「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

加工形状の面内均一性向上及びチャージングダメージを低減したプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus in which the in-plane uniformity of processed shape is improved and charging damage is reduced. - 特許庁

リアクタは、処理加工ガスを入れるため及び排気源に接続するように構成されたプラズマリアクタ室を含む。例文帳に追加

A reactor 10 contains a plasma reactor chamber 12 for being charged with treating working gas composed so as to be connected to an exhausting source 17. - 特許庁

異物の付着を抑制して、良好な加工形状を得ることのできるプラズマエッチング処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching system capable of obtaining a good machining profile by suppressing the adhesion of dust. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの排気孔周囲に面取り加工を施すことにより焼成工程や熱工程での基板の破損を減少させる。例文帳に追加

To reduce the breakdown of a substrate in a baking process and a heating process by performing the chamfering to the periphery of an air discharge hole of a plasma display panel. - 特許庁

プラズマアドレス表示装置において、加工性並びに寸法精度に優れた隔壁構造を提供する。例文帳に追加

To provide a barrier rib featured with processing characteristics and precise scaling in manufacturing a display device for a plasma address. - 特許庁

トーチ（５０２）からのプラズマ放電を用い、加工物（１１０）の表面に対して成形、平坦化、研磨、洗浄、及び材料を堆積させることができる。例文帳に追加

Plasma discharge from the torch (502) can be used to shape, planarize, polish, clean and/or deposit material on the surface of the workpiece (110). - 特許庁

光コネクタのファイバー端面の清浄装置用テープにおいて、該テープにプラズマ加工が施されていることを特徴とする清浄装置用テープ。例文帳に追加

The tape for a fiber end face cleaning device for an optical connector is characterized in that the tape is plasma-processed. - 特許庁

チャンバ内に置かれるタイプの全体に平坦な加工品に細長い特徴部分をプラズマエッチングするための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for plasma etching elongate features in a generally planar workpiece of a type located in a chamber. - 特許庁

プロセス・パラメータの分光評価を用いた加工品のプラズマ・コーティングのための方法および装置例文帳に追加

PROCESS AND APPARATUS FOR PLASMA COATING OF WORKPIECE USING SPECTRAL EVALUATION OF PROCESS PARAMETER - 特許庁

プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。例文帳に追加

To provide magnetic clips for use with a substrate holder for holding a substrate in a processing chamber of a plasma treatment system. - 特許庁

半導体ウェハのプラズマダイシング工法において、エッチングによる溝の加工形状のバラツキを抑制する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of suppressing processing shape variations caused by etching in a plasma dicing method for semiconductor wafers. - 特許庁

加工費を低減することができ、変形が生じにくい遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device with a hardly deformable shield plate attaining processing cost reduction. - 特許庁

切削材の有効利用を容易に図れるとともに、高精細に加工できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a plasma display panel in which effective utilization of blasting abrasive can be achieved easily, and which can be processed with high precision. - 特許庁

プラズマ処理装置で発生する被加工物の処理品質に悪影響を与える微小なアーク（ソフトアーク）を確実に検出する。例文帳に追加

To reliably detect a minute arc (soft arc) generated in a plasma treatment device and having an adverse effect on treatment quality of a workpiece. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルを点灯したとき、画像上に筋の無い画像が得られる、レーザ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser machining method capable of obtaining an unstriped image when a plasma display panel is turned on. - 特許庁

プラズマ加工のアーク遅れによりコーナ部にＲ形状が付くことを防止し、またコーナループ部による歩留まりの低下を減少する。例文帳に追加

To prevent a radiused shape from being formed at a corner part due to the arc delay of plasma machining, and to decrease the lowering of a yield caused by a corner loop part. - 特許庁

大口径ウエハの最エッジ部での加工不良を低減し、生産歩留まりを向上できるプラズマエッチング処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching processing method capable of reducing a work defect in the terminal edge of a large diameter wafer and raising production yield. - 特許庁

被加工物の表面に吸光物質を付着させ、該吸光物質を付着させた被加工物表面に向けてレーザーを照射して被加工物を加工する透明材料の加工方法において、加工により発生したプラズマにレーザーを吸収させながら加工を行う。例文帳に追加

In a method of machining for a work of a transparent material, by which method a light absorbing material is adhered on the surface of a work to be machined and the surface of the work to be machined on which the light absorbing material is adhered is irradiated with a laser beam, the machining is performed by making a plasma generated by the machining absorb the laser beam. - 特許庁

プラズマを用いて基体表面の成膜加工やドーピング加工などの処理を行うに際し、信頼性やメンテナンス性が高い構成で、金属イオンによって、基体表面を均一に表面処理することが可能なプラズマ処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for treating with plasma by which the surface of a base material can be uniformly treated by metal ions with a constitution having high reliability and high maintenance performance when a treatment such as film deposition processing or doping processing of the surface of the base material using plasma is performed. - 特許庁

