「島成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。例文帳に追加

The plurality of masks 11 for selective growth, which are formed on the substrate 1 for growth, have a circular or polygonal shape and also have their peripheries formed in an island shape enclosed with the substrate 1 for growth. - 特許庁

この負極６の構造は、酸化チタンが島状（クラスター）に点在したもの、島状酸化チタンを核として結晶が成長して柱状構造をなすもの、更に成長して多穴膜状になったものとする。例文帳に追加

The negative electrode 6 is constructed with titanium oxide interspersed in island (cluster) shapes, forming a columnar structure of a grown crystal formed by nucleating the island shaped titanium oxide of forming a further grown structure with a porous film shape. - 特許庁

成長種は、シリコン単結晶の島層２２と、島層の中央に突き出たシリコン単結晶の柱層２４と、島層２２の上で柱層２４の周囲を囲む環状の金層から構成されている。例文帳に追加

The silicon substrate 10 with the growth seed is set in a vapor phase growth unit, and a silicon growth gas is introduced at a high temperature, then the circular gold layer part becomes liquid drops of Si/Au alloy 28. - 特許庁

その後、勘助と出逢った後は大器ある君主として成長し、クライマックスの川中島合戦へと物語りは至る。例文帳に追加

Shingen grew up to be a honorable monarch after he met Kansuke, and then the story came to a climax with the battles of Kawanakajima.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この島状のＧａＮ膜１２が残存した状態で、エピタキシャル成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないＧａＮ膜１５を得る。例文帳に追加

A GaN film 15 almost free from crystal defects is obtained by epitaxial growth in the state that the GaN film having the island form is left. - 特許庁

そして、この島状結晶部２−１〜２−４を核としてエピタキシャル成長させることにより、第３の窒化物から窒化物膜３を製造する。例文帳に追加

Then the nitride film 3 is manufactured from a third nitride by epitaxially growing the crystal sections 2-1 to 2-4 as seeds. - 特許庁

半導体構造中にはII族窒化物化合物の単結晶島層が含まれ、この層の上にIII族窒化物化合物半導体層が成長する。例文帳に追加

A semiconductor structure includes an insular single crystal layer of II nitride compound and a III nitride compound semiconductor layer is grown thereon. - 特許庁

これにより、成長下地層２の表面には、島状結晶２Ｉによる三次元的な微細な凹凸形状が形成される。例文帳に追加

Consequently, three-dimensional fine concavo-convex shapes made by an island shaped crystal 2I are formed on the surface of the growth base layer 2. - 特許庁

InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。例文帳に追加

A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands. - 特許庁

そして、この頃、鍋島直正の世継ぎ教育に積極的に関わっており、茂義は鍋島直正の成長期に大きな影響を与えたと思われる。例文帳に追加

Accordingly, Shigeyoshi actively got involved in the education of the heir Naomasa NABESHIMA and it is assumed that Shigeyoshi had a great impact on Naomasa NABESHIMA in his growth period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。例文帳に追加

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate is provided, where the substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, and a functional layer crystal-grown on the Ge layer. - 特許庁

これらは、その上で成長する細胞における細胞付着およびヘミデスモゾーム形成を刺激し、胎児膵島細胞前駆体を含む、マトリックス上で成長した内分泌細胞前駆体は、生物学的機能および分化を維持する。例文帳に追加

These stimulate cell attachment and hemidesmosome formation in cells growing thereon, and precursors of endocrine cells grown on a matrix containing precursors of fetal pancreatic cells can maintain their biological activities and differentiation. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. - 特許庁

CVD法またはPVD法で基板１上に島状膜２ａを形成させ、その島状膜２ａを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶２ｄを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。例文帳に追加

The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core. - 特許庁

太平洋周辺及び全域，並びに APEC の島嶼・大陸地域内における発展した又は新興の成長センターを結びつけることによって，APECは地域的経済統合を強化・深化し，地域の成長の質を改善し，アジア太平洋の経済的強靱性に貢献する。例文帳に追加

By connecting the region’s developed and emerging growth centers around and across the Pacific Ocean and within APEC’s archipelagic and continental regions, APEC will strengthen and deepen its regional economic integration, improve the region’s quality of growth, and contribute to the Asia Pacific’s economic resilience. - 経済産業省

Ｓｉ単結晶基板１上にＳｉ基板／金属シリサイド／Ｓｉ薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造４を形成し、Ｈ_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Ｓｉ単結晶５からなる島状構造が形成すると共に島５と島５の間隙に金属シリサイド６を凝集させる。例文帳に追加

