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プラズマ加工の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 561



例文

光硬化性や解像度に優れ、高アスペクト比かつ高精度のパターン加工を可能にする感光性ペースト組成物及びそれを用いて所望の焼成物パターンを形成したプラズマディスプレイパネル(PDP)を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive paste composition superior in photocurability and resolution and capable of fabricating a pattern high in aspect ratio and precision and to provide a plasma display panel(PDP) having the desired calcined pattern formed by using this paste composition. - 特許庁

シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate. - 特許庁

この孔4を有する導体層1をマスク層としてレ−ザ−加工プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材2に孔5を形成する。例文帳に追加

Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method. - 特許庁

処理室2が所定の真空雰囲気に減圧され、CF系ガスを含む処理ガスが処理室2に導入されると、処理ガスがプラズマ化され、半導体ウエハ34に所望の微細加工が施される。例文帳に追加

When the treatment chamber 2 is depressurized to a specified vacuum atmosphere and treatment gas containing a CF gas is introduced, the treatment gas is made into plasma, and desired fine working is performed for a semiconductor wafer 34. - 特許庁

例文

C及びOを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたFe・Co・Ni等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for efficiently processing a magnetic film of Fe, Co, Ni or the like formed on a substrate and a nonvolatile metal containing those elements by plasma etching using gas containing C and O as constituents. - 特許庁


例文

フォトリソグラフィ工程などの微細配線加工技術を用いずに、設備費用等を抑え、プラズマディスプレイパネル製造時の低コスト化を実現する。例文帳に追加

To suppress facility cost or the like without using a fine wiring working technology such as a photo lithography process, thereby achieving cost reduction in manufacturing a plasma display panel. - 特許庁

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。例文帳に追加

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method. - 特許庁

巻取り式の真空処理装置をRF電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device, configured so that a substrate can be processed at relatively low cost while suppressing abnormal electrical discharge in application of a winding vacuum treatment device to a plasma processing device using RF power. - 特許庁

樹脂エッチングやプラズマエッチング手法によって絶縁べ−ス材の加工及びスル−ホ−ル導通部を形成する為の導通用穴を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a double-sided flexible circuit board, in which insulation base material can be machined and a conduction hole for making a through-hole conducting part can be formed preferably through resin etching or plasma etching method. - 特許庁

例文

抵抗変化素子の記憶部へのプラズマチャージングダメージや、加工による機械的な応力やダメージを防ぐ不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory device which prevents plasma charging damage to a memory unit of a resistance change element and damage and mechanical stress caused by processing, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

例文

周囲の温度変化に関係なく、常に位相変化量を一定に維持することができるとともに、非常に安価で省エネに対しても優れた位相調整方法及び位相調整装置及びプラズマ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a phase adjusting method, a phase adjusting apparatus, and a plasma processing apparatus which keep a phase change quantity constant at all the time regardless of a change in surrounding temperature, are extremely inexpensive and are superior even with respect to power saving. - 特許庁

セラミックス、ガラスまたは石英等の脆性材料からなる基材表面を、マスキング材またはメッシュを用いたマイクロブラスト加工により粗面化した後、該基材表面にプラズマ溶射法により溶射膜を形成する。例文帳に追加

A surface of a base material consisting of a brittle material such as a ceramic, a glass or a quartz is coarsened by the micro-blasting using a masking material or a mesh, and a spray deposit film is deposited on the surface of the base material by a plasma thermal spraying method. - 特許庁

腐食作用による損傷が少なく、かつ、その腐食生成物が環境汚染原因となって、半導体加工装置の品質低下、生産コストの増大を招くことのないプラズマ処理装置用部材を得る。例文帳に追加

To provide a member for a plasma treatment apparatus which is less damaged by the corrosion effect, and capable of preventing the degradation of the quality of a semi-conductor working device or any increase of the production cost caused by allowing corrosion product to serve as a cause of environmental pollution. - 特許庁

有機膜をエッチングするプラズマ処理において、エッチング特性および加工形状を劣化させることなく、被処理基板への異物の付着を抑制可能とすること。例文帳に追加

To suppress the attachment of foreign matters to a substrate to treat without deteriorating the etching properties in a plasma treatment to etch an organic film. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト法によりパターニングするに際し、サンドブラスト加工時に生じる静電気により欠陥を生じないようにする。例文帳に追加

To prevent generation of a defect due to static electricity generated at the time of sand blast when a rib of a plasma display panel is patterned by a sand blast method. - 特許庁

高エネルギーイオンによるウェハ等の被加工物のダメージを低減するとともに、高速度でより均一な成膜が可能になるプラズマ成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma film forming device by which the damage to an object to be worked such as a wafer caused by high energy ions is reduced, and furthermore, more uniform film formation at a high speed is made possible. - 特許庁

本発明の目的は、金属材料が含有する元素を制御することでバリの発生を抑制し、剪断加工性に優れたプラズマディスプレイパネルの格子状金属隔壁用帯鋼を提供するものである。例文帳に追加

