「中間層板」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

配線基板１０の中間層に熱拡散用のメタルプレート１１を設け、更に、このメタルプレートと同一の層に突起型端子１２を設ける。例文帳に追加

A metal plate 11 for thermal diffusion is placed on an intermediate layer of the wiring board 10, and a protrusion type terminal 12 is, further, placed on an layer identical to the metal plate. - 特許庁

電子部品２を含む基板１０は、コア基板１上に配置された電子部品２を囲む炭素繊維を含む樹脂を含む中間層３を備えたことを特徴する。例文帳に追加

The board 10 including the electronic component 2 includes an intermediate layer 3 that includes resin containing carbon fibers that surrounds the electronic component 2 arranged on a core board 1. - 特許庁

基板配置工程では、ＧａＮ基板１０を、炭化珪素（ＳｉＣ）を含む表面層を有するサセプタ４上に、炭化珪素とは異なる材料からなる中間部材１２を介して配置する。例文帳に追加

In the substrate disposing step, the GaN substrate 10 is disposed on a susceptor 4, having a surface layer containing silicon carbide (SiC) via an intermediate member 12 made of a material different from the silicon carbide. - 特許庁

合わせガラス１１は、樹脂中間膜としての樹脂フィルム１２を介して未強化のホウ珪酸ガラス板１３と、未強化のガラス板１４とが積層されている。例文帳に追加

This laminated glass 11 is constituted of an untoughened borosilicate glass plate 13 and an untoughened glass plate 14 laminated through a resin film 12 as a resin interlayer film. - 特許庁

Ａｌを３〜１０％含有している金属基板１を使用し、金属基板１の上にＡｌを主成分とする第１の中間層２を熱による拡散により形成する。例文帳に追加

A metal substrate containing 3 to 10% Al is used, and a first intermediate layer 2 containing Al as a chief ingredient is formed on the metal substrate 1 with diffusion by heat. - 特許庁

中間層は、第一導気板と第二導気板間に設置され、第一溝中を流動する気体及び第二溝中を流動する気体を隔離し、第二溝中を流動する気体中の水分を第一溝に送るのに用いられる。例文帳に追加

The middle layer, set between the first air guide board and the second air guide board, separates gas flowing in the first grooves and gas flowing in the second grooves, and is used for sending moisture in the flowing gas in the second grooves to the first grooves. - 特許庁

シリコン基板上へ厚膜レジストを塗布する方法であって、塗布するシリコン基板面と厚膜レジストとの間に中間層を設ける工程を有するようにした。例文帳に追加

This method of painting a thick film resist on a silicon substrate has a process of installing a middle layer between a silicon substrate plane and a thick film resist. - 特許庁

このろう付後、放熱フィン形成部材８をその高さ方向の中間部で切断することにより、放熱基板２、絶縁基板３、配線層５および放熱フィン４からなる２つのパワーモジュール用ベースを同時に製造する。例文帳に追加

After the brazing, the heat radiation fin formation member 8 is cut at the middle in its height direction; thus simultaneously manufacturing two bases for power modules comprising the heat radiation substrates 2, the insulating substrate 3, the wiring layer 5, and a radiating fin 4. - 特許庁

後方基板１と前方基板２との間に多数の細孔６を形成した中間層３が挟み込まれ、細孔６内には液晶８が充填されている。例文帳に追加

An intermediate layer 3 having many pores 6 formed is sandwiched between a rear substrate 1 and a front substrate 2 and the pores 6 are filled with liquid crystals 8. - 特許庁

このとき、接合機能中間層２８の材料は、第１基板１１の主成分と異なり、第２基板１２の主成分と異なり、酸化物あるいはフッ化物あるいは窒化物のうちの光透過性を有する材料から選択される。例文帳に追加

In this case, a selected material for the bonding intermediate layer 28 is an oxide, fluoride or nitride material having light transmissive property, different from the main constituent of the first substrate 11 and from the main constituent of the second substrate 12. - 特許庁

