「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。例文帳に追加

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape. - 特許庁

更にイオン銃２は、プラズマ源２１から引き出し電極２２に引き出されたイオンビームＩ、及びプラズマ源２１からイオンビームＩと共に放射された光のうち、イオンビームＩを被加工物Ｗの方向に偏向するイオン偏向部２３を有する。例文帳に追加

Furthermore, the ion gun 2 has an ion deflection part 23 which deflects ion beams I out of the ion beam I extracted from the plasma source 21 to the extraction electrode 22 and light emitted together with the ion beams I from the plasma source 21, in the direction of the processed object W. - 特許庁

上記基板６を、その基板６に含まれるIII族元素(Ｇa)の塩化物の沸点以上の温度に加熱し、同時に、プラズマ生成部(電極部８１)のプラズマ中で生成されたラジカルを基板６の表面に接触させることにより、基板６の表面を加工する。例文帳に追加

The substrate 6 is heated up to a temperature equal to or higher than the boiling temperature of chloride of a group III element (Ga) contained in the substrate 6, and at the same time, the radical generated in plasma of a plasma generator (electrode section 81) is brought into contact with the surface of the substrate 6, thereby processing its surface. - 特許庁

半導体基板上に形成された被膜をプラズマエッチングにより加工する際、前記プラズマエッチングにおける反応ガスに含まれる元素に起因する発光スペクトルの紫外領域における所定波長をモニタし、前記所定波長の強度の変化よりエッチング終点を検出する。例文帳に追加

At the time of working a coating formed on a semiconductor substrate by plasma etching, predetermined wavelength in the ultraviolet region of a light emission spectrum due to elements contained in reaction gas in the plasma etching is monitored so that an etching end point can be detected according to the change of the strength of the predetermined wavelength. - 特許庁

２種類、または複数のプラズマ指向性の異なるプラズマ源を用い、２段階以上で交互に処理することにより、夫々固有の指向性をキャンセルして加工断面形状の対称性を面内均一に調整するようにしたことにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるようになる。例文帳に追加

Two kinds of a plurality of plasma sources, having different plasma directivities are used to carry out treatments alternately in two or more stages, and thus the characteristic directivities, are canceled to adjust the symmetry of the machined sectional shape in the plane, thereby manufacturing the device with high reliability. - 特許庁

半導体ウェーハ、平板画面、印刷回路基板及び多様な薄膜加工工程で使用されるプラズマエッチングと物理的または化学的蒸気蒸着法、フォトレジストストリッピング等に適用されるプラズマを利用した半導体製造装置を提供する 。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which utilizes plasma and is adaptable to plasma etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist stripping and the like to be used for semiconductor wafers, flat-panel displays, printed circuit boards, and a variety of thin-film work processes. - 特許庁

こうして電極１０Ａ及び１０Ｂに交流電位を印加すると、陰極側となった電極の溝部１１にホローカソードプラズマが発生し、プラズマを発生させるガスの流れと共に図面上方に位置する被加工物に照射される。例文帳に追加

If an alternate current potential is applied to the electrodes 10A and 10B in this way, hollow cathode plasma is generated in the groove parts 11 of the electrode which has become a negative electrode side, and irradiated to a work piece positioned upside of a drawing together with a gas flow to generate the plasma. - 特許庁

互いに異なる導電性材料Ａ、Ｂをプラズマ処理した後に、各プラズマ処理面同士を常温で圧着接合し、しかる後にエッチング処理により前記導電性材料を導電性パターン１、２に加工して、複数の熱電対が直列に接続された構造を形成する。例文帳に追加

A structure in which a plurality of thermocouples are connected in series is formed by press-fitting the plasma-treated surfaces of different kinds of conductive materials A and B to each other at a normal temperature after the materials A and B are plasma-treated and etching the materials A and B to conductive patterns 1 and 2. - 特許庁

こうして電極１０Ａ及び１０Ｂに交流電位を印加すると、陰極側となった電極の溝部１１にホローカソードプラズマが発生し、プラズマを発生させるガスの流れと共に図面上方に位置する被加工物に照射される。例文帳に追加

