「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

誘電体窓を介した電磁波の誘導結合によりプラズマを発生させ、被処理物を加工する誘導型プラズマ処理装置に関し、誘電体窓表面が導電体部で被覆されるとともに、導電体部で囲まれ、表面が露出するように導電体部の一部が切り欠かれており、露出する誘電体窓を介して電磁波の誘導結合が行われるように構成した。例文帳に追加

In the inductively coupled plasma processor for processing an article by plasma generated by the inductive coupling of electromagnetic waves through a dielectric window, the surface of the dielectric window is covered with a conductor and surrounded by the conductor, a part of the conductor is cut to expose its surface, and the inductive coupling of electromagnetic waves takes place through the exposed dielectric window. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法による無機物膜の成膜温度よりも耐熱温度が高い有機樹脂であるポリアリール系樹脂膜１１、プラズマＣＶＤ法により形成され、膜密度が高く、欠陥の少ない無機質膜であるシリコン酸化膜１２、及びフォトレジスト膜１３からなるトリレベルレジストを用いて微細加工を行う。例文帳に追加

Fine processing is performed by using the trilevel resist consisting of a polyaryl group organic resin 11 having heat resistance at temperature higher than the film formation temperature of an inorganic film in the plasma CVD method, a silicon oxide film 12 which is an inorganic film formed by the plasma CVD method, has high film density and reduced at its defects, and a photoresist film 13. - 特許庁

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。例文帳に追加

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma. - 特許庁

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。例文帳に追加

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface. - 特許庁

金属材料表面（７）に赤外レーザビーム（４）を照射して、該表面を熱加工するに当り、ＫｒＦエキシマレーザパルスビーム（１０）を上記赤外レーザビーム（４）に重畳させて金属材料表面（７）に照射し、該表面近傍に高密度プラズマを発生させると共に、そのプラズマに上記赤外レーザビーム（４）を吸収させる。例文帳に追加

At the time of thermal processing of a surface of a metallic material 7 by emitting infrared laser beam 4 on the surface, a high density plasma is made to generate in the vicinity of the surface as well as is made to absorb the infrared laser beam 4 by emitting KrF excimer laser pulse beam 10 on the surface of the metallic material 7 superposed with the infrared laser beam 4. - 特許庁

ＴＩＧ、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。例文帳に追加

Since rare earth oxide particles and a tungsten carbide are finely dispersed into a tungsten cathode material used as the discharge cathode material in TIG, plasma spray coating, plasma cutting, discharge processing, an electric discharge lamp, and the like, reduction and diffusion of the rare earth oxide are accelerated, and discharge characteristics are enhanced by ensuring supply of the rare earth element to the cathode surface. - 特許庁

大気圧または大気圧近傍の圧力下の塩素含有ガス雰囲気中で、円筒型回転電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間でプラズマ１３を生成して、プラズマ１３をIII族窒化物半導体６の表面と接触させることにより、III族窒化物半導体６の表面を加工する。例文帳に追加

A plasma 13 is generated between a cylindrical rotary electrode 2 and the surface of a group III nitride semiconductor 6, in the gas atmosphere containing chlorine under the atmospheric pressure or near it, so that the plasma 13 contacts the surface of the group III nitride semiconductor 6 for processing the surface of the group III nitride semiconductor 6. - 特許庁

プラズマ中のラジカルを直接計測できる超小型センサーを商品化これまでに大型の光分光計測装置でしか計測できなかったプラズマ中のラジカルは、微細加工や薄膜形成に重要な役割を担っているが、新規の光源等を開発することで数mm径まで小型化し、簡単に高精度でラジカルを計測できるラジカルモニターの商品化に成功した。例文帳に追加

Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster]○Commercialization of an ultra-small sensor capable of directly measuring radicals in plasma Previously, radicals in plasma, which play an important role in fine processing and formation of thin films, could be measured only by largesize optical spectrometers. The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster reduced the size of optical spectrometers capable of measuring radicals in plasma to several millimeters in diameter by developing a new lighting source and succeeded in commercializing a radical monitor that enables the easy, precise measurement of radicals. - 経済産業省

