「注入処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。例文帳に追加

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p. - 特許庁

これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation. - 特許庁

注入された不純物の拡散を抑制しつつも不純物注入時に導入された欠陥の回復を促進でき、しかも不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and apparatus, capable of promoting recovery of defects introduced in implanting impurities while suppressing dispersion of the impurities, and excellently activating the impurities. - 特許庁

注入された不純物の拡散を抑制しつつ活性化を行うことができ、しかも不純物注入時に導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that can activate an implanted impurity while suppressing diffusion of the impurity, and can recover a crystal defect introduced during the impurity implantation. - 特許庁

重量変化ΔＷが規定範囲ΔＷｒｅｆよりも小さい場合、検体処理手段２０により試験チップ１０への希釈液の追加注入や検体溶液の追加注入等の追加処理が行われる。例文帳に追加

If the weight change ΔW is smaller than the predetermined range ΔWref, the specimen processing means 20 carries out an additional processing of additionally injecting a dilution liquid and the specimen solution to the test chip 10. - 特許庁

銅を含有する銅系薬剤を木材に加圧注入した後、該木材にホウ酸系薬剤を減圧注入し、該木材の表面に撥水処理剤を塗布して、耐久処理木材を製造する。例文帳に追加

The method of manufacturing the durability-treated wood includes: injecting under pressurization a copper-based agent containing copper into wood; thereafter injecting a boric acid-based agent into the wood under depressurization, and coating the surface of the wood with a water repellency treating agent. - 特許庁

被処理水側の急激な水質変動に迅速に対応可能な薬剤の注入制御を可能にし、処理水の水質の安定化を図った薬剤注入制御装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical injection control system by which a chemical injection control capable of quickly coping with a rapid change in quality of water to be treated to stabilize the quality of treated water is attained. - 特許庁

凝集沈殿処理を行う水処理方法において、短時間で自動的に適正な凝集剤注入率を決定することが可能な凝集剤注入率の決定方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for deciding a flocculating agent infusion rate capable of automatically deciding a proper flocculating agent infusion rate in a short time in a method for treating water which performs coagulation/sedimentation treatment. - 特許庁

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。例文帳に追加

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate. - 特許庁

サブドレンパン下部３の底部に設けられた逆止弁付きドレンキャップ５と、押出し式の注入器７とを、着脱自在の連結器２７により連結し、注入器７から所望の量の排水処理剤を吐出して排水処理剤を注入する。例文帳に追加

A drain cap 5 with a check valve disposed on the bottom at the lower section 3 of a sub-drain pan is coupled with a push-out type injector 7 through a removable coupling 27 and then a desired quantity of a drain treating agent is delivering and injected from the injector 7. - 特許庁

ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。例文帳に追加

After a gate electrode is formed, a first-conductivity-type dopant is ion-implanted with high concentration, heat treatment is made, a second-conductivity-type dopant is ion-implanted, a sidewall is formed on a gate side, the first-conductivity-type dopant is ion-implanted, and then heat treatment is made for manufacturing the field effect transistor. - 特許庁

この発明に係る水処理方法は、揮発性有害物質を含有する被処理流体に、オゾンガスを注入するとともに、過酸化水素の注入または／及び紫外線の照射を行い、上記揮発性有害物質を分解処理する水処理方法において、上記オゾンガスのオゾン注入率を上記揮発性有害物質の濃度の半等量以上にするものである。例文帳に追加

In the water treating method of decomposing a volatile harmful material by injecting hydrogen peroxide and/or irradiating with ultraviolet ray with the injection of ozone gas to the fluid to be treated, which contains the volatile harmful material, the injection ratio of the ozone gas is controlled to be equal to or above half an equivalent of the concentration of the volatile harmful material. - 特許庁

