「プラズマ加工」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a compact and inexpensive plasma treatment device capable of efficiently performing etching to a workpiece, and to provide a plasma treatment method capable of efficiently performing etching. - 特許庁

ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。例文帳に追加

The step of processing the object 10 may be conducted by dry etching using plasma containing oxygen since HSQ is hardly etched by oxygen plasma. - 特許庁

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for plasma processing where precision processing of fine pattern for a sample of large diameter is easy and the selective ratio in fine processing is improved. - 特許庁

基本構造で決まるプラズマエッチングパターンでは優れた加工均一性を得ることができない半導体デバイスを、優れた加工均一性でプラズマエッチングすることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method in which a semiconductor device, in which a working uniformity cannot be obtained in a plasma etching pattern determined by a basic structure can be etched by a plasma in the excellent working uniformity. - 特許庁

プラズマアークを用いて、所定の径（例えば加工ワーク板厚の約２倍以下の径）を有する小孔の切断を簡便に行なうことができるプラズマ加工方法を提供する。例文帳に追加

To easily cut a small hole having a prescribed diameter (for example, a diameter equal to or smaller than approximately 2 times a plate thickness of a work) by using a plasma arc. - 特許庁

真空ガス室にガスを注入した後、高周波電圧を印加するプラズマ加工装置において、高周波電圧の立ち上がり時におけるガスの異常反応を有効に防止し、安定したプラズマ加工作業を行う。例文帳に追加

To effectively prevent the abnormal reaction of gas at the time of the rising of high-frequency voltage in a plasma working device in which gas is blown into a vacuum gas chamber, and after that, high-frequency voltage is applied thereto and to execute stable plasma working operation. - 特許庁

高密度プラズマを細いノズルからジェット状に噴出させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工、表面処理を高速で行うプラズマジェット発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma jet generator which injects a high-density plasma in the form of jet from a fine nozzle to subject a local site of an article to be processed to a processing or surface treatment such as fusing, etching or thin film deposition at high speed. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for plasma treatment capable of easily making processing a fine pattern precisely on a workpiece of a large diameter and improving the selectivity in the fine processing, and also to provide a method of plasma treatment. - 特許庁

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus and a plasma treatment method capable of facilitating the fine processing of a fine pattern for a sample having a large diameter, and capable of improving a selection ratio at the time of the fine processing. - 特許庁

ドロップレットの捕集（堆積）除去作業が容易で、かつドロップレットのプラズマ加工部への混入を防止できて、基材（被処理物）に対する所望の表面処理が安定して可能なプラズマ加工法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma machining method easy to make the droplet capturing (depositing) and removing operations, capable of preventing droplet inclusion in the plasma machining part, and capable of making stable surface treatment of a base material (work to be treated). - 特許庁

レーザ加工時に発生したプラズマによる静電容量値の変化を低減し、正確で高精度のレーザ加工を安定して行うこと。例文帳に追加

To stably perform a laser beam machining accurately and precisely by decreasing a variation in an electrostatic capacity due to a plasma generated in the course of the laser beam machining. - 特許庁

レーザ加工装置及びその方法、及びプラズマディスプレイパネルにおける透明電極のレーザ加工装置及びその方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR LASER BEAM MACHINING AND DEVICE AND METHOD FOR LASER BEAM MACHINING OF TRANSPARENT ELECTRODE IN PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

ボッシュプロセスにより形成される加工形状を予測することができる、プラズマ加工形状シミュレーション装置及びプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processed shape simulating device and program capable of estimating a processed shape formed by the Bosch process. - 特許庁

ピアッシング中にプラズマが発生した場合でも、ピアッシング加工の完了検知を正確に行うことができるレーザ加工機を得ること。例文帳に追加

To obtain a laser beam machine by which the detection of the completion of piercing work is accurately performed even when plasma is generated during piercing. - 特許庁

エッチング加工や埋め込みにおいて精度の高い加工制御が可能なプラズマ生成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma generation method in which high processing control of a precision is possible in etching processing or padding. - 特許庁

特別なセンサを被加工物周辺のプラズマ中に挿入すること無く、被加工物近傍の電子密度と電子温度の情報を取得する。例文帳に追加

To acquire information on electron density and electron temperature in the vicinity of a work piece without inserting a specific sensor into plasma around the work piece. - 特許庁

単結晶ＡｌＮ基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method that can fast and evenly process a single crystal AlN substrate without causing damage to its surface. - 特許庁