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object. - 特許庁

ウエーハ表面全体にわたって高精度に平坦化することができるとともに、高いスループットで処理することができる半導体ウエーハの加工方法、及びそのような半導体ウエーハの加工に使用できるプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for processing a semiconductor wafer, which can planarize the entire surface with high accuracy and can process it with high throughput, and also to provide a plasma etching apparatus which can be used for processing of such a semiconductor wafer. - 特許庁

大量加工に入る前に、半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノトポグラフィーによる不良品発生を低減させること、およびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に応えることを課題とする。例文帳に追加

To grasp local plasma etching processing characteristics by semiconductor wafer lot before large-quantity processing starts, to decrease defectives due to nanotopography, and to comply with contrary requests for the nanotopography and a computation load. - 特許庁

絶縁べ−ス材１に対しプラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施して絶縁べ−ス材１の両面の導体層４，５を導通させるに必要な導通用穴８及び屈曲性を高める為の非貫通の溝９を同時に形成する。例文帳に追加

A conduction hole 8 required for conducting conductor layers 4 and 5 on the opposite sides of an insulation base material 1 and a non- penetration groove 9 for enhancing bendability are formed simultaneously by plasma etching or wet etching the insulation base material 1. - 特許庁

プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。例文帳に追加

The manufacturing method includes a roughening process to improve surface roughness of a supply surface on a side facing a plasma generation region, a hole processing process to form a plurality of through-holes by performing a drilling processing from a rear face on the opposite side of the supply surface after the roughening process. - 特許庁

プラズマ加工中に帯電する電子による導電性材料１４の面内電位差の発生を抑制し、照射イオンの歪曲を抑えて、パターン４Ａの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常を防止できる。例文帳に追加

The generation of in-plane potential difference on the conductive material 14 due to electrons charged during plasma etching is suppressed and distortion of radiated ions is suppressed; consequently the side faces of patterns 4A can be made free from etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching). - 特許庁

両面銅張り板を用いて、パンチ、金型で導通用孔４を形成し、この孔４の加工後にハ−フエッチングを行った際に発生する導通用孔４の端部の露出した絶縁べ−ス材２をレ−ザ−加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で除去する。例文帳に追加

A conduction hole 4 is formed using a double surface copper-clad plate with the aid of a punch and a mold, and an insulating base member 2 including an exposed end of the conduction hole 4 produced upon half etching after processing of the hole 4 is removed by making use of laser processing, plasma etching, and wet etching. - 特許庁

本発明のレーザピーニング装置は、被加工物Ｗの局所の表面上にプラズマを閉じ込める液体Ｒを形成保持する液体保持ヘッド１と、液体保持ヘッド１に保持された液体を介して被加工物Ｗの表面にレーザを照射するレーザ照射ヘッド２とを備える。例文帳に追加

The laser peaning apparatus comprises a liquid holding head 1 for forming and holding the liquid R for enclosing plasma on the local surface of a workpiece W, and a laser radiating head 2 for irradiating the surface of the workpiece W with a laser beam via the liquid held by the liquid holding head 1. - 特許庁

一般式（１） （式中、Ｒ^1、Ｒ^2は水素原子もしくは特定の基、Ｒ^3は−Ｃ≡Ｃ−を含む特定の基を表す。）で表される繰り返し単位を有する含ケイ素樹脂または含ケイ素樹脂組成物あるいはそれらの硬化物からなること特徴とする薄膜加工プラズマ装置用加工室内壁。例文帳に追加

The member for a processing chamber in a processing apparatus for thin film processing is made of silicon-contained resin having repeated units expressed by a formula (1) (where, R1 and R2 denote each a hydrogen atom or specific group and R3 denotes a specific group containing -C≡C-), silicon- contained resin composition or cured material thereof. - 特許庁

ドライフィルムを用いた例えばプラズマディスプレイパネル等の表示パネル、プリント基板の製造におけるパターン加工に適用して、ドライフィルムのパターン精度を向上させることができるパターン加工方法を提案する。例文帳に追加