When an A.C. potential is applied to the electrodes 10A and 10B, a hollow cathode plasma is generated in a groove part 11 of the electrode becoming a cathode side and an object to be processed positioned at an upper side in the figure is irradiated with the flow of the gas for generating the plasma. - 特許庁

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。例文帳に追加

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed. - 特許庁

厚さ１００〜５００μｍのマイクロプラズマ発生用ディスクの微細穴あけ加工方法であって、マイクロプラズマ発生用ディスク１１の所定位置に対し、複数本の放電加工電極１２を直径の大きいものから小さいものへと段階的に漸次交換しながら放電加工を行い、そのディスクに開口径が５〜１０μｍの微細穴をテーパ状に形成する。例文帳に追加

This micro-boring method of the disk for generating microplasma with the thickness of 100-500 μm executes electric discharge machining at a prescribed position of the disk 11 for generating the microplasma while stepwisely and gradually exchanging a plurality of electric discharge machining electrodes 12 from a large diameter to a small diameter and taperedly forms a micro-hole with an aperture diameter of 5-10 μm. - 特許庁

基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus of a substrate, which can accurately process a substrate by increasing a radical species density suitable for substrate processing, can control ion radical energy to an energy value suitable for substrate processing and to a small band energy width, and can form an excellent embedded film, and to provide a plasma treatment method thereof. - 特許庁

炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method comprises the steps of machining the {0001} plane of silicon carbide, etching the surface of the silicon carbide by plasma of a material containing at least a halogen after the machining step, and exposing the surface of the silicon carbide to a plasma of a material not containing a halogen and containing at least oxygen after the etching step. - 特許庁

プラズマ加工チャンバ中でガラス工作物３２を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャックからデチャッキングされる。例文帳に追加

A glass workpiece 32 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece in a plasma processing chamber. - 特許庁

強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置内に配設される静電チャックの耐久性を向上させること。例文帳に追加

To provide an electrostatic chuck member, disposed in a semiconductor processing device to perform plasma etching processing under strongly corrosive environment, capable of improving durability of the electrostatic chuck. - 特許庁

プラズマエッチング耐性を有する被膜加工としては例えばアルマイト加工（アルミナイズ）であり、溶射法やスパッタ蒸着法によるＡｌコーティングとしている。例文帳に追加

As coating work having the plasma etching resistance, there is alumite work (aluminizing) for instance and Al coating is by a thermal spray method or a sputter vapor deposition method. - 特許庁

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。例文帳に追加

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing. - 特許庁

プラズマにより半導体基板を加工する前に異常を検知して半導体基板を加工しないようにする半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method for detecting the abnormality of a semiconductor device before machined with plasma, to prevent the machining of the semiconductor device. - 特許庁

プラズマを用いたウエハの処理において、スループットを低下させることなく、ウエハ毎の加工寸法の変動を抑え再現性良くウエハを加工する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method and an apparatus for processing a wafers with excellent reproducibility by suppressing variation in processing size of each wafer without reducing the throughput. - 特許庁

絶縁層であるポリイミド樹脂の加工をプラズマエッチングで行うに際し、電極形状が曲率を持つようにしたことにより、加工精度よくエッチングが行える。例文帳に追加

The etching of a polyimide resin of the insulation layer can be performed with high processing accuracy by making the shape of an electrode so as to have curvature, when it is processed by plasma etching. - 特許庁

それにより交換可能な第１及び第２電極ホルダは、単一のプラズマ切断トーチが薄い加工物及び厚い加工物の両方を切断することを可能にする。例文帳に追加

The interchangeable first and second electrode holders thereby allow a single plasma torch to cut both the thinner and thicker workpieces. - 特許庁

一回の加工によって層間絶縁膜３に配線溝１２を形成するのではなく、一旦加工を停止して、その時点で形成されている溝１２ａの底部に向けてフッ素を含有するガスのプラズマを照射する。例文帳に追加