微細かつ均一なエッチング加工を高速度で実施することができるプラズマ加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus capable of performing fine and uniform etching processing at a high speed. - 特許庁

感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、被加工基材の表面加工方法及びプラズマディスプレイパネルの背面板の製造方法例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, SURFACE FINISHING METHOD FOR SUBSTRATE TO BE PROCESSED AND METHOD FOR MANUFACTURING BACK PLATE OF PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

プラズマ処理室等の被加工物表面の粗面度を精度よく加工することができるブラスト処理技術を提供する。例文帳に追加

To provide blasting technology capable of processing a surface of a work piece in a plazma treatment chamber with high accuracy of roughness. - 特許庁

レーザ加工中における被加工物とレーザ加工ヘッドとの間に生じるプラズマを抑制して、被加工物の加工作業能率を向上することができるレーザ加工機におけるアシストガス供給装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device of supplying assist gas in a laser beam machining device in which the machining efficiency of a work is improved by suppressing a plasma generated between the work and a laser beam machining head during a laser beam machining. - 特許庁

低分子量炭化水素ガスの高濃度プラズマを発生させ、該放電プラズマに接するように被加工基材を設置し、該被加工基材の温度を２００℃以上に保持し、該被加工基材に１ｋＶ以上の正負又は負のパルス電圧を印加して前記被加工基材表面にｐ形伝導ＤＬＣ膜を製膜する。例文帳に追加

The temperature of the base material is kept at ≥200°C, the positive and negative or negative pulse voltage of ≥1 kV is applied to the base material to manufacture a p-type conduction DLC film on the surface of the base material. - 特許庁

本プラズマ処理システムの処理チャンバは、電力供給電極と接地板の間に一般的に配置されたプラズマ・キャビティを有するチャンバ蓋、プラズマ・キャビティから接地板で隔離された処理空間、および加工物を保持するための処理空間中の基板支持物を含む。例文帳に追加

The processing chamber of this plasma treatment system includes a chamber lid having a plasma cavity disposed generally between a powered electrode and a grounded plate, a processing space separated from the plasma cavity by the grounded plate, and a substrate support in the processing space for holding the workpiece. - 特許庁

裏面にセンサ素子が形成されたシリコン基板をプラズマエッチングにより加工する際、反応ガスやプラズマのシリコン基板裏面への回り込み、およびそれによるセンサ特性の悪化等を防止するプラズマエッチング治具を提供する。例文帳に追加

To provide a jig for plasma etching for preventing leakage of reaction gas or plasma to the rear surface of a silicon substrate at the time of matching the silicon substrate, having a sensor element formed on the rear surface by plasma etching. - 特許庁

このプラズマ反応器は，誘電体と柵状電極から成るプラズマ反応構造体を用いて，放電空間でプラズマ放電を所定の場所で所定の等間隔に安定して発生させ，しかも柵状電極の加工を容易にして製造コストを安価にする。例文帳に追加

To provide a plasma reactor stably generating plasma discharge in a discharge space at a predetermined place at specified even time intervals using a plasma reacting structural body comprising a dielectric and a palisade electrode, and in addition facilitating the fabrication of the palisade electrode to decrease the manufacturing cost. - 特許庁

石英ガラス２４にプラズマジェットガン１からプラズマジェット３１を照射し、表面加工する工程において、プラズマジェット３１と石英ガラス２４との反応による発光部３２をＣＣＤビデオカメラ２７で撮像する。例文帳に追加

In a step in which surface processing is conducted by irradiating a plasma jet 31 from a plasma jet gun 1 to quartz glass 24, light emitting portion 32 produced by a reaction of the plasma jet 31 with the quartz glass 24 is imaged with a CCD video camera 27. - 特許庁

このとき、ホロー放電プラズマＰｈによる深堀加工によって形成される基板１４の処理面１４ａの凹凸を、ホロー放電プラズマＰｈの外周部に形成されたグロー放電プラズマＰｇによってその凸部をエッチングすることから、高精度の基板を平坦化することができる。例文帳に追加

In this case, the protrusion of the irregularities formed on a processing face 14a of the substrate 14 by digging by the hollow discharge plasma Ph is etched by glow discharge plasma Pg formed in the outer periphery of the hollow discharge plasma Ph so that the highly precise substrate is flattened. - 特許庁

