「注入処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

オゾン処理設備は、オゾン反応槽１０内にオゾンガスを注入するオゾン発生器１１と、オゾン処理水の溶存オゾン濃度を測定する溶存オゾン濃度計１２と、を備えている。例文帳に追加

The ozone treatment apparatus includes an ozone generator 11 for injecting the ozone gas in an ozone reactor 10 and a dissolved ozone concentration meter 12 for measuring the concentration of the dissolved ozone in the ozone treated water. - 特許庁

必要最小限のオゾン注入量により、ろ過性能が低下することなく安定した水処理が実現可能なオゾン酸化および膜ろ過を利用した水処理におけるオゾンガス供給制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling the supply of ozone gas, in water treatment utilizing ozone oxidation and membrane filtration capable of realizing stable water treatment by a necessary minimum injection amount of ozone without lowering filtering capacity. - 特許庁

水処理プロセスにおいて、正確なアルカリ度を速やかに把握し、注入する凝集剤量を適正に調節し、処理水中の窒素やリン濃度を良好に維持する。例文帳に追加

To excellently maintain concentration of nitrogen or phosphor in treatment water by rapidly grasping accurate alkalinity and properly controlling an injected flocculant amount in a water treatment process. - 特許庁

加圧噴射処理された活性汚泥は、オゾン処理装置４２のオゾン反応槽４０に供給され、オゾン発生器４４で発生させたオゾンが注入される。例文帳に追加

The activated sludge subjected to the pressure jet treatment is supplied to an ozone reaction tank 40 of an ozone treatment system 42, and ozone generated in an ozone generator 44 is injected thereto. - 特許庁

炭化珪素半導体装置の製造方法が、炭化珪素基板を準備する工程と、炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device comprises steps of: preparing a silicon carbide substrate; implanting an impurity ion to the silicon carbide substrate; and heat treating the silicon carbide substrate. - 特許庁

発泡ウレタンを高温高圧下で薬剤と反応させてモノマー化する際に、薬剤の注入を的確に行うことができる発泡ウレタンの処理方法及びその処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for processing a urethane foam, which can inject a medicine accurately when the urethane foam is reacted with the medicine under high temperature and high pressure for monomerization. - 特許庁

処理済ガスへのリークアンモニア量を低減させ、注入アンモニア量の増加を可能とする炭素質触媒を利用した排ガス処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exhaust gas treatment method and an apparatus therefor utilizing a carbonaceous catalyst capable of reducing the leak amt. of ammonia to treated gas and thus increasing an injection amt. of ammonia. - 特許庁

水素イオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。例文帳に追加

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate. - 特許庁

前オゾン処理による凝集性の最適ポイントを凝集処理前後の蛍光強度差から把握し、前オゾン注入率を最適に制御可能にする水質制御システムを提供する。例文帳に追加

To provide a water quality control system capable of controlling a ozone injection rate by recognizing an optimum point of flocculation characteristics from the difference in the fluorescence intensity before and after a flocculation treatment. - 特許庁

光触媒反応槽１１に臭素酸イオンを含んだ被処理液を注入し、この被処理液中には粉末状またはガラス等の担体に担持した光触媒を懸濁または投与する。例文帳に追加

A liquid to be treated containing bromic acid ions is injected into a photocatalytic reaction tank 11 and a powdery photocatalyst or a photocatalyst supported on a carrier such as glass or the like is charged in the liquid to be treated. - 特許庁

その結果、埋め込みシリコン酸化膜を形成するための酸素イオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、重金属汚染ｃをなくすことができる。例文帳に追加

Consequently, heavy metal contamination (c) can be eliminated not only in the oxygen ion injection and its heat treatment for forming a buried silicon oxide film, but also in the heat treatment in the device process. - 特許庁

酸素イオンの注入後であって熱処理以前にシリコン基板を不活性ガス若しくは還元性ガス又は混合ガス雰囲気において１０００℃から１２８０℃の温度範囲で５分〜４時間の前熱処理を行う。例文帳に追加

Before the treat treatment after implanting oxygen ion, the silicon substrate is heat pretreated in a temperature range of 1,000-1,280°C in an inert gas, reductive gas or mixed gas atmosphere for 5 minutes to 4 hours. - 特許庁

その後、ガスボンベ８０により処理前表示液Ｓにアルゴンガスを注入してバブリングを実行し、アルゴンガスを処理前表示液Ｓに溶解させる。例文帳に追加

Subsequently, gaseous argon is dissolved in the display liquid S before processing by bubbling carried out with injection of the gaseous argon into the display liquid S before processing with a gas cylinder 80. - 特許庁

汚染物質は窒素雰囲気下での加熱処理とその後の酸化処理（犠牲酸化）による酸素および珪素との反応を経て、保護絶縁膜５中に保持された状態となり、イオン注入部分からの汚染を抑えることができる。例文帳に追加