A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5. - 特許庁

半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。例文帳に追加

The semiconductor element includes: a substrate 11 made of a material differing from a GaN semiconductor, a growth mask 12 provided directly or indirectly on the substrate 11 and having one or a plurality of striped openings 12a; and one or a plurality of island-like GaN semiconductor layers 13 grown on the substrate 11 in the (0001) plane orientation by using the growth mask 12. - 特許庁

また、1963年に中国地方を襲った昭和38年1月豪雪で、中国山地の農村から一家で離村し、高度経済成長期の広島市に移住した農家の主婦が開業した例も多い。例文帳に追加

And due to the extraordinarily heavy snowfall which struck the Chugoku region in January 1963, many families left farming villages in mountain areas of the Chugoku region and moved to Hiroshima City during the high economic growth period, where many farmers' wives opened shops.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近江国高嶋郷三尾野（現在の滋賀県高島市あたり）で誕生したが幼い時に父を亡くし、母の故郷である越前国高向（たかむく、現在の福井県坂井市丸岡町高椋）で成長した。例文帳に追加

He was born in Miono, Takashima Village, Omi Province (around present Takashima City, Shiga Prefecture) but was raised up in Takamuku Echizen Province (present Takaboko, Maruoka Town, Sakai City, Fukui Prefecture), the hometown of his mother, because his father died when he was a child.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そして、この島状結晶部２−１〜２−４を核としてエピタキシャル成長させることにより、前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物から窒化物膜３を製造する。例文帳に追加

Further, these island-structure crystalline parts 2-1 to 2-4 are made, as nuclei, to be subjected to epitaxial growth for manufacturing a nitride film 3 out of a third nitride that is different from the second nitride. - 特許庁

基板６上に複数の島状に配列した触媒層４の夫々の全表面を覆う保護膜７をカーボンナノチューブ１の成長抑制物質で成膜する。例文帳に追加

Protective films 7 which cover the whole surfaces of catalytic layers 4 arranged in a plurality of insular forms on a substrate 6 are fabricated of a substance that retards the growth of carbon nanotubes 1. - 特許庁

リッジ部より下層のクラッド層２６には、島状に結晶成長したｐ型ＡｌＧａＩｎＮ結晶３２が１次元的にランダムな配列で配置され、１次元の屈折率分布をクラッド層に形成している。例文帳に追加

A p-type AlGaInN crystal 32 grown into an island shape is disposed one-dimensionally in a random manner on the cladding layer 26 lower than the ridge, and a one-dimensional refractive index distribution is formed on the cladding layer. - 特許庁

特に粒径制御層１３が島状に堆積する場合は、下地層１４はシード層１２と粒径制御層１３の表面に成長するので、下地層１４はシード層１２の表面の影響により結晶性が向上する。例文帳に追加

Since the underlayer 14 is grown on the surfaces of the seed layer 12 and the particle diameter controlling layer 13 especially when the particle diameter controlling layer 13 is deposited in the island shape, crystallinity of the underlayer 14 is enhanced by influence of the surface of the seed layer 12. - 特許庁

キャッピングレイヤ成膜時に島状に成長しやすい物質であっても、一様な厚みに成膜することを実現する光学素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating an optical element in which film deposition with uniform thickness is realized even in case of a material which is apt to grow insularly at the time of depositing a capping layer. - 特許庁

第１金属酸化物粒子が島状に第２金属酸化物に保持されて互いに分離され、互いの接触が抑制されているので、粒成長がほとんど生じない。例文帳に追加

The grain growth is hardly occurred because the 1st metal oxide is held as the fine particles in the island state on the 2nd metal oxide and the 1st metal oxide and the 2nd metal oxide are separated from each other to suppress the contact with each other. - 特許庁

そして、凸部の傾斜面にはＩｎＡｓが殆ど堆積せず、溝５４の底部にＩｎＡｓがＳ−Ｋモード成長して、相互に離隔したＩｎＡｓ島が形成される。例文帳に追加

Then, InAs is almost not deposited on the slopes of the projecting portions, S-K mode growth of InAs is performed on the bottoms of the grooves 54, and mutually isolated InAs islands are formed. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７とｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８との間には、エピタキシャル成長されたＬｉＧａＯ_２からなる島状の電流阻止層１０９を設けている。例文帳に追加

The element further comprises an insular current blocking layer 109 made of an LiGaO_2 epitaxially grown between the cladding layer 107 and the layer 108. - 特許庁

島状のａ−Ｓｉ膜５の熱は、効率よく基板１に放出されるが、高温部は冷却が遅れるので、低温部から高温部に向けて結晶化半導体膜としてのｐ−Ｓｉ膜の結晶が横方向に成長する。例文帳に追加

