「下半」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

上半身（肩衣）と下半身（袴）のセットで、共布で作られた着物であることが命名の起源である。例文帳に追加

It is a kimono of which the upper-body (kamishimo) and the lower-body (hakama) together are a set made of the same fabric, thus this is how the kanji character name originated.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

上半身と下半身を分かつ一本のラインとなり、トータルコーディネートの上での重要なアクセントである。例文帳に追加

As obi appears a line separating the upper part and the lower part of the body, it makes an important accent for total coordinates.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

これらの資料から、男女ともに、上半身を覆う服と、下半身を覆う服の2つに分かれていたと推測されている。例文帳に追加

Based on the materials, it is supposed that clothes for both female and male were separated into two parts for the upper half of the body and the lower half of the body.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

最近では、祭の時などに半天（半纏、袢纏、法被）の下に使用することが多い（締め込みとしてふんどしを兼ねる場合もある）。例文帳に追加

Recently, at festivals, it is worn under a hanten or a happi (a short coat originally for craftsmen worn over a kimono), and some males use it as loincloth.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

経済は、２００２年上半期において緩やかな回復を経験したが、本年下半期においても徐々に加速することが期待される。例文帳に追加

Economic activity experienced a gradual recovery in the first half of 2002 and economic growth is expected to accelerate gradually in the second half of this year.  - 財務省

複数のトレンチは、半導体層の上面から下方に延びるように半導体層中に形成されている。例文帳に追加

The plurality of trenches are formed in the semiconductor layer so as to extend downwardly from the top surface of the semiconductor layer. - 特許庁

第１酸化物半導体層下にボトムゲート電極が更に備えられ、第１酸化物半導体層は多層構造を有することができる。例文帳に追加

Furthermore, a bottom gate electrode is provided under the first oxide semiconductor layer, and the first oxide semiconductor layer may has a multilayer structure. - 特許庁

量子ドット１は直接遷移型半導体の微結晶で、励起子ボーア半径ａ_B^＊の４倍以下の大きさとする。例文帳に追加

The quantum dot 1 is a microcrystal of direct gap semiconductor, and not larger than four times of exciton Bohr radius a_B^*. - 特許庁

その結果、半導体ウエハ２１の下面全体が上面３２ｂに吸着され、半導体ウエハ２１は平坦になる。例文帳に追加

Consequently, the entire bottom face of the semiconductor wafer 21 is sucked by the top face 32b and thereby the semiconductor wafer 21 becomes flat. - 特許庁

このゴルフボール２は、赤道１６よりも上の北半球Ｎと、赤道１６よりも下の南半球Ｓとからなる。例文帳に追加

This golf ball 2 comprises a northern hemisphere N positioned in the upper part of an equator 16 and a southern hemisphere S positioned in the lower part of the equator 16. - 特許庁

発振波長が５００ｎｍ以下の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の耐久性を向上させる。例文帳に追加

To enhance the durability of a semiconductor laser device using a semiconductor laser element having an oscillation wavelength of 500 nm or less. - 特許庁

半導体チップ３とリード４とはオーバーラップしており、各リード４はその一部が半導体チップ３の下方に位置している。例文帳に追加

The semiconductor chip 3 and the leads 4 overlap each other, and a part of each lead 4 is located on the lower side of the semiconductor chip 3. - 特許庁

半導体素子自体の最高温度を低下させることのできる接触電極を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a contact electrode capable of reducing the highest temperature of a semiconductor element itself. - 特許庁

半導体下層の上に、電子障壁層に挟まれた量子井戸層を有する半導体上層を備えている。例文帳に追加

A semiconductor upper layer having a quantum well layer sandwiched between electron barrier layers is formed on the semiconductor lower layer. - 特許庁

半導体ウェハＷに波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、半導体ウェハに付着した有機物を分解する。例文帳に追加

The semiconductor wafer W is irradiated with UV-rays, having a wavelength of 200 nm or shorter, in order to decompose organic substances adhering thereto. - 特許庁

このモデル化したメガセル６０を半導体集積回路内のメガセルとして付与した後に、この半導体集積回路の電圧降下解析を行う。例文帳に追加

The modelized megacell 60 is applied as the megacell in the semiconductor integrated circuit, and then the voltage drop of the semiconductor integrated circuit is analyzed. - 特許庁

このレーザ照射によって、半導体膜を加熱せずに基板と半導体膜の接着力を低下させることができる。例文帳に追加

This laser irradiation is capable of deteriorating the adhesion force of the substrate and the semiconductor film without heating the semiconductor film. - 特許庁

複数の電極と下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層とを備える有機半導体トランジスタ。例文帳に追加

This organic semiconductor transistor includes a plurality of electrodes and an organic semiconductor layer containing at least one kind of compound represented by general formula (I). - 特許庁

ゴルフボール１４は、赤道Ｅｑよりも上の北半球Ｎと、赤道Ｅｑよりも下の南半球Ｓとからなる。例文帳に追加

The golf ball 14 has a northern hemisphere N above an equatorial line Eq and a southern hemisphere S below the equatorial line Eq. - 特許庁

窒化物半導体２２を含む窒化物半導体基板１０には、以下の（１）の転位集中領域２４、および（２）の低転位領域が含まれている。例文帳に追加

The nitride semiconductor substrate 10 containing a nitride semiconductor 22 comprises a dislocation concentrated region 24 of the following (1), and a low dislocation region of (2). - 特許庁

レーザーで切断されるヒューズの下方に半導体素子を配置することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein a semiconductor element can be arranged below a fuse which is cut by laser. - 特許庁