The bottom of a groove 12a formed at when a machining is stopped is irradiated with the plasma of a gas containing fluorine by stopping the machining once without forming the wiring groove 12 to an interlayer insulating film 3 by one-time machining. - 特許庁

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、フッ素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化することで、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制し、優れた加工特性が得られる。例文帳に追加

In working with a sample comprising the silicon oxide film, a mixed atmosphere of chlorine gas containing no fluorine element and aluminum is turned into a plasma, for suppressing etching speed of a silicon oxide film, resulting in superior working characteristics. - 特許庁

所定の出力Ｗ_k のレーザビームＬＢをワークＷ上に照射し該ワークＷ内にプラズマＰを誘発することにより、上記所定の出力Ｗ_k に対応した所定の加工速度Ｖ_k で加工を行う。例文帳に追加

By radiating a laser beam LB of a prescribed output Wk onto a work W to induce a plasma P in the work W, the machining is carried out with a prescribed machining speed Vk corresponding to the prescribed output Wk. - 特許庁

マイクロプラズマ発生用ディスクの微細穴を高精度で再現性よく、かつ効率よく穴あけ加工することができる微細穴あけ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a micro-boring method capable of highly precisely, reproducibly and efficiently bore a micro-hole of a disk for generating microplasm. - 特許庁

シリコン窒化膜を有する試料の加工において、異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜との選択性に優れたプラズマ処理方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a plasma-processing method, where together with a sample comprising a silicon nitride film, anisotropic and precise dimension, working and superior selectivity with respect to a base-material silicon oxide film. - 特許庁

本発明の目的は、プラズマの発生が静電容量に与える影響を抑えることで、より高速レーザ加工に対応できるレーザ加工装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a laser beam machine capable of coping with high speed laser beam machining by suppressing an effect on a capacitance caused by plasma generation. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをパターニングするサンドブラスト加工時に、加工中の基板に悪影響を与えることなく、研削材の供給配管系が通るスリット状開口部からの研削材漏れを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent the leakage of abrasives from a slit opening through which a supply piping system for the abrasives passes during sandblast machining for patterning ribs of a plasma display panel, without giving ill effect to a substrate being machined. - 特許庁

加工コントローラ７は、最大プラズマ強度が測定されたレーザ加工ヘッド１とワークピース２との間の距離に基づいて、高さ調整装置６を駆動して焦点位置を調節、較正する。例文帳に追加

A height adjusting device 6 is driven to adjust and calibrate the focal position with a machining controller 7 based on the distance between the laser machining head 1 in which the maximum plasma intensity is measured and the workpiece 2. - 特許庁

開先加工に従来のガス切断やプラズマ切断を使い、機械加工を必要とせず、厚板の鋼板や鋼管においても狭開先溶接施工を可能にする溶接技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a welding technology capable of executing the narrow groove welding of a thick-wall steel plate or steel tube without need of any machining by using a conventional gas cutting or plasma cutting in the beveling. - 特許庁

抗菌・抗ウイルス加工対象の布にプラズマ処理を施して表面活性化させ、薬剤加工処理を施すことで、抗菌・抗ウイルス性繊維を製造する。例文帳に追加

An antibacterial and antiviral fiber is produced by applying plasma treatment to a cloth of an antibacterial and antiviral processed object to activate the surface and applying chemical processing treatment thereto. - 特許庁

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるＸｅもしくはＫｒもしくＡｒとＸｅの混合ガスもしくはＡｒとＫｒの混合ガスを適用した。例文帳に追加

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film. - 特許庁

また、プラズマを用いた従来の加工法と異なり、基板へストレスを与えずに加工することができ、また装置を簡素化することが可能である。例文帳に追加

In addition, unlike the conventional machining method using a plasma, the working can be carried out without giving a stress to the substrate 11 and, in addition, the semiconductor light emitting device can be simplified. - 特許庁

チャンバ内における処理ガスの均一な分配と加工物の対称的な配置は、加工物（５６）に隣接してイオンの均一な密度のプラズマを提供する。例文帳に追加

Uniform distribution of the process gas and symmetric placement of the workpiece inside the chamber contribute to providing a uniformly dense plasma of ions adjacent to the workpiece (56). - 特許庁