熱切断加工機としてのプラズマ加工機１はワークテーブル３上のワークＷに対してキャリア７が前後方向に移動しトーチヘッド３３がキャリア７に左右方向に移動自在であり、プラズマトーチ３５がトーチヘッド３３に昇降自在である。例文帳に追加

Relating to a plasma cutting machine as a thermal cutting machine, a carrier 7 is moved back/forth for a work W on a work table, a torch head 33 is movable for the carrier 7 in a left/right direction, a plasma torch 35 is freely ascendable and descendable to the torch head 33. - 特許庁

高圧アシストガスで加工するレ−ザ加工において、プラズマ光発生による不良切断時に、単に切断速度を低下したり、軸を停止するのでなく、能動的にプラズマ光の発生を抑制して即座に不良切断をなくするようにする。例文帳に追加

To provide a laserprocessing method and device which not only decreases the cutting speed and stops the shaft but also positively prevent generation of plasma rays and eliminate a promptly defective cutting in a defective cutting due to generation of plasma rays in a laser processing device performing a laser processing on a work W with high pressure assist gas. - 特許庁

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece. - 特許庁

ヘッド電極１１からプラズマ原料ガスを噴出させ、ステージ１３とヘッド電極１１との間に交流電源１２により電圧をかけてプラズマ放電を起こさせつつ、ヘッド電極１１で被加工物（ガラス基板）１６上をスキャンしていくことにより被加工物（ガラス基板）１６のプラズマ処理を行う。例文帳に追加

While the plasma raw material gas is ejected from the head electrode 11 and a voltage is applied between the stage 13 and head electrode 11 from an AC power source 12 to generate a plasma discharge, a work (glass substrate) 16 has its top scanned by the head electrode 11 to be plasma-processed. - 特許庁

加工面が炭素を含む化合物薄膜１２で被覆された被加工物１１と工具電極１３の間に酸素を含むガスを供給しつつ、工具電極１３に電圧を印加することにより、被加工物１１と工具電極１３の間にプラズマ１６を発生させ、プラズマ１６から発生した酸素ラジカルにより加工面の化合物薄膜１２を加工するようにした。例文帳に追加

A plasma 16 is generated between a processed article 11 coated with a thin compound film with its processed face containing carbon and a tool electrode 13 by impressing voltage on the tool electrode 13 while supplying gas including oxygen between the processed article 11 and the tool electrode 13, and the thin compound film 12 on the processed face is processed with oxygen radical generated from the plasma 16. - 特許庁

ピアシングを行なう際に加工ワークの溶融金属の飛び散りによるノズルやシールドキャップの損傷を防止して、ピアシング可能板厚と切断可能板厚を同一にすることができ、容易かつ確実に加工してピアシングおよび切断加工を行なうことができるプラズマ加工方法およびプラズマ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma working method and a plasma working device in which a pierceable plate thickness and a cutable plate thickness can be made the same by preventing a nozzle and a shield cap from being damaged which is caused by scattering the melted metal of a worked work at the time of piercing, and by which piercing and cutting working can be performed easily and surely. - 特許庁

次に、加工電極３、４に対して高周波電源５より高周波電力の供給を行ってプラズマが発生させ、自己バイアス効果により、プラズマ中に存在する反応ガス中の荷電粒子を被加工物１の表面に衝突させ、また、ラジカルと被加工物１表面との化学反応により、被加工物１表面に物理化学的な表面加工を行う。例文帳に追加

Next, a high frequency electric power is fed to working electrodes 3 and 4 from a high frequency power source 5 to generate plasma, charged particles in a reaction gas present in the plasma are allowed to collide against the surface of the work 1 by self-bias effect, and the surface of the work 1 is subjected to physico-chemical surface treatment by the chemical reaction between the radical and the work 1. - 特許庁

反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。例文帳に追加

To perform the processing with high accuracy at a low cost even if the temperature profile of a workpiece changes to cause a change of the unit processing shape in a local processing, e.g. a reactive plasma etching, during which a large amount of heat is generated. - 特許庁

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２は、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによりデチャッキングされる。例文帳に追加

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece. - 特許庁

半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。例文帳に追加

When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly. - 特許庁

加工物１１０を処理するプラズマ反応器は、側壁およびシーリングによって画定される真空チャンバと、チャンバ内に加工物支持表面を有し、シーリングに面し、カソード電極を含む加工物支持用ペデスタルを含む。例文帳に追加

A plasma reactor for processing a workpiece 110 comprises: a vacuum chamber defined by a sidewall and a ceiling; and a workpiece support pedestal which has a workpiece support surface in the chamber, faces the ceiling, and includes a cathode electrode. - 特許庁

熱膨張係数が異なる複数の材料を積層してなるシート状の加工材料をドライエッチングするに際し、加工精度を高くできるようにしたプラズマ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma working apparatus of high working accuracy in achieving the dry etching of a sheet-like working material formed by laminating a plurality of material of different coefficient of thermal expansion. - 特許庁