To provide a steel strip for a grid-liked metallic partition of a plasma display panel superior in shearing properties, which hardly causes burr due to controlled elements contained in the metallic material. - 特許庁

プラズマ加工等による特殊な設備による表面処理を施さなくても、機能剤及びバインダーを長期間固着させることが可能なポリエステル繊維を提供すること。例文帳に追加

To provide a polyester fiber to which a functional agent and a binder can be adhered for long periods, even when a surface treatment using a special device for a plasma treatment or the like is not applied. - 特許庁

ダストのない清浄な雰囲気での処理を実現できて微細加工デバイスの歩留りを向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment apparatus whereby treatment in a dust-free clean atmosphere can be realized, and the yields of fine processing devices can be improved. - 特許庁

これにより、レーザ光Lが集光された被加工物WKの表面上には、極めて高圧なプラズマが極めて短時間に断続的に生じる。例文帳に追加

In this way, on the surface of the material WK to be worked gathered with the laser beam L, a plasma having the extremely high pressure is intermittently generated for extremely short time. - 特許庁

更に、全面に光照射6を行いエッチングマスク5aを形成しこれをエッチングマスクにして、プラズマを用いたドライエッチングにより絶縁体膜2をエッチング加工し絶縁体膜2に開口7を形成する。例文帳に追加

The whole area is photoirradiated 6 to form an etching mask 5a and the insulator film 2 is dry-etched with plasma through the etching mask to form an opening 7 in the insulator film 2. - 特許庁

プラズマCVD絶縁膜の加工性を均一化するとともに、薄膜トランジスタ特性(閾値など)への影響も均一し、薄膜トランジスタ特性(閾値など)を安定化させる。例文帳に追加

To provide a uniform workability of a plasma CVD insulating film and a uniform influence on a thin-film transistor characteristic (a threshold or the like) to stabilize the thin-film transistor characteristic (the threshold or the like). - 特許庁

切削材の噴出による切削加工における静電気の帯電を防止し安定した品質を提供するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a plasma display panel which provides stable quality by preventing charge of static electricity caused by ejection of a cutting material in cutting work. - 特許庁

プラズマ処理装置の被加工試料面のエッチング量またはエッチング残量モニタの高感度化(高精度化)と長期連続安定動作を両立して可能とする。例文帳に追加

To achieve a higher sensitivity (higher accuracy) and a long-time continuous stable operation of a monitor for monitoring an etched amount or a remaining quantity of etching of the plane of a workpiece in a plasma processing apparatus. - 特許庁

水晶振動片のような小型のワークを用いた場合であっても、ワークの縁部の角に面取り加工を個別にかつ効率的に施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma processing device which can apply a chamfering processing on the corner of an edge part of a workpiece individually and efficiently even if a small workpiece such as a crystal vibration chip is used. - 特許庁

半導体発光装置の製造コストを低減すると共に、プラズマ等を用いたときと異なり基板にストレスを与えない加工を実現する。例文帳に追加

To reduce the manufacturing cost of a semiconductor light emitting device and, at the same time, to realize such machining that does not give a stress to a substrate unlike in conventional machining using a plasma, etc. - 特許庁

エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method for increasing the etching selection ratio, while inhibiting cracks and breakdowns of a substrate or the like to be etched, and enabling a fine precise working and having a high aspect ratio with respect to an oxide material or the like. - 特許庁

マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method for forming an inclined structure to a machined plate which is a key point in manufacturing a micromachine, in a short time at a low cost with fewer processes. - 特許庁

二重構造の処理チャンバにおいて、内側チャンバ内の異物を低減でき、長期にわたり安定した微細加工が可能であるプラズマ処理装置とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing device capable of reducing foreign matters inside an inner side chamber and executing stable fine work over a long period of time in the processing chamber of a double structure. - 特許庁

次に、RIEやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板2の配線層4側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール7を形成する。例文帳に追加

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like. - 特許庁

切断不良の発生を自動的に検出して切断不良を防ぐことのできるプラズマ加工機における切断不良検出方法およびその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cutting defect detection method in a plasma machine to prevent a cutting defect by automatically detecting generation of a cutting defect and a device therefor. - 特許庁

水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma etching device for a crystal plate capable of efficiently working the plate in an ultra-thin manner and a method for manufacturing the plate as well as the crystal plate. - 特許庁

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット32の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。例文帳に追加

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step. - 特許庁

電極の寿命を的確に予想して最適の交換時期を求めることのできるプラズマ加工機における電極消耗のシュミレーション方法およびその装置をを提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for simulation of wear of electrode in a plasma arc cutting machine, by which the life of the electrode can be correctly predicted and an optimum exchange time can be acquired. - 特許庁