Through reaction of oxygen and silica in the oxidation treatment (sacrifice oxidation) after heating treatment under the nitrogen atmosphere, contaminants comes into a condition where it is held in the protective insulating film 5, so that contamination from the ion implanting part is restrained. - 特許庁

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を３０原子％以上にする。例文帳に追加

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling. - 特許庁

また、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入した後、該基板を急速加熱処理し、その後高温熱処理を施すことを主工程とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。例文帳に追加

In a method for manufacturing the SIMOX substrate, the oxide ion is implanted to the silicon mono-crystal substrate, and the quick heating treatment and high temperature heat treatment of the substrate is carried out in a main process. - 特許庁

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。例文帳に追加

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment. - 特許庁

下水（被処理水）の消毒基準を確実に達成できると共に、被処理水に注入するオゾン量を最小限にしてランニングコストを低減できる下水消毒システムを提供する。例文帳に追加

To provide a sewage disinfecting system capable of surely achieving a disinfection reference of sewage (water to be treated) and also capable of reducing a running cost by minimizing an ozone quantity injected into the water to be treated. - 特許庁

オゾン処理部３では、放電式の高性能オゾナイザー４で発生させたオゾン濃度が１２０ｇ／Ｎｍ^3 以上の高濃度オゾンガスを、汚泥含有処理水１１に注入する。例文帳に追加

In the ozonating part 3, high concentration ozone gas of ozone concentration ≥120 g/Nm3 which is produced by a high performance ozonizer 4 of electric discharge type is poured into the sludge containing water to be treated 11. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストを良好に剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate processing method by which a resist used as a mask at ion implantation is well separated (removed) without damaging a substrate, and also to provide a substrate processing device. - 特許庁

有機溶媒に可溶な高分子材料より構成され、表面の少なくとも一部がイオン注入処理及びエッチング処理により改質されている、ナノ濾過膜。例文帳に追加

The nanofiltration membrane is composed of a polymer material soluble in an organic solvent, and at least a part of the surface of the membrane is modified by an ion injection treatment and an etching treatment. - 特許庁

そして、左側の筒体端面側に表面処理後のキャプスタンを集め、その状態で洗浄水を注入してキャプスタンの表面に付着した処理液を洗い流す。例文帳に追加

The capstans after the surface treatment are collected to the end face side of the cylindrical body on the left side and washing water is poured in this state therein to flush away the treating liquid adhered to the surfaces of the capstans. - 特許庁

設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。例文帳に追加

The setting part 13 performs a first setting processing for setting the main parameter from the required implantation depth and a second setting processing for setting the sub parameter. - 特許庁

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。例文帳に追加

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency. - 特許庁

設備の小型化が実現でき、維持管理が容易で、オゾンの注入量を低減して高い減容化率を得ることができる汚泥の処理方法及び処理設備を提供する。例文帳に追加

To provide a sludge treatment method which enables the miniaturization of sludge treatment equipment, facilitate maintenance and control and provides a high volume reduction ratio by reducing the injection amount of ozone, and the sludge treatment equipment using the same. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストなどの有機物を良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device capable of satisfactorily removing an organic material such as a resist used as a mask at the time of ion implantation without giving damage to a substrate. - 特許庁

処理水槽３８は、注入ライン４４を介してろ過ユニット２８に接続されており、オゾンが残留する処理液４２によってろ過膜が逆洗される。例文帳に追加

The tank 38 is connected to the unit 28 through a pour line 44, and the filter membrane is back-washed with the effluent 42 containing residual ozone. - 特許庁

オゾン注入率と紫外線照射量との組み合わせを最適にすると共に、被処理水の水質変化に対して迅速に対応することができ、更に精度の高い水質測定を可能とする水処理制御システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a water treatment control system which can optimize the combination of an ozone injection rate and ultraviolet irradiation, quickly cope with a quality change of water to be treated, and enables water quality measurement of a greater precision. - 特許庁

造影剤注入前後の画像間で引き算処理を行う際に生じる主に被検体の体動に起因するモーションアーチファクトを軽減するためのピクセルシフト処理に対する操作者の作業負担を軽減すること。例文帳に追加

To reduce the work burdens on an operator for pixel shift processing for reducing motion artifacts mainly attributable to the body movement of a subject generated when performing subtraction processing between images before and after injecting a contrast medium. - 特許庁

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thermal processing apparatus and a thermal processing method, capable of performing both of activation of implanted impurities and restoration of introduced defects while suppressing damages to be given to a substrate. - 特許庁

該処理剤を被処理木材に加圧注入した後、乾燥および加熱することによりメチロール化フェノール単量体が硬化、樹脂化して細胞壁に浸透した長期間にわたり安定な木材が得られる。例文帳に追加

After injecting by pressurizing the treating agent into lumber to be treated, a methylol phenol monomer is hardened and resinified by drying and heating to permeate a cell wall and stabilized lumber is obtained for a long period of time. - 特許庁