被処理水をオゾン単独処理した場合に所定の溶存オゾン濃度を保つことができるオゾン注入率、あるいは被処理水の特定波長における吸光度と被処理水をオゾン単独処理した際の特定波長おける吸光度とが所定の比となるオゾン注入率において、オゾン・過酸化水素併用処理を実施する。例文帳に追加

The treatment using both ozone and hydrogen peroxide is carried out at an ozone injection rate capable of maintaining a predetermined dissolved ozone concentration when treating water to be treated, only with ozone, or at an ozone injection rate adjusting a ratio of the absorbance of the water to be treated at a specific wavelength to that of the water to be treated, treated only with ozone at the specific wavelength to a predetermined value. - 特許庁

オゾンによる水処理制御システムは、被処理水の一部が分岐ライン５を介して分岐して流入する試験用オゾン反応器６と、試験用オゾン反応器６内に試験用オゾンガスを注入して試験用オゾン処理水を得る試験用オゾンガス注入装置７とを備えている。例文帳に追加

This system for controlling ozone-used water treatment is provided with a testing ozone reactor 6 where a part of the water to be treated is branched through a branched line 5 and made to flow in and a testing ozone gas injecting apparatus 7 for injecting testing ozone gas into the testing ozone reactor 6 to obtain testing ozone-treated water. - 特許庁

本発明による注入オゾン制御システム３０は、被処理水へのオゾン注入量を制御する制御部３１と、被処理水の推定オゾン消費量を求める算出部３２と、被処理水の水温から推定オゾン溶解効率を求める算出部３３とを備えている。例文帳に追加

The injection ozone control system 30 is equipped with a control section 31 for controlling the amount of the ozone injection to water to be treated, a calculation section 32 for calculating the estimated ozone consumption of the water to be treated, and a calculation section 33 for calculating estimated ozone dissolution efficiency from the water temperature of the water to be treated. - 特許庁

脱塩装置で被処理水の薬剤注入物質（ｐＨ調整剤のアンモニア）を除去することなく、被処理水の他の不純物イオンのみを除去し、薬剤注入物質の負荷と冷却負荷を軽減させた水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment apparatus for removing only other impurity ions of water to be treated without removing a chemical agent-injecting substance (ammonia being a pH control agent) of water to be treated by a desalting device to reduce the load of the chemical agent injection substance and cooling load. - 特許庁

活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。例文帳に追加

When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated. - 特許庁

カラム３６で分離処理された被検液が注入配管２０を介して注入されると共に注入された被検液に対してＵＶ光が照射される本体部１１と、注入配管２０が巻回される配管巻回部１２とを具備するフローセルであって、本体部１１及び注入配管２０を共に樹脂により形成する。例文帳に追加

This flow cell is provided with a body part 11 into which the test solution separated and treated in a column 36 is filled through filling piping 20 while irradiating the filled test solution with UV light, and a piping winding part 12 wound with the filling piping 20. - 特許庁

酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。例文帳に追加

This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal. - 特許庁

直列方向に２段に接続された逆浸透膜装置によって海水を淡水化処理する方法において、第２段目逆浸透膜装置の上流側で、第１段目逆浸透膜装置の透過水にスケール分散剤注入処理および／または脱炭酸処理を施すと共に、透過水のｐＨが９．２〜９．７となる様にアルカリ注入処理を施すことに要旨を有する海水の淡水化処理方法。例文帳に追加

In a method for desalinating seawater using the reverse osmosis membrane equipment connected in two stages serially, on the upstream of the reverse osmosis membrane equipment in the second stage, water penetrating the first reverse osmosis membrane equipment is subjected to scale dispersion injection and/or decarboxylation, and is subjected to alkali injection so that pH of the penetrating water becomes 9.2-9.7. - 特許庁

シリコン中に中空領域を制御性よく容易に形成するという目的を、中空領域を形成する領域に水素イオン注入を行った後、水素イオン注入領域に熱処理を行うことで、水素イオン注入領域に中空領域を形成することを可能とする。例文帳に追加

