ１と、誘電体壁２の外部に配設され、プラズマを生成するための誘導磁場を生成する平面状コイル３と、ファラデーシールドとして機能可能な板状電極１３を平面状コイル３と誘電体壁２との間に備え、さらに、誘電体壁２の周縁部を加熱する加熱手段５１が設けられている。例文帳に追加

The plasma etching device comprises a chamber 1 equipped with a dielectric wall 2 that faces a work 7, a flat coil 3 which is outside the dielectric wall 2 to generate an inductive magnetic field for generating plasma, a plate electrode 13 that can function as a Faraday shield provided between the flat coil 3 and the dielectric wall 2, and a heating means 51 for heating the periphery of the dielectric wall 2. - 特許庁

基板１１上に障壁材料層１２を形成し、その上にサンドブラスト用マスク１３を設けた後、そのサンドブラスト用マスク１３を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層１２をパターニングする工程を含むプラズマディスプレイパネルの障壁形成方法において、サンドブラスト用マスク１３として導電性を有するものを用いる。例文帳に追加

In this method for forming the barrier of the plasma display panel, which includes a process to pattern a barrier material layer by a sand blasting process through a mask 13 for sand blast after forming the barrier material layer 12 on a base 11 and providing the mask 13 for sand blast on it, a material having conductivity is used for the mask 13 for sand blast. - 特許庁

使用によりプラズマ加工機のトーチ１３に設けられている電極１５が消耗して貫通すると、電極１５を冷却するために注水管１１から注入されている冷却水が減少するので、冷却水を回収する排水管１７における冷却水の圧力および／または流量が低下する。例文帳に追加

When the electrode 15 provided in a torch 13 of the plasma machine is consumed and penetrated due to its use, since the cooling water charged from a water charging pipe for cooling the electrode 15 is reduced, the pressure and/or the flow rate of the cooling water in a water discharging pipe 17 for recovering the cooing water are reduced. - 特許庁

および、プラズマ装置に用いられるシリコンフォーカスリングの製造方法において、チョクラルスキー法により格子間酸素濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である単結晶シリコンを成長させ、該単結晶シリコンを円環状に加工し、シリコンフォーカスリングを製造するシリコンフォーカスリングの製造方法。例文帳に追加

In manufacturing the focus ring used for the plasma device, this focus ring is manufactured by growing the single crystalline silicon, where the concentration of oxygen between lattices is 5×1017 atom/cm3 and not more than 1.5×1018 atoms/cm3, by Czochralski method, and processes that single crystalline silicon into annular form. - 特許庁

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。例文帳に追加

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched. - 特許庁

本発明のレーザピーニング処理方法によれば、レーザを照射した際に発生するプラズマの衝撃波により粉体又は混合物１３Ｆをワーク１０の被加工面に打ち込むという従来にはない新規な方法でレーザピーニング処理を行うので、新しい材料特性を有した製品の製造が可能になる。例文帳に追加

According to the laser peening treatment method, laser peening treatment is performed by a new method of driving powder or a mixture 13F into the face to be worked in a work 10 by the shock waves of plasma generated upon the irradiation of a laser, thus the production of a product having new material characteristics is made possible. - 特許庁

ダイヤモンド基材１に酸化物被膜２を形成し、該酸化物被膜２に集束イオンビーム３の照射を行って孔５を形成して該ダイヤモンド基材１の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材１にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。例文帳に追加

In the pore machining method of the diamond, an oxide film 2 is formed on the diamond base material 1, and a part of the diamond base material is exposed by forming the pore 5 by irradiating a focused ion beam 3 on the oxide film 2, and the etching by plasma is performed on the exposed diamond base material 1. - 特許庁

焼結されたセラミックスからなる下地材１１の摺動面となる端面１１ａに、下地ディンプル１１ａを加工し、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭窒化チタン、窒化珪素等の硬質材料をプラズマＣＶＤ又はＰＶＤにより蒸着して成膜する。例文帳に追加

Substrate dimples 11a are formed on an edge face forming the sliding face of a substrate material 11 made of a sintered ceramic material and covered with a film of a hard material such as amorphous carbon, diamond- like carbon, titanium carbide, titanium nitride, titanium carbonitride and silicon nitride evaporated by plasma CVD or PVD process. - 特許庁

基板載置部を鏡面加工し基板と載置部との接触面積を大きくすると共に、基板押え治具又はクランプの裏面に金属膜（箔）を形成して、プラズマ照射（エッチング）中に高誘電体表面と裏面間に発生する電位差を僅少にするように構成したことを特徴としている。例文帳に追加

The part for mounting a substrate is mirror finished in order to increase the contact area between a substrate and the mounting part and a metal film (foil) is formed on the rear surface of a jig for retaining the substrate or a clamp so that a potential difference being generated between the surface and the rear surface of a high dielectric becomes very small during plasma irradiation (etching). - 特許庁

ガスに電圧を印加してプラズマ化することで基板３０００を加工する半導体製造装置において、カソード電圧の停止した瞬間に処理室２１００内の正に帯電したパーティクルを負電位を与えた電極１５、グリッド１３、カバー３６００等によって、トラップまたは誘導するなどして、パーティクルが基板３０００上へ到達することをを防止する。例文帳に追加

In a semiconductor manufacturing device processing a substrate 3000 by impressing a gas with voltage for making the gas plasmatic, the particles positively charged in a processing chamber 2100 are trapped or induced by an electrode 15, a grid 13 and a cover 3600, etc., supplied with a negative a potential as soon as a cathode voltage supply is stopped so as to prevent the particles from arriving at the substrate 3000. - 特許庁

そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 103 is heated at a temperature above the boiling point of a chloride of an element contained in the n-type GaN layer 103, and then the surface of the n-type GaN layer 103 is processed, by making the radicals in the plasma come into contact with the surface of the n-type GaN layer 103 which touches a metal electrode 104. - 特許庁

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。例文帳に追加

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material. - 特許庁

そして、金属製チャンバ−１の上部からマグネトロン３によって発生されたマイクロ波を金属製チャンバ−１内に照射しながら反応ガスの存在下に被処理基板７とグランド側電極板９との間の高周波電位差により被処理基板７とグランド側電極板９の間に発生するグロ−放電を利用して多数の被処理基板７の両面を同時に所要のプラズマ加工処理する。例文帳に追加

Both surfaces of the boards 7 are simultaneously processed by plasma by the use of a glow discharge generated between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 by high-frequency potential difference between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 in the presence of a reactive gas while a microwave generated by a magnetron 3 is applied into the metal chamber 1 from the top of the metal chamber. - 特許庁

Ｃｏの含有量が多い超微粒子超硬合金の基材１２の表面を所定の面粗さに荒し加工した後、酸処理等によるＣｏの除去処理を行うことなく、ＰＶＤ法によりＴｉＡｌＮの中間層１８を設け、その中間層１８の上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いてダイヤモンド被膜１６をコーティングした。例文帳に追加

The surface of substrate 12 of hyperfine-grained high cemented carbide alloy with a large content of Co is subjected to roughening treatment to the prescribed surface roughness, thereafter, an intermediate layer 18 of TiAlN is formed by a PVD method without performing removal treatment of Co by means of acid treatment, etc., and the diamond film 16 is applied on the intermediate layer 18 by using a microwave plasma CVD device. - 特許庁

プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。例文帳に追加

In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F. - 特許庁