The heat from the island-like a-Si film 5 is efficiently given to the substrate 1, but the cooling of the higher temperature part is delayed so that the crystal of a p-Si film as a crystallized semiconductor film is grown laterally from the higher to the lower temperature part. - 特許庁

15世紀から16世紀にかけて、渡党を統一することで渡島半島南部の領主に成長していった蠣崎氏は豊臣秀吉・徳川家康から蝦夷地の支配権、交易権を公認され、名実共に安東氏から独立し、江戸時代になると蠣崎氏は松前氏と改名して大名に列し渡党は明確に和人とされた。例文帳に追加

From the fifteenth century to the sixteenth century, the Kakizaki clan, who was growing to become the feudal lord of the southern Oshima Peninsula by unifying Watari-to, was recognized as to the right of dominion and trade in the Ezo territory by Hideyoshi TOYOTOMI and Ieyasu TOKUGAWA and thus became independent from the Ando clan in both name and reality; and the Kakizaki clan changed its name to Matsumae and was elevated to Daimyo (Japanese feudal lord), by which Watari-to became Japanese in Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

善統親王は順徳天皇が佐渡島に流刑になった後の天福元年（1233年）に生まれた皇子で、時期ははっきりしないが上洛して祖母・修明門院のもとで成長し、親王宣下を受け、建長3年（1233年）に祖母から七条院領を相続した。例文帳に追加

Imperial Prince Yoshimune was born in 1233 after Emperor Juntoku was driven into exile to Sadogashima island, and though the time is uncertain, he went to Kyoto and was raised in his grandmother Shumeimonin's place and given the title of Imperial Prince there, and inherited Shichijoin estate from his grandmother in 1251.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

複数の生物学的存在を効果的に配送するように設計されたデバイス、特に、移植の目的のために、ランゲルハンス島等の細胞または細胞群を血管成長因子等の治療用化合物と組み合わせて配送することのできるデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a device designed to effectively deliver a plurality of biological entities, particularly a device capable of delivering cells or cell clusters, such as islet of Langerhans in combination with a therapeutic compounds such as an angiogenic growth factor for the purpose of transplantation. - 特許庁

ガストリン/CCK受容体リガンド、たとえばガストリン及び／又は上皮成長因子（EGF ）受容体リガンド、たとえば TGF−αを、膵島前駆体細胞の成熟インスリン−分泌細胞への分化をもたらすのに十分な量、付与する組成物を患者に投与することを包含する。例文帳に追加

A method includes administering to a patient the composition providing a gastrin/CCK receptor ligand, e.g., a gastrin and/or an epidermal growth factor (EGF) receptor ligand, e.g., TGF-α, in an amount sufficient to effect differentiation of pancreatic islet precursor cells to mature insulin-secreting cells. - 特許庁

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。例文帳に追加

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer. - 特許庁

半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing a Cu film having a realistic film deposition temperature and a realistic film deposition rate and preventing the phenomenon that the reduction of migration on the surface of a Cu film occurs during film deposition, and Cu is flocculated and is grown to an island shape. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。例文帳に追加

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it. - 特許庁

クラッド層中に配置された、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ島状成長結晶３２の１次元配置による１次元の周期的な屈折率分布をクラッド層中に設けることにより、レーザ光の強度分布つまりＮＦＰを制御することができる。例文帳に追加

By providing in the cladding layer the one-dimensional periodic refractive index distribution by the one-dimensional disposition of the p-type AlGaInN island shaped growth crystal 32 disposed in the cladding layer, it is possible to control an intensity distribution of laser light, i.e., an NFP. - 特許庁

これらは原安三郎が率い朝鮮で事業を展開した中外コンツェルンや沖縄・大東諸島においてプランテーション・鉱山事業をおこなった大日本製糖を中心とした藤山コンツェルン、マレーシア・シンガポールを拠点として鉱山・海運・化学事業を手がけた石原産業など、おもに朝鮮や南方における諸事業を展開して成長した。例文帳に追加

These zaibatsu included Chugai Konzern Group, which was led by Yasusaburo HARA and developed its business in Korea; Fujiyama Konzern Group, which was mainly formed by Dai-Nippon Sugar Co., Ltd. and developed plantation and mining business on Okinawa and the Daito Islands; ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD., which developed businesses in mining, maritime industry and chemical operations based in Malaysia and Singapore, all of which grew by developing a variety of businesses, mainly in Korea and the south.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