To easily form a hollow area in silicon with good controllability, and to form the hollow area in a hydrogen ion injection area by performing thermal treatment to the hydrogen injection area after injecting hydrogen ion into an area forming the hollow area. - 特許庁

水処理制御装置６は、このように決定した紫外線照射量及びオゾン注入率を目標値として電源装置７を制御して紫外線照射器２から紫外線を照射させると共に、オゾン発生装置８を制御してオゾン注入器３からオゾンを注入させる。例文帳に追加

The water treatment control device 6 controls a power supply device 7 to irradiate ultraviolet light from an ultraviolet irradiation device 2 and controls an ozone generator 8 to inject ozone from an ozone injector 3, while using the determined ultraviolet irradiation and ozone injection rate as the target values. - 特許庁

本発明は、処理対象水に対する二酸化塩素の注入率を安定させ、また、揮発した二酸化塩素を清浄水に溶解させた二酸化塩素水を利用するための二酸化塩素水注入装置及び注入方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for injecting chlorine dioxide water in which the injection ratio of chlorine dioxide to water to be treated is stabilized and which utilize the chlorine dioxide water produced by dissolving gaseous chlorine dioxide into clean water. - 特許庁

エレクトロルミネセンスデバイスが、アノード層と、溶液ベースの処理技術によりアノード層の上に堆積された正孔注入層とを有し、正孔注入層は少なくとも１つの導電性ドーパントでドープされた架橋可能な正孔注入材料を用いて作成されている。例文帳に追加

The electroluminescence device has an anode layer, and a hole injection layer deposited on the anode layer by a solution-based processing technology, wherein the hole injection layer is created using a crosslinkable hole injection material doped with at least one conductive dopant. - 特許庁

液晶注入工程において、多数枚の液晶パネルへの液晶注入処理を効率良く行い、安定して適量の液晶を注入することができる液晶パネルの製造装置及び液晶パネルの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing device for a liquid crystal panel and a manufacturing method for the liquid crystal panel by which liquid crystal injection treatment into numbers of liquid crystal panels can be efficiently performed and a proper quantity of liquid crystal can be stably injected. - 特許庁

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。例文帳に追加

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped. - 特許庁

地表面から地下水が内在する帯水層にまで注入ロッドを貫入し、該注入ロッドを介して、水より軽い固化材を前記帯水層に注入し、前記帯水層の上部に存在する有害物質を固化することを特徴とする有害物質の固化処理方法を提供する。例文帳に追加

In this solidification method of toxic substances, an injection rod is penetrated into an aquifer containing groundwater from the ground surface, and a solidifying material lighter than water is injected through the injection rod into the aquifer, to solidify the toxic substances present in an upper part of the aquifer. - 特許庁

蛍光分析計を用いた水処理制御システムは、活性炭注入部４ａを有する活性炭注入設備４と、活性炭注入部４ａの上流に設けられた蛍光分析計７および流水流量計６とを備えている。例文帳に追加

This water treatment control system using the fluorometric analyzer is provided with an activated carbon injecting equipment 4 having an activated carbon injecting section 4a, the fluorometric analyzer 7 and a water flowmeter 6 mounted upstream of the injecting section 4a. - 特許庁

半導体装置の製造方法では、半導体基板に２つの不純物注入領域を形成する注入工程（Ｓ２０）、不純物注入領域上にキャップ膜を形成する工程（Ｓ４０）、キャップ膜が形成された状態で、熱処理工程（Ｓ５０）を実施する。例文帳に追加

The method of manufacturing semiconductor device includes the steps of forming two impurity implanting regions in a semiconductor substrate (S20), forming a cap film on the impurity implanted region (S40), and heat-treating with the cap film formed (S50). - 特許庁

次に、基板保護膜２を除去した後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層６，Ａｓ^+イオン注入層７，ＢＦ_２^+イオン注入層９を活性化させ、ｐ領域１０，カソード層１１，アノードコンタクト層１２を形成する。例文帳に追加