光電気混載基板１０では、中間層４の上面の表面粗さが、下面の表面粗さより小さくなっており、回路基板１１の上面の凹凸が光導波路６に反映され難い。例文帳に追加

On the optical/electrical hybrid substrate 10, the surface roughness of the upper face of the intermediate layer 4 is smaller than the surface roughness of the lower face, the irregularity of the upper face of the substrate 11 is hardly reflected in the optical waveguide 6. - 特許庁

所定の基板１１上又は該基板上に必要に応じて形成した中間層上に、非晶質のSiO_xC_y（ｘ≧0、ｙ≧0、ｘ＋ｙ＝2）薄膜１３を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The amorphous SiO_xC_y (x≥0, y≥0, and x+y=2) thin film 13 is formed on a designated substrate 11 or on an intermediate layer formed on the substrate 11 as the need arises. - 特許庁

格子１１またはジョイント部材１２と板ガラス２との間には、１箇所以上にゲル状の中間体５が配設され、格子１１またはジョイント部材１２と板ガラス２との接触が防止されている格子入り複層ガラス。例文帳に追加

A multiple glass involving a lattice, in which the gelatinous spacer material 5 is arranged between the plate glass 2 and the lattice 11 or the joint material 12 in more than one point in order to prevent the contact between 2 and 11 or 12. - 特許庁

高耐食金属板の端部をシール樹脂によって覆うことによって、高耐食金属板と中間樹脂接着剤層との水中での接着劣化進展を防止することが出来る金属防食被覆鋼材を提供すること。例文帳に追加

To provide a metal corrosionproof coated steel material capable of preventing the development of the bonding deterioration of a high corrosion- resistant metal plate and an intermediate resin adhesive layer in water, by coating the edges of the high corrosion-resistant metal plate with a seal resin. - 特許庁

水晶振動片１３と外枠１４とを一体に形成した中間水晶振動板２の上下面にそれぞれ上側及び下側基板３，４を積層し、気密に接合して水晶振動片を封止する。例文帳に追加

Upper and lower substrates 3, 4 are stacked on upper and lower faces of an intermediate crystal vibration plate 2 obtained by integrally forming the crystal vibration piece 13 and the outer frame 14 and air-tightly joined to seal the crystal vibration piece. - 特許庁

基板表面が異種基板１のため、ボイドを有する中間層２の歪み吸収効果が大きくなり、高品質で大口径の窒化物半導体エピタキシャルウェハが得られる。例文帳に追加

Thus, as the surface of the substrate 1 is the foreign substrate, and further the effect of absorbing deformation given by the intermediate layer 2 including the voids is large, a large diameter nitride semiconductor epitaxial wafer can be obtained. - 特許庁

本発明の配線基板の中間製品１０は、コア基板とビルドアップ層とを備え、その平面構造は製品形成領域Ｒ１と、この製品形成領域Ｒ１を取り囲む製品外領域Ｒ２とに区分されている。例文帳に追加

An intermediate product 10 of a wiring board in the present invention comprises a core board and a build-up layer, and its planar structure is divided into a product formation region R1 and a region R2 outside products surrounding the product formation region R1. - 特許庁

乗り物用移動体の内部に設置された乗り物用灯具のカバー体であって、中間膜３を介して２枚のガラス板１，２が接合されたガラス積層板１０を備えてなる乗り物用灯具のカバー体である。例文帳に追加

The cover body for the vehicular lighting fixture installed in the vehicular moving body comprises a glass laminated plate 10 with two glass plates 1, 2 joined through an interlayer 3. - 特許庁

中間層の穴は内壁に金属パターンを形成してあり、下面を金属板２０２、上面を誘電体基板２０４の接地パターンで閉じられた空洞２０８となる。例文帳に追加

The hole of the middle layer is set to a cavity 208 where a metal pattern is formed on an internal wall, and upper and lower surfaces are closed by the metal plate 202 and the ground pattern of the dielectric substrate 204, respectively. - 特許庁

乗り物用移動体の内部に設置された表示パネルの前面カバー体であって、中間膜を介して２枚のガラス板が接合されたガラス積層板を備えてなる表示パネルの前面カバー体である。例文帳に追加

