「注入処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

嫌気性処理槽にアンモニア除去剤を添加する装置と、アンモニア除去剤の注入制御装置と、嫌気性処理槽とを有することを特徴とする有機性廃棄物の嫌気性処理装置。例文帳に追加

A device for adding the ammonia removing agent into the anaerobic treatment tank, a device for controlling the injection of the ammonia removing agent, and the anaerobic treatment tank are provided. - 特許庁

ガス注入アセンブリは、処理チャンバ内の動的圧力を変化させて、処理チャンバ内での基板の処理時間を変化させる基板対面面を備える。例文帳に追加

The gas injection assembly is equipped with a substrate confronting surface changing a dynamic pressure inside the processing chamber so as to vary the processing time for the substrate in the processing chamber. - 特許庁

オゾン反応槽２内の被処理水に対して蛍光分析計前処理部５において酸化剤が注入され、被処理水中の蛍光強度が蛍光分析計６により求められる。例文帳に追加

An oxidizing agent is injected in the water to be treated in the ozone reaction tank 2 in the fluorescence analyzer pretreatment part 5 and the fluorescence intensity in the water to be treated is calculated by the fluorescence analyzer 6. - 特許庁

原水にオゾンをエジェクター装置でインライン注入し、膜ろ過装置によりろ過し、次いでその膜ろ過水を活性炭で処理する水処理方法において、促進酸化を併用する水処理方法。例文帳に追加

In the water treatment method for injecting ozone in raw water in-line by an ejector and filtering raw water by a membrane filter and subsequently treating the filtered water from the membrane filter with activated carbon, accelerated oxidation is used together. - 特許庁

塩素処理した後の原水に対して還元剤を用いて中和処理する際に、ＳＢＳ溶液の過剰注入を抑制しつつ、より確実に中和処理を完了することのできる淡水化装置及び淡水化方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a desalination apparatus and a desalination method capable of controlling excessive injection of SBS solution and surely completing neutralization treatment when carrying out the neutralization treatment using a reducing agent to raw water after chlorination treatment. - 特許庁

被処理水に酸化剤を注入することにより被処理水から蛍光増白剤の影響が抑えられ、蛍光分析計６において求めた蛍光強度に基づいて、精度よくオゾン処理を施すことができる。例文帳に追加

The effect of the fluorescent brightener is suppressed from the water to be treated by injecting the oxidizing agent in the water to be treated and ozone treatment can be accurately performed on the basis of the fluorescence intensity calculated by the fluorescence analyzer 6. - 特許庁

水処理制御装置６は、被処理水蛍光分析計４と処理水蛍光分析計５とで測定された各蛍光強度から求まる蛍光強度減少率に基き注入制御を行う。例文帳に追加

A water treatment control device 6 performs injection control based on fluorescence intensity reduction rate determined from the fluorescence intensities measured by the fluorescence analyzer 4 for the water to be treated, and fluorescence analyzer 5 for the treated water. - 特許庁

ｐＨによって解離状態が変化する酸化性溶液に対しても適正な還元剤の注入量で還元処理を良好に行うことができる還元処理装置および還元処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a reduction treatment apparatus and method which can satisfactorily perform the reduction treatment even of an oxidizing solution, of which the dissociative state is changed by pH, with a proper amount of injected reducing agent. - 特許庁

水処理容器１には、処理水入口５１に入口閉止弁５が設けられ、処理水出口６１に出口閉止弁６が設けられ、排出ノズル３と注入ノズル４が接続されている。例文帳に追加

The water treatment vessel 1 is provided with an entrance closing valve 5 in a treatment water entrance 51 and an exit closing valve 6 in a treatment water exit 61, and a discharge nozzle 3 and an injection nozzle 4 are connected thereto. - 特許庁