The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12. - 特許庁

液晶材料を液晶注入口１５から注入工程後に、液晶材料の等方性温度以上の温度における熱処理工程を行い、その後に液晶注入口１５に封止材７を形成する封止工程を行う。例文帳に追加

After an injection stage for injecting a liquid crystal material from a liquid crystal injecting port 15, a thermal treatment stage at a temperature equal to or higher than the isotropic temperature of the liquid crystal material is performed, and then a sealing stage for forming a sealing material 7 at the liquid crystal injecting port 15 is performed. - 特許庁

その処理は、並列配置した多数のスモーク注入針３２をマグロ肉Ｍに刺入して、該注入針から上記スモークの少量の気泡状噴出を間欠的に繰り返しながら、スモーク注入針３２を挿入または抜き出すことにより、マグロ肉内に離散的にスモークの気泡５１を打ち込む。例文帳に追加

The treatment is carried out by inserting many smoke injectors 32 arranged in parallel into the tuna meat M, blowing out small amounts of the smoke from the injectors in the tuna meat M and intermittently and repeatedly inserting or pulling out the smoke injectors 32, thus scatteringly injecting the smoke bubbles in the tuna meat. - 特許庁

液晶注入作業の一連の工程を行う複数種類の処理室で行う液晶注入装置１において、搬入室１１Ａ，１１Ｂ、加熱室１２Ａ，１２Ｂ、注入室１３Ａ，１３Ｂおよび恒温室１４Ａ，１４Ｂについてそれぞれ２つずつ設けた。例文帳に追加

In the liquid crystal injector 1 wherein a series of steps of the liquid crystal injecting operations are performed in a plurality of kinds of treatment chambers, two carrying-in chambers 11A and 11B, heating chambers 12A and 12B, injection chambers 13A and 13B, and thermostatic chambers 14A and 14B are provided respectively. - 特許庁

第一次処理として、コンクリート壁の湧水している大口径開口部の周辺に、所定間隔で多数の凍結材注入孔をコンクリート壁を貫通するように削孔し、その注入孔から凍結材を注入して、開口部から吐出している湧水あるいは吐出水を凍結させる。例文帳に追加

As a primary treatment, a large number of a freezing mixture filling holes are drilled around a water springing-out large bore opening part of a concrete wall, at specified spaces so as to pierce the concrete wall, and a freezing mixture is filled from the filling holes to freeze spring water or discharge water discharged from the opening part. - 特許庁

PWR発電所二次冷却系の水処理システムであって、PWR発電所二次冷却系の二次冷却材に微量の酸素を注入する酸素注入部と、注入した微量な酸素がSGへ流入しないこと及び配管の減肉の状態を監視する腐食電位計とを有する。例文帳に追加

The water treatment system for the secondary cooling system in the PWR power plant has: an oxygen injection component for injecting a trace of oxygen into secondary coolant in the secondary cooling system of the PWR power plant; and a corrosion potential meter for monitoring no flow of a trace of the injected oxygen into a steam generator (SG) and the condition of the pipe wall thickness loss. - 特許庁

混合及び注入操作におけるコンピュータ制御処理用の混合・注入装置が、容器を把持することのできる回転可能なアームを含んでいて、そのアームは自動化された運動及び注入プロセスを実行するために、プログラム化可能な速度と時間間隔で回転可能である。例文帳に追加

The mixing and injecting device 100 for processing computer control in the mixing and injecting operation includes a rotatable arm capable of gripping a vessel 112, and the arm can be rotated at programmable speed and time intervals in order to carry out an automated motion and injecting process. - 特許庁

ＮＯｘのピークに合わせて脱硝装置へのアンモニア注入量と時間を制御し、アンモニア注入量の過不足を防止することができる微粉炭燃焼排ガス処理用脱硝装置へのアンモニア注入量制御方法および制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for controlling the amount of injection of ammonia into a denitrification apparatus for treating exhaust combustion gas of pulverized coal by which the amount and time of injection of ammonia into the denitrificaion apparatus can be controlled in cope with the peak of NOx and the amount of injection of ammonia can be prevented from becoming in improper quantities. - 特許庁