促進酸化処理装置１は、オゾン注入領域２１と紫外線照射領域２２と反応領域２３とが一体化した構造を有する処理槽２を備えている。例文帳に追加

This accelerated oxidation treating apparatus 1 is provided with a treating tank 2 which has such a structure that an ozone injection area 21, an ultraviolet ray irradiation area 22 and a reaction area 23 are integrated as one body. - 特許庁

本発明による液晶表示装置の製造方法では、液晶を注入する前に、シール材に対して紫外線照射処理が１回以上、熱処理が２回以上行われる。例文帳に追加

In the method for manufacturing the liquid crystal display, UV treatment to the sealing material is performed one or more times and heat treatment is performed two or more times, prior to the injection of the liquid crystal. - 特許庁

不揮発性メモリトランジスタは電荷蓄積領域からエレクトロンを放出させる消去処理によって閾値電圧が低くされ、電荷蓄積領域にエレクトロンを注入するプログラム処理によって閾値電圧が高くされる。例文帳に追加

In the nonvolatile memory transistor, threshold voltage is made low by erasure processing to discharge an electron from an electrical charge storage area and the threshold voltage is made high by program processing to inject the electron into the electrical charge storage area. - 特許庁

この膜モジュール９の上流側に、被処理液ａの中に不活性ガスｂを気泡状に注入して被処理液ａと気泡ｃとからなる気液２相流を形成する気泡投入装置４を設ける。例文帳に追加

A bubble charging apparatus 4 which forms a gas-liquid two phase flow comprising the treatment liquid a and bubbles c by injecting an inert gas b into the treatment liquid a in the form of bubbles is installed on the upstream side from the membrane module 9. - 特許庁

この後、ガス注入路１６が遮断された中空樹脂成形品１２を処理液に浸漬して電気メッキ処理を行い、中空樹脂成形品１２の表面に金属メッキ層１３を形成する。例文帳に追加

Then an electroplating layer 13 on the surface of the hollow resin molding 12 is formed by electroplating the hollow resin molding 12 in which the gas injection path 16 is cut off by immersing it in the treating liquid. - 特許庁

応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極１４と拡散層領域２を接続する容量コンタクト７の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜１１に、イオン注入１２を行う処理である。例文帳に追加

The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2. - 特許庁

異なるサイズのウェーハを処理することの労力や時間、さらには製造コストの削減が可能となり、処理中のウェーハ外周囲部の破損がないイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter capable of reducing labor, time and a manufacturing cost for processing wafers having different sizes without causing damage to the outside peripheral part of each wafer during processing. - 特許庁

プラズマイオン注入法と成膜を複合化し、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質し、成膜するプラズマ表面処理法及び装置を実現する。例文帳に追加

To provide a method and a device for plasma surface treatment in which a plasma ion implanting method and film deposition are combined, the surface physical properties of a work are physically or chemically modified, and film deposition is performed thereon. - 特許庁

算出部３２は、被処理水への塩素注入率によって決定されるオゾン消費量算出式を用いて、被処理水の蛍光強度、水温、濁度、ｐＨの各値に基づいて推定オゾン消費量を算出する。例文帳に追加

The calculation section 32 calculates the estimated ozone consumption on the basis of the respective values of the fluorescent intensity, water temperature, turbidity and pH of the water to be treated by using the ozone consumption calculation formula determined by the chlorine injection rate to the water to be treated. - 特許庁

不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus for implanting impurities into a substrate from a surface layer containing the impurities, which is excellent in practical utility, and a method of processing the substrate. - 特許庁

反応槽１１に被処理液を注入する際に、被処理液のｐＨを、利用する光触媒の種類に応じて、等電点以下となるように予め調整しておく。例文帳に追加

When the liquid to be treated is injected into the reaction tank 11, the pH of the liquid to be treated is preliminarily adjusted so as to become an isoelectric point corresponding to the kind of the photocatalyst to be utilized. - 特許庁

ラテックスからなる液状のタイヤパンク修理剤を注入してパンク処理済みの空気入りタイヤをホイールより取り外すとき、周囲を汚さないようにするタイヤパンク修理剤の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating a tire puncture repairing agent in which the circumference is not contaminated when a puncture-treated pneumatic tire is removed from a wheel by injecting a liquid-like tire puncture repairing agent made of a latex. - 特許庁

これによって、オゾン微細気泡生成のための加圧圧力を維持した状態で水処理槽１へのオゾン注入流量を調整できるので使用電力が低減化され、水処理設備の経済性が向上する。例文帳に追加

Thereby, the injection flow rate of ozone to a water treatment tank 1 can be adjusted while maintaining a pressure for generating the fine ozone bubbles, which reduces used electric power to improve the economical efficiency of the water treatment plant. - 特許庁