管状移動処理器４０内に被処理物を挿入し、一端の密閉室４３から流体を注入する一方、他端の密閉室４４から該処理流体を排出する。例文帳に追加

An article to be treated is inserted in the tubular moving device 40 and a fluid is injected in the tubular moving device 40 from the hermetically closed chamber 43 provided to one end of the moving device 40 while the treatment fluid is discharged from the hermetically closed chamber 44 provided to the other end thereof. - 特許庁

処理容器２内において天然原料を水熱反応させて低分子化処理し、所定の温度まで冷却した後に、処理容器２内に不活性ガスを注入して陽圧の不活性ガス雰囲気下に保持しながら回収する。例文帳に追加

A natural raw material is subjected to hydrothermal reaction in a treatment container 2 for degradation and cooled to a prescribed temperature and successively the obtained product is recovered while being kept in an inert gas atmosphere at a positive pressure by injecting the inert gas to the treatment container 2. - 特許庁

例えば、反応槽２０に被処理液を導入する被処理液路３１の途中に、硝酸を注入する硝酸添加路１２を接続して被処理液に硝酸を混合する。例文帳に追加

For example, a treating liquid is mixed with nitric acid by connecting a nitric acid adding path 12 for injecting nitric acid to the midstream of a treating liquid path 31 introducing the treating liquid into the reaction vessel 20. - 特許庁

循環水系を有する各種の水処理設備に容易に組み込むことができ、水処理設備への給水および水処理薬品の注入を一元的に管理することのできる水質管理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a water quality management system which can be easily built into various kinds of water treatment plants having circulating water systems and can manage, in a unified way, water supply and feed of water treatment chemicals to the water treatment plants. - 特許庁

イオン注入装置は、処理基板１６の任意の複数の領域に対するそれぞれの注入角度が設定値を有するイオンビームを照射するイオン照射部４を含む。例文帳に追加

The ion injecting device includes an ion radiating section 4 for radiating ion beams where respective injection angles to a plurality of arbitrary regions of a treatment substrate 16 have set values. - 特許庁

液晶注入装置ＬＣ１〜ＬＣｎは、液晶注入処理を行うための炉と、炉を操作、運転するための操作パネルＬＣＰ１〜ＬＣＰｎを有する。例文帳に追加

The liquid crystal injection devices LC1 to LCn have furnaces for performing liquid crystal injection processing and operation panels LCP1 to LCPn for operating and working the furnaces. - 特許庁

その後、前記のようにベース基板７を接合してから熱処理してイオン注入層６を膨張させ、半導体基板１をイオン注入層６の位置から剥離する（Ｓ１８）。例文帳に追加

Then, the ion injection layer 6 is inflated by heat treatment and the semiconductor substrate 1 is detached from the position of the ion injection layer 6 (S18). - 特許庁

オゾン処理槽へのオゾン注入量を精度良く適切な量に制御可能な注入オゾン制御システム及び制御方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an injection ozone control system capable of controlling the amount of ozone injection to an ozone treatment vessel to an appropriate amount with high precision, and a control method. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板１に水素イオンを注入して泥弱層２を形成した後、単結晶ＳｉＣ基板１の水素イオンを注入した面側にベース基板３を貼り付け、熱処理をする。例文帳に追加

After a muddy layer 2 is formed by implanting hydrogen ions into a single crystal SiC substrate 1, a base substrate 3 is fixed to the side of the single crystal SiC substrate 1 implanted with the hydrogen ions and heat treated. - 特許庁

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。例文帳に追加

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing. - 特許庁

水処理制御装置１４は、この水質指標変化率に基づいてオゾンガス注入装置１９を制御して、オゾンガス注入量を調整する。例文帳に追加

The water treatment controlling apparatus 14 controls a gaseous ozone injection apparatus 19 based on the water quality index changing rate to adjust gaseous ozone injection amount. - 特許庁

凝集剤注入装置１３は膜処理装置１０から排出されるろ過水のフミン質濃度に基づき前記凝集剤を前記原水に注入するようにしてもよい。例文帳に追加

This flocculant injection device 13 may inject the flocculant in the raw water on the basis of the concentration of humic substances of the water filtrate discharged from the membrane treatment device 10. - 特許庁