半導体デバイスは上側或いは下側表面上にコンタクト領域を有する半導体チップを備える。例文帳に追加

A semiconductor device includes a semiconductor chip having contact regions on an upper or a bottom surface. - 特許庁

性能指数Ｑを向上させるために半導体基板２に赤燐（Ｐ）をイオン注入して、半導体基板２の比抵抗を下げる。例文帳に追加

For improving the performance index Q, red phosphorus (P) is ion-implanted to the semiconductor substrate 2 and specific resistance of the semiconductor substrate 2 is dropped. - 特許庁

第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14. - 特許庁

また、該半導体ナノ粒子蛍光体において、半導体ナノ粒子蛍光体の発光ピーク波長は、５０７ｎｍ以上５５５ｎｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

A preferable light emission peak wavelength of the semiconductor nanoparticle phosphor is 507-555 nm. - 特許庁

実装基板に複数の半導体デバイスを搭載した半導体装置において配線インピーダンスを下げ、短配線化する。例文帳に追加

To realize short wiring by lowering wiring impedance in a semiconductor device wherein a plurality of semiconductor devices are mounted on a packaging substrate. - 特許庁

半導体レーザの波長の長短にかかわらず、色収差による結合効率の低下が発生しない半導体レーザ装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser in which the deterioration of a coupling efficiency due to chromatic aberration does not occur regardless the wavelength of the semiconductor laser. - 特許庁

ニッケル板片１１０は、半田メッキがなされていないものであり、下面１１０ｂは、半田メッキ膜を有していず、ニッケルの地肌である。例文帳に追加

As for a nickel board piece 110; solder plating is not carried out, and an undersurface 110b does not have a solder plating film only with a nickel background. - 特許庁

半導体レーザの立ち下がり応答性が向上された電子写真装置の半導体レーザ制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser control device of a electro photographic apparatus capable of improving a falling responsiveness of the semiconductor laser. - 特許庁

第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。例文帳に追加

The first semiconductor layer is formed above a silicon substrate via a substrate layer, contains a nitride semiconductor, and has a first conductivity type. - 特許庁

有機半導体の特性低下を招くことなく、ポリシルセスキオキサン薄膜に有機半導体膜を均一に製膜する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of uniformly forming an organic semiconductor film to a polysilsesquioxane thin film without incurring a deterioration in the characteristic of an organic semiconductor. - 特許庁

スタンププレート２０をクリーム半田に浸漬して、下面に形成された凹部２４Ａ、２４Ｂにクリーム半田３Ａ、３Ｂを充填する。例文帳に追加

The cream solders 3A, 3B are filled in recesses 24A, 24B formed on the lower face while immersing a stamp plate 20 into the cream solder. - 特許庁

化合物半導体基板１００は、下地基板１１０上にバッファ層１１１を介して形成された第１化合物半導体層１を備えている。例文帳に追加

The compound semiconductor substrate 100 includes a first compound semiconductor layer 1 formed on an underlying substrate 110 via a buffer layer 111. - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

第１発光領域Ａ１では、第１半導体下地層１４１と、その上に積層された第１半導体発光層１５１とが設けられている。例文帳に追加

The first light-emitting region A1 includes a first semiconductor base layer 141 and a first semiconductor light-emitting layer 151 stacked on the first semiconductor base layer 141. - 特許庁

半導体装置における配線部材１の中継基板７の下面に略半球状の凸部１０が形成されている。例文帳に追加

A projection 10 in nearly hemispherical shape is formed on the lower surface of a relay board 7 of a wiring member 1 in the semiconductor device. - 特許庁

半導体装置は、基板１と、半導体膜と、下層絶縁膜９と、上層絶縁膜１０ａ〜１０ｅと、ゲート電極１１ａ〜１１ｄとを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a substrate 1, a semiconductor film, a lower-layer insulation film 9, upper-layer insulation films 10a-10e, and gate electrodes 11a-11d. - 特許庁

リードフレーム２の下面２ａには、第１の半導体素子と第２の半導体素子とが順に積層されている。例文帳に追加

On the lower surface 2a of the lead frame 2, a first semiconductor element and a second semiconductor element are successively laminated. - 特許庁

半導体基板上に有機絶縁膜を形成する半導体チップで、実装時に歩留りが低下しないようにする。例文帳に追加

To prevent reduction in yield, when mounting a semiconductor chip forward by forming an organic insulation film on a semiconductor substrate. - 特許庁

この構成によると、半導体ウエハをその下面で支持することができ、半導体ウエハやウエハ支持具の損傷を有意に防止することができる。例文帳に追加

By this, the semiconductor wafer can be supported on its lower surface, thus significantly preventing the semiconductor wafer and wafer support tool from being damaged. - 特許庁

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。例文帳に追加

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer. - 特許庁

ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。例文帳に追加

The gate insulating film 12 has a taper whose film thickness is gradually thinned from an edge of the semiconductor film 15 under the semiconductor film 15. - 特許庁

吸湿環境下においても所定の導電性を確保し得る半田製導電体を実現する材料としての半田ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide solder paste used as a material for a solder-made electric conductor capable of ensuring prescribed conductivity even under a hygroscopic environment. - 特許庁

半導体基板１０の上面に、半導体基板１０の上面から下面に向かって延伸するトレンチ溝１０ａを形成する。例文帳に追加

A trench 10a, extending from the upper surface of a semiconductor substrate 10 to its lower surface, is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

第１の電極は第１の半導体層下面に設けられ、絶縁層は第３の半導体層上に一定の間隔を置いて複数形成される。例文帳に追加

The first electrode is provided on an under surface of the first semiconductor layer, and a plurality of insulating layers are formed on the third semiconductor layer at constant intervals. - 特許庁