鎌倉時代末期から南北朝時代(日本)初期にかけて、越後国佐橋庄南条（現在の新潟県柏崎市）から高田郡吉田郡山城（現在の広島県安芸高田市）へ移った後に国人領主として成長し、戦国時代(日本)には国人領主から戦国大名への脱皮を遂げ、ついには中国地方最大の勢力となる。例文帳に追加

From the end of the Kamakura period to the beginning of the period of the Northern and Southern Courts (Japan), the clan moved from Nanjo in Sahashinosho, Echigo Province (present Kashiwazaki City, Niigata Prefecture) to the Yoshidakoriyama-jo Castle in Takada County (present Akitakata City, Hiroshima Prefecture), and developed their power as assuming the position of kokujin ryoshu (local samurai lord), then became a Sengoku daimyo (Japanese territorial lord in the Sengoku period) in the Sengoku Period (Period of Warring States), the clan eventually grew to be the most powerful one in the Chugoku region.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ガストリン／コレシストキニン（CCK）レセプターリガンド、特にガストリン、および表皮増殖因子（EGF）レセプターリガンド、特にトランスファー成長因子アルファ（TGFα）による組み合わせ共同作用の剌激で、膵島前駆細胞が成熟したインスリン産生細胞へと分化するのに影響を与えることによる真性糖尿病の治療を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment of diabetes mellitus, depending on effecting to differentiation of precursor cells of islet to matured insulin producing cells by stimulation of cooperativity of gastrin/cholecystokinin (CCK) receptor ligand, especially gastrin, and epidermal growth factor (EGF), especially transfer growth factor α (TGFα). - 特許庁

異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element and a production method thereof, in which island-like GaN semiconductor layers made of high-quality semiconductor crystal can be grown on a different kind of substrate while warpage of the substrate is suppressed, and cracking can be suppressed even when the GaN semiconductor layers are extremely thin to easily attain the semiconductor element having large area. - 特許庁

このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。例文帳に追加

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4. - 特許庁

また、業種別で見ると、ビール製造（青島ビール）、家電（広東科龍電器）、空運（中国東方航空等）と、多岐の業種にわたっている。なお、1990年代以降の実質GDPの需要項目別寄与度を見てみると、1990年代前半に改革・開放政策の加速を受けて、対中直接投資の急増等の投資ブームが起きたことを反映して、固定資本形成が成長を大きく牽引したことがわかる。例文帳に追加

Furthermore, these companies cover a broad range of industries　including beer manufacturing (Tsingtao Brewery), household electrical appliances (Guangdong Kelon　Electrical Holdings Company Ltd.) and air transport (China Eastern Airlines, etc.).In addition, looking at the degree of contribution by type of demand to real GDP after the 1990s, it is　clear that the growth had been driven by fixed capital formation reflecting the investment boom caused　by the surge of FDI into China and other factors, which had been prompted by the acceleration of reform　and open-door policies in the first half of the 1990s. - 経済産業省

基板上に、規則的に配列した小孔アレイを形成し、前記基板を熱処理することにより、前記小孔アレイの配列に対応させて前記基板表面に原子ステップのネットワークを形成し、前記基板上に、前記基板とは異なる物質を堆積させることにより、前記ステップネットワークの分岐点あるいは湾曲部に前記基板とは異なる物質からなる微小島を形成することを特徴とする結晶成長制御法によって、上記課題を解決する。例文帳に追加

An array of regularly arranged small holes is formed on a substrate, the substrate his heat treated to form a network of atomic steps on the substrate surface corresponding to the small hole array, and a substance different from that of the substrate is deposited on the substrate to form micro- islands, made of the substance different from that of the substrate on the cross points or curved parts of the step network. - 特許庁

なお、国内立地補助金は、供給網（サプライチェーン）の中核的な部品・素材分野と、将来の雇用を支える高付加価値の成長分野における生産拠点に対する補助金（国内立地推進事業費補助金：2,950 億円）、研究開発拠点向けの補助金（先端技術実証・評価設備整備費等補助金　等：350億円）、福島県における原発災害からの復興に必要な補助金（ふくしま産業復興企業立地補助金：1,700 億円）から構成されている。例文帳に追加

Subsidies for domestic location consist of the following: a subsidy provided for production bases in the fields of parts/materials that constitute the core of supply chains and the high-value added growth fields that will help to maintain employment in the future (subsidy for projects promoting domestic location - 295 billion yen); a subsidy provided for research and development bases (subsidy for advanced technology demonstration and evaluation facility development, and others - 35 billion yen); and a subsidy required for the reconstruction from the nuclear power disaster in Fukushima Prefecture (subsidy for business location for the industrial recovery of Fukushima - 170 billion yen). - 経済産業省