「導関数」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

価値導出部４０は、電子バリューの属性情報をもとに所定の評価関数で設定価値１２を調整する。例文帳に追加

The value derivation part 40 adjusts the set values 12 by a prescribed evaluation function on the basis of attribute information of electronic value. - 特許庁

広く、かつ高精度の範囲にわたる高速および低速球面オプトメータスイープの間、第１の誘導関数が適用される。例文帳に追加

During high speed and low speed spherical surface optometer sweep over a wide and highly accurate range, a first induction function is applied. - 特許庁

そしてこれら２つの考慮が、転回点ｚ０と界面（ｚ＝０）とで整合する補正のための関数を導入する。例文帳に追加

A function for correction matched by the turning point z0 and a boundary face (z=0) is introduced, based on these two considerations. - 特許庁

流れ発生器のマスク圧力の推定値は、流量導関数が正である時間間隔ごとでは実際のマスク圧力を大幅に超過する。例文帳に追加

The estimated value of the mask pressure of a flow generating device subsequently exceeds a real mask pressure every time period when a flow rate derived function is positive. - 特許庁

簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual workfunction semiconductor device with a simplified integration mechanism and a method for fabricating the same. - 特許庁

伝導性材料は、その電気抵抗が材料の圧縮あるいは歪みの関数であることがよく知られていることから、その抵抗値を監視する。例文帳に追加

The resistance value is monitored since it is well known that the electric resistance of conductive material is a function of compression or strain of material. - 特許庁

本発明は、半導体材料と金属の合金から形成され、合金の仕事関数を変調させる仕事関数変調元素を含む完全にシリサイド化されたゲート電極（４）と、完全にシリサイド化されたゲート電極（４）に接触した誘電体（３）とを含む半導体装置（１）を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device (1) includes: a fully silicided electrode (4) formed of an alloy of a semiconductor material and a metal, and comprising a workfunction modulating element for modulating a workfunction of the alloy; and a dielectric (3) in contact with the fully silicided electrode (4). - 特許庁

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。例文帳に追加

A source electrode layer or a drain electrode layer is formed in structure of a lamination layer of two layers or more, and one layer abutting on an oxide semiconductor layer from among the lamination layer is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or alloy of such metal. - 特許庁

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。例文帳に追加

The source electrode layer or the drain electrode layer is formed in a layered structure of two layers or more, and one layer abutting on the oxide semiconductor layer from among the layer stack is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or an alloy of such metal. - 特許庁

ソース電極層又はドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする。例文帳に追加

The source electrode layer or the drain electrode layer is formed in a layered structure of two layers or more, and one layer abutting on the oxide semiconductor layer from among the layer stack is made of an oxide of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer or an oxide of a metal alloy thereof. - 特許庁

所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a metal nitride film that achieves an intended effective work function (for example, a high effective work function) and has an EOT exhibiting a change or reducing a change, a semiconductor device using the metal nitride film; and a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

物質同士が接近し、空間のどの部分をどの物質に所属させるべきかが曖昧な場合でも、第一原理に基づき波動関数列を導出することが可能な、帯電物質の波動関数列導出方法、装置、及びプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide the wave function column derivation method, device and program of a charged substance for deriving a wave function column based on a first principal when substances approach each other, and which section of a space should be assigned to which substance is ambiguous. - 特許庁

リスク関数導出部４７は、患者の疫学データに基づいて生存時間解析を行い、治験の被験者が早期離脱や中止により治験実施期間内にドロップアウトする確率であるリスク値を求めるためのリスク関数を導出する。例文帳に追加

A risk function deriving part 47 analyzes survival time on the basis of the epidemiologic data of a patient and derives a risk function for obtaining a risk value which is the probability that the subject of the clinical trial drops out within a clinical trial execution period due to early withdrawal or stop. - 特許庁

回転システムの共振を減衰する方法を開示しており、同方法は、回転システム中の振動運動を表す式の展開、同式からの導関数の採用、運動を減衰させるため導関数に基づき位相のずれた能動的な減衰力を回転システムに加えることを含んでいる。例文帳に追加

A method for damping the resonance of the rotating system is disclosed and includes the development of an expression representing vibration movement in the rotating system; the adoption of a derivation from the expression; and the addition of active damping force having a shifted phase to the rotating system, based on the derivation to damp the movement. - 特許庁

ヘテロ半導体領域３に接する第１の電極４は、第１の電極４とドリフト領域２の仕事関数差が少なくともヘテロ半導体領域３とドリフト領域２の仕事関数差よりも大きくなるように選択された金属材料により形成されている。例文帳に追加