The front cover of a display panel installed inside a mobile object for vehicle includes a glass laminated sheet including two glass sheets bonded via an intermediate film. - 特許庁

銅または銅合金を主成分とする金属基板に、活性金属を主成分とする中間層を介して金属化合物単結晶を主成分とする単結晶基板を接合してなる金属−単結晶複合体を用いる。例文帳に追加

The metal-single crystal complex is constituted of a single crystal substrate composed of the principal constituent of a metal compound single crystal jointed to a metal substrate composed of the principal constituent of copper or a copper alloy through an intermediate layer composed of the principal constituent of an active metal. - 特許庁

このとき，バンド３を，粘着材フィルムと中間板２とが対面するように，また，樹脂フィルムと内層板１とが対面するように配置する。例文帳に追加

At this time, the bands 3 are arranged so that the pressure-sensitive adhesive films and the intermediate sheets 2 are opposed mutually and the resin films and the inner layer sheets 1 are opposed mutually. - 特許庁

さらに上記第１の平板状ガラス１０のアンテナパターンを設けた側に中間層５０を挟んで第２の平板状ガラス２０を貼り合わせる。例文帳に追加

Second plate-shaped glass 20 is stuck together on the side, in which the antenna pattern of the first plate-shaped glass 10 is mounted, while holding an intermediate layer 50. - 特許庁

透明基板３０の前面３０Ａには、光Ｌの波長域における屈折率が透明基板３０の屈折率よりも低い中間層４０を設けて、光Ｌを全反射させる。例文帳に追加

On a front face 30A of the transparent substrate 30, an intermediate layer 40 having a lower refractive index in a wavelength region of the light L than the transparent substrate 30 is provided for totally reflecting the light L. - 特許庁

電磁鋼板を窓枠状の平面形状に、例えばプレス等で打ち抜き、ヨーク素片１１とし、このヨーク素片１１を所定数板厚方向に積層し、所定厚みを持つ窓枠状のヨーク中間体１３を形成する。例文帳に追加

Elemental yoke pieces 11 are obtained by punching a magnetic steel sheet in a window frame-like flat shape by means of, for example, a press, etc. - 特許庁

このとき，バンド３を，粘着材フィルムと中間板２とが対面するように，また，樹脂フィルムと内層板１とが対面するように配置する。例文帳に追加

At this time, the bands 3 are arranged so that the pressure-sensitive adhesive film and the intermediate sheet 2 are opposed mutually and the resin films and the inner layer sheets 1 are opposed mutually. - 特許庁

水晶振動片と外枠とを一体に形成した中間水晶板の上下面に上下基板を一体に接合した水晶振動子をより一層小型化しかつ発振抵抗を少なくして振動特性を向上させる。例文帳に追加

To improve an oscillation property by further reducing the size of a crystal oscillator obtained by integrally joining upper and lower substrates to upper and lower faces of an intermediate crystal plate obtained by integrally forming a crystal vibration piece and an outer frame, and by reducing oscillation resistance. - 特許庁

厚さ３００μｍのサファイア基板１上に、厚さ１００ｎｍのＳｉ薄膜２を形成し、基板温度１０００℃で，Ｓｉ薄膜２上に厚さ２００ｎｍのＡｌＮ中間層３を結晶成長する。例文帳に追加

An Si thin film 2 of thickness 100 nm is formed on a sapphire substrate 1 of thickness 300 μm, and an AlN intermediate layer 3 of thickness 200 nm is grown in crystal on the Si thin film 2 at a substrate temperature of 1000°C. - 特許庁

中間層による界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制することができるプリント配線板、プリント配線板の製造方法およびその製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a printed wiring board and manufacturing method and apparatus thereof capable of improving the barrier effect of an interface due to an intermediate layer, and suppressing the adhesion degradation due to a thermal load. - 特許庁

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。例文帳に追加

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride. - 特許庁

ダイオード１０は、半導体基板１２０と、埋込み絶縁膜１３０と、半導体層１４０を積層したＳＯＩ基板を備えており、その半導体層１４０に裏面部半導体領域１６０、中間部半導体領域１５３及び表面部半導体領域１５４を有している。例文帳に追加