圧縮空気の槽内注入加圧対流攪拌と有酸素水注入及びポンプ吐出し対流による有機廃棄物の水中分解消滅処理機。例文帳に追加

UNDERWATER DECOMPOSING/EXTINGUISHING APPARATUS FOR ORGANIC WASTE THROUGH PRESSURIZED CONVECTION STIRRING BY INJECTION OF COMPRESSED AIR INTO TANK AND CONVECTION THROUGH INJECTION OF OXYGEN-CONTAINING WATER AND DISCHARGE BY PUMP - 特許庁

凝集剤注入率を高精度に制御でき、ファウリングの発生を有効に防止することができる水処理システム及びその凝集剤注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment system which can highly accurately control a flocculant injection rate and can impede the generation of fouling and to provide a method for injecting a flocculant therefor. - 特許庁

シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。例文帳に追加

An imperfect embedded oxide film 12 is formed in the surface layer by decreasing an ion implantation amount of oxygen in the surface layer of a silicon wafer 11 and heat-treating an ion implantation layer 15 during low temperature epitaxial growth. - 特許庁

粉末状又は顆粒状の消毒剤を用いる消毒処理において、効率のよい消毒剤の注入を行うと共に、注入設備の省スペースを図ることのできる消毒方法及び消毒装置を提供する。例文帳に追加

To provide a disinfection method and disinfection device capable of efficiently performing filling of a disinfectant and saving the space of injecting facilities in a disinfection treatment using the disinfectant of a powdery or granular form. - 特許庁

複数本の注入ノズルから添加剤を均等に被処理液に注入して凝集を効果的に行うことができる凝集沈殿装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a flocculation and sedimentation apparatus capable of equally injecting an additive in a liquid to be treated from a plurality of injection nozzles to effectively perform flocculation. - 特許庁

その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。例文帳に追加

Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region. - 特許庁

最後に、マスク材料４の除去後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層５及びＡｓ^+イオン注入層９を活性化させ、それぞれアノード層７及びカソード層１０を形成する。例文帳に追加

Finally, the mask material 4 is removed, and then heat treatment causes the B^+ ion implantation layer 5 and the As^+ ion implantation layer 9 to be activated, thus forming an anode layer 7 and a cathode layer 10 respectively. - 特許庁

そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。例文帳に追加

Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode. - 特許庁

イオン注入した不純物のプロファイルを崩すことなく、また、パターンの揮発などの問題を起こすことなく注入された不純物を活性化する熱処理方法及びその装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and its apparatus which activate an ion-implanted impurity without changing the profile of the impurity as well as without causing a problem of a pattern volatilization, etc. - 特許庁

排気処理装置（６０５）はさらに、アンモニア注入装置（６４０）、混合部（６４５）、およびアンモニア注入装置の下流側に配置され、ＮＯｘを還元するようになっている選択接触還元要素（６５０）を備えている。例文帳に追加

The emissions treatment apparatus 605 further includes an ammonia injection apparatus 640, a mixing section 645, and a selective catalytic reduction element 650 disposed downsteam of the ammonia injection apparatus and adapted for reduction of NOx. - 特許庁

単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hybrid scan type ion implantation device processing a single wafer, capable of uniformly injecting and having a simple structure, excellent durability and reliability. - 特許庁

複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion injector that makes it possible to inject uniform ions into substrates and can generate a treatment layer of high quality whose thickness is uniform and which is stable in the substrates. - 特許庁

ディスポーザー生ごみ処理排水を嫌気撹拌、超微細気泡のオゾン化空気を注入し、従来の空気注入との組み合わせによるエアレーションシステムで浄化する手段。例文帳に追加

The waste water obtained by treating garbage with the disposer is purified by an aeration system for adopting anaerobic agitation and injection of the ozonized air of superfine air bubbles in combination with the conventional air injection method. - 特許庁