A first electrode 4 in contact with a hetero semiconductor region 3 is formed of a metal material which is so selected that the difference in work function between the first electrode 4 and a drift region 2 is larger than at least the difference in work function between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2. - 特許庁

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。例文帳に追加

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material. - 特許庁

本願発明においては、活性層がｐ型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにあって、その有機半導体の溶液中に、該半導体よりも仕事関数が小さい微粒子を分散させることで、活性層用の半導体材料とした。例文帳に追加

In the solution of the organic semiconductor, fine particles having a work function smaller than that of the semiconductor are dispersed. - 特許庁

アレイ導波路格子の第１のチャネル導波路１０２_1〜１０２_3は、第１〜第３の指数関数形状光導波路１１１_1〜１１１_3を介して第１の扇形スラブ導波路１０５と接続されている。例文帳に追加

First channel waveguides 102_1-102_3 of the array waveguide grating are connected with a first fan-shaped slab waveguide 105 through first - third exponential optical waveguides 111_1-111_3. - 特許庁

半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。例文帳に追加

Owing to the junction between a semiconductor layer and a conductor having a work function lower than the electron affinity of the semiconductor layer, a region into which carriers are injected from the conductor is formed in the semiconductor layer. - 特許庁

半導体装置（１）は、温度センサ部（３１）で測定した温度データと温度との理想的な対応関係を示す特性関数を、前記温度センサ部で測定した温度と実際の温度との誤差を示す補正係数で修正した特性修正関数の逆関数を用いて、温度毎に前記温度データを演算し、当該演算した温度データを温度毎に対応させて保持する補正テーブル（３３）を生成する。例文帳に追加

The semiconductor device (1) generates a correction table (33) holding computed temperature data corresponding to each temperature by computing the temperature data for every temperature using an inverse function of a characteristic correction function generated by correcting a characteristic function, showing ideal correspondence relation between temperature data measured by a temperature sensor portion (31) and temperatures, with a correction coefficient showing an error between the temperatures measured by the temperature sensor portion and actual temperatures. - 特許庁

半導体デバイスであって、第１MOS構造は、基板上に配置された第１ゲート誘電体、前記第１ゲート誘電体上に配置された第１仕事関数金属層、および前記第１仕事関数金属層上に配置された第１ケイ化物を含み、且つ第２MOS構造は、前記基板上に配置された第２ゲート誘電体、前記第２ゲート誘電体上に配置された第２仕事関数金属層、および前記第２仕事関数金属層上に配置された第２ケイ化物を含む半導体デバイス。例文帳に追加

In a semiconductor device, a first MOS structure includes a first gate dielectric arranged on a substrate, a first work function metal layer formed on the first gate dielectric, and a first silicide arranged on the first work function metal layer; and a second MOS structure includes a second gate dielectric arranged on the substrate, a second work function metal layer formed on the second gate dielectric, and a second silicide arranged on the second work function metal layer. - 特許庁

人間の聴覚−大脳機能システムにもとづき、時間領域において時々刻々変化する自己相関関数及び両耳間の相互相関関数から導出される物理ファクターを用いて、音を評価する方法、システムを提供する。例文帳に追加

To provide a method and system for evaluating sound based on human hearing sense-brain function system by using physical factors derived from a autocorrelation function varying with time in time region and cross-correlation function of two ears. - 特許庁

このとき、仮想デバイス１５０は、ファイル格納部１５１に格納されているファイル、あるいは関数登録部１５２に登録されている関数を用いて、半導体デバイスから出力されるアナログ波形を擬似的に生成する処理を行う。例文帳に追加

A virtual device 150 conducts processing for generating, in a pseudo form, the analog waveform output from the semiconductor device, using a file stored in a file storage part 151 or a function registered in a function registration part 152. - 特許庁

ＴＲＡＮＳＹＴの評価関数として総燃料消費量を算出するパフォーマンス・インデックスを定義し、その評価関数に基づいて燃料消費量を最適化する系統制御パラメータを導いて信号制御を行なう信号制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a signal control method for controlling a signal by defining a performance index for calculating a total fuel consumption amount as the evaluation function of TRANSYT and introducing a system control parameter for optimizing the fuel consumption amount based on the evaluation function. - 特許庁

ヒッチコックの扁平変形とヒルの関数とを用いて圧延荷重を予測するモデルにおいて、ヒッチコックの扁平変形において圧延荷重Ｐに乗算される補正項Ｆ（ｒ）及びヒルの関数に加算される補正項Ｇ（ｒ）を導入した。例文帳に追加

In a model for predicting rolling load using the Hitchcock squamous transformation and the Hill function, a correction term F(r) to be multiplied by rolling load P in the Hitchcock squamous transformation and a correction term G(r) to be added to the Hill function are introduced. - 特許庁