プラズマ反応装置は、加工時にウエハが配置される基台に対してほぼ垂直な高周波磁場を生み出すために、反応室に誘導結合された高周波電源(43)を備える。例文帳に追加

The plasma reactor comprises a high frequency power supply (43) inductively coupled to a reaction chamber to generate a high frequency magnetic field approximately vertical to a stand on which a wafer is mounted when treatment is conducted. - 特許庁

プラズマ処理やコロナ放電などの放電加工,紫外線等の光照射,酸化剤による酸化分解などの薬剤処理,親水性物質でのコーティング等を利用して埋設器具の表面を親水性処理する。例文帳に追加

The surface of an embedded implement is applied with a hydrophilic treatment by using a chemical processing such as electrical discharge machining such as plasma treatment, corona discharge, light radiation such as ultraviolet ray or the like, oxidation decomposition by an oxidizing agent, coating by hydrophilic material or the like. - 特許庁

ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method that decreases pattern difference and that performs uniform processings, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same, in a multilayered film containing a number of films having different gas permeabilities. - 特許庁

スペース幅が100nm以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less. - 特許庁

放出物により計算された経路に沿って加工物を横切ってプラズマを移動させることにより、所定の表面の生成を可能にする反応性化学種の安定且つ予測可能な分布が得られる。例文帳に追加

A stable and predicable distribution of the reactive chemical species capable of generation of a specific front surface can be obtained, by transferring a plasma that crosses the workpiece, along a passage calculated by the emitted material. - 特許庁

シールドリング,フォーカスリング等に用いられる,プラズマ処理装置用石英部材151に発生している,ダイアモンド研削後の多数のクラック155を,例えば粒度#320〜400の砥粒による表面加工を行って除去する。例文帳に追加

Many cracks 155 occurred in the quartz member 151 for plasma treatment device used for a shield ring, focus ring, etc., after diamond grinding are removed by polishing the surface of the member 151 with abrasive grains having a grain size of #320-400. - 特許庁

従来に比べてボーイングの発生を抑制することができ、より微細な加工を精度良く行うことのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method which can suppress the occurrence of bowing compared to a conventional method and can perform finer and accurate processing, and also to provide a control program and a computer storage medium. - 特許庁

プラズマを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)の製造技術に関し、微細パターンの加工においてもゲート絶縁膜の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damages to a gate insulating film even during a fine pattern process with respect to the manufacturing technology of an insulating gate field effect transistor (IGFET) using plasma. - 特許庁

室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。例文帳に追加

To appropriately control the temperature of a protective shield even in a plasma treatment device of, for instance, dry etching of a high aspect ratio or the like which processes a substrate by keeping the substrate at a relatively low temperature close to room temperature. - 特許庁

プラズマ切断トーチ100用の電極システムは、第1切断配列に設定されると共に薄い加工物を切断するのに適応した第1電極ホルダ150を備えている。例文帳に追加

An electrode system for a plasma torch 100 comprises a first electrode holder 150 which is configured in a first cutting arrangement and adapted to cut a thinner workpiece. - 特許庁

フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅3μm、高さ1.5μmのリッジ加工が可能となる。例文帳に追加

Use is made of gas in which ratio of carbon to fluorine is large, and selectivity to the resist is increased by using a high density plasma/large flow rate/high vacuum process, so that ridge working whose width is 3 μm and height is 1.5 μm is enabled. - 特許庁

容量結合プラズマリアクタにおいて、ウエハ支持体を均一な温度で冷却する加工速度の均一性向上をすることができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving uniformity of a processing speed for cooling a wafer supporter at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor. - 特許庁

プラズマジェット発生部11において、放電支援ガスは第1ガス供給口29から放電ガス通路25に供給され、ノズル27から加工ワーク17側に向けて噴出する。例文帳に追加

At the plasma jet generation part 11, discharge assisting gas is supplied from a first gas supply port 29 to a discharge gas passage 25, and jetted from a nozzle 27 toward the processed work 17. - 特許庁

長期間の使用でも帯状のパターンを高精度に成形することができ、微小な吐出孔を容易に加工することができる塗工装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a coating apparatus that is capable of precisely molding a belt-like pattern even in use for a long term and is capable of easily processing fine discharge apertures, and to provide a manufacturing method for a plasma display panel. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの障壁をサンドブラスト法によりパターニングするに際し、サンドブラスト加工時に生じる静電気により基板品質に悪影響を与えないようにする。例文帳に追加

To provide a sandblasting device to make patterning of a barrier of a plasma display panel whereby its base board is prevented from being ill influenced in the quality by the static electricity generated during the sandblasting process. - 特許庁

例文

本ディスプレイ用リアカバー100は、プラズマディスプレイパネル等の内部ユニットを外装するケース枠の背面側に取り付けられるものであって、矩形の金属板を所望の形状にプレス加工したものである。例文帳に追加

The rear cover 100 for display is used to be fitted to the back side of a case frame armoring an internal unit, such as a plasma display panel, and is formed by subjecting a metal plate of a rectangular shape to pressing into a desired shape. - 特許庁

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