To provide a pattern processing method capable of improving pattern precision of a dry film by being applied to pattern processing in manufacture of a display panel and a printed board of, for example, a plasma display panel etc., using the dry film. - 特許庁

誘電体材料基板や半導体材料基板などの加工対象物の内部にプラズマを生起させることなく、加工に使用するレーザ波長の回折限界値の半分以下の極めて微細な改質領域を形成すること。例文帳に追加

To form very fine modified areas having the size not larger than one half of the diffraction limit of the wavelength of laser beams to be used for the machining without generating any plasma inside a workpiece such as a substrate formed of a dielectric material and a substrate formed of a semi-conductor material. - 特許庁

プラズマが発生したとき、４０５ｎｍ付近の紫外線の強度が検出され、その強度が予め定めた加工速度低下指令値に達すると、制御装置１６からサーボモータ１９に加工速度の減速信号が出力される。例文帳に追加

When the plasma is generated, the intensity of an ultraviolet ray of which the wavelength is approximately 405 nm is detected and a speed reduction signal for the machining speed is outputted from a controller 16 to a servo motor 19 when the intensity of the ultraviolet ray reaches a preliminarily subscribed value for commanding the reduction in the machining speed. - 特許庁

本発明のレーザピーニング装置は、被加工物Ｗの局所の表面上にプラズマを閉じ込める液体Ｒを形成保持する液体保持ヘッド１と、液体保持ヘッド１に保持された液体を介して被加工物Ｗの表面にレーザを照射するレーザ照射ヘッド２とを備える。例文帳に追加

The laser peening apparatus comprises a liquid holding head 1 for forming and holding the liquid R for enclosing the plasma on the local surface of a workpiece W, and a laser radiating head 2 for irradiating the surface of the workpiece W with a laser beam via the liquid held by the liquid holding head 1. - 特許庁

被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。例文帳に追加

The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33. - 特許庁

基材１上に少なくとも１層以上からなる撥水膜２を有するノズルプレート構成部材を、基材１側から加工するとともに、主に基材１をエッチングする第１の加工工程と、第１の加工工程終了後、主に上記撥水膜２を酸素を有するプラズマを用いてエッチングする第２の加工工程を備える。例文帳に追加

The manufacturing method has a first working process in which a nozzle plate constituting member with the water repellent film 2 of at least one or more layers set on the base 1 is worked from the base 1 side, and the base material 1 is mainly etched; and a second working process in which the water repellent film 2 is mainly etched with the use of plasma having oxygen after the first working process is finished. - 特許庁

現像後の解像性及び密着性並びに耐サンドブラスト密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、被加工基材の表面加工方法及びプラズマディスプレイの背面板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition capable of finishing a substrate to be processed for forming a minute pattern with a good yield as a sandblasting mask material with the superior resolution after development, adhesion and sandblasting resistant adhesion, a photosensitive resin laminate, a surface finishing method for a substrate to be processed, and a method for manufacturing a back plate of a plasma display. - 特許庁

該方法ではプラズマアークトーチ１２を通してかつ加工片に向けてプラズマガスを差し向け、アークが加工片を切断するようにアークを電極から加工片に発生させるために電極に電流を供給し、トーチが決定可能の角速度をもつようにトーチを予定の切断経路に沿って予定の直線進行速度で移動させ、直線進行速度と、トーチの角速度に比例した制御パラメータの両者の関数として電極に供給された電流を調整することを含む。例文帳に追加

The current to be fed to the torch is adjusted as the function of both the straight traveling speed and the angular velocity of the torch. - 特許庁

(1)鋳造材を５８０〜６４０℃にて３時間以上保持するアニール工程(2)アニール工程後、２００℃以下の温度にて加工率５０％〜９０％の塑性加工を行う冷間加工工程この高純度アルミニウム合金材の表面に陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化高純度アルミニウム合金材は、プラズマエッチング装置を構成する材料として好適である。例文帳に追加

An anodized high-purity aluminum alloy material obtained by forming an anodic oxide film on the surface of the above high-purity aluminum alloy material is suitable for use as a material constituting a plasma etching system. - 特許庁