発散及び回転がゼロという条件を満足する電場ベクトルＥの解析領域（酸化シリコン領域２）において、電場ベクトルＥに垂直の関係となるベクトルＥを設定し、ベクトルＥを流れ関数Ψに用いて表現し、該流れ関数Ψのラプラス方程式を導出する。例文帳に追加

In the analysis area (a silicon oxide area 2) of an electric field vector E where a condition that a divergence and rotation are zero is satisfied, a vector E to be vertical in relation is set in the electric field vector E, the vector E is expressed by usage in a stream function Ψ and the Laplace equation of the stream function Ψ is derived. - 特許庁

そして、路面勾配推定値に基づく切換関数σの大きさ｜σ｜に応じて変化する係数ｋをテーブル形式でメモリに予め格納しておき、切換関数σの大きさ｜σ｜に応じた係数ｋの値を読み出して非線形制御入力を導出する。例文帳に追加

The factor (k) changing according to the size |σ| of the switching function σ based on a road surface grade estimate is prestored in a memory in a table form, and the nonlinear control input is derived by reading out a value of the factor (k) according to the size |σ| of the switching function σ. - 特許庁

本発明は、Ｘ個のデータの中から互いに類似したものを集めてＹ個のクラスタに分類するクラスタリング方法において、データの数Ｘに基づいて導出した関数（例えば、Ｙ＝round｛logＸ×（ｂ_３／（１＋ｃ_３×exp（−ａ_３Ｘ）））｝…関数（４））を用いて、前記クラスタの数Ｙを算出するものである。例文帳に追加

The clustering method for collecting similar ones from X pieces of data and classifying them to Y pieces of clusters comprises calculating the number Y of clusters by use of a function derived based on the number X of data (for example, function (4): Y=round{logX×(b_3/(1+c_3×exp(-a_3X)))}). - 特許庁

人間の聴覚−大脳機能システムにもとづき、時間領域において時々刻々変化する自己相関関数及び相互相関関数から導出される物理ファクターを用いて、騒音心理評価方法、その装置及び媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a psychological noise evaluation method, a device therefor and a medium therefor using a physical factor led from an auto-correlation function and a cross-correlation function changed moment by moment in a time range, based on a human acoustic sense-cerebrum function system. - 特許庁

この後、支配方程式の地盤面に関する境界条件を満足する境界条件適合型応答関数を算定し、該境界条件適合型応答関数を導入して支配方程式をこれと等価な境界積分方程式に変換する。例文帳に追加

Then, a boundary condition adaptive response function for satisfying the boundary conditions regarding the foundation surface of the governing equation is calculated, and the boundary condition adaptive response function is introduced to convert the governing equation to its equivalent boundary integral equation. - 特許庁

垂直型有機薄膜トランジスタ１では、活性層３０，５０は、誘電率が３．５以上であるｐ型活性有機半導体化合物からなり、ソース電極２０は、ドレイン電極６０を形成する金属の仕事関数値と異なる仕事関数値を有する金属から形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In the vertical organic thin-film transistor 1, active layers 30 and 50 are made of a p-type active organic semiconductor compound having a permittivity of 3.5 or more, and a source electrode 20 is made of a metal having a different work function from a metal for forming a drain electrode 60. - 特許庁

金属層６は、有機ＥＬ層９の側の第１表面および酸化物導電層７の側の第２表面を有し、第１表面における前記低仕事関数金属の濃度は、第２表面における前記低仕事関数金属の濃度よりも大きい。例文帳に追加

The metal layer 6 has a first surface at the side of the organic EL layer 9, and a second surface at the side of the oxide conductive layer 7, and the concentration of the low work-function metal on the first surface is larger than that of the one on the second surface. - 特許庁

膨張弁の開度操作量を算出する場合、コントローラは、その時点の膨張弁の開度における特性関数の微分値（ｄＶ／ｄＥ_V）を導出し、得られた特性関数の微分値で基準制御ゲインを除する演算を行って補正制御ゲインを算出する。例文帳に追加

In the case of calculating opening operation quantity of the expansion valve, the controller derives differential value (dV/dE_V) of the characteristics function for opening of the expansion valve at the time and a correction control gain is calculated by diving the reference control gain by the calculated characteristic function differential value. - 特許庁

信号処理装置は、特徴量抽出部１１、区間分割部１２、クラスタリング部１３、存在確率関数導出部１４、存在確率関数類似度算出部１５、クラスタ統合部１６及びクラスタ情報出力部１７を備えている。例文帳に追加