本発明の目的は、被検体に造影剤を注入し、その注入前後の画像間でサブトラクション処理を行う際に生じる、被検体の体動に起因する位置ズレアーチファクトを軽減することにある。例文帳に追加

To reduce a displacement artifact caused by physical movement of an examinee when performing subtraction processing between images before and after injection by injecting a contrast medium into the examinee. - 特許庁

プラズマイオン注入法を用いて、生体用インプラント部材表面にイオン注入を施し、耐摩耗性及び耐食性に優れる表面改質層を形成する、表面処理方法である。例文帳に追加

This surface treatment method is characterized in that ion implantation is applied to the surface of the implant member for the organism by a plasma ion implantation method to thereby form a surface modified layer with excellent wear resistance and corrosion resistance. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハの表面からイオン注入を行い、このイオン注入されたウェーハに５００℃以上、シリコンの融点（１４１０℃）以下の温度で熱処理を施す。例文帳に追加

Ion implantation is performed from the surface of a silicon single crystal wafer and then the wafer is heat treated at a temperature between 500°C and the melting point of silicon (1,410°C). - 特許庁

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。例文帳に追加

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed. - 特許庁

その結果、注入室２において、セル内排気および注入作業を次々と行うことが可能となり、トータルの作業時間を短縮することができ、単位時間当たりの処理枚数を向上させることができる。例文帳に追加

Thereby, works of evacuation in the cell and injection can be successively performed in the injection chamber 2, the total work time can be reduced, and the number of processed sheets per unit time can be improved. - 特許庁

有機塩素化合物で汚染された土壌に注入井戸から酸化剤を注入すると共に揚水井戸が地下水を汲み上げて土壌及び／又は地下水を浄化する方法において、汲み上げた地下水を容易に処理する。例文帳に追加

To provide a method for cleaning soil and/or pumped-up ground water by injecting an oxidizing agent in soil polluted with an organochlorine compound from an injection well and pumping up the ground water using a water pumping-up well. - 特許庁

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。例文帳に追加

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies. - 特許庁

排煙処理設備の入口煙道６内に注入ノズル８からアンモニア水を注入する際に該ノズル８の後流部のダクト下部壁６ａ上の適切な位置に灰堆積防止用のスートブロワ１０を設置する。例文帳に追加

An ash accumulation preventive soot blower 10 is installed at an appropriate point on the duct lower wall 6a of a rear flow part of the nozzle 8, when injecting ammonia into the inlet flue 6 of a flue gas treatment facility from the injection nozzle 8. - 特許庁

循環ラインにおいて、プール水は、ヘヤーキャッチャー２で毛髪類等を分離処理され、凝集剤注入装置４により凝集剤を注入後、濾過装置５により濾過される。例文帳に追加

In a circulation line 2, the pool water is separated hair, etc., with a hair catcher 2, and a flocculant is charged with a flocculant injection device 4, and then the water is filtered with a filter device 5. - 特許庁

半導体装置や半導体回路装置の製造における積層ウェハの接着剤の注入処理において、積層ウェハを収納する容器を用いることなく、積層ウェハのウェハ間の隙間に接着剤を注入する。例文帳に追加

To inject an adhesive into a gap between wafers of a laminated wafer without using a container which contains the laminated wafer in an injection treatment of the adhesive into the laminated wafer during manufacture of a semiconductor device and a semiconductor circuit device. - 特許庁

循環冷却水による腐食やスケール、スライム等の生成を防止するために、薬品タンク１２、薬品ポンプ１３及び薬剤注入路１４を介して水処理薬剤を補給水路６に注入する。例文帳に追加

In order to prevent corrosion by circulating cooling water and generation of scale, slime and the like, the water treatment chemical is injected to a make-up water passage 6 through a chemical tank 12, a chemical pump 13, and a chemical injection passage 14. - 特許庁