使用初期のパーティクル発生およびその後のチッピング発生を抑制したプラズマ処理装置用石英部材の加工方法，プラズマ処理装置用石英部材およびその石英部材が実装されたプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of working quartz member for plasma treatment device by which occurrence of particles in an initial stage and occurrence of chipping thereafter can be suppressed, and to provide a quartz member for plasma treatment device and a plasma treatment device mounted with the quartz member. - 特許庁

特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated. - 特許庁

加工ワークの板厚，材質，切断形状に応じてプラズマトーチに供給するプラズマメインガスまたはプラズマアシストガスの少なくともいずれか一方の流量または圧力を調整することができ、切断精度および切断品質の向上を図る。例文帳に追加

To enable an adjustment of a flow rate or a pressure of at least either a plasma main gas or a plasma assist gas supplied to a plasma torch depending on the thickness, material, and the cutting form of a work, and to improve cutting precision and cutting quality. - 特許庁

切断用のトーチ及びマーキング用のトーチ等の加工トーチを搭載したレーザー加工装置，プラズマ加工装置，ガス加工装置等の数値制御式の加工装置を休日や夜間であっても連続稼働し得るようにする。例文帳に追加

To operate a numerically controlled machine, such as a laser beam machine, plasma machine and gas machine with work torches for cutting, marking and the like, continuously even on holidays and in the night. - 特許庁

穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、 前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。例文帳に追加

The manufacturing method includes a hole-processing process to form the plurality of the through-holes by performing hole-processing and a spray process to form a sprayed film by performing a plasma spray treatment against a supply surface on the side facing to the plasma generation region after the hole-processing process. - 特許庁

プラズマトーチＡの形状寸法を、プラズマ炎１の最大発光点が分光器Ｂの集光レンズの焦点位置に合致するよう、設計加工する。例文帳に追加

The shape dimension of the plasma torch A is subjected to design processing so that the maximum emission point of the plasma torch A coincides with the focal position of the condenser lens of a spectroscope B. - 特許庁

加工性、機械的強度、プラズマ耐性、メンテナンス性に優れたシャワー板を採用することで生産性に優れたプラズマ処理装置、および特性の良好な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device having excellent productivity by adopting a shower plate excellent in processing, mechanical strength, plasma resistance and maintainability, and a semiconductor device having good characteristics. - 特許庁

プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of controlling the distribution of plasma density within a reaction chamber in the semiconductor manufacturing apparatus to uniformly form and process a film inside the surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

プラズマ溶接トーチ１は、被加工物５との間でメインアークを発生させる電極２と、電極２と内周面３ａとの間でパイロットアークを発生させるプラズマノズル３とを備える。例文帳に追加

The plasma welding torch 1 includes an electrode 2 generating a main arc between a workpiece 5 and itself, and a plasma nozzle 3 generating a pilot arc between the electrode 2 and an inner peripheral surface 3a. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を有する半導体素子のプラズマ処理の終点を高精度に検知して高精度加工を実現するプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method of achieving accurate processing of a semiconductor device with a high-k/metal structure by accurately detecting an end point of the plasma processing of the semiconductor device. - 特許庁

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process. - 特許庁

加工ツールの姿勢に対する制限やプラズマ発光部への位置合わせを行う必要がなく、高精度でプラズマのモニタが可能なレーザ溶接装置。例文帳に追加

To provide a laser beam welding apparatus with which plasma can be monitored with high accuracy without the need of limiting the attitude of a working tool and positioning to a plasma emitting part. - 特許庁

異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which variation in processing size can be reduced between different plasma processing apparatus, and to provide a power supply circuit, and a plasma processing apparatus. - 特許庁

水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma etching system of quartz crystal plates which is capable of efficiently and extremely thinly working the quartz crystal plates, and a plasma etching method. - 特許庁

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、プラズマの自己着火ができ、被加工物に対する電気的及び物理的ダメージを回避し、安定した処理速度を得ることができるマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a microwave-excited plasma treatment device capable of self igniting plasma under atmospheric pressure or near the atmospheric pressure, evading electrical and physical damage to a workpiece, and obtaining a stable treatment rate. - 特許庁

高温割れやアンダーカットのない高速溶接を実現することができるインサートチップ，これを用いるプラズマトーチおよびプラズマ加工装置を提供。例文帳に追加

To provide an insert chip materializing high-speed welding free of hot crack and undercut, and to provide a plasma torch and a plasma machining apparatus using the insert chip. - 特許庁

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part. - 特許庁