The signal processing apparatus includes a characteristic quantity extracting unit 11, a section dividing unit 12, a clustering unit 13, an existence probability function deriving unit 14, an existence probability function similarity calculating unit 15, a cluster integrating unit 16, and a cluster information output unit 17. - 特許庁

制御回路（８、２０）はスイッチング素子の動作を制御し、スイッチング素子の動通状態は完全に入力電圧の関数として制御され、スイッチング素子の非導通状態は完全に出力電圧の関数として制御される。例文帳に追加

A control circuit (8 or 20) controls the action of the switching element, and the conduction state of the switching element is completely controlled as a function of input voltage, and the nonconduction state of the switching element is controlled completely as a function of the output voltage. - 特許庁

基材金属１としては、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の金属を用いることが好ましく、表層金属２としては、その仕事関数が基材金属１の仕事関数より大きい金属で、且つ、融点が１０００℃以上の金属を用いることが好ましい。例文帳に追加

metal having 100 W/mK or more of thermal conductivity is preferably used as the base material metal 1, and metal having a work function larger than a work function of the base material metal 1, and having 1,000°C or more of melting point, is preferably used as the surface layer metal 2. - 特許庁

テストレチクルを用いて露光システムの伝達関数を導出し、この伝達関数をマスクパターンの設計にフィードバックさせて、厚膜レジストに所望する三次元形状を精度よく形成することが可能な三次元デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a three-dimensional device, by which a desired three-dimensional figure can be formed in a thick film resist with high accuracy by deriving a transfer function of an exposure system by use of a test reticle and designing a mask pattern using the transfer function as a feedback. - 特許庁

水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。例文帳に追加

In a thin-film transistor including an oxide semiconductor in which a hydrogen concentration is not higher than 5×10^19/cm^3, a work function ϕms of a source electrode in contact with the oxide semiconductor, a work function ϕmd of a drain electrode in contact with the oxide semiconductor, and the electron affinity χ of the oxide semiconductor satisfy a relationship of ϕms≤χ<ϕmd. - 特許庁

このとき、有機層３と透明保護層４との間に、仕事関数の小さい金属層を含む導電層６’を形成することが好ましく、その導電層６’が、仕事関数の小さい金属層である第１導電層６ａと、元素周期律の１族又は２族に属する元素を少なくとも含む第２導電層６ｂとからなるように構成することが好ましい。例文帳に追加

At this time, it is preferable that a conductive layer 6' including a metal layer having a small work function is formed between the organic layer 3 and transparent protective layer 4, and it is preferable that the conductive layer 6' comprises a first conductive layer 6a as the metal layer having the small work function and a second conductive layer 6b at least containing an element that belongs to a group I or II of an element periodic law. - 特許庁

Configパッケージは設定操作の関数を提供します。 導入導入--Config でできること導入 Config を使用すると、XML ファイルや PHP の配列、あるいはその他のデータソースに保存された設定項目を扱いやすくなります。例文帳に追加

The Config package provides methods for configuration manipulation.IntroductionIntroduction-- What Config can do Introduction Config helps you manipulate your configuration whether they are stored in XML files, PHP arrays or other kind of data sources. - PEAR

半導体基板上に１回のみの成膜工程でゲート絶縁膜を形成した後、仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate only by one time of a film formation process and gate electrodes having conductive materials of different job functions are then formed. - 特許庁

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate and then a gate electrode provided with conductive materials with different work functions can be formed thereon. - 特許庁

導体線路と導体線路間に配置する誘電体とからなる高周波伝送線路の減衰定数は導体線路間のコンダクタンスの増加関数である。例文帳に追加

The attenuation constant of a high frequency transmission line composed of conductor lines and a dielectric body arranged between the conductor lines, is expressed as an increasing function of conductance between the conductor lines. - 特許庁

制御ゲート６０は、側部４０ｂに対向する側部導電層６０ｂと、頂部４０ａに対向し、仕事関数が、電荷保持層よりも高く、側部導電層６０ｂよりも高い頂部導電層６０ａと、を有する。例文帳に追加

The control gate 60 has a side-part conductive layer 60b opposed to the side part 40b, and a top-part conductive layer 60a opposed to the top part 40a and having a higher work function than the charge holding layer and side-part conductive layer 60b. - 特許庁

サンプル気導音の長時間スペクトルの絶対値をサンプル骨導音の長時間スペクトルの絶対値で割ったものをフィルタ関数として導出し記憶する。例文帳に追加

The absolute value of the long-time spectrum of the sample of the air-conducted sound is divided by the absolute value of the long-time spectrum of the sample of the bone-conducted sound to derive and store a value as a filter function. - 特許庁