その後、被加工物１を別の反応容器内に設置し、ここで、プラズマ中に存在するラジカルを被加工物１表面と化学反応させる化学的な表面加工を行う。例文帳に追加

After that, the work 1 is set inside another reaction vessel to execute chemical surface treatment for chemically reacting the radical present in the plasma with the surface of the work 1. - 特許庁

装置を変更することなくプラズマ処理とブラスト処理とを行い、加工効率、加工精度など生産性の高い加工が可能な処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a treatment device capable of executing processing high in productivity such as processing efficiency and processing accuracy by executing a plasma treatment and blasting without changing the device. - 特許庁

絶縁べ−ス材１の一方面の導体層３をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工で絶縁べ−ス材１に溝４を形成する。例文帳に追加

Grooves 4 are cut in an insulating base material 1 through a conductor layer 3 formed on the one surface of the insulating base material 1 as a mask through a laser process, a plasma etching process, or a wet etching process. - 特許庁

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process. - 特許庁

ピアス加工時におけるプラズマトーチ、機械本体等のスパッタによる損傷を防ぎ、厚板におけるピアス加工を可能にし、加工効率を向上する。例文帳に追加

To prevent damage due to spattering of a plasma torch, a machine main body, etc., in piercing, to enable piercing in a thick plate and to improve machining efficiency. - 特許庁

自由曲面のような複雑形状の光学部品や金型の加工などにおいて、高精度の形状精度、加工面粗さを実現できるプラズマ加工方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method and a device capable of realizing a high accuracy of form and roughness of a processed surface in processing of an optical component or a die of a complicated shape such as a free-form surface. - 特許庁

プラズマアドレス液晶表示装置の誘電膜に用いる薄板硝子を極薄加工する際に薄板硝子が破損しない様にエッチング加工する加工方法及びその薄板硝子を得る。例文帳に追加

To provide a method of working and a thin glass plate to be used for dielectric film for plasma address liquid display device, wherein the thin glass plate is etching worked for preventing it from breaking. - 特許庁

不要変形部が発生する被処理材料に対して加工を施す加工方法において、前記被処理材料にプラズマ処理、放電処理および衝撃波処理の少なくとも１つを施すことを特徴とする加工方法。例文帳に追加

In the machining method for machining a workpiece that leaves undesired deformed parts, at least one of a plasma treatment, a discharge treatment, and an impact wave treatment is applied to the workpiece. - 特許庁

終点検出装置１００は、プラズマ２０を用いて半導体基板３０に対して加工工程を遂行する間、加工工程をモニタリングし、加工工程の終点を検出する。例文帳に追加

An end point detecting device 100 monitors a working process and detects the end point of the working process while accomplishing the working process of a semiconductor substrate 30 by using a plasma 20. - 特許庁

片面を基板保持手段２０で保持される基板２１と、基板２１の穴加工位置２２にレーザビーム（レーザ）３１ａを照射して穴加工するレーザ照射手段３０と、穴加工位置２２にプラズマガスを供給するプラズマガス供給手段４０とからなることを特徴とするレーザ加工装置１。例文帳に追加

The laser beam machining device 1 consists of a board 21 whose one surface is held by a board holding means 20, a laser irradiation means 30 for drilling a hole by irradiating the hole drilling position 22 of the board 21 with a laser beam (laser) 31a and a plasma gas feeding means 40 for feeding gas to the position 22. - 特許庁

加工対象物の表面にアブレーション・プラズマを、加工対象物内部に応力ひずみ領域を発生させ、プラズマから発生する衝撃波を利用して、応力ひずみ領域内にクラックを成長させることで、短時間かつ高い分解能で加工対象物をレーザ加工する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of laser beam machining of a workpiece in a short time and with a high resolution, by generating ablation plasma on the surface of the workpiece, producing a stress deformation region inside the workpiece, and thereby growing a crack in that region using a shock wave from the plasma. - 特許庁

チャンバー内に収容した被処理体表面を、エッチング処理ガスプラズマによって加工するプラズマ処理装置において、このチャンバーのプラズマ生成雰囲気に曝される部位、このチャンバー内配設部材または部品の表面を、少なくとも、金属酸化物からなる多孔質層とその多孔質層上に形成された該金属酸化物の二次再結晶層とによって被覆する。例文帳に追加

In a plasma treatment device for treating the surface of a workpiece housed inside a chamber by etching treatment gas plasma, surfaces of a portion of the chamber which is exposed to plasma generation atmosphere, a member disposed inside the chamber or a component are coated at least with a porous layer consisting of metal oxide and a secondary recrystalline layer of the metal oxide formed on the porous layer. - 特許庁

多層膜をコーテイングした下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターン材料をプラズマ・ドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、プラズマ・ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温又はプラズマ・ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とする。例文帳に追加

Mask pattern material on a base substrate coated with a multilayer film, and reaction gas which is used when the mask pattern material is worked with plasma dry etching are so combined that at least one kind of reaction product formed when the plasma dry etching is performed becomes solid phase at a room temperature or a substrate temperature which is raised during the plasma dry etching. - 特許庁

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching. - 特許庁