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。例文帳に追加

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30. - 特許庁

オゾン処理装置と膜ろ過処理装置とを含む水処理装置であって、原水の濁度が上昇した場合でも、オゾン注入量が増大せず、しかも膜目詰まりを抑制して安定した処理水量を得ることが可能な水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a water treating apparatus containing an ozone treating device and a membrane filtering device, which can treat water stably with minimum clogging of the membrane without increasing the injection amount of ozone even for an increase in turbidity of raw water. - 特許庁

汚泥を輸送する汚泥輸送手段、汚泥に鉄系凝集剤を添加し処理する凝集処理手段、オゾンを発生するオゾン発生手段、凝集処理した汚泥に前記オゾン発生手段より発生したオゾンを注入し処理するオゾン処理手段を備えている。例文帳に追加

The sludge treatment apparatus is equipped with a sludge transport means for transporting sludge, a flocculation treatment means for adding a ferrous flocculant to sludge to treat the sludge, an ozone generation means for generating ozone and an ozone treatment means for injecting ozone generated from the ozone generation means into the flocculated sludge to treat the sludge. - 特許庁

前記圧力雰囲気にする方法は、処理空間の空気を所定のガスに置換した後に、処理空間内の圧力が処理空間外より高く、かつプラズマを発生させる圧力になるまで、所定のガスを処理空間に注入して行うプラズマ処理方法。例文帳に追加

The pressure atmosphere is formed by displacing air in the treatment space with specified gas and injecting the specified gas until the pressure of the inside of the treatment space becomes higher than that of the outside of the treatment space and generating plasma. - 特許庁

この生ゴミ処理機１０で生ゴミを処理しても下水側の負荷を増やさずにスラリー化した生ゴミを生ゴミ処理機１０の第２排出口４３から送液ポンプ６１で敷地内の地中へ注入し発酵分解処理可能な節水送液手段を有する生ゴミ処理システムＡとなっている。例文帳に追加

In the garbage treatment system A, even if the garbage is treated in the garbage disposer 10, load on sewage is not increased, slurry-like garbage is injected into the ground within the site by a feed pump 61 from the second discharge port 43 of the garbage disposer 10, and a water-saving feeding means allowing fermentation decomposition is provided. - 特許庁

オゾン処理装置と膜濾過処理装置とを含む水処理装置であって、少量のオゾン注入で、しかも膜目詰まりを抑制して３ｍ^3／ｍ^2／日以上の高流束で安定した処理水量を得ることが可能な水処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for a water treatment which can stably treat water at a high flux of 3 m3/m2/day or above by feeding a small amount of ozone and suppressing membrane clogging in a water treatment apparatus composed of ozone treatment equipment and membrane filtration equipment, and to provide an apparatus for the method. - 特許庁

臭化物イオンおよび有機物を含む被処理水をラジカルにより処理する水処理方法において、ＴＯＣとして０．１ｍｇ／Ｌ〜２．５ｍｇ／Ｌの範囲でアルコールを被処理水に注入してラジカル濃度を調整することを特徴とする水処理方法である。例文帳に追加

The water treatment process comprises the treatment of water to be treated containing the bromate ions and the organic substance by a radical, wherein the concentration of the radical is adjusted by pouring alcohol in the water to be treated in a range of 0.1 mg/L to 2.5 mg/L as a TOC. - 特許庁

レオメータ用ダイスは、その、少なくともサンプルに接触する表面に、イオン成膜処理、およびイオン注入処理のうち少なくとも一方の処理を施した。例文帳に追加

In the dies for a rheometer, the surface in contact with a sample is treated with at least either of ion deposition treatment or ion implantation treatment. - 特許庁