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed. - 特許庁

シリコンやIII族窒化物等の半導体基板、および、ガラス等の絶縁体基板等を、基板全面において均一かつ高速に加工できるプラズマ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method capable of working a semiconductor substrate of silicon, group III nitride or the like, and an insulating substrate of glass or the like in the whole surface of the substrate uniformly with high speed. - 特許庁

本発明は、プラズマ発生に伴う衝撃力を効率よく被加工面に付与するとともに、被加工面に所望の機能を付与することのできる表面改質方法と、それに用いる被膜体の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a surface modification method capable of efficiently applying the impact associated with plasma generation to a surface to be machined and providing the desired function to the surface to be machined, and to provide a covering body used for the method. - 特許庁

そして、ワークＷの切断溝内のプラズマが消滅し、紫外線の強度が加工速度復帰指令値以下となったら加工速度を段階的に上昇させて再び初期速度の切断作業に切り換える。例文帳に追加

The cutting is switched to be performed at the original speed by gradually increasing the machining speed when the plasma disappears in the cutting groove of the work W and the intensity of the ultraviolet ray becomes the value for commanding the recovery of the machining speed or slower. - 特許庁

プラズマ処理が終了し、被加工物（ガラス基板）１６を次工程に搬送する際には、被加工物（ガラス基板）１６周縁部の周縁部に当接するリフト用フレーム１４が用いられる。例文帳に追加

When the work (glass substrate) 16 is conveyed to a next stage after the plasma processing, a lift frame 14 is used which comes into contact with a peripheral edge part of the work (glass substrate) 16. - 特許庁

真空処理容器１の内壁の温度を、ＲＩＥ加工時の被処理基体２の温度よりも高い温度に設定した状態で、ＲＩＥ加工時に真空処理容器１の内壁に形成された堆積膜をプラズマにより除去する。例文帳に追加

While the temperature of the internal wall of the vacuum processing container 1 is set higher than that of a processed base body 2 during the RIE processing, the deposited film formed on the internal wall of the vacuum container 1 during the IRE processing is removed by plasma. - 特許庁

シリコン酸化膜を、ＣＦ_４／Ｏ_２プラズマエッチングにより、加工してハードマスク３２を形成するとともに、第１メタル配線マスクを加工して、幅が０．２５μｍの第２メタル配線マスク４２に変える。例文帳に追加

The silicon oxide film is worked by a CF_4/O_2 plasma etching to form hard masks 32, while the first metallic wiring masks are worked and changed into second metallic wiring masks 42 having the width of 0.25 μm. - 特許庁

金属層２をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５をプラズマエッチングにより加工する工程とからなる。例文帳に追加

The manufacturing method consists of a process where a metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where the wiring part 8 is formed on the insulation layer 5 by a semi-additive method and a process where the insulation layer 5 is processed by a plasma etching method. - 特許庁

ガス導入部１０１からプラズマ生成室１内に時間的に間欠的に加工用ガスを導入することによって衝撃波を発生させ、この衝撃波によって被加工物６表面に滞留する反応生成物を除去する。例文帳に追加

Impulse wave is generated by introducing the gas for processing timely and intermittently into the plasma producing chamber 1 from the gas introducing unit 101 to remove the reaction product stagnated on the surface of the workpiece 6 by the impulse wave. - 特許庁

ワークのレーザ加工中に発生するプラズマを初期段階で検出してワークの切断を適正に行うことができるレーザ切断加工制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method or controlling a laser cutting by which a work is appropriately cut by detecting plasma generated during the laser beam machining of the work at an earlier stage. - 特許庁

ウエハのような大型でかつ薄いワークを用いた場合であっても、割れを防止しつつ、十分な加工量でワークの縁部の角に面取り加工を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus capable of applying a chamfering work to the corner of the edge of a workpiece with a sufficient work amount while preventing cracks even when using a large-sized and thin work like a wafer. - 特許庁