A diode 10 comprises a semiconductor substrate 120, an embedded insulating film 130, the SOI substrate laminating a semiconductor layer 140, a rear surface semiconductor region 160 on the semiconductor layer 140, and an intermediate semiconductor region 153 and a front surface semiconductor region 154. - 特許庁

窒化アルミニウム基板１上に酸化珪素または珪素から成る中間層２を介在させて、水酸基またはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層３とした有機系の光導波路を形成した光導波路基板である。例文帳に追加

This optical waveguide substrate is constituted by forming the optical waveguide of the organic system having a layer consisting of an organic optical material having a hydroxyl group or alkyl group as a lower clad layer 3 on the aluminum oxide substrate 1 via an intermediate layer 2 consisting of silicon nitride or silicon interposed therebetween. - 特許庁

定着部材が、基板１４と、選択的に用いられる中間接着層１５と、この上に積層された、主鎖骨格に共有結合で結合しているペンダント型炭化水素鎖を有するハロエラストマー外側層１７と、前記基板１４に関連した加熱部材とを備える。例文帳に追加

The fixing member has a substrate 14, a selectively used intermediate adhesive layer 15, a haloelastomer outer layer 17 formed thereon and having pendant hydrocarbon chains bonded by covalent bonds to the main chain structure, and a heating member relating to the substrate 14. - 特許庁

これにより、これらの中間板８を介して、各積層体２１に均等に熱を伝達することができ、熱板４、５の近くに配された積層体２１Ａと遠くに配された積層体２１Ｂとの熱の伝達に時間差が生じることがない。例文帳に追加

By this setup, heat can be uniformly transmitted to the laminates 21 through the intermediary of the intermediate plates 8, so that a time difference hardly occurs in heat transfer between the laminate 21A located close to the hot plates 4 and 5 and the laminate 21B located distant from the hot plates 4 and 5. - 特許庁

基板１と、基板１上に備わった発光素子４と、発光素子４の外側に位置し、発光素子４から放出される光を共振させる光共振層２と、光共振層２と発光素子４との間に介在される中間層３とを備える発光装置である。例文帳に追加

The light emitting device is provided with a substrate 1, a light emitting element 4 provided on the substrate 1, a light resonance layer 2 which is located on the outside of the light emitting element 4 and resonates the light emitted from the light emitting element 4, and an intermediate layer 3 interposed between the light resonance layer 2 and the light emitting layer 4. - 特許庁

中間層５１に対する、情報部を構成する凹凸パターンの形成工程を、互いに内径が相違するセンターホール４１、４２を有する、光情報記録層が積層されるディスク基板１と、転写凹凸パターンを有する転写基板３とを用意し、これらの位置設定を行う。例文帳に追加

In a forming process of an irregular pattern constituting an information part for an intermediate layer 51, a disk substrate 1 on which optical information recording layers having center holes 41, 42 whose inner diameter is different each other are laminated and a transfer substrate 3 having a transfer irregular pattern is provided, and position setting of these substrates is performed. - 特許庁

組立工程は、ゴム板５１および中間鋼板５２を、吸着パッド１９Ａ、１９Ｂでターンテーブル１６に固定された下型４へ交互に積層させ、この積層タイミングに呼応させて搬送ロボット１８で一対の分割リング部材２０を積層させる。例文帳に追加

In an assembling process, rubber plates 51 and intermediate steel plates 52 are laminated alternately on a lower mold 4 fixed on a turntable by suction pads 19A, 19B, and split ring members 20 of a pair are laminated by a conveying robot 18 corresponding to the lamination timing. - 特許庁

板状無機顔料を含むバックコート層（板状無機顔料含有層）１８を非磁性の支持体１２の上に形成し、支持体１２及びバックコート層１８を有する中間製品１０を少なくとも１対の金属ロール２２Ａ、２２Ｂで挟んでカレンダ加工する。例文帳に追加

This method forms a back coat layer (flat layer containing inorganic pigment) 18 containing flat inorganic pigment on a nonmagnetic base 12, then calenders the intermediate product 10 having a base 12 and a back coat layer 18 pinching it at least between a pair of metal rolls 22A, 22B. - 特許庁