画像形成装置において画像形成が施されること等により形成されたシート状の被加工物の被加工面にプラズマを接触させて同面の改質を行う改質装置であって、被加工物の厚みの変化に対応して表面改質を行うことが可能な改質装置、この改質装置を備えた画像形成装置、画像形成装置の後処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reformer capable of reforming a surface in response to a change in a thickness of a workpiece, an image forming device having this reformer and a postprocessing device of the image forming device, in the reformer for reforming the surface by contacting plasma with a processing object surface of the sheet-like workpiece formed by applying the image formation in the image forming device. - 特許庁

高周波結合プラズマリアクタにおいて、被加工物支持体から、又は、該支持体へ熱を伝達するに当たり、該被加工物支持体内に設けられている内部流路内に冷却剤を配置することと、該被加工物支持体の該内部流路が冷却ループの蒸発器を構成する該冷却ループを介して該冷却剤を循環させることにより、該冷却剤から、又は、該冷却剤へ熱を伝達させることとを含む。例文帳に追加

In transferring heat from or to a workpiece supporter in a high-frequency coupled plasma reactor, this method includes: placing a coolant in an internal flow channel provided in the workpiece supporter; and transferring the heat from or to the coolant by circulating the coolant through a refrigeration loop in which the internal flow passage of the workpiece supporter constitutes an evaporator of the refrigeration loop. - 特許庁

プラズマ分布は、加工物支持表面の上にある第１の平面内の外部環状内側電磁石６０と、加工物支持表面の上にある第２の平面内の、内側電磁石よりも大きな直径を有する外部環状外側電磁石６５と、加工物支持表面の下にある第３の平面内の外部環状底部磁石４０１とによって制御される。例文帳に追加

Plasma distribution is controlled by an external annular inner electromagnet 60 in a first plane overlying the workpiece support surface, an external annular outer electromagnet 65 with a diameter greater than that of the inner electromagnet in a second plane overlying the workpiece support surface, and an external annular bottom electromagnet 401 in a third plane underlying the workpiece support surface. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルにおいて、研削部の溝幅が場所によって異なるような非ストレート状のリブパターン形成用のブラスト加工に用いる研磨材であって、該研磨材が被加工物の材質に応じて、特定の最大粒子径、平均粒子径、加工ピッチ、粒子のシャープネス、モース硬度、比重及び粒子の不定形指数を有する無機粒子粉体からなることを特徴とする。例文帳に追加

The abrasive is used in blasting for making a non-straight rib pattern whose ground groove widths differ at places of a plasma display panel, featuring of inorganic particle grain power that has the specific maximum particle diameter, average particle diameter, blasting pitch, particle sharpness, Mohs' hardness, specific gravity, and amorphous particle index depending on the quality of a material to be ground. - 特許庁

金属、金属窒化物、金属炭素窒化物、金属あるいはケイ素窒化物膜は、約20トル未満の圧力で、水素、窒素、アンモニア、シラン、及びそれらの組合せのような加工気体の存在下での、有機金属前駆体の熱あるいはプラズマ分解により、加熱基板上に堆積される。例文帳に追加

A metal, metallic nitride, metallic carbonitride, or silicon nitride film can be deposited on a heated substrate under the pressure of about <20 Torr by thermal or plasma decomposition in the presence of working gas of hydrogen, nitrogen, ammonia, silane or their combination. - 特許庁

また、このような連続突起が配置された基板は、基板表面にメタンガスなどの炭化水素ガスをプラズマ中で分解して形成されるカーボンナノウオールを成長させ、それらの形状をエッチング加工などにより基板表面に転写することにより作製できる。例文帳に追加

Moreover, a substrate having such continuous projections can be manufactured by growing carbon nano-walls formed on the substrate surface by decomposing hydrocarbon gas such as methane gas in plasma and by transferring their shapes onto the substrate surface through the etching processing or the like. - 特許庁

このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。例文帳に追加

According to this plasma processing method, a chlorine-containing gas containing helium, chlorine, nitrogen, and argon is introduced into a reaction vessel 1 from a gas introduction line 8, and the pressure inside the reaction vessel 1 is made the same as atmospheric pressure or close to it. - 特許庁