詳しくは、板材３は厚み方向に積層され、ナノワイヤ１１は上下の板材３の母材７から中間の金属層５に向けて突出するので、各金属層５は、上下のナノワイヤ１１同士が当接しない様な厚みに設定されている。例文帳に追加

Specifically, since plate materials 3 are laminated in a thickness direction and the nano-wires 11 protrude from the base materials 7 of the top and bottom plate materials 3 toward an intermediate metal layer 5, each metal layer 5 has a thickness set so that the upper and lower nano-wires 11 may not abut on each other. - 特許庁

二酸化シリコンの中間層４１を挟むシリコン基板４２及び単結晶シリコンのデバイス層４３からなる基板３１にマスク材層４４を形成し（図１０Ａ）、これをパターニングし、目的とする光デバイスの平面形状と同一パターンのマスク４５を形成する。例文帳に追加

A masking material layer 44 is formed on a substrate 31 which is composed of a silicon substrate 42 and a single crystal silicon device layer 43 interposing an intermediate layer 41 of silicon dioxide (Fig. A), the masking material layer 44 is patterned, a mask 45 is formed having a pattern which is the same as the flat figure of an object optical device. - 特許庁

二酸化シリコンの中間層４１を挟むシリコン基板４２及び単結晶シリコンのデバイス層４３からなる基板３１にマスク材層４４を形成し（図１０Ａ）、これをパターニングし、目的とする光デバイスの平面形状と同一パターンのマスク４５を形成する。例文帳に追加

A mask material layer 44 is formed on a substrate 31 composed of a silicon substrate 42 and a monocrystalline silicon device layer 43 interposing an internal layer 41 of silicon dioxide therebetween (Fig. A), and a mask 45 having the same pattern of the flat shape of a target optical device is formed by patterning the mask material layer 44. - 特許庁

回路基板１０の中間層は、グラウンドパターンを略一面に形成したベタグラウンド層であり、回路基板１０の表面層に取り付けたＵＳＢコネクタ２、およびＤＳＰ３とを接続する信号線Ｄ＋、Ｄ−を形成している。例文帳に追加

The intermediate layer of a circuit board 10 is a beta-ground layer almost on whose whole face a ground pattern is formed, and signal lines D+ and D- connecting a USB connector 2 and a DSP 3 mounted on the surface layer of the circuit board 10 are formed. - 特許庁

半導体発光素子１は、サファイアからなる基板１１０と、窒化珪素からなり基板１１０に島状に形成される複数の突起１１５と、基板１１０および複数の突起１１５に積層される中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a substrate 110 formed of sapphire; a plurality of projections 115 formed of silicon nitride and each formed on the substrate 110 in an island-like shape; an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110 and the plurality of projections 115; a base layer 130; an n-type semiconductor layer 140; a luminescent layer 150; and a p-type semiconductor layer 160. - 特許庁

そして、これら外側遮蔽板７と内側遮蔽板８との間、すなわち換気ルーバ１の中間層である通気路１１上に、回転軸１２ａの外周面に３枚の湾曲した羽板１２ｂを放射状に取付けた旋回羽板１２を上記遮蔽板７，８の全長に渡って複数取り付ける。例文帳に追加

A plurality of revolving wings 12 radially mounting three curved wings 12b to the circumferential surface of a rotational shaft 12a on the ventiduct 11 as an intermediate layer of a ventilation louver 1 among the outside shield plates 7 and inside shield plates 8 are mounted over the overall length of the shield plates 7 and 8. - 特許庁

シリコン基板１に、公知の方法で受光部２、転送電極３、層間絶縁膜４及び遮光膜５を形成した半導体基板１０を作製し、半導体基板１０上に膜厚ｄ_1の第一中間層１１を形成する。例文帳に追加

A semiconductor substrate 10 is manufactured by forming a light receiving part 2, a transfer electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a light shielding film 5 on a silicon substrate 1 by a well known method and a first intermediate layer 11 having a film thickness of d_1 is formed on the semiconductor substrate 10. - 特許庁