金属（特に配線箇所）の異方性プラズマエッチング工程において、何らかの事情により工程が中断された後に工程を再開しても、その加工形状を維持することができ、半導体装置の歩留まりを向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve the yield of a semiconductor device by maintaining a processing shape even when an anisotropic plasma etching state for metal (especially, a wiring plate) is restarted after being interrupted for some reason. - 特許庁

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の隔壁形成、電極形成、更にはプリント配線板等の製造のためのパターン形成方法に関し、更に詳しくは高精細凹凸模様の形成能に優れる新規なサンドブラスト加工によるパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method by new sandblasting excellent in power to form a high definition rugged pattern as to a pattern forming method for forming the partition walls of a plasma display panel(PDP), forming electrodes and producing a printed wiring board, etc. - 特許庁

肉厚の異なる金属部材をプラズマ溶接、レーザ溶接または電子ビーム溶接により溶接した箇所を有するゴルフクラブヘッドであって、溶接時に金属部材同士の間に隙間が生じないように予め金属製部材を精密に機械加工する必要のないゴルフクラブヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a golf club head provided with a part for which metal members of different thicknesses are welded by plasma welding, laser welding or electron beam welding without the need of precisely machining the metal members beforehand so as not to generate a gap between the metal members at the time of welding. - 特許庁

非常に脆く、電気抵抗が高いために、溶接することは不可能であると考えられていたＳｉ系材料を、アーク溶接におけるアークプラズマの熱を利用することでその溶接を可能にし、Ｓｉ系材料の加工自由度を向上する。例文帳に追加

To make welding possible for Si based materials, the welding of which was presumed impossible due to the extreme brittleness and a high electrical resistance, and to improve the degree of freedom in the machining of Si based materials, by utilizing the heat of arc plasma in arc welding. - 特許庁

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。例文帳に追加

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3). - 特許庁

複数の消耗品（電極および／またはノズル）のそれぞれについて正確な寿命判定を行うことができ、これにより各消耗品を効率良く使用することでランニングコストの削減を図ることのできるプラズマ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device where the correct discrimination of the service life in each of a plurality of consumables (electrodes and/or nozzles) can be performed, therefore, each consumable is efficiently used, so that the reduction of running cost can be attained. - 特許庁

反射防止膜11は、光学部品ないし光学素子12の表面に形成された物質と空隙の錯綜した非周期的な海綿状微細構造を有し、非周期的海綿状微細構造が金属化合物を含むプラズマ加工残渣物から形成されている。例文帳に追加

The antireflection film 11 has a non-periodical sponge-like microstructure with a complicated structure of a substance and vacancies formed on the surface of optical parts or optical element 12, and the non-periodical sponge-like microstructure is formed from the residue of plasma processing containing metal compounds. - 特許庁

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。例文帳に追加

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing. - 特許庁

制御装置１７の制御により電極５とワークＷとの間にプラズマアークを発生させて切断加工する際に、アーク電圧検出器１１がアーク電圧を検出し、制御装置１７はこのアーク電圧から電極５とワークＷとの距離を検出する。例文帳に追加

When cutting by generating a plasma arc between an electrode 5 and a work W under control of a controller 17, an arc voltage is detected by an arc voltage detector 11 to detect the distance from the electrode 5 to the work W from the arc voltage by a controller 17. - 特許庁

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same. - 特許庁

真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus that achieves high processing accuracy and high reliability by preventing adverse effects on the next process and mixing of gasses, which should not be mixed with each other, by surely removing a residual gas inside a vacuum container and that of in processing-gas supply piping, and a method for operating the same. - 特許庁

大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、ビアホール穴あけ加工後の残滓処理をすることができる方法及びその装置を提供。例文帳に追加

To provide a method by which a residue can be treated after making a via hole and its device, by adopting a discharge plasma treatment which can produce a stable discharge state under an atmospheric pressure by using a simplified device and a small quantity of